本申请涉及半导体制备,尤其涉及一种用于晶粒观测的样品的制备方法。
背景技术:
1、硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅。多晶硅与单晶硅内部均以点阵式的周期性结构为其基础,对同一品种晶体来说,两者本质相同。单晶硅和多晶硅的区别是,当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。多晶硅片分为电子级和太阳能级。太阳能级多晶硅作为太阳能产业链的原料,用于铸锭或拉单晶硅棒,再切成硅片,生产成太阳能电池板。电子级多晶硅用于生产半导体材料,主要用于电子设备,芯片上用的比较多。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
2、现有技术中,多晶硅晶粒的检测通常采用化学刻蚀与扫描透射显微镜(sem)结合的方法。目前所使用的化学刻蚀剂为氢氟酸(hf)和重铬酸钾(k2cr2o7),但重铬酸钾中正6价的铬对环境和人体都具有重大危害,欧洲及日本等地区已经禁止使用。
3、因此需要寻找使用更环保的化学刻蚀剂对多晶硅层进行腐蚀,在保护环境的同时,制备出用于晶粒观测的样品。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是,提供一种用于晶粒观测的样品的制备方法,可以在保护环境的同时制备出用于晶粒观测的样品。
2、为了解决上述问题,以下提供一种用于晶粒观测的样品的制备方法,包括如下步骤:提供一晶圆,所述晶圆表面为多晶硅层;采用hf溶液腐蚀所述多晶硅层的表面氧化物;采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液腐蚀所述晶圆表面的多晶硅层,形成用于晶粒观测的样品。
3、在一些实施例中,在采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液腐蚀所述晶圆表面的多晶硅层后,再次采用hf溶液腐蚀所述多晶硅层表面的氧化物。
4、在一些实施例中,采用hf溶液腐蚀所述多晶硅层的氧化物的时间为5~30s。
5、在一些实施例中,采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液腐蚀所述多晶硅层的时间为5~30s。
6、在一些实施例中,所述hf溶液的浓度为49%。
7、在一些实施例中,所述ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液中,ch3ooch:hno3:hf的体积比在(20~30):(25~40):(0.5~2)之间,ki的浓度在0.1g/100ml~0.4g/100ml之间。
8、在一些实施例中,在扫描透射显微镜下观测所述多晶硅层的晶粒。
9、上述技术方案,由于多晶硅层表面通常存在一层自然氧化层sio2,sio2具有疏水的特性,不利于化学刻蚀剂的腐蚀。因此,先采用hf溶液腐蚀所述多晶硅层的表面,将自然氧化层sio2去除,使亲水的硅层暴露出来。接着采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液对所述多晶硅层进行腐蚀,形成用于晶粒观测的样品。本申请采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液替代了现有技术中的重铬酸钾刻蚀剂,在保护环境的同时,制备出用于晶粒观测的样品。
10、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
1.一种用于晶粒观测的样品的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液腐蚀所述晶圆表面的多晶硅层后,再次采用hf溶液腐蚀所述多晶硅层表面的氧化物。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用hf溶液腐蚀所述多晶硅层表面的氧化物的时间为5~30s。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液腐蚀所述多晶硅层的时间为5~30s。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所采用的hf溶液的浓度为49%。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述ch3ooch、hno3、hf、以及ki的混合溶液中,ch3ooch:hno3:hf的体积比在(20~30):
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在扫描透射显微镜下观测所述多晶硅层的晶粒。