一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质与流程

1.本发明涉及缺陷检测领域，特别涉及一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质。


背景技术：

2.随着半导体制造工艺的进步，具有三维结构的多层堆叠产品已被开发出来，该类型产品在垂直方向上堆叠多片wafer(晶圆)，可以成倍的提高单位面积wafer上的集成度，并且可以降低制造工艺的成本。但是，这种三维堆叠技术的发展，同样也导致对该类型芯片的失效定位非常困难。由于该类型产品包括很多层堆叠的wafer，通过热发射显微镜等机台无法确定这些缺陷点来自于哪一层wafer。
3.现有技术中若想剖析出该类型芯片的缺陷的深度信息，需对该样品一层一层逐层地研磨下去，边研磨边借助om(光学显微镜)、sem(扫描电子显微镜)等机台去寻找缺陷，耗时耗力，效率很低。因此如何高效地对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明的目的在于提供一种堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质，解决了相关技术中对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。
5.为解决上述技术问题，本发明提供了一种堆叠芯片的失效定位方法，包括：
6.基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；所述相位值信息表征热信号从所述缺陷位置发出到被所述热发射显微镜采集所经过的路径；
7.利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息；
8.根据所述相位值信息与相位值映射表进行比对，确定所述缺陷位置的深度位置信息；其中，所述相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与所述测量点的深度位置信息组建立的映射表；
9.根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息。
10.可选的，所述基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，包括：
11.接收红外辐射信号；
12.基于红外热像部件采集所述温度分布信息；
13.基于相位采集部件采集所述相位值信息。
14.可选的，所述利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息，包括：
15.根据所述温度分布信息确定温差区域，将所述温差区域的位置信息作为所述缺陷位置的所述平面位置信息。
16.可选的，所述相位值映射表的建立过程，包括：
17.研磨所述无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露所述目标膜层的金属互联层；
18.将所述金属互联层进行短路处理，作为所述测量点；
19.利用所述热发射显微镜采集所述测量点的相位值信息；
20.将沿预设方向的下一膜层作为所述目标膜层，循环所述研磨所述无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露所述目标膜层的金属互联层的步骤至所述将沿预设方向的下一膜层作为所述目标膜层的步骤，直至确定所述无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的所述测量点的所述相位值信息和层数信息；
21.根据所述相位值信息和所述层数信息，建立所述相位值映射表。
22.可选的，所述根据所述相位值信息和所述层数信息，建立所述相位值映射表，包括：
23.沿所述预设方向依次将所述目标膜层的所述测量点对应的所述相位值信息，至下一膜层的所述测量点对应的所述相位值信息的区间，作为所述目标膜层的相位值区间；
24.利用所述相位值区间与所述层数信息建立所述相位值映射表。
25.可选的，在所述根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息之后，还包括：
26.输出所述三维位置信息。
27.本发明还提供了一种堆叠芯片的失效定位装置，包括：
28.采集模块，用于基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；所述相位值信息表征热信号从所述缺陷位置发出到被所述热发射显微镜采集所经过的路径；
29.第一确定模块，用于利用所述温度分布信息确定所述缺陷位置的平面位置信息；
30.第二确定模块，用于根据所述相位值信息与相位值映射表进行比对，确定所述缺陷位置的深度位置信息；其中，所述相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与所述测量点的深度位置信息组建立的映射表；
31.第三确定模块，用于根据所述平面位置信息和所述深度位置信息确定所述缺陷位置的三维位置信息。
32.可选的，所述第二确定模块中相位值映射表的建立过程，包括：
33.研磨单元，用于研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层；
34.执行单元，用于将金属互联层进行短路处理，作为测量点；
35.采集单元，用于利用热发射显微镜采集测量点的相位值信息；
36.循环单元，用于将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层，循环研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层的步骤至将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层的步骤，直至确定无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的测量点的相位值信息和层数信息；
37.相位值映射表建立单元，用于根据相位值信息和层数信息，建立相位值映射表。
38.本发明还提供了一种堆叠芯片的失效定位设备，包括：
39.热发射显微镜，用于采集温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；
40.存储器，用于存储计算机程序；
41.处理器，用于执行所述计算机程序实现上述的堆叠芯片的失效定位方法的步骤。
42.本发明还提供了一种存储介质，用于保存计算机程序，其中，所述计算机程序被处
理器执行时实现上述的堆叠芯片的失效定位方法的步骤。
43.可见，本发明基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，其中，相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息，根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息，其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表；根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。本发明通过利用相位值信息与相位值映射表进行比对，获取缺陷位置的深度信息，解决了对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。
44.此外，本发明还提供了一种堆叠芯片的失效定位装置、设备及存储介质，同样具有上述有益效果。
附图说明
45.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
46.图1为本发明实施例提供的一种堆叠芯片的失效定位方法的流程图；
47.图2为本发明实施例提供的一种相位值映射表建立过程的流程图；
48.图3为本发明实施例提供的一种相位值映射表建立过程的示例图；
49.图4为本发明实施例提供的一种堆叠芯片的失效定位装置的结构示意图；
50.图5为本发明实施例提供的一种堆叠芯片的失效定位设备的结构示意图。
具体实施方式
51.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
52.请参考图1，图1为本发明实施例提供的一种堆叠芯片的失效定位方法的流程图。该方法可以包括：
53.s101：基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径。
54.本实施例的执行主体为热发射显微镜。本实施例在热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息的程序启动后，采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息。本实施例并不限定热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息的频率，只要是能够完成对待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息的采集即可。例如，可以是实时进行采集，即在执行完一次采集的操作后，立刻进行下一次采集的操作；也可以是每隔预设采集时间周期执行一次采集的操作。本实施例并不限定预设采集时间周期的设定值。例如，预设采集时间周期可以是1秒，预设采集时间周
期也可以是3秒，预设采集时间周期也可以是5秒。本实施例并不限定预设采集时间周期的设定依据。例如，预设采集时间周期可以根据操作人员自定义设定，预设采集时间周期也可以根据待测芯片的优先级等级进行设定，可以是待测芯片的优先级等级越高，预设采集时间周期的设定值越小。
55.进一步地，为了将热发射显微镜的功能模块化，提高采集的精确度，上述基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，可以包括以下步骤：
56.接收红外辐射信号；
57.基于红外热像部件采集温度分布信息；
58.基于相位采集部件采集相位值信息。
59.需要进行说明的是，本实施例并不限定基于红外热像部件采集温度分布信息的程序与基于相位采集部件采集相位值信息的程序间的启动时机，可以是同时采集温度分布信息和相位值信息；也可以是先采集温度分布信息，再采集相位值信息；还可以是先采集相位值信息，再采集温度分布信息。为了提高热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息的效率，将温度分布信息和相位值信息对应保存，本实施例可以采用同时采集温度分布信息和相位值信息的方式。
60.s102：利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息。
61.本实施例并不限定利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息的数量。例如，缺陷位置的平面位置信息的数量可以是1个，缺陷位置的平面位置信息的数量也可以是2个，缺陷位置的平面位置信息的数量还可以是3个。需要进行说明的是，本实施例中缺陷位置的平面位置信息的数量根据实际缺陷位置的数量确定，利用温度分布信息能够确定全部缺陷位置的平面位置信息。
62.进一步地，为了提高确定缺陷位置的平面位置信息的准确性，上述利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息，可以包括：
63.根据温度分布信息确定温差区域，将所述温差区域的位置信息作为所述缺陷位置的平面位置信息。
64.s103：根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息；相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表。
65.需要进行说明的是，本实施例中缺陷位置的深度位置信息的数量同样根据实际缺陷位置的数量确定，根据相位值信息与相位值映射表进行比对，能够确定全部缺陷位置的深度位置信息，理论上确定的缺陷位置的平面位置信息的数量与缺陷位置的深度位置信息的数量相同，即一个缺陷位置的平面位置信息对应一个缺陷位置的深度位置信息。
66.s104：根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。
67.本实施例根据确定的平面位置信息与深度位置信息，确定出缺陷位置的三维位置信息。需要进行说明的是，本实施例并不限定确定缺陷位置的三维位置信息的方式，只要是能够根据对应平面位置信息和深度位置信息，确定缺陷位置的三维位置信息即可。例如，可以通过对采集到的信息增加时间戳，将平面位置信息和深度位置信息建立对应关系，并确定出缺陷位置的三维位置信息；也可以实时根据采集到的平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。实时根据采集到的平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位
置的三维位置信息的准确性受程序处理速度的限制。
68.进一步地，为了能够使用户直观的了解到缺陷位置的三维位置信息，提高用户的使用体验，在上述根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息之后，还可以包括：
69.输出三维位置信息。
70.本实施例并不限定输出三维位置信息的数量。例如，输出三维位置信息的数量可以是1个，输出三维位置信息的数量也可以是2个，输出三维位置信息的数量还可以是3个。需要进行说明的是，本实施例中将全部缺陷位置的三维位置信息进行输出，输出三维位置信息的数量即为全部缺陷位置的数量。
71.本实施例并不限定输出三维位置信息的方式。只要是能够及时输出三维位置信息即可。例如，可以是以语音的方式进行输出，也可以是以非语音的方式进行输出，还可以是以语音和屏幕显示结合的方式进行输出。本实施例并不限定输出三维位置信息的频率。例如，可以是实时进行输出，即每完成一次输出的操作后，立刻进行下一次输出，也可以是每个预设输出时间周期进行一次输出的操作。本实施例并不限定预设输出时间周期的设定值。例如，预设输出时间周期的设定值可以是5秒，预设输出时间周期的设定值也可以是10秒，预设输出时间周期的设定值还可以是20秒。本实施例并不限定输出三维位置信息的持续时间，例如，可以是1分钟，也可以是2分钟，还可以是5分钟。
72.本实施例并不限定以语音的方式输出三维位置信息的具体方式。例如，可以是以语音播报的方式进行输出，也可以是以声音警报的方式进行输出。相应的，本实施例并不限定以非语音的方式输出三维位置信息的具体方式。例如，可以是以信号灯的方式进行输出，也可以是以显示设备显示的方式进行输出，可以是以文字滚动显示的方式在显示设备中显示输出。
73.进一步地，基于上述实施例，为了保证根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息的准确性，上述相位值映射表的建立过程，可以包括以下步骤，具体请参考图2，图2为本发明实施例提供的一种相位值映射表建立过程的流程图：
74.s201：研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层。
75.需要进行说明的是，本实施例中选取无缺陷堆叠芯片，并对该无缺陷堆叠芯片的目标膜层进行研磨，暴露目标膜层的金属互联层。
76.s202：将金属互联层进行短路处理，作为测量点。
77.需要进行说明的是，本实施例并不限定将金属互联层进行短路处理的具体方式。例如，可以在金属互联层间沉淀pt(铂)元素使金属互联层发生短路，也可以在金属互联层间沉淀w(钨)元素使金属互联层发生短路。
78.s203：利用热发射显微镜采集测量点的相位值信息。
79.s204：将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层，循环研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层的步骤至将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层的步骤，直至确定无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的测量点的相位值信息和层数信息。
80.需要进行说明的是，本实施例中在上述采集到测量点的相位值信息后，将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层，重新执行上述步骤，直至确定无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的测量点的相位值信息和层数信息。
81.s205：根据相位值信息和层数信息，建立相位值映射表。
82.需要进行说明的是，本实施例中根据上述确定的相位值信息和层数信息的对应关系，建立相位值映射表。
83.进一步地，为了提高确定缺陷位置的深度位置信息的效率，上述根据相位值信息和层数信息，建立相位值映射表，可以包括以下步骤：
84.沿预设方向依次将目标膜层的测量点对应的相位值信息，至下一膜层的测量点对应的相位值信息的区间，作为目标膜层的相位值区间；
85.利用相位值区间与层数信息建立相位值映射表。
86.需要进行说明的是，上述相位值区间包括目标膜层的测量点对应的相位值信息，不包括目标膜层的下一膜层的测量点对应的相位值信息。若目标膜层为沿预设方向的最后一膜层，此时该目标膜层不存在下一膜层，则将相位值大于和等于该目标膜层测量点对应的相位值的所有相位值信息，作为该目标膜层对应的相位值区间。
87.应用本发明实施例提供的堆叠芯片的失效定位方法，基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息，其中，相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息，根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息，其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表；根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。本发明通过利用相位值信息与相位值映射表进行比对，获取缺陷位置的深度信息，解决了对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。通过基于红外热像部件采集温度分布信息，并利用温差区域确定平面位置信息，基于相位采集部件采集相位值信息，将热发射显微镜的功能模块化，提高了采集的精确度，通过逐层采集无缺陷堆叠芯片测量点的相位值信息，将目标膜层的测量点对应的相位值信息至下一膜层的测量点对应的相位值信息的区间，作为目标膜层的相位值区间，并与层数信息建立相位值映射表，能够保证根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息的准确性，通过将确定的三维位置信息进行输出，能够使用户直观的了解到缺陷位置的三维位置信息，提高用户的使用体验。
88.为了使本发明更便于理解，具体请参考图3，图3为本发明实施例提供的一种相位值映射表建立过程的示例图，其中，301为无缺陷堆叠芯片的第一层，302为无缺陷堆叠芯片的第二层，303为无缺陷堆叠芯片的第三层，304为无缺陷堆叠芯片的第四层，305为无缺陷堆叠芯片的第五层，401为短路处理后的金属互联层的金属线，402为未短路处理的金属互联层的金属线，具体可以包括：
89.步骤s1，选取无缺陷堆叠芯片，通过研磨暴露出301的金属互连层，利用聚焦离子束显微镜的沉积功能，在两条金属线401之间沉积pt或w使其短路，通过热发射显微镜捕捉并记录短路处的相位值θ1。
90.步骤s2，将该无缺陷堆叠芯片研磨至302的金属互连层，同样地，利用聚焦离子束显微镜在两条金属线之间沉积pt或w使其短路，通过热发射显微镜捕捉并记录短路处的相位值θ2。
91.步骤s3，将该无缺陷堆叠芯片研磨至303的金属互连层，同样地，利用聚焦离子束
显微镜在两条金属线之间沉积pt或w使其短路，通过热发射显微镜捕捉并记录短路处的相位值θ3。
92.步骤s4，将该无缺陷堆叠芯片研磨至304的金属互连层，同样地，利用聚焦离子束显微镜在两条金属线之间沉积pt或w使其短路，通过热发射显微镜捕捉并记录短路处的相位值θ4。
93.步骤s5，将该无缺陷堆叠芯片研磨至305的金属互连层，同样地，利用聚焦离子束显微镜在两条金属线之间沉积pt或w使其短路，通过热发射显微镜捕捉并记录短路处的相位值θ5。
94.步骤s6，将步骤s1至步骤s5收集的相位值θ1、θ2、θ3、θ4和θ5收集并记录，作为相位值信息，根据相位值信息与相位值信息对应的层数信息，建立相位值映射表。
95.需要说明的是，本实施例中以五层的堆叠芯片为例进行说明，其他层数的堆叠芯片的相位值映射表的建立过程，可通过本实施例预见。
96.下面对本发明实施例提供的堆叠芯片的失效定位装置进行介绍，下文描述的堆叠芯片的失效定位装置与上文描述的堆叠芯片的失效定位方法可相互对应参照。
97.具体请参考图4，图4为本发明实施例提供的一种堆叠芯片的失效定位装置的结构示意图，可以包括：
98.采集模块100，用于基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；
99.第一确定模块200，用于利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息；
100.第二确定模块300，用于根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息；其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表；
101.第三确定模块400，用于根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。
102.进一步，基于上述实施例，所述采集模块100，可以包括：
103.接收单元，用于接收红外辐射信号；
104.第一获取单元，用于基于红外热像部件采集温度分布信息；
105.第二获取单元，用于基于相位采集部件采集相位值信息。
106.进一步，基于上述任意实施例，所述第一确定模块200，可以包括：
107.平面位置信息确定单元，用于根据温度分布信息确定温差区域，将温差区域的位置信息作为缺陷位置的平面位置信息。
108.进一步，基于上述任意实施例，所述第二确定模块300中相位值映射表的建立过程，可以包括：
109.研磨单元，用于研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层；
110.执行单元，用于将金属互联层进行短路处理，作为测量点；
111.采集单元，用于利用热发射显微镜采集测量点的相位值信息；
112.循环单元，用于将沿预设方向的下一膜层作为目标膜层，循环研磨无缺陷堆叠芯片的目标膜层，暴露目标膜层的金属互联层的步骤至将沿预设方向的下一膜层作为目标膜
层的步骤，直至确定无缺陷堆叠芯片所有膜层对应的测量点的相位值信息和层数信息；
113.相位值映射表建立单元，用于根据相位值信息和层数信息，建立相位值映射表。
114.进一步，基于上述任意实施例，所述相位值映射表建立单元，可以包括：
115.相位值区间确定子单元，用于沿预设方向依次将目标膜层的测量点对应的相位值信息，至下一膜层的测量点对应的相位值信息的区间，作为目标膜层的相位值区间；
116.相位值映射表建立子单元，用于利用相位值区间与层数信息建立相位值映射表。
117.进一步，基于上述任意实施例，所述堆叠芯片的失效定位装置，还可以包括：
118.输出模块，用于输出三维位置信息。
119.需要说明的是，上述堆叠芯片的失效定位装置中的模块、单元以及子单元在不影响逻辑的情况下，其顺序可以前后进行更改。
120.应用本发明实施例提供的堆叠芯片的失效定位装置，采集模块100用于基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径。第一确定模块200用于利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息，第二确定模块300用于根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息；其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表。第三确定模块400用于根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。本发明通过利用相位值信息与相位值映射表进行比对，获取缺陷位置的深度信息，解决了对多层堆叠产品在三维空间上进行失效定位耗时耗力，效率低的问题。通过基于红外热像部件采集温度分布信息，并利用温差区域确定平面位置信息，基于相位采集部件采集相位值信息，将热发射显微镜的功能模块化，提高了采集的精确度，通过逐层采集无缺陷堆叠芯片测量点的相位值信息，将目标膜层的测量点对应的相位值信息至下一膜层的测量点对应的相位值信息的区间，作为目标膜层的相位值区间，并与层数信息建立相位值映射表，能够保证根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息的准确性，通过将确定的三维位置信息进行输出，能够使用户直观的了解到缺陷位置的三维位置信息，提高用户的使用体验。
121.下面对本发明实施例提供的堆叠芯片的失效定位设备进行介绍，下文描述的堆叠芯片的失效定位设备与上文描述的堆叠芯片的失效定位方法可相互对应参照。
122.请参考图5，图5为本发明实施例提供的一种堆叠芯片的失效定位设备的结构示意图，可以包括：
123.热发射显微镜10，用于采集温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；
124.存储器20，用于存储计算机程序；
125.处理器30，用于执行计算机程序，以实现上述的堆叠芯片的失效定位方法。
126.存储器20、处理器30、通信接口31均通过通信总线32完成相互间的通信。
127.在本发明实施例中，存储器20中用于存放一个或者一个以上程序，程序可以包括程序代码，程序代码包括计算机操作指令，在本技术实施例中，存储器20中可以存储有用于实现以下功能的程序：
128.基于热发射显微镜采集待测芯片的温度分布信息和缺陷位置的相位值信息；相位值信息表征热信号从缺陷位置发出到被热发射显微镜采集所经过的路径；
129.利用温度分布信息确定缺陷位置的平面位置信息；
130.根据相位值信息与相位值映射表进行比对，确定缺陷位置的深度位置信息；其中，相位值映射表为基于无缺陷堆叠芯片中测量点的相位值信息组与测量点的深度位置信息组建立的映射表；
131.根据平面位置信息和深度位置信息确定缺陷位置的三维位置信息。
132.在一种可能的实现方式中，存储器20可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统，以及至少一个功能所需的应用程序等；存储数据区可存储使用过程中所创建的数据。
133.此外，存储器20可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器提供指令和数据。存储器的一部分还可以包括nvram。存储器存储有操作系统和操作指令、可执行模块或者数据结构，或者它们的子集，或者它们的扩展集，其中，操作指令可包括各种操作指令，用于实现各种操作。操作系统可以包括各种系统程序，用于实现各种基础任务以及处理基于硬件的任务。
134.处理器30可以为中央处理器(central processing unit，cpu)、特定应用集成电路、数字信号处理器、现场可编程门阵列或者其他可编程逻辑器件，处理器30可以是微处理器或者也可以是任何常规的处理器等。处理器30可以调用存储器20中存储的程序。
135.通信接口31可以为通信模块的接口，用于与其他设备或者系统连接。
136.当然，需要说明的是，图5所示的结构并不构成对本技术实施例中堆叠芯片的失效定位设备的限定，在实际应用中堆叠芯片的失效定位设备可以包括比图5所示的更多或更少的部件，或者组合某些部件。
137.下面对本发明实施例提供的存储介质进行介绍，下文描述的存储介质与上文描述的堆叠芯片的失效定位方法可相互对应参照。
138.本发明还提供一种存储介质，该存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的堆叠芯片的失效定位方法的步骤。
139.该存储介质可以包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
140.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
141.专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应该认为超出本发明的范围。
142.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系属于仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操
作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
143.以上对本发明所提供的堆叠芯片的失效定位方法、装置、设备及存储介质进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。