技术特征：
1.一种磁传感器，其特征在于，具备：基板，其具有基准平面；支承构件，其配置在所述基板之上，具有相对于所述基准平面倾斜的倾斜面；以及磁检测元件，其配置在所述倾斜面之上，且具有在一个方向上长的形状，所述磁检测元件具有：第一侧面及第二侧面，它们位于所述磁检测元件的短边方向的两侧，且分别具有上端，所述第一侧面位于沿着所述倾斜面的方向且远离所述基准平面的第一方向的前方，所述第二侧面位于沿着所述倾斜面的方向且靠近所述基准平面的第二方向的前方，所述磁检测元件包含：第一变化部分，其中，所述第一侧面的所述上端和所述第二侧面的所述上端各自的至少一部分成为直线状，且沿着所述磁检测元件的长边方向，所述第一侧面的所述上端和所述第二侧面的所述上端的间隔变小。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件还具有：所述第一侧面和所述第二侧面相交而成的边缘。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第一变化部分的所述第一侧面的所述上端相对于在所述第一侧面和所述第二侧面之间延伸且与所述长边方向平行的假想直线形成第一角度，所述第一变化部分的所述第二侧面的所述上端相对于所述假想直线形成第二角度，所述第一角度和所述第二角度互不相同。4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第一变化部分的所述第一侧面的所述上端相对于在所述第一侧面和所述第二侧面之间延伸且与所述长边方向平行的假想直线形成第一角度，所述第一变化部分的所述第二侧面的所述上端相对于所述假想直线形成第二角度，所述第一角度和所述第二角度彼此相等。5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述第一侧面和所述第二侧面各自还具有下端，从所述第一侧面的所述上端观察，所述第一侧面的所述下端位于所述第一方向的前方，从所述第二侧面的所述上端观察，所述第二侧面的所述下端位于所述第二方向的前方。6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件还包含：恒定部分，其中，沿着所述长边方向，所述第一侧面及所述第二侧面各自的所述上端成为直线状，且所述第一侧面和所述第二侧面的间隔为恒定。7.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，在所述第一变化部分的所述上端和所述恒定部分的所述上端之间，形成有边缘。8.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件还包含：第二变化部分，其配置于将所述恒定部分夹持在与所述第一变化部分之间的位置，沿着所述长边方向，所述第一侧面及所述第二侧面各自的所述上端成为直线状，且所述第一侧面和所述第二侧面的间隔变小。
9.根据权利要求8所述的磁传感器，其特征在于，所述第二变化部分具有：以与所述磁检测元件交叉且与所述长边方向正交的假想平面为中心，相对于所述第一变化部分对称的形状。10.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，在与所述第一变化部分交叉且与所述长边方向正交的第一截面的所述第一侧面的尺寸的最大值，大于在与所述恒定部分交叉且与所述长边方向正交的第二截面的所述第一侧面的尺寸的最大值，在所述第一截面的所述第二侧面的尺寸的最大值，大于在所述第二截面的所述第二侧面的尺寸的最大值。11.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，在与所述第一变化部分交叉且与所述长边方向正交的第一截面的所述第一侧面的尺寸的最大值和在所述第一截面的所述第二侧面的尺寸的最大值的合计，大于在与所述恒定部分交叉且与所述长边方向正交的第二截面的所述第一侧面的尺寸的最大值和在所述第二截面的所述第二侧面的尺寸的最大值的合计。12.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，第一尺寸和第二尺寸彼此相等，其中，该第一尺寸为在与所述磁检测元件交叉且与所述长边方向正交的第三截面的所述第一侧面的尺寸，该第二尺寸为在所述第三截面的所述第二侧面的尺寸。13.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，第一尺寸和第二尺寸互不相同，其中，该第一尺寸为在与所述磁检测元件交叉且与所述长边方向正交的第三截面的所述第一侧面的尺寸，该第二尺寸为在所述第三截面的所述第二侧面的尺寸。14.根据权利要求13所述的磁传感器，其特征在于，所述第一尺寸大于所述第二尺寸。15.根据权利要求13所述的磁传感器，其特征在于，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。16.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测元件包含层叠的多个磁性层，并且构成为电流沿所述多个磁性层的层叠方向流动。17.根据权利要求16所述的磁传感器，其特征在于，所述多个磁性层包含：自由层，其具有方向能够根据外部磁场而变化的磁化；以及磁化固定层，其具有方向被固定的磁化，并且介于所述自由层和所述倾斜面之间。18.根据权利要求17所述的磁传感器，其特征在于，还具备：对所述自由层施加规定方向的磁场的线圈。19.根据权利要求18所述的磁传感器，其特征在于，从与所述基准平面垂直的一个方向观察，所述线圈与所述第一变化部分的至少一部分重叠。
技术总结
本发明的磁传感器具备：具有上表面的基板、具有倾斜面的绝缘层、以及配置在倾斜面之上的磁检测元件。磁检测元件具有第一侧面和第二侧面。第一侧面位于沿着倾斜面的一个方向即第一方向的前方。第二侧面位于沿着倾斜面的另一个方向即第二方向的前方。磁检测元件包含：第一变化部分，其中，沿着磁检测元件的长边方向，第一侧面的上端和第二侧面的上端的间隔变小。小。小。
技术研发人员：渡部司也 牧野健三
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2022.09.20
技术公布日：2023/3/24