本发明涉及充电,尤其涉及一种过压保护测试电路、方法及系统。
背景技术:
1、随着type c功率传输(power delivery,pd)技术越来越普及,使得带有type c的产品也是越来越多。为了保证type c的正常使用,因此需要对type c进行测试。而市面上的测试都是集中于产品功能测试,而对于type c保护功能的测试并不重视。
2、目前,需要通过外部dc source和type c转接板手工搭载测试线路,以对cc/sbu引脚的ovp防护能力进行测试。通过上述方式需要额外架设线路,从而导致测试流程复杂,且需要耗费测试人员大量的测试时间。
技术实现思路
1、有鉴于此,本发明实施例提供一种过压保护测试电路、方法及系统,以实现测试流程简单化且能够缩短测试时间的目的。
2、为实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:
3、本发明实施例第一方面示出了一种过压保护测试电路,所述电路包括:微控制单元mcu、功能开关、测试开关和电源集成电路;
4、所述mcu的控制端分别与所述功能开关、所述测试开关和所述电源集成电路连接;所述功能开关与type c接口中的目标待测试引脚和所述测试开关连接;所述测试开关与所述type c接口中的目标待测试引脚和所述电源集成电路连接;
5、所述mcu在接收到测试指令时,基于所述测试指令控制所述功能开关处于目标功能,控制所述测试开关处于开启状态,以及控制所述电源集成电路输出目标电压,所述目标功能包括type c正插功能和type c反插功能;
6、所述电源集成电路将所述目标电压通过所述测试开关输出至目标待测试引脚,以便在目标功能下基于所述目标电压完成所述目标待测试引脚的过压保护测试,以确定所述目标待测试引脚是否能够进行过压保护。
7、可选的,所述功能开关包括第一开关和第二开关。
8、可选的,所述第一开关包括第一n沟道场效应管和第二n沟道场效应管;
9、所述第一n沟道场效应管的栅极与所述微控制单元的控制端和所述第二n沟道场效应管的栅极连接;
10、所述第一n沟道场效应管的源极和第二开关连接,所述第一n沟道场效应管的漏极和第二开关连接;
11、所述第二n沟道场效应管的源极和第二开关连接,所述第二n沟道场效应管的漏极和第二开关连接;
12、所述第一n沟道场效应管的漏极和第二开关的连接处与所述type c接口中的第一待测试引脚和所述测试开关连接,所述第一待测试引脚属于目标待测试引脚;
13、所述第二n沟道场效应管的漏极和第二开关的连接处与所述type c接口中的第二待测试引脚和所述测试开关连接,所述第二待测试引脚属于目标待测试引脚。
14、可选的,所述第二开关包括第三n沟道场效应管和第四n沟道场效应管;
15、第三n沟道场效应管的栅极与所述第四n沟道场效应管的栅极和所述微控制单元连接;
16、第三n沟道场效应管的源极与所述第一n沟道场效应管的源极连接,所述第三n沟道场效应管的漏极与所述第一n沟道场效应管的漏极连接;
17、第四n沟道场效应管的源极与所述第二n沟道场效应管的源极连接,所述第四n沟道场效应管的漏极与所述第二n沟道场效应管的漏极连接;
18、所述第三n沟道场效应管的漏极与所述第一n沟道场效应管的漏极的连接处与所述type c接口中的第一待测试引脚和所述测试开关连接;
19、所述第四n沟道场效应管的漏极与所述第二n沟道场效应管的漏极的连接处与所述type c接口中的第二待测试引脚和所述测试开关连接,所述第二待测试引脚属于目标待测试引脚;
20、相应的,基于测试指令控制所述功能开关处于目标功能,包括:
21、若所述目标功能是type c反插功能,基于测试指令控制所述第一n沟道场效应管和所述第二n沟道场效应管的栅极处于高电平,控制所述第三n沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于低电平;基于所述第一pn沟道场效应管和第二n沟道场效应管的栅极处于高电平,以及所述第三pn沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于低电平的状态,确定所述功能开关处于type c反插功能;
22、若所述目标功能是type c正插功能,基于测试指令控制所述第一n沟道场效应管和所述第二n沟道场效应管的栅极处于低电压,控制所述第三n沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于高电平;基于所述第一n沟道场效应管和所述第二n沟道场效应管的栅极处于低电压,以及所述第三n沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于高电平的状态,确定所述功能开关处于type c正插功能。
23、可选的,还包括:
24、所述第一n沟道场效应管的源极和第三n沟道场效应管的源极的连接处接地;
25、所述第二n沟道场效应管的源极和第四n沟道场效应管的源极的连接处接地。
26、可选的,所述功能开关还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;
27、所述第一电阻的一端与所述第一n沟道场效应管的漏极连接,所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端连接;
28、所述第二电阻的另一端与所述第三n沟道场效应管的漏极连接;
29、所述第一电阻与所述第二电阻的连接处与所述type c接口中的第一待测试引脚和所述测试开关连接;
30、所述第三电阻的一端与所述第二n沟道场效应管的漏极连接,所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端连接;
31、所述第四电阻的另一端与所述第四n沟道场效应管的漏极连接;
32、所述第三电阻与所述第四电阻的连接处与所述type c接口中的第二待测试引脚和所述测试开关连接。
33、可选的,所述测试开关包括第一p沟道场效应管、第二p沟道场效应管、第三p沟道场效应管和第四p沟道场效应管;
34、所述第一p沟道场效应管、第二p沟道场效应管、第三p沟道场效应管和第四p沟道场效应管的栅极均与所述mcu的控制端连接;
35、所述第一p沟道场效应管的漏极通过所述第一电阻与所述第二电阻的连接处与所述type c接口中的第一待测试引脚连接,所述第一p沟道场效应管的源极与所述电源集成电路的输出端连接;
36、所述第二p沟道场效应管的漏极通过所述第三电阻与所述第四电阻的连接处与所述type c接口中的第二待测试引脚连接,所述第二p沟道场效应管的源极与所述电源集成电路的输出端连接;
37、所述第三p沟道场效应管的漏极与所述type c接口中的第三待测试引脚连接,所述第三p沟道场效应管的源极与所述电源集成电路的输出端连接,所述第三待测试引脚属于目标待测试引脚;
38、所述第四p沟道场效应管的漏极与所述type c接口中的第四待测试引脚连接,所述第四p沟道场效应管的源极与所述电源集成电路的输出端连接,所述第四待测试引脚属于目标待测试引脚。
39、本发明实施例第二方面示出了一种过压保护测试方法,用于过压保护测试电路,所述过压保护测试电路包括微控制单元mcu、功能开关、测试开关和电源集成电路,所述方法包括:
40、所述mcu在接收到测试指令时,基于所述测试指令控制所述功能开关处于目标功能,控制所述测试开关处于开启状态,以及控制所述电源集成电路输出目标电压,所述目标功能包括type c正插功能和type c反插功能;
41、所述电源集成电路将所述目标电压通过所述测试开关输出至目标待测试引脚,以便在目标功能下基于所述目标电压完成所述目标待测试引脚的过压保护测试,以确定所述目标待测试引脚是否能够进行过压保护。
42、可选的,所述功能开关包括第一开关和第二开关,所述第一开关包括第一n沟道场效应管和第二n沟道场效应管,所述第二开关包括第三n沟道场效应管和第四n沟道场效应管;所述基于测试指令控制所述功能开关处于目标功能,包括:
43、若所述目标功能是type c反插功能,基于测试指令控制所述第一n沟道场效应管和所述第二n沟道场效应管的栅极处于高电平,控制所述第三n沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于低电平;基于所述第一n沟道场效应管和第二n沟道场效应管的栅极处于高电平,以及所述第三n沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于低电平的状态,确定所述功能开关处于type c反插功能;
44、若所述目标功能是type c正插功能,基于测试指令控制所述第一n沟道场效应管和所述第二n沟道场效应管的栅极处于低电压,控制所述第三n沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于高电平;基于所述第一n沟道场效应管和所述第二n沟道场效应管的栅极处于低电压,以及所述第三pn沟道场效应管和所述第四n沟道场效应管的栅极处于高电平的状态,确定所述功能开关处于type c正插功能。
45、本发明实施例第三方面示出了一种过压保护测试系统,所述过压保护测试系统包括本发明实施例第一方面示出的过压保护测试电路。
46、基于上述本发明实施例提供的一种过压保护测试电路、方法及系统,所述电路包括:微控制单元mcu、功能开关、测试开关和电源集成电路;所述mcu的控制端分别与所述功能开关、所述测试开关和所述电源集成电路连接;所述功能开关与type c接口中的目标待测试引脚和所述测试开关连接;所述测试开关与所述type c接口中的目标待测试引脚和所述电源集成电路连接;所述mcu在接收到测试指令时,基于所述测试指令控制所述功能开关处于目标功能,控制所述测试开关处于开启状态,以及控制所述电源集成电路输出目标电压,所述目标功能包括type c正插功能和type c反插功能;所述电源集成电路将所述目标电压通过所述测试开关输出至目标待测试引脚,以便在目标功能下基于所述目标电压完成所述目标待测试引脚的过压保护测试,以确定所述目标待测试引脚是否能够进行过压保护。本发明设置功能开关所处的目标功能,并在测试开关开启的状态下,通过电源集成电路输出的目标电压测试在目标功能下目标待测试引脚是否能够进行过压保护。从而实现测试流程简单化且能够缩短测试时间的目的。