电源驱动芯片的测试方法、装置、计算机设备及存储介质与流程

1.本技术涉及芯片测试技术领域，特别是涉及一种电源驱动芯片的方法、装置、计算机设备及存储介质。


背景技术：

2.led电源驱动芯片在led产业中地位重要，但其测试方法比较少见，主要是通过由led电源驱动芯片加上其它相关元器件一起组成的测试电路进行测试，这种方法可以间接的测试led电源驱动芯片。但是，该测试方法主要存在以下缺陷：1.因为不能直接对芯片的管脚施加测试信号，芯片的很多特性和测试项无法测试。2.因为在芯片的周围增加的续流变压器或续流电感器等器件体积较大，占用空间较多，在多颗芯片并行测试时势必要占用较大面积测试载板，换言之，在测试载板面积一定的情况下，在支持多颗芯片并行测试方面的能力较差。3.这种测试方法需要使用电子负载模拟器来模拟led负载，测试成本高。


技术实现要素：

3.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种对芯片管脚直接测试，多颗芯片并行测试能力较强，以及测试成本较低的电源驱动芯片的测试方法、装置、计算机设备及存储介质。
4.第一方面，本技术提供了一种电源驱动芯片的测试方法，所述方法包括：
5.获取驱动芯片正常工作时的参考波形组，所述参考波形组包括参考电平波形、参考电压波形与参考电流波形，所述参考电平波形为驱动芯片交替导通和关断时门极管脚的电平波形，所述参考电压波形与参考电流波形分别为驱动芯片交替导通和关断时用于连接外接负载的主通路管脚的电压波形与电流波形；
6.控制输入与驱动芯片同型号的待测芯片的测试波形组，所述测试波形组包括输入待测芯片门极管脚的测试电平波形，以及输入主通路管脚的测试电压波形与测试电流波形，所述测试波形组中各波形的变化趋势与所述参考波形组中各波形的变化趋势相同；
7.调整所述测试电平波形中的高低电平时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试。
8.在其中一个实施例中，所述参考电压波形与参考电流波形为驱动芯片交替导通和关断过程中，所述主通路管脚的电压和电流变化趋于稳定时的电压波形与电流波形，所述参考电平波形为在所述主通路管脚为所述参考电压波形和参考电流波形时，所述门极管脚上的电平波形。
9.在其中一个实施例中，所述控制输入与驱动芯片同型号的待测芯片的测试波形组，包括：
10.控制与待测芯片的门极管脚连接的第一源表的电平波形，以及与主通路管脚连接的第二源表的电压波形与电流波形，以使所述第一源表显示的电平波形，以及第二源表显示的电压波形与电流波形的变化趋势与所述参考波形组中对应各波形的变化趋势相同。
11.在其中一个实施例中，所述调整所述测试电平波形中的高低电平时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试，包括:
12.延长或者缩短测试电平波形中高低电平的时长，同时对应延长或缩短测试电压波形与测试电流波形时长，以测试增大或减小续流电感对待测驱动芯片性能影响。
13.在其中一个实施例中，所述调整所述测试电平波形中的高低电平时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试，还包括:
14.保持所述测试电压波形幅值不变，增大或减小所述测试电流波形幅值，以测试减小led负载或增大led负载对待测芯片性能的影响。
15.在其中一个实施例中，所述方法还包括：
16.控制输入待测芯片的外接电阻管脚的电压与拉出电流，所述外接电阻管脚为用于控制芯片驱动特性的管脚；
17.使所述外接电阻管脚的电压保持不变，调整所述拉出电流，以进行所述外接电阻管脚的外接电阻的动态无极调整。
18.第二方面，本技术提供了一种电源驱动芯片的测试装置，所述装置包括：
19.获取模块，用于获取驱动芯片正常工作时的参考波形组，所述参考波形组包括参考电平波形、参考电压波形与参考电流波形，所述参考电平波形为驱动芯片交替导通和关断时门极管脚的电平波形，所述参考电压波形与参考电流波形分别为驱动芯片交替导通和关断时用于连接外接负载的主通路管脚的电压波形与电流波形；
20.第一控制模块，用于控制输入与驱动芯片同型号的待测芯片的测试波形组，所述测试波形组包括输入待测芯片门极管脚的测试电平波形，以及输入主通路管脚的测试电压波形与测试电流波形，所述测试波形组中各波形的变化趋势与所述参考波形组中各波形的变化趋势相同；
21.调整模块，用于调整所述测试电平波形中的高低电平时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试。
22.在其中一个实施例中，所述装置还包括：
23.第二控制模块，用于：
24.控制输入待测芯片的外接电阻管脚的电压与拉出电流，所述外接电阻管脚为用于控制芯片驱动特性的管脚；
25.使所述外接电阻管脚的电压保持不变，调整所述拉出电流，以进行所述外接电阻管脚的外接电阻的动态无极调整。
26.第三方面，本技术还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述所述的方法的步骤。
27.第四方面，本技术一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述所述的方法的步骤。
28.相较于现有技术，本发明的有益之处在于：
29.上述电源驱动芯片的测试方法、装置、计算机设备及存储介质，因同款驱动芯片在正常工作状态下，门极管脚的电平波形、主通路管脚压波形与电流波形，在led负载和外接电感发生变化时，除波形幅值与时间参数外，波形的其他参数，即波形变化的趋势不会发生改变；在获取驱动芯片的门极管脚的参考电平波形、主通路管脚间的参考电压波形与参考
电流波形，即参考波形组后，控制输入待测驱动芯片的门极管脚的测试电平波形，以及主通路管脚的测试电压波形与测试电流波形，即测试波形组，使测试波形组中各波形变化的趋势与参考波形组中各波形变化的趋势相同，通过调整测试电平中的高低电平时长，与对应测试电压波形与测试电流波形的时长，就相当于调整外接电感的大小，通过调整测试电压波形与测试电流波形的幅值，就相当于调整led负载阻值的大小，因此，在进行待测驱动芯片的测试时，只需要调整待测驱动芯片的门极管脚的高低电平时长，以及对应的主通路管脚的电波形与电流波形的时长与幅值，便可完成待测驱动芯片的测试。该测试方法是直接对待测驱动芯片的管脚施加测试信号，能够测试的芯片特性和测试项较多，测试时，无需使用续流变压器或者续流电感器，节约了空间，在测试载板面积一定的情况下，增强了多颗芯片并行测试的能力，同时，无需使用电子负载模拟器来模拟led负载，降低了测试成本。
附图说明
30.图1为led电源驱动芯片的典型工作电路图；
31.图2为图1中led电源驱动芯片门极电压与主通路电压波形图；
32.图3为本技术的led电源驱动芯片测试电路原理图；
33.图4为本技术的一个实施例的电源驱动芯片的测试方法流程图；
34.图5为图4中电源驱动芯片的测试方法详细流程图；
35.图6为本技术的另一个实施例的电源驱动芯片的测试方法流程图；
36.图7为本技术的一个实施例的电源驱动芯片的测试装置示意图；
37.图8为本技术的一个实施例的计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
38.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
39.本技术提出了对led电源驱动芯片的管脚直接施加测试信号的测试方法，利用受控的电压电流信号对芯片正常工作所需要外接负载(包括外接续流电感和led负载)和外接电阻进行模拟，这样在不需要搭建led电源驱动芯片的外接电路的情况下，就可以对芯片进行全方位的测试，同时在测试载板面积确定的情况下，极大地增加芯片的并行测试能力。本技术的具体实现原理如下：
40.1、外接续流电感和led负载的模拟，参照图1中led电源驱动芯片的典型工作电路，通过分析led电源驱动芯片外接续流电感和续流二极管工作的特点，其工作过程如下：通过控制门极电压vgate去控制作为待测芯片(dut)的led电源驱动芯片的开关，驱动芯片的门极管脚为控制驱动芯片电路导通和关断的管脚，当门极电压vgate为高电平时，与续流电感相接的dut电路接通，外加电压vin通过dut向续流电感充电，此时dut两端的电压vdut最小。当充电电流达到期望的设计值时，控制门极电压vgate为低电平，与电感相接的dut电路关断，续流电感中的电流通过续流二极管续流并开始衰减，此时续流电感两端的电压方向反转并施加在led负载上的电压vled相互抵消掉大部分，因此，施加在dut两端的电压vdut此
时最大。当续流电感中的电流衰减到0时，施加在续流电感上的电压vid变为0，因此施加在dut两端的电压vdut会下降一个台阶，下降的幅度等于从电感上消失的电压vid，电路中的各项电压波形参考图2所示。因此，从测试dut的角度，如果能通过受控电压源和受控电流源产生dut两端的电压波形，以及流过dut两端的电流波形，就可以完全替代掉外接的续流电感和续流二极管，而且通过改变电流电压波形的幅值，就可以无极平滑改变外接电感的大小，以及led负载电压或电阻的大小，从而测试led驱动电源芯片在所有外接负载(包括外接续流电感、led负载)的情况，而不只是实际外接续流电感和led负载的有限组合情形。
41.2、外接电阻的模拟：典型的led电源驱动芯片会设计一个专门的配置管脚，通过外接电阻来控制芯片的驱动特性，因此需要对此外接电阻进行模拟。对芯片外接电阻的这个专门配置管脚施加电压v，如果电压v先给固定住，基于公式r＝v/i，通过改变拉出电流i大小的方式模拟外接电阻r的改变，可以实现较大范围外接电阻r的动态无极调整，而不需要在测试时频繁的换接不同阻值的外接电阻。
42.3、芯片的实际测试电路说明：因同款驱动芯片在正常工作状态下，dut的门极电压波形，以及主通路的两个管脚的电压波形和电流波形，在外接续流电感和led负载发生变化时，除波形幅值与时间参数外，波形的其他参数，即波形变化的趋势不会发生改变。结合上述两点的介绍，芯片实际的测试电路较简洁，dut的门极加上一个受控电压源，用于产生门极电压波形，dut的主通路将一个受控电压源和一个受控电流源串联在一起，施加在dut主通路的两端，参见图3。测试时控制这些源表的输出，根据测试要求产生测试所需要的波形，即可达到直接测试led电源驱动芯片的目的。
43.结合以上测试理论，以下对led电源驱动芯片的测试方法进行阐述。
44.如图4所示，在一个实施例中，本技术提供了一种电源驱动芯片的测试方法，包括以下步骤：
45.步骤s410，获取驱动芯片正常工作时的参考波形组，参考波形组包括参考电平波形、参考电压波形与参考电流波形，参考电平波形为驱动芯片交替导通和关断时门极管脚的电平波形，参考电压波形与参考电流波形分别为驱动芯片交替导通和关断时用于连接外接负载的主通路管脚的电压波形与电流波形。
46.具体的，参考电压波形与参考电流波形为驱动芯片交替导通和关断过程中，主通路管脚的电压和电流变化趋于稳定时的电压波形与电流波形，参考电平波形为在主通路管脚为参考电压波形和参考电流波形时，门极管脚上的电平波形。
47.步骤s420，控制输入与驱动芯片同型号的待测芯片的测试波形组，测试波形组包括输入待测芯片门极管脚的测试电平波形，以及输入主通路管脚的测试电压波形与测试电流波形，测试波形组中各波形的变化趋势与参考波形组中各波形的变化趋势相同。
48.具体的，控制与待测芯片的门极管脚连接的第一源表的电平波形，以及与主通路管脚连接的第二源表的电压波形与电流波形，以使第一源表显示的电平波形，以及第二源表显示的电压波形与电流波形的变化趋势与参考波形组中对应各波形的变化趋势相同。
49.步骤s430，调整测试电平波形中的高低电平波形时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试。
50.上述电源驱动芯片的测试方法，因同款驱动芯片在正常工作状态下，门极管脚的电平波形、主通路管脚压波形与电流波形，在led负载和外接电感发生变化时，除波形幅值
与时间参数外，波形的其他参数，即波形变化的趋势不会发生改变；在获取驱动芯片的门极管脚的参考电平波形、主通路管脚间的参考电压波形与参考电流波形，即参考波形组后，控制输入待测驱动芯片的门极管脚的测试电平波形，以及主通路管脚的测试电压波形与测试电流波形，即测试波形组，使测试波形组中各波形变化的趋势与参考波形组中各波形变化的趋势相同，通过调整测试电平中的高低电平时长，与对应测试电压波形与测试电流波形的时长，就相当于调整外接电感的大小，通过调整测试电压波形与测试电流波形的幅值，就相当于调整led负载阻值的大小，因此，在进行待测驱动芯片的测试时，只需要调整待测驱动芯片的门极管脚的高低电平时长，以及对应的主通路管脚的电波形与电流波形的时长与幅值，便可完成待测驱动芯片的测试。该测试方法是直接对待测驱动芯片的管脚施加测试信号，能够测试的芯片特性和测试项较多，测试时，无需使用续流变压器或者续流电感器，节约了空间，在测试载板面积一定的情况下，增强了多颗芯片并行测试的能力，同时，无需使用电子负载模拟器来模拟led负载，降低了测试成本。
51.如图5所示，在一个实施例中，调整测试电平波形中的高低电平时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试，具体包括以下步骤：
52.步骤s432，延长或者缩短测试电平波形中高低电平的时长，同时对应延长或缩短测试电压波形与测试电流波形时长，以测试增大或减小外接续流电感对待测芯片性能影响。
53.步骤s434，保持所述测试电压波形幅值不变，增大或减小测试电流波形幅值，以测试减小led负载或增大led负载对待测芯片性能的影响。
54.其中，上述步骤s432和步骤s434执行不分先后，也就是说，在对待测芯片进行测试时，可以先测试外接续流电感的变化对待测芯片的影响，也可以先测试led负载的变化对待测芯片的影响。
55.如图6所示，在一个实施例中，电源驱动芯片的测试方法，还包括以下步骤：
56.步骤s610，控制输入待测芯片的外接电阻管脚的电压与拉出电流，外接电阻管脚为用于控制芯片驱动特性的管脚。
57.步骤s620，使外接电阻管脚的电压保持不变，调整拉出电流，以进行外接电阻管脚的外接电阻的动态无极调整。
58.具体的，待测芯片的外接电阻管脚连接第三源表，通过控制第三源表输入外接电阻管脚的电压与电流，进而可以根据测试需要进行不同阻值的外接电阻的调整，无需频繁的更换外接电阻。
59.通过上述测试方法，能够达到以下效果：
60.1、以有限的测试资源，替代无限的外接元器件组合。
61.用外接元器件的方法测试led驱动电源芯片，不可能覆盖外接元器件所有参数和所有组合，不经济不现实更不方便。通过本测试方法，只要改变受控源表的幅值和时间参数，就可以等效于变更外接电感器和led负载的参数。也不需要上下电通过手工、过继电器或其它办法更换或切换外接电感器和led负载。
62.2、可以极大地增加测试范围提高测试覆盖率极大提高芯片质量。
63.本测试方法，可以等效于变更外接电感器和led负载，因此，与外接电感器和led负
载相比，可以极大的提高测试所能覆盖的参数范围，提高测试覆盖率，从而极大提高芯片的筛选质量。
64.3、可以大批量并行测试芯片大规模地提高生产效率。
65.测试不需要外接体积较大的外接电感器和led负载，只对芯片本身的管脚直接测试，因此芯片占用测试载板的面积主要为芯片本身的面积，这样让成百上千的芯片可以放置到测试载板上面，极大的提高并行测试的芯片数量，从而大规模地提高生产效率成为可能。
66.如图7所示，在一个实施例中，本技术还提供了一种电源驱动芯片的测试装置，所述装置包括：
67.获取模块710，用于获取驱动芯片正常工作时的参考波形组，参考波形组包括参考电平波形、参考电压波形与参考电流波形，参考电平波形为驱动芯片交替导通和关断时门极管脚的电平波形，参考电压波形与参考电流波形分别为驱动芯片交替导通和关断时用于连接外接负载的主通路管脚的电压波形与电流波形。
68.其中，参考电压波形与参考电流波形为驱动芯片交替导通和关断过程中，所述主通路管脚的电压和电流变化趋于稳定时的电压波形与电流波形。参考电平波形为在主通路管脚为参考电压波形和参考电流波形时，门极管脚上的电平波形。
69.第一控制模块720，用于控制输入与驱动芯片同型号的待测芯片的测试波形组，测试波形组包括输入待测芯片门极管脚的测试电平波形，以及输入主通路管脚的测试电压波形与测试电流波形，测试波形组中各波形的变化趋势与参考波形组中各波形的变化趋势相同。
70.调整模块730，用于调整测试电平波形中的高低电平时长，以及对应的测试电压波形与测试电流波形的时长与幅值，从而进行待测驱动芯片的测试。
71.在本实施例中，第一控制模块720具体用于控制与待测芯片的门极管脚连接的第一源表的电平波形，以及与主通路管脚连接的第二源表的电压波形与电流波形，以使第一源表显示的电平波形，以及第二源表显示的电压波形与电流波形的变化趋势与所述参考波形组中对应各波形的变化趋势相同。
72.在本实施例中，调整模块730具体用于延长或者缩短测试电平波形中高低电平的时长，同时对应延长或缩短测试电压波形与测试电流波形时长，以测试增大或减小续流电感对待测驱动芯片性能影响。还用于保持所述测试电压波形幅值不变，增大或减小所述测试电流波形幅值，以测试减小led负载或增大led负载对待测芯片性能的影响。
73.在本实施例中，所述装置还包括第二控制模块，第二控制模块用于控制输入待测芯片的外接电阻管脚的电压与拉出电流，外接电阻管脚为用于控制芯片驱动特性的管脚；使外接电阻管脚的电压保持不变，调整拉出电流，以进行外接电阻管脚的外接电阻的动态无极调整。
74.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是智能终端，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络
接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种电源驱动芯片的测试方法。
75.本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
76.在一个实施例中，一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。
77.在一个实施例中，一种计算机存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述各方法实施例中的步骤。
78.在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各方法实施例中的步骤。
79.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
80.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
81.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。