基于并排结构的双能探测器的制作方法

本技术涉及双能探测器的布局结构，尤其是涉及一种基于并排结构的双能探测器。

背景技术：

1、x射线透射物体，原有的射线能量由于物体阻挡衰减，投射到传感器的闪烁体上会产生对应强度的荧光，荧光通过光电传感器进行光电转换获得电信号，通过专用信号放大及采集芯片，转换为不同高低的电压信号，再经过ad转换电路及处理芯片实现x光投射灰度图像信息的提取。双能探测是在原有光电采集图像基础上再增加一条传感器阵列，并通过一层金属过滤片滤除x射线能谱中能级较低的部分，高能级射线能透射进行感光，形成低能高能两幅图像进行后序分析实现照射物体的材质鉴别。

2、现有的双能探测器的基本结构多常用上下两层pcb叠加结构，上层为低能闪烁体(常用材料gos薄膜)，下层为高能闪烁体(常用材料csi，gos陶瓷)，中间增加一层一定厚度金属滤波片(常用铜，银，铝)进行低能射线过滤，这会产生一个问题：由于下层高能探测器除了中间的金属滤波片，还有低能闪烁体，pcb本身材质和厚度的影响，导致高能探测器接收的射线衰减较多，影响高能图像的信号强度。

技术实现思路

1、本实用新型的目的就是为了提供一种基于并排结构的双能探测器。

2、本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现：

3、一种基于并排结构的双能探测器，包括探测器基准pcb板、低能探测单元、高能探测单元、高能低能分隔层和低能滤波片，所述低能探测单元和高能探测单元并排设置于探测器基准pcb板上，所述高能低能分隔层设于低能探测单元和高能探测单元之间，且高能低能分隔层的高度高于低能探测单元和高能探测单元，所述低能滤波片固定于高能低能分隔层上，且低能滤波片位于探测器基准pcb板上的投影完全覆盖高能探测单元的所在区域，并与低能探测单元所在区域无交集。

4、所述低能滤波片和探测器基准pcb板平行设置。

5、所述低能探测单元和高能探测单元均为多排线阵。

6、所述低能探测单元和高能探测单元均为4排线阵。

7、所述低能探测单元和高能探测单元的排数一致。

8、所述探测器基准pcb板还设有光电二极管电信号放大转换芯片。

9、所述光电二极管电信号放大转换芯片的数量为4个。

10、所述高能低能分隔层和探测器基准pcb板垂直设置。

11、所述低能滤波片的宽度大于高能探测单元区域的宽度。

12、所述低能探测单元和高能探测单元的宽度一致。

13、与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：低能探测单元和高能探测单元采用水平布置，而非上下布置，低能探测单元和高能探测单元在物理位置上完全水平，水平位置有pcb制版精度控制，完全可以保证高低能每个像素匹配度，所以可以实现无需后期像素校准的单板双能检测方案。

技术特征：

1.一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，包括探测器基准pcb板(101)、低能探测单元(201)、高能探测单元(202)、高能低能分隔层(301)和低能滤波片(302)，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)并排设置于探测器基准pcb板(101)上，所述高能低能分隔层(301)设于低能探测单元(201)和高能探测单元(202)之间，且高能低能分隔层(301)的高度高于低能探测单元(201)和高能探测单元(202)，所述低能滤波片(302)固定于高能低能分隔层(301)上，且低能滤波片(302)位于探测器基准pcb板(101)上的投影完全覆盖高能探测单元(202)的所在区域，并与低能探测单元(201)所在区域无交集；

2.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)均为多排线阵。

3.根据权利要求2所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)均为4排线阵。

4.根据权利要求2所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)的排数一致。

5.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述探测器基准pcb板(101)还设有光电二极管电信号放大转换芯片(401)。

6.根据权利要求5所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述光电二极管电信号放大转换芯片(401)的数量为4个。

7.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述高能低能分隔层(301)和探测器基准pcb板(101)垂直设置。

8.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能滤波片(302)的宽度大于高能探测单元(202)区域的宽度。

9.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)的宽度一致。

技术总结
本技术涉及一种基于并排结构的双能探测器，包括探测器基准PCB板、低能探测单元、高能探测单元、高能低能分隔层和低能滤波片，低能探测单元和高能探测单元并排设置于探测器基准PCB板上，高能低能分隔层设于低能探测单元和高能探测单元之间，且高能低能分隔层的高度高于低能探测单元和高能探测单元，低能滤波片固定于高能低能分隔层上，且低能滤波片位于探测器基准PCB板上的投影完全覆盖高能探测单元的所在区域，并与低能探测单元所在区域无交集。与现有技术相比，本技术具有提供无需后期像素校准的单板双能检测方案等优点。

技术研发人员：施利辉,幸波
受保护的技术使用者：上海太易检测技术有限公司
技术研发日：20221220
技术公布日：2024/1/13