用于温度测量的真空中发射率设定的原位校正/优化的制作方法

本公开的实施例一般涉及用于处理基板的方法和装置。更具体地，本公开的实施例涉及用于温度测量的真空中发射率设定的原位校正/优化。

背景技术：

1、基板(晶片)制造可包括一个或多个工艺。例如，基板制造可包括使用一个或多个沉积工艺(例如，物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)等)、一个或多个蚀刻工艺(例如，湿式蚀刻、干式蚀刻等)、脱气工艺、以及一个或多个抛光工艺(例如，化学机械抛光(cmp)或其他合适的抛光工艺)。

2、由于缺乏传导/对流介质，真空中的温度测量具有挑战性。传统的方法和装置使用非接触红外(nc-ir)传感器。例如，在通常在高真空中操作的脱气工艺中，温度测量和控制依赖于nc-ir传感器。然而，此类传感器依赖于发射率，因此依赖于材料。因此，在对不同的基板材料进行脱气工艺之前，需要执行例如温度贴纸来进行迭代手动校正。

技术实现思路

1、本文提供用于处理基板的方法和装置。在一些实施例中，用于处理基板的方法包括：对基板执行第一真空处理程序；从真空热电耦获得所述基板的温度测量；从非接触红外传感器获得所述基板的温度测量；基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量来校正所述非接触红外传感器；以及使用经校正的非接触红外传感器对所述基板执行第二真空处理程序。

2、根据至少一些实施例，非瞬态计算机可读存储介质具有存储于其上的指令，所述指令在由处理器执行时执行用于处理基板的方法，所述方法包括：对基板执行第一真空处理程序；从真空热电耦获得所述基板的温度测量；从非接触红外传感器获得所述基板的温度测量；基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量来校正所述非接触红外传感器；以及使用经校正的非接触红外传感器对所述基板执行第二真空处理程序。

3、根据至少一些实施例，真空处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空处理腔室的内部容积中，且被配置为在处理期间支撑基板；气体供应，所述气体供应被配置为供应工艺气体至所述内部容积；真空热电耦，所述真空热电耦被配置为在第一真空处理程序期间获得所述基板的温度测量；非接触红外传感器，所述非接触红外传感器被配置为在所述第一真空处理程序期间获得所述基板的温度测量；以及控制器，所述控制器被配置为基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量来校正所述非接触红外传感器，且使用经校正的非接触红外传感器对所述基板执行第二真空处理程序。

4、下方描述本公开的其他和进一步的实施例。

技术特征：

1.一种用于处理基板的方法，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中校正所述非接触红外传感器包括：监测来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量，直到来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量彼此相等达预定时间量。

3.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其中所述预定时间量为约1600秒至约1650秒。

4.如权利要求1所述的方法，其中执行所述第二真空处理程序仅使用经校正的非接触红外传感器。

5.如权利要求1所述的方法，其中来自所述真空热电耦的所述温度测量为约20℃至约180℃，且来自所述非接触红外传感器的所述温度测量为约90℃至约180℃。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述基板为环氧树脂基板、玻璃基板、或硅基板中的一者。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述非接触红外传感器设置于真空处理腔室的底板上、与基板支撑件相邻，且所述真空热电耦设置于所述基板支撑件上、与所述基板相邻。

8.如权利要求1、2、或4至7中任一项所述的方法，其中弹簧机构设置于所述真空热电耦下方且被配置为向所述真空热电耦施加向上压力以促进从所述真空热电耦获得所述温度测量。

9.一种非瞬态计算机可读存储介质，具有存储于其上的指令，所述指令在由处理器执行时执行用于处理基板的方法，所述方法包括：

10.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中校正所述非接触红外传感器包括：监测来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量，直到来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量彼此相等达预定时间量。

11.如权利要求9或10中任一项所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中所述预定时间量为约1600秒至约1650秒。

12.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中执行所述第二真空处理程序仅使用经校正的非接触红外传感器。

13.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中来自所述真空热电耦的所述温度测量为约20℃至约180℃，且来自所述非接触红外传感器的所述温度测量为约90℃至约180℃。

14.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中所述基板为环氧树脂基板、玻璃基板、或硅基板中的一者。

15.如权利要求9所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中所述非接触红外传感器设置于真空处理腔室的底板上、与基板支撑件相邻，且所述真空热电耦设置于所述基板支撑件上、与所述基板相邻。

16.如权利要求9、10、或12至15中任一项所述的非瞬态计算机可读存储介质，其中弹簧机构设置于所述真空热电耦下方且被配置为向所述真空热电耦施加向上压力以促进从所述真空热电耦获得所述温度测量。

17.一种真空处理腔室，包括：

18.如权利要求17所述的真空处理腔室，其中所述控制器进一步被配置为监测来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量，直到来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量彼此相等达预定时间量。

19.如权利要求17或18中任一项所述的真空处理腔室，其中所述预定时间量为约1600秒至约1650秒。

20.如权利要求17或18中任一项所述的真空处理腔室，其中所述第二真空处理程序仅使用经校正的非接触红外传感器。

技术总结
本文提供用于处理基板的方法和装置。例如，用于处理基板的方法包括以下步骤：对基板执行第一真空处理程序；从真空热电耦获得所述基板的温度测量；从非接触红外传感器获得所述基板的温度测量；基于来自所述真空热电耦的所述温度测量和来自所述非接触红外传感器的所述温度测量来校正所述非接触红外传感器；以及使用经校正的所述非接触红外传感器来对所述基板执行第二真空处理程序。

技术研发人员：高德丰,A·朱普迪,P·阿加瓦尔
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24