一种用于低温中子散射实验的合金样品盒的制作方法

文档序号:34432153发布日期:2023-06-10 01:24阅读:36来源:国知局
一种用于低温中子散射实验的合金样品盒的制作方法

本技术涉及中子散射科学,更具体的说是涉及一种用于低温中子散射实验的合金样品盒。


背景技术:

1、在中子科学研究实验中,为分析样品晶体结构及磁结构等信息,通常需要将粉末样品盛放在专为低温中子散射实验设计的低背底的样品盒中,低背底的样品盒不仅为粉末样品提供了密闭的放置空间,还可以使中子很容易的透过它照射到样品上,而不产生过多的杂散信号,为低温中子散射实验提供了可能,也为后续的数据分析提供了便利。

2、随着中国中子相关研究的发展,国内中子源和中子谱仪的陆续建成,对中子散射用样品盒的需求大大增加,特别是低温中子散射实验对密封用样品盒提出了更高要求,其结构优化设计也显得尤为重要。

3、但是,现有的样品盒真空漏率较大,容易产生杂散信号,背底噪声大,容易导致中子通量的损失,影响样品晶体结构的分析和磁结构的研究。

4、因此,如何提供一种能够减小真空漏率、背底噪声和中子通量损失的样品盒是本领域技术人员亟需解决的问题。


技术实现思路

1、有鉴于此,本实用新型提供了一种用于低温中子散射实验的合金样品盒,旨在解决上述背景技术中的问题,减小样品盒的真空漏率,降低背底噪声和中子通量损失。

2、为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:

3、一种用于低温中子散射实验的合金样品盒,包括:

4、由低散射背底的中子透明材料制备而成的容纳筒,所述容纳筒的一端为封闭端,另一端为开口端;

5、固定法兰,所述固定法兰上设置有通孔,所述容纳筒位于所述固定法兰的一侧,且所述容纳筒的开口端与所述通孔的边缘密封连接,所述固定法兰上与设置所述容纳筒相反的一侧设置有环形密封槽,所述环形密封槽位于所述通孔的周侧,所述环形密封槽内设置有密封件;

6、密封法兰,所述密封法兰的一侧设有密封塞,所述密封塞与所述通孔适配,用于对所述通孔封堵,所述密封法兰与所述固定法兰连接。

7、进一步地,所述密封件为铜环或铟丝。

8、进一步地,所述密封法兰的边缘处设有螺栓孔和螺纹孔,所述固定法兰上对应所述密封法兰上螺纹孔和螺栓孔的位置均设置有螺栓孔,且所述密封法兰上的螺栓孔位于所述环形密封槽的外周侧。

9、进一步地,所述通孔位于所述固定法兰的中心位置,所述环形密封槽与所述通孔同轴设置。

10、进一步地,所述容纳筒的壁厚小于0.2mm。

11、经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本实用新型公开提供了一种用于低温中子散射实验的合金样品盒,通过将容纳筒的一端与固定法兰连接,容纳筒与固定法兰上的通孔连通,密封法兰与固定法兰连接,用于对通孔密封,进而实现对容纳筒的密封,通过在固定法兰上设置有环形密封槽,环形密封槽内设置有密封件,能够实现对容纳筒的封堵;容纳筒不仅用来盛装粉末样品,还可以用来盛装各类对水氧敏感的块类、棒类样品和液态样品等;此外容纳筒由低散射背底的中子透明材料制备而成,可以使中子很容易的穿过它照射到样品上,不仅降低了散射数据的背底噪声,同时避免了中子通量的过度损失;同时,由于该样品盒由固定法兰与密封法兰连接而成,结构简单,制造安装方便,且便于与环境设备连接,为中子散射低温实验带来了极大便利。



技术特征:

1.一种用于低温中子散射实验的合金样品盒,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于低温中子散射实验的合金样品盒,其特征在于,所述密封件为铜环或铟丝。

3.根据权利要求1所述的用于低温中子散射实验的合金样品盒,其特征在于,所述密封法兰的边缘处设有螺栓孔和螺纹孔,所述固定法兰上对应所述密封法兰上螺纹孔和螺栓孔的位置均设置有螺栓孔,且所述密封法兰上的螺栓孔位于所述环形密封槽的外周侧。

4.根据权利要求1所述的用于低温中子散射实验的合金样品盒,其特征在于,所述通孔位于所述固定法兰的中心位置,所述环形密封槽与所述通孔同轴设置。

5.根据权利要求1所述的用于低温中子散射实验的合金样品盒,其特征在于,所述容纳筒的壁厚小于0.2mm。


技术总结
本技术公开了一种用于低温中子散射实验的合金样品盒,涉及中子散射科学技术领域,包括:由低散射背底的中子透明材料制备而成的容纳筒,容纳筒的一端为封闭端,另一端为开口端;固定法兰,固定法兰上设置有通孔,容纳筒位于固定法兰的一侧,且容纳筒的开口端与通孔的边缘密封连接,固定法兰上与设置容纳筒相反的一侧设置有环形密封槽,环形密封槽位于通孔的周侧,环形密封槽内设置有密封件;密封法兰,密封法兰的一侧设有密封塞,密封塞与通孔适配,用于对通孔封堵,密封法兰与固定法兰连接。本技术可以使中子很容易的穿过它照射到样品上,不仅降低了散射数据的背底噪声,同时避免了中子通量的过度损失。

技术研发人员:何伦华,卢怀乐,陈洁,沈斐然,邓司浩,郝嘉政,谭志坚
受保护的技术使用者:散裂中子源科学中心
技术研发日:20221117
技术公布日:2024/1/12
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