字线测试电路和包括该字线测试电路的半导体设备的制作方法

本公开涉及半导体电路，尤其涉及测试电路和包括该测试电路的半导体设备。

背景技术：

1、半导体设备包括用于检测内部缺陷的各种测试电路。作为各种测试电路之一的示例，包括一种用于检测字线中的缺陷的测试电路。

2、半导体设备的测试电路使用时间测量方法作为测量字线中的缺陷的方法，并且向连接到半导体设备的测试设备提供与通过时间测量方法测量的时间对应的数据。测试设备通过将半导体设备提供的数据与内部参考时间进行比较来确定通过/失败。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施方式的字线测试电路可以包括：电流镜，所述电流镜被配置为将通过测试电压产生的测试电流施加到多条字线中的被选字线，并且通过复制所述测试电流来生成复制电流；比较电路，所述比较电路被配置为将至少一个参考电流与所述复制电流进行比较以生成比较结果信号；以及测试控制电路，所述测试控制电路被配置为响应于测试模式信号而执行第一噪声控制模式，所述第一噪声控制模式利用电荷对所述多条字线中的未选字线进行充电，并且然后使所述未选字线浮置。

2、根据本公开的一个实施方式的半导体设备可以包括：存储器单元阵列；地址解码器，所述地址解码器通过多条字线连接到所述存储器单元阵列，并且被配置为根据地址信号选择性地激活所述多条字线；电压生成器，所述电压生成器被配置为生成用于所述半导体设备的操作的多个电压源；以及测试电路，所述测试电路被配置为执行将第一参考电流和第二参考电流与通过将通过测试电压产生的测试电流施加到所述多条字线中的被选字线而生成的复制电流进行比较的字线测试，并且被配置为在所述字线测试期间执行第一噪声控制模式、第二噪声控制模式、第三噪声控制模式、第一测试结果输出模式和第二测试结果输出模式中的至少一个。

技术特征：

1.一种字线测试电路，所述字线测试电路包括：

2.根据权利要求1所述的字线测试电路，其中，所述测试控制电路在执行所述第一噪声控制模式之后向所述电流镜施加所述测试电压。

3.根据权利要求1所述的字线测试电路，所述字线测试电路还包括：

4.根据权利要求3所述的字线测试电路，其中，所述开关电路包括：

5.根据权利要求1所述的字线测试电路，所述字线测试电路还包括：

6.根据权利要求1所述的字线测试电路，其中，所述测试控制电路还执行第二噪声控制模式，所述第二噪声控制模式通过对所述多条字线中的任意一条执行多次测试来检测多个电压源中具有最小噪声的电压源，并且选择所检测到的电压源作为所述测试电压。

7.根据权利要求6所述的字线测试电路，所述字线测试电路还包括：

8.根据权利要求1所述的字线测试电路，其中，所述测试控制电路还执行第三噪声控制模式，所述第三噪声控制模式对所述多条字线执行多次测试，并且将所述至少一个参考电流的量设置为具有最小噪声的值。

9.根据权利要求8所述的字线测试电路，所述字线测试电路还包括：

10.根据权利要求1所述的字线测试电路，其中，所述测试控制电路执行第一测试结果输出模式，所述第一测试结果输出模式对从所述多条字线中选择的字线组执行字线测试，并且输出定义所述字线组的通过/失败的单比特测试结果信号。

11.根据权利要求1所述的字线测试电路，其中，所述测试控制电路执行第二测试结果输出模式，所述第二测试结果输出模式对所述多条字线执行字线测试，并且输出定义所述多条字线中的每条字线的通过/失败的单比特测试结果信号。

12.一种半导体设备，所述半导体设备包括：

13.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述第一噪声控制模式包括利用电荷对所述多条字线中的与所述被选字线相邻的未选字线进行充电并且然后使所述未选字线浮置的操作。

14.根据权利要求13所述的半导体设备，其中，所述测试电路在利用电荷对所述未选字线进行充电之后停用所述电压生成器。

15.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述第二噪声控制模式包括检测所述多个电压源中具有最小噪声的电压源并且选择检测到的电压源作为所述测试电压的操作。

16.根据权利要求15所述的半导体设备，其中，所述测试电路通过以下操作来执行所述第二噪声控制模式：基于所述多个电压源中的每个电压源对所述多条字线中的任意一条字线重复测试预设次数以检测测量变化值，检测与所检测到的所述测量变化值中的最小测量变化值相对应的电压源，并且选择检测到的电压源作为所述测试电压。

17.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述第三噪声控制模式包括将所述第一参考电流和所述第二参考电流中的每一个的量设置为具有最小噪声的值的操作。

18.根据权利要求17所述的半导体设备，其中，所述测试电路执行所述第三噪声控制模式，所述第三噪声控制模式将所述第一参考电流的量设置为在将所述第二参考电流设置为任意值的状态下改变所述第一参考电流的量的同时作为对所述多条字线中的一些字线执行测试的结果而发生失败时的最后通过确定时的电流量，并且将所述第二参考电流的量设置为当在将所述第一参考电流设置为任意值的状态下改变所述第二参考电流的量的同时作为对所述多条字线中的一些字线执行测试的结果而发生失败时的最后通过确定时的电流量。

19.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述测试电路执行所述第一测试结果输出模式，所述第一测试结果输出模式对从所述多条字线中选择的字线组执行测试，并且将定义所述字线组的通过/失败的单比特测试结果信号输出到外部装置。

20.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述测试电路执行所述第二测试结果输出模式，所述第二测试结果输出模式对从所述多条字线中选择的字线组执行测试，并且将定义包括在所述字线组中的每条字线的通过/失败的单比特测试结果信号输出到外部装置。

21.根据权利要求12所述的半导体设备，其中，所述测试电路包括：

技术总结
本公开涉及字线测试电路和包括该字线测试电路的半导体设备。本技术可以包括：电流镜，所述电流镜被配置为将通过测试电压产生的测试电流施加到多条字线中的被选字线，并且通过复制所述测试电流来生成复制电流；比较电路，所述比较电路被配置为将至少一个参考电流与所述复制电流进行比较以生成比较结果信号；以及测试控制电路，所述测试控制电路被配置为响应于测试模式信号而执行第一噪声控制模式，所述第一噪声控制模式利用电荷对所述多条字线中的未选字线进行充电，并且使所述未选字线浮置。

技术研发人员：崔晳焕
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17