盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法与流程

1.本发明涉及gis设备局部放电检测技术领域，并且更具体地，涉及一种盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法。


背景技术：

2.盆式绝缘子是gis设备的故障高发部位。现有局部放电测量及分析技术无法有效评估盆式绝缘子的绝缘状态，主要原因在于缺少绝缘劣化直至击穿全过程的局部放电信息，无法评估局部放电的严重程度。例如无法评估盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电的严重程度。


技术实现要素：

3.针对现有技术的不足，本发明提供一种盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法。
4.根据本发明的一个方面，提供了一种盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法，包括：
5.在盆式绝缘子上设置嵌件毛刺的缺陷模型，通过升压法进行局部放电试验，采集各个放电阶段的放电指纹特征向量，其中放电指纹特征向量包括局部放电相位宽度、放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差；
6.分别对各个放电阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，计算各个放电阶段的聚类中心；
7.提取待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的局部放电指纹特征向量，并计算局部放电指纹特征向量到各个放电阶段的聚类中心的欧氏距离平方；
8.选取欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
9.可选地，在盆式绝缘子上设置嵌件毛刺的缺陷模型的操作，包括：
10.将嵌件毛刺缺陷模型设置在在110kv真型盆式绝缘子顶部并且与gis设备高压导体相连，其中嵌件毛刺缺陷模型长度2cm、直径0.8mm的1颗电料铝丝。
11.可选地，通过升压法进行局部放电试验，采集各个放电阶段的放电指纹特征向量的操作，包括：
12.利用特高频传感器对各个放电阶段对应不同试验阶段的带有嵌件毛刺缺陷模型的盆式绝缘子进行局部放电检测，确定不同试验阶段的prpd图谱以及prps图谱；
13.根据prpd图谱，提取局部放电相位宽度、放电幅值熵值、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差；
14.根据prps图谱，提取所有放电次数的均值以及放电次数的标准差。
15.可选地，各个放电阶段包括：放电初始阶段、放电发展阶段以及放电危险阶段，并
且分别对各个放电阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，计算各个放电阶段的聚类中心的操作，包括：
16.对放电初始阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定放电初始阶段的第一聚类中心；
17.对放电发展阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定放电发展阶段的第二聚类中心；
18.对放电危险阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定放电危险阶段的第三聚类中心。
19.可选地，计算局部放电指纹特征向量到各个放电阶段的聚类中心的欧氏距离平方的操作，包括：
20.计算局部放电指纹特征向量到放电初始阶段的第一聚类中心的第一欧氏距离平方；
21.计算局部放电指纹特征向量到放电发展阶段的第一聚类中心的第二欧氏距离平方；
22.计算局部放电指纹特征向量到放电危险阶段的第一聚类中心的第三欧氏距离平方。
23.可选地，选取欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段的操作，包括：
24.选取第一欧氏距离平方、第二欧氏距离平方以及第三欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
25.根据本发明的另一个方面，提供了一种盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估装置，包括：
26.采集模块，用于在盆式绝缘子上设置嵌件毛刺的缺陷模型，通过升压法进行局部放电试验，采集各个放电阶段的放电指纹特征向量，其中放电指纹特征向量包括局部放电相位宽度、放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差；
27.第一计算模块，用于分别对各个放电阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，计算各个放电阶段的聚类中心；
28.第二计算模块，用于提取待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的局部放电指纹特征向量，并计算局部放电指纹特征向量到各个放电阶段的聚类中心的欧氏距离平方；
29.选取模块，用于选取欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
30.根据本发明的又一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于执行本发明上述任一方面所述的方法。
31.根据本发明的又一个方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：处理器；用于存储所述处理器可执行指令的存储器；所述处理器，用于从所述存储器中读取所述可执行指令，并执行所述指令以实现本发明上述任一方面所述的方法。
32.从而，本技术对于嵌件毛刺缺陷，提出表征其严重程度的指纹，有8个表征参量，主要有放电相位宽度φw，放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电
幅值熵值以及放电幅值分布的标准差。进而对gis盆式绝缘子典型嵌件毛刺缺陷局部放电的放电严重程度进行有效评估。
附图说明
33.通过参考下面的附图，可以更为完整地理解本发明的示例性实施方式：
34.图1是本发明一示例性实施例提供的盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法的流程示意图；
35.图2是本发明一示例性实施例提供的嵌件毛刺放电模型位置示意图与试验前实物图；
36.图3是本发明一示例性实施例提供的各试验阶段的试验电压及持续时间示意图；
37.图4是本发明一示例性实施例提供的三个放电阶段各类prpd谱图；
38.图5是本发明一示例性实施例提供的三个放电阶段各类prps谱图；
39.图6是本发明一示例性实施例提供的局部放电指纹特征随试验时间的变化趋势示意图；
40.图7是本发明一示例性实施例提供的尖端放电放电阶段划分示意图；
41.图8是本发明一示例性实施例提供的盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估装置的结构示意图；
42.图9是本发明一示例性实施例提供的电子设备的结构。
具体实施方式
43.下面，将参考附图详细地描述根据本发明的示例实施例。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是本发明的全部实施例，应理解，本发明不受这里描述的示例实施例的限制。
44.应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
45.本领域技术人员可以理解，本发明实施例中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同步骤、设备或模块等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
46.还应理解，在本发明实施例中，“多个”可以指两个或两个以上，“至少一个”可以指一个、两个或两个以上。
47.还应理解，对于本发明实施例中提及的任一部件、数据或结构，在没有明确限定或者在前后文给出相反启示的情况下，一般可以理解为一个或多个。
48.另外，本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本发明中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
49.还应理解，本发明对各个实施例的描述着重强调各个实施例之间的不同之处，其相同或相似之处可以相互参考，为了简洁，不再一一赘述。
50.同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
51.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
52.对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
53.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
54.本发明实施例可以应用于终端设备、计算机系统、服务器等电子设备，其可与众多其它通用或专用计算系统环境或配置一起操作。适于与终端设备、计算机系统、服务器等电子设备一起使用的众所周知的终端设备、计算系统、环境和/或配置的例子包括但不限于：个人计算机系统、服务器计算机系统、瘦客户机、厚客户机、手持或膝上设备、基于微处理器的系统、机顶盒、可编程消费电子产品、网络个人电脑、小型计算机系统﹑大型计算机系统和包括上述任何系统的分布式云计算技术环境，等等。
55.终端设备、计算机系统、服务器等电子设备可以在由计算机系统执行的计算机系统可执行指令(诸如程序模块)的一般语境下描述。通常，程序模块可以包括例程、程序、目标程序、组件、逻辑、数据结构等等，它们执行特定的任务或者实现特定的抽象数据类型。计算机系统/服务器可以在分布式云计算环境中实施，分布式云计算环境中，任务是由通过通信网络链接的远程处理设备执行的。在分布式云计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备的本地或远程计算系统存储介质上。
56.示例性方法
57.图1是本发明一示例性实施例提供的盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法的流程示意图。本实施例可应用在电子设备上，如图1所示，盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估方法100包括以下步骤：
58.步骤101，在盆式绝缘子上设置嵌件毛刺的缺陷模型，通过升压法进行局部放电试验，采集各个放电阶段的放电指纹特征向量，其中放电指纹特征向量包括局部放电相位宽度、放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差。
59.可选地，在盆式绝缘子上设置嵌件毛刺的缺陷模型的操作，包括：
60.将嵌件毛刺缺陷模型设置在在110kv真型盆式绝缘子顶部并且与gis设备高压导体相连，其中嵌件毛刺缺陷模型长度2cm、直径0.8mm的1颗电料铝丝。
61.具体地，通过在绝缘子表面设置与高压导体相连并且长度适中的金属细丝，来模拟嵌件毛刺缺陷形成的放电通道，由其引发局部放电，从而实现对嵌件毛刺缺陷局部放电发展的研究。
62.可选地，通过升压法进行局部放电试验，采集各个放电阶段的放电指纹特征向量的操作，包括：
63.利用特高频传感器对各个放电阶段对应不同试验阶段的带有嵌件毛刺缺陷模型的盆式绝缘子进行局部放电检测，确定不同试验阶段的prpd图谱以及prps图谱；
64.根据prpd图谱，提取局部放电相位宽度、放电幅值熵值、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差；
65.根据prps图谱，提取所有放电次数的均值以及放电次数的标准差。
66.可选地，各个放电阶段包括：放电初始阶段、放电发展阶段以及放电危险阶段，并且分别对各个放电阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，计算各个放电阶段的聚类中心的操作，包括：
67.对放电初始阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定放电初始阶段的第一聚类中心；
68.对放电发展阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定放电发展阶段的第二聚类中心；
69.对放电危险阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定放电危险阶段的第三聚类中心。
70.步骤103，提取待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的局部放电指纹特征向量，并计算局部放电指纹特征向量到各个放电阶段的聚类中心的欧氏距离平方。
71.可选地，计算局部放电指纹特征向量到各个放电阶段的聚类中心的欧氏距离平方的操作，包括：
72.计算局部放电指纹特征向量到放电初始阶段的第一聚类中心的第一欧氏距离平方；
73.计算局部放电指纹特征向量到放电发展阶段的第一聚类中心的第二欧氏距离平方；
74.计算局部放电指纹特征向量到放电危险阶段的第一聚类中心的第三欧氏距离平方。
75.步骤104，选取欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
76.可选地，选取欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段的操作，包括：
77.选取第一欧氏距离平方、第二欧氏距离平方以及第三欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
78.具体地，盆式绝缘子高压电极与绝缘介质交界面处是gis设备中最易发生故障的部位。不论具体故障的原因如何，最终的表现形式一般为交界面处的绝缘子表面出现绝缘性能较差的细枝状放电通道，但此时整个绝缘子的绝缘能力尚未完全丧失，沿面闪络尚未发生。因此本发明通过在绝缘子表面设置与高压导体相连并且长度适中的金属细丝，来模拟嵌件毛刺缺陷形成的放电通道，由其引发局部放电，从而实现对嵌件毛刺缺陷局部放电发展的研究。经过多次模型确定性试验，最终得到绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电的试验模型长度2cm、直径0.8mm，位于盆式绝缘子顶部且端部与gis设备高压导体相连接的1颗电料铝丝。该模型的位置示意图和试验前的实物照片如图2所示。经过试验测试，该模型的局部放电起始电压为54.8kv，快速升压法测得的闪络电压为79.8kv。
79.针对盆式绝缘子嵌件毛刺缺陷局部放电引发绝缘击穿的问题，在110kv盆式绝缘子上设置嵌件毛刺缺陷模型。通过升压法激发出缺陷的局部放电信号并加速其发展，在绝缘劣化严重后改用恒压法直至击穿，使用光电倍增管、脉冲电流法局部放电检测仪、特高频法局部放电检测系统测量了局部放电起始直至绝缘击穿全过程的局部放电信号，生成了单位时间内局部放电特征量随实验时间的变化曲线。
80.基于局部放电的发展变化规律，将局部放电发展全过程划分为3个阶段，得到了各阶段局部放电的prpd谱图及prps谱图，在此基础上提取了放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差等共计6个局部放电严重程度表征参量。研究结果表明，在该缺陷局部放电的发展过程中，prpd谱图及prps谱图的形貌特征发生明显变化，6个表征参量呈现单一变化的趋势，使用k-means聚类方法建立了基于6个表征参量评估嵌件毛刺缺陷局部放电严重程度的特征谱图。
81.具体过程包括以下步骤：
82.(1)在110kv盆式绝缘子上设置嵌件毛刺缺陷模型。通过升压法激发出缺陷的局部放电信号并加速其发展，在绝缘劣化严重后改用恒压法直至击穿，使用光电倍增管、脉冲电流法局部放电检测仪、特高频法局部放电检测系统测量了局部放电起始直至绝缘击穿全过程的局部放电信号，生成了单位时间内局部放电特征量随实验时间的变化曲线；
83.试验开始时，首先缓慢升高试验电压，当电压升至53.7kv时，特高频传感器开始检测到uhf信号，但不稳定，lds-6局放检测仪、pmt传感器均没有检测到放电信号；电压升至54.8kv时，局部放电检测仪开始检测到微弱且不稳定的常规脉冲电流信号，此时uhf信号较为稳定，pmt传感器仍然没有检测到放电信号；电压升至55.9kv后，局部放电检测仪与特高频传感器均检测到稳定的放电信号。
84.虽然本发明所设置试验模型的局部放电起始电压为54.8kv，但此电压下局部放电信号较弱并且不稳定，因此选择放电较为稳定的55.9kv作为嵌件毛刺缺陷模型放电发展试验的起始试验电压。试验过程中采用逐步升压法，直至gis腔体内绝缘子发生沿面闪络。每个试验阶段的持续时间为60分钟，试验阶段之间的电压差为3.3kv。当电压升至75.5kv时，6分52秒后绝缘子发生沿面闪络，试验终止。各阶段的试验电压以及持续时间如图3所示，其中两个阶段为一个放电阶段，即120分钟为一个放电阶段。
85.同时观察放电发展现象，包括发光现象的空间分布、发光现象随时间的发展趋势、放电脉冲电流随时间的发展趋势、放电能量随时间的发展趋势、电磁发射现象等。
86.(2)局部放电prpd及prps谱图分析；
87.由上述分析知，本发明所采用的特高频传感器对gis设备绝缘子嵌件毛刺缺陷局部放电的检测拥有较高的灵敏度，因此利用特高频检测法可以较为全面的体现不同放电发展阶段内在的规律性，可以较为真实的反映绝缘子嵌件毛刺缺陷局部放电发展的过程和特征。
88.本发明根据特高频检测法的检测结果获得的绝缘子嵌件毛刺缺陷局部放电发展过程中不同试验阶段的部分统计谱图如图4和图5所示。常规脉冲电流信号以及光信号的统计图谱与特高频信号相应统计谱图的形貌特征相似。
89.选取局部放电灰度图、谱图、n-v谱图等prpd谱图，以及δu/δt谱图、δu谱图等prps谱图进行展示。如图4和图5所示。
90.从3个放电阶段的绝缘子沿面放电灰度图来看，灰度图分布相对不均匀；从n-φ谱图来看，开始阶段正半周放电次数多于负半周，随后正负半周放电次数基本相同，之后又是这样一个循环，放电相位宽度逐渐扩展；从谱图可以看出放电幅值变化比较杂乱；从n-v谱图来看，放电幅值分布呈多峰结构，规律性不强；δu/δt谱图前四各阶段分布比较杂乱，后期呈现“z”型分布；δu谱图前四个阶段基本呈现“火”字形状，在临近闪络阶段呈现“十”字型分布。
91.(3)局部放电严重程度表征参量提取；
92.经过上述分析可知：嵌件毛刺缺陷局部放电的发展过程中放电幅值、放电次数均呈现非线性的变化趋势，特别是特定时间段内存在先增大后减小的情况，这说明单纯依靠这几个量的大小，无法对对局部放电的严重程度进行判断，而且也无法对放电阶段进行准确划分，因此提取能够有效表征嵌件毛刺缺陷局部放电不同发展阶段及严重程度的单调变化特征参量，显得尤为必要。根据各阶段局部放电特征指纹数据提取了以下6个呈现单调变化的放电特征指纹，依据这些量再进一步给出局部放电严重程度的诊断方法。
93.表1嵌件毛刺缺陷放电严重程度表征特征指纹
[0094][0095]
图6分别为6个特征参量随试验时间的变化趋势，可见6个放电指纹特征随试验时间及试验电压的增长基本呈现单调突变式增大的趋势，在最后恒压试验时间内均出现突变，由此作为表征局部放电严重程度的特征参量。
[0096]
(4)局部放电严重程度评估；
[0097]
通过以上分析得到6个可以表征嵌件毛刺缺陷放电严重程度的特征指纹信息，为了避免人为主观判断放电阶段的影响，将这6个特征量进行聚类分析来定义尖刺放电的起始阶段s
ini
、发展阶段s
dev
和严重阶段s
ser
，这样对于放电阶段的划分更为有意义。通过k-means聚类方法得到对所提取的特征指纹进行聚类，得到三个放电阶段的聚类中心。利用试验获取的放电指纹特征作为放电严重程度诊断聚类样本数据库，利用所提取的6个尖刺放电严重程度表征特征按照最小距离原则即可对尖刺放电的放电阶段进行自动判别。
[0098]
具体的诊断方法与步骤如下：
[0099]
1.定义尖刺放电严重程度阶段划分诊断放电指纹特征向量：
[0100][0101]
2.对试验全过程获取的cf采用k-means聚类方法获取三个放电阶段的聚类中心cf
center
(cf1，cf2，cf3，)，其中cf1，cf2，cf3分别对应放电起始阶段、放电发展阶段和放电严重阶段的聚类中心。
[0102]
3.提取待诊断的局部放电特征指纹cf
x
，计算cf
x
与cf1，cf2，cf3之间的欧氏距离平方di2＝||cf
x-cfi||2。
[0103]
4.判断di2的大小，最小值对应的类别即为待诊断局部放电现象所处的放电阶段。
[0104]
绝缘子金属异物放电严重程度的阶段划分结果，如图7所示，底面深色代表放电起始阶段，中部灰色代表放电发展阶段，上面深色代表放电严重阶段。
[0105]
结合升压法与恒压法试验研究gis设备中常见的盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局
部放电发展过程，获得不同放电发展阶段的prpd(相位统计谱图)模式谱图和prps(脉冲序列分布谱图)模式谱图及局部放电特征指纹信息，提取可以有效表征局部放电严重程度的放电特征指纹，形成局部放电严重程度诊断指纹信息库。依据局部放电特征指纹单调突变性的变化趋势，采用k-means聚类及最小距离原则建立局部放电发展阶段的划分规则及严重程度诊断方法。
[0106]
研究结果表明，随着试验时间的延伸，局部放电均存在逐渐减弱的趋势；随着外施电压的升高，局部放电逐步呈现稳定、加速、急剧发展的趋势，放电点沿相位的分布逐渐变宽，并且prpd谱图及prps谱图的形貌特征出现相应的变化，可以利用放电相位分布特点以及多种统计谱图的形貌特征作为gis设备放电阶段判别或严重程度划分的依据。
[0107]
将局部放电的发展过程划分为放电初始阶段、放电发展阶段以及放电危险阶段，提取局部放电不同阶段的表征参量，对提取的表征参量进行聚类分析，聚类分析结果可作为诊断放电严重程度的指纹信息。
[0108]
放电幅值和放电次数并不能反映局部放电的严重程度，不同的放电故障缺陷类型，表征其局部放电严重程度的特征指纹也不同，不同的放电故障缺陷类型其局部放电的发展过程不同，没有统一的表征所有局部放电严重程度的特征参量。
[0109]
对于嵌件尖刺缺陷，表征其严重程度的指纹，有6个表征量，主要有局部放电相位宽度、放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差。
[0110]
从而，本技术将局部放电的发展过程划分为放电初始阶段、放电发展阶段以及放电危险阶段，提取局部放电不同阶段的表征参量，对提取的表征参量进行聚类分析，聚类分析结果可作为诊断放电严重程度的指纹信息。放电幅值和放电次数并不能反映局部放电的严重程度，不同的放电故障缺陷类型，表征其局部放电严重程度的特征指纹也不同，不同的放电故障缺陷类型其局部放电的发展过程不同，没有统一的表征所有局部放电严重程度的特征参量。本技术对于嵌件毛刺缺陷，提出表征其严重程度的指纹，有6个表征参量，主要有局部放电相位宽度、放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差。进而对gis盆式绝缘子典型嵌件毛刺缺陷局部放电的放电严重程度进行有效评估。
[0111]
示例性装置
[0112]
图8是本发明一示例性实施例提供的盆式绝缘子表面嵌件毛刺缺陷局部放电阶段评估装置的结构示意图。如图8所示，装置800包括：
[0113]
采集模块810，用于在盆式绝缘子上设置嵌件毛刺的缺陷模型，通过升压法进行局部放电试验，采集各个放电阶段的放电指纹特征向量，其中所述放电指纹特征向量包括局部放电相位宽度、放电幅值熵值、所有放电次数的均值、放电次数的标准差、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差；
[0114]
第一计算模块820，用于分别对所述各个放电阶段的所述放电指纹特征向量进行聚类分析，计算所述各个放电阶段的聚类中心；
[0115]
第二计算模块830，用于提取待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的局部放电指纹特征向量，并计算所述局部放电指纹特征向量到所述各个放电阶段的聚类中心的欧氏距离平方；
[0116]
选取模块840，用于选取所述欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为所述待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
[0117]
可选地，采集模块810，包括：
[0118]
设置子模块，用于将嵌件毛刺缺陷模型设置在在110kv真型盆式绝缘子顶部并且与gis设备高压导体相连，其中嵌件毛刺缺陷模型长度2cm、直径0.8mm的1颗电料铝丝。
[0119]
可选地，采集模块810，包括：
[0120]
第一确定子模块，用于利用特高频传感器对所述各个放电阶段对应不同试验阶段的带有嵌件毛刺缺陷模型的盆式绝缘子进行局部放电检测，确定不同试验阶段的prpd图谱以及prps图谱；
[0121]
第一提取子模块，用于根据prpd图谱，提取局部放电相位宽度、放电幅值熵值、最大放电幅值熵值以及放电幅值分布的标准差；
[0122]
第二提取子模块，用于根据prps图谱，提取所有放电次数的均值以及放电次数的标准差。
[0123]
可选地，所述各个放电阶段包括：放电初始阶段、放电发展阶段以及放电危险阶段，并且第一计算模块820，包括：
[0124]
第二确定子模块，用于对所述放电初始阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定所述放电初始阶段的第一聚类中心；
[0125]
第三确定子模块，用于对所述放电发展阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定所述放电发展阶段的第二聚类中心；
[0126]
第四确定子模块，用于对所述放电危险阶段的放电指纹特征向量进行聚类分析，确定所述放电危险阶段的第三聚类中心。
[0127]
可选地，第二计算模块830，包括：
[0128]
第一计算子模块，用于计算所述局部放电指纹特征向量到所述放电初始阶段的所述第一聚类中心的第一欧氏距离平方；
[0129]
第二计算子模块，用于计算所述局部放电指纹特征向量到所述放电发展阶段的所述第一聚类中心的第二欧氏距离平方；
[0130]
第三计算子模块，用于计算所述局部放电指纹特征向量到所述放电危险阶段的所述第一聚类中心的第三欧氏距离平方。
[0131]
可选地，选取模块840，包括：
[0132]
选取子模块，用于选取所述第一欧氏距离平方、所述第二欧氏距离平方以及所述第三欧氏距离平方中最小值对应的放电阶段作为所述待诊断嵌件毛刺缺陷盆式绝缘子的放电阶段。
[0133]
示例性电子设备
[0134]
图9是本发明一示例性实施例提供的电子设备的结构。如图9所示，电子设备90包括一个或多个处理器91和存储器92。
[0135]
处理器91可以是中央处理单元(cpu)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其他形式的处理单元，并且可以控制电子设备中的其他组件以执行期望的功能。
[0136]
存储器92可以包括一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，例如易失性存储器和/或非易失性存储器。所述易失性存储
器例如可以包括随机存取存储器(ram)和/或高速缓冲存储器(cache)等。所述非易失性存储器例如可以包括只读存储器(rom)、硬盘、闪存等。在所述计算机可读存储介质上可以存储一个或多个计算机程序指令，处理器91可以运行所述程序指令，以实现上文所述的本发明的各个实施例的软件程序的方法以及/或者其他期望的功能。在一个示例中，电子设备还可以包括：输入装置93和输出装置94，这些组件通过总线系统和/或其他形式的连接机构(未示出)互连。
[0137]
此外，该输入装置93还可以包括例如键盘、鼠标等等。
[0138]
该输出装置94可以向外部输出各种信息。该输出装置94可以包括例如显示器、扬声器、打印机、以及通信网络及其所连接的远程输出设备等等。
[0139]
当然，为了简化，图9中仅示出了该电子设备中与本发明有关的组件中的一些，省略了诸如总线、输入/输出接口等等的组件。除此之外，根据具体应用情况，电子设备还可以包括任何其他适当的组件。
[0140]
示例性计算机程序产品和计算机可读存储介质
[0141]
除了上述方法和设备以外，本发明的实施例还可以是计算机程序产品，其包括计算机程序指令，所述计算机程序指令在被处理器运行时使得所述处理器执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种实施例的方法中的步骤。
[0142]
所述计算机程序产品可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明实施例操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言，诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言，诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。
[0143]
此外，本发明的实施例还可以是计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令在被处理器运行时使得所述处理器执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种实施例的对历史变更记录进行信息挖掘的方法中的步骤。
[0144]
所述计算机可读存储介质可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以包括但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、系统或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
[0145]
以上结合具体实施例描述了本发明的基本原理，但是，需要指出的是，在本发明中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本发明的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本发明为必须采用上述具体的细节来实现。
[0146]
本说明书中各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部
分说明即可。
[0147]
本发明中涉及的器件、系统、设备、系统的方框图仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照方框图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的，可以按任意方式连接、布置、配置这些器件、系统、设备、系统。诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇，指“包括但不限于”，且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”，且可与其互换使用，除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“诸如但不限于”，且可与其互换使用。
[0148]
可能以许多方式来实现本发明的方法和系统。例如，可通过软件、硬件、固件或者软件、硬件、固件的任何组合来实现本发明的方法和系统。用于所述方法的步骤的上述顺序仅是为了进行说明，本发明的方法的步骤不限于以上具体描述的顺序，除非以其它方式特别说明。此外，在一些实施例中，还可将本发明实施为记录在记录介质中的程序，这些程序包括用于实现根据本发明的方法的机器可读指令。因而，本发明还覆盖存储用于执行根据本发明的方法的程序的记录介质。
[0149]
还需要指出的是，在本发明的系统、设备和方法中，各部件或各步骤是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本发明的等效方案。提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本发明。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的，并且在此定义的一般原理可以应用于其他方面而不脱离本发明的范围。因此，本发明不意图被限制到在此示出的方面，而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。
[0150]
为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本发明的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。