一种使用后的WTI焊接靶超声波检测方法与流程

文档序号:33703305发布日期:2023-03-31 20:32阅读:109来源:国知局
一种使用后的WTI焊接靶超声波检测方法与流程
一种使用后的wti焊接靶超声波检测方法
技术领域
1.本发明涉及溅射靶材制备技术领域,具体为一种使用后的wti焊接靶超声波检测方法。


背景技术:

2.现有的靶材焊接技术有sb焊接技术,sb焊接技术是采用熔点比焊件金属低的钎料填充在两块金属中间,适当加热后,钎料溶化将固态的焊件粘接起来的一种焊接方法,特点是:合金焊材具有“热缩冷涨”的特性,但硬度较低。
3.在通过sb焊接技术得到sb焊接品后,需要对sb焊接品的焊接状态进行检测,现有检测焊接状态的技术有c-scan检测,c-scan检测是超声波无损探伤检测,通过超声信号的特性可以知道sb焊接品的内部焊接状态,包括是否有缺陷及缺陷的位置,范围,大小,和形状定量化,使得在不破坏产品的前提下检测出产品焊接的状态,直观的看到结果,系统通过检测能计算出产品的缺陷率,分辨出焊接的产品是否合格。
4.但是,cscan检测无法检测出焊接的强度,而现有技术中对焊接强度进行检测的检测方法有拉伸实验,是通过对试样的抗拉强度的大小,来推测产品焊接是否良好的一种检测手段,但是通过拉伸实验只能检测实验部位的抗拉强度,不能很好的反映整个靶材的焊接情况。


技术实现要素:

5.本发明的目的在于克服现有的检测技术存在限制的问题,提供了一种使用后的wti焊接靶超声波检测方法。
6.为了实现上述目的,本发明提供一种使用后的wti焊接靶超声波检测方法,包括以下步骤:
7.制作标样wti焊接靶,其中,所述标样wti焊接靶由标样wti靶材和标样铜背板焊接形成;
8.所述标样wti焊接靶的检测合格后,提供使用后的wti焊接靶,其中,所述使用后的wti焊接靶由wti靶材和铜背板焊接形成,所述铜背板和所述标样铜背板的厚度相同;
9.将所述使用后的wti焊接靶放置在水中并将探头伸入水中,以水为介质并将铜背板作为检测面对所述使用后的wti焊接靶的焊接状态进行超声波检测,其中,进行超声波检测的检测波形为第三条反射波。
10.作为一种可实施方式,所述探头位于所述使用后的wti焊接靶的上方,所述探头到所述使用后的wti焊接靶的上表面的距离为50~65mm。
11.作为一种可实施方式,所述探头为15mhz探头。
12.作为一种可实施方式,所述探头连接超声波探伤仪,所述超声波探伤仪的增益参数为45-60db。
13.作为一种可实施方式,所述标样wti焊接靶检测合格后的步骤具体包括:将所述标
样wti焊接靶放置在水中并将探头伸入水中,以水为介质并将所述标样铜背板作为检测面对所述标样wti焊接靶的焊接状态进行超声波检测,其中,进行超声波检测的检测波形为第三条反射波;
14.所述超声波探伤仪得到检测结果并进行分析后,得到所述标样wti焊接靶的缺陷率,当所述标样wti焊接靶的缺陷率位于预设的合格缺陷范围内,视为所述标样wti焊接靶的检测合格,否则调整所述超声波探伤仪的参数,使得所述标样wti焊接靶的缺陷率位于预设的合格缺陷范围内。
15.作为一种可实施方式,所述探头位于所述标样wti焊接靶的上方,所述探头到所述标样wti焊接靶的上表面的距离为50~65mm;所述超声波探伤仪的过滤器为15mhz过滤器。
16.作为一种可实施方式,所述预设的合格缺陷范围为1.0-2.0%。
17.作为一种可实施方式,所述探头通过探头架固定。
18.本发明的有益效果:本发明公开了一种使用后的wti焊接靶超声波检测方法,通过将所述使用后的wti焊接靶放置在水中并将探头伸入水中,以水为介质将使用后的wti焊接靶的铜背板作为检测面,利用超声波检测中的第三条检测波进行检测;使得能对非常细小的缺陷也可以检测,对焊接质量的好坏可以进行定性、定量的评估,其中,本实施例从使用后的wti焊接靶的本身状态出发,通过选择铜背板面作为检测面并基于第三条检测波进行检测,实现了检测目的并达到了更好的检测效果。
附图说明
19.图1为本发明实施例使用后的wti焊接靶超声波检测方法步骤示意图。
20.图2为本发明实施例使用后的wti焊接靶超声波检测方法的超声波检测装置结构示意图。
21.图3为本发明实施例使用后的wti焊接靶超声波检测方法使用后的wti焊接靶的铜背板表面波形示意图。
22.图4为本发明实施例使用后的wti焊接靶超声波检测方法使用后的wti焊接靶的缺陷结构示意图。
23.图5为本发明实施例使用后的wti焊接靶超声波检测方法使用后的wti焊接靶的检测效果示意图。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
25.参见图1,本实施例提供一种技术方案:一种使用后的wti焊接靶超声波检测方法,包括以下步骤:
26.步骤s100:制作标样wti焊接靶,其中,所述标样wti焊接靶由标样wti靶材和标样铜背板焊接形成;
27.步骤s200:所述标样wti焊接靶的检测合格后,提供使用后的wti焊接靶,其中,所
述使用后的wti焊接靶由wti靶材和铜背板焊接形成,所述铜背板和所述标样铜背板的厚度相同;
28.步骤s300:将所述使用后的wti焊接靶放置在水中并将探头伸入水中,以水为介质并将铜背板作为检测面对所述使用后的wti焊接靶的焊接状态进行超声波检测,其中,进行超声波检测的检测波形为第三条反射波。
29.在本实施例中,所述探头位于所述使用后的wti焊接靶的上方,所述探头到所述使用后的wti焊接靶的上表面的距离为50~65mm。
30.在本实施例中,所述探头为15mhz探头。
31.在本实施例中,所述探头连接超声波探伤仪;所述标样wti焊接靶检测合格后的步骤具体包括:将所述标样wti焊接靶放置在水中并将探头伸入水中,以水为介质并将所述标样铜背板作为检测面对所述标样wti焊接靶的焊接状态进行超声波检测,其中,进行超声波检测的检测波形为第三条反射波;
32.所述超声波探伤仪得到检测结果并进行分析后得到所述标样wti焊接靶的缺陷率,当所述标样wti焊接靶的缺陷率位于预设的合格缺陷范围内,视为所述标样wti焊接靶的检测合格,否则调整所述超声波探伤仪的参数,使得所述标样wti焊接靶的缺陷率位于预设的合格缺陷范围内。
33.在本实施例中,在对所述使用后的wti焊接靶进行检测之前,必须要经过标样校对,即先对制作标样wti焊接靶进行检测,调整所述超声波探伤仪的参数,确保所述超声波探伤仪在一个稳定的状态下再将所述使用后的wti焊接靶放入水中去进行超声波检测。
34.需要注意的是,在本实施例中,所述标样wti焊接靶的标样背板和所述使用后的wti焊接靶的背板都为铜背板,即是对包含铜背板的wti焊接靶的铜背板面进行检测,如图3所示,由于使用过的wti靶材面1是波浪形态的,超声波无法在波浪形表面进行传播,因此使用过的wti靶材面1不能作为检测面,而本实施例通过将铜背板面2作为检测面,使得超声波通过铜背板面2去检测焊接状态,另外,在实验中发现,对于使用过的wti焊接靶且该使用过的wti焊接靶的背板为铜背板时,只有当进行超声波检测的检测波形为第三条反射波时,才能实现检测目的,因此,本实施例采用的是第三条反射波时去进行检测。
35.在本实施例中,所述探头位于所述标样wti焊接靶的上方,所述探头到所述标样wti焊接靶的上表面的距离为50~65mm;所述超声波探伤仪的过滤器为15mhz过滤器;所述探头通过探头架固定,如图2所示为所述探头20对所述标样wti焊接靶10的表面进行照射,另外,所述探头走的步长可以根据靶材的大小来调节,适用不同溅射机台使用的wti靶材。
36.在本实施例中,所述预设的合格缺陷范围为1.0-2.0%,所述超声波探伤仪的增益参数gain为45-60db,也就是说,本实施例首先要制作与待检测的即使用后的wti焊接靶具有相同构造的标样wti焊接靶,具体的,所述待检测的即使用后的wti焊接靶的铜背板和所述标样wti焊接靶的标样铜背板的厚度要相同,构造也要相同;制作完成后,对所述标样wti焊接靶设定缺陷,如图4所示为在标样wti焊接靶上设置的缺陷3,所述预设的合格缺陷范围对应的即为在标样wti焊接靶上预设的缺陷率,用探头对所述标样wti焊接靶的缺陷进行检测,得到缺陷率,当得到的缺陷率位于预设的缺陷率范围内时,视为所述标样wti焊接靶的检测合格,所述超声波探伤仪的参数正确,否则,则需要对所述超声波探伤仪的参数进行调整,使得所述标样wti焊接靶的缺陷率位于预设的缺陷率范围内,另外,需要说明的是,本实
施例采用的gain参数为45-60db,若是超过这个范围,则会检测不到缺陷,如图5所示为gain参数为50db时检测得到的所述标样wti焊接靶的检测结果。
37.本实施例基于超声波探伤原理进行检测,即利用超声波在传播过程中遇到异质界面,部分声波会被反射并被探头所接收的原理进行检测,这种方法在大面积sb焊接及缺陷尺寸较大时检测效果很好,可用常规探头直接从反射波的高度判断界面质量,对非常细小的缺陷也可以检测,对焊接质量的好坏可以进行定性、定量的评估,同时,本实施例从使用后的wti靶材的本身状态出发,通过选择铜背板面进行检测,实现了更好的检测效果。
38.本发明虽然己以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改,因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰,均属于本发明技术方案的保护范围。
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