一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质与流程

本发明实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质。

背景技术：

1、硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。众所周知，由硅片制成的半导体器件有着惊人的运算能力。随着自动化技术和计算机技术的飞速发展，由硅片制成的半导体器件的应用范围越来越广，目前已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防等各个领域。当然，随着硅片在各行各业的广泛应用，其对硅片的质量要求也日益严苛，可以理解地，成品硅片上的任何细微差异都会影响到硅片的质量，进而影响由硅片制成的半导体器件的功能。

2、可想而知地，硅片表面附着的颗粒物的含量对硅片的质量有着重要的影响，通常在硅片的生产过程中会对硅片表面附着的颗粒物进行单独检测。粒子计数器(particalcounter)作为制造业内包括光伏电池、面板和半导体芯片的必要检测设备，对硅片表面附着的颗粒物的检测非常重要。一般来说，对于半导体产品生产后表面附着的颗粒物均依赖于粒子计数器进行检测和结果判定，此检测设备会将硅片表面附着的颗粒物的特征以图像文件以及文本文件进行记录并保存。但是，目前对于检测结果的分析与硅片等级的判定均以肉眼观察和人员判定为主，误差较大。

3、因此，需要寻求一种自动化分析检测结果及判定硅片等级的方法。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明实施例期望提供一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质；能够自动化地判定硅片等级，节约人工成本的同时提高了硅片等级的判定准确率，降低了人为误差。

2、本发明实施例的技术方案是这样实现的：

3、第一方面，本发明实施例提供了一种判定硅片等级的方法，所述方法包括：

4、获取待测硅片表面的检测结果数据；其中，所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量；

5、根据所述待测硅片表面的检测结果数据，计算获得所述待测硅片表面上每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量；

6、基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量，按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级。

7、可选地，所述获取待测硅片表面的检测结果数据，包括：

8、利用粒子计数器获取所述待测硅片表面的检测结果文件；

9、通过分析所述待测硅片表面的检测结果文件来获取所述检测结果数据；其中，所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量。

10、可选地，所述根据所述待测硅片表面的检测结果数据，计算获得所述待测硅片表面上每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量，包括：

11、按照设定的划分规则，将所述待测硅片表面划分为多个圆环区域；

12、根据所述待测硅片表面的检测结果数据，获取每个圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area以及所述颗粒物的总数量p_count。

13、可选地，所述基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量，按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级，包括：

14、计算每个所述圆环区域对应的面积area；

15、基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area与所述每个圆环区域对应的面积area，计算获得所述待测硅片等级的面积判定系数p_area_judge；

16、基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的总数量p_count与所述每个圆环区域对应的面积area，计算获得所述待测硅片等级的密度判定系数p_den_judge；

17、根据所述面积判定系数p_area_judge和所述密度判定系数p_den_judge，确定所述待测硅片的等级。

18、可选地，所述基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area与所述每个圆环区域对应的面积area，计算获得所述待测硅片等级的面积判定系数p_area_judge，包括：

19、根据每个所述圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area与所述每个圆环区域对应的面积area的比值p_area/area计算获得每个圆环区域对应的面积判定系数p_area_judge。

20、可选地，所述基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的总数量p_count与所述每个圆环区域对应的面积area，计算获得所述待测硅片等级的密度判定系数p_den_judge，包括：

21、根据每个所述圆环区域内包含的所述颗粒物的总数量p_count与所述所述每个圆环区域对应的面积area的比值p_count/area计算获得每个圆环区域对应的密度判定系数p_den_judge。

22、可选地，所述根据所述面积判定系数p_area_judge和所述密度判定系数p_den_judge，确定所述待测硅片的等级，包括：

23、根据多个圆环区域所对应的面积判定系数p_area_judge，获得所述多个圆环区域中所述面积判定系数p_area_judge的最大值与所述面积判定系数p_area_judge的最小值之间的第一比值；

24、依次比较多个圆环区域中相邻圆环区域所对应的所述面积判定系数p_area_judge，并获得所述相邻圆环区域所对应的所述面积判定系数p_area_judge之间的第一差值的绝对值；

25、根据多个圆环区域所对应的密度判定系数p_den_judge，获得所述多个圆环区域中所述密度判定系数p_den_judge的最大值与所述密度判定系数p_den_judge的最小值之间的第二比值；

26、依次比较多个圆环区域中相邻圆环区域所对应的所述密度判定系数p_den_judge，并获得所述相邻圆环区域所对应的所述密度判定系数p_den_judge之间的第二差值的绝对值；

27、当所述第一比值、所述第一差值的绝对值、所述第二比值以及所述第二差值的绝对值均对应满足设定的阈值时，确定所述待测硅片为良品；

28、反之，当所述第一比值、所述第一差值的绝对值、所述第二比值以及所述第二差值的绝对值任一没有满足设定的阈值时，确定所述待测硅片为不良品。

29、第二方面，本发明实施例提供了一种判定硅片等级的装置，所述装置包括第一获取部分，第二获取部分以及判定部分；其中，

30、所述第一获取部分，经配置为获取待测硅片表面的检测结果数据；其中，所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量；

31、所述第二获取部分，经配置为根据所述待测硅片表面的检测结果数据，计算获得所述待测硅片表面上每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量；

32、所述判定部分，经配置为基于所述每个指定区域内包含的所述颗粒物的累加面积以及所述颗粒物的总数量，按照设定的判定规则来判定所述待测硅片的等级。

33、可选地，所述第一获取部分，经配置为：

34、利用粒子计数器获取所述待测硅片表面的检测结果文件partical_feil；

35、通过分析所述待测硅片表面的检测结果文件partical_feil来获取所述检测结果数据；其中，所述检测结果数据包括所述待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量。

36、可选地，所述第二获取部分，经配置为：

37、按照设定的划分规则，将所述待测硅片表面划分为多个圆环区域；

38、根据所述待测硅片表面的检测结果数据，获取每个圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area以及所述颗粒物的总数量p_count。

39、可选地，所述判定部分，经配置为：

40、计算每个所述圆环区域对应的面积area；

41、基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area与所述每个圆环区域对应的面积area，计算获得所述待测硅片等级的面积判定系数p_area_judge；

42、基于所述每个圆环区域内包含的所述颗粒物的总数量p_count与所述每个圆环区域对应的面积area，计算获得所述待测硅片等级的密度判定系数p_den_judge；

43、根据所述面积判定系数p_area_judge和所述密度判定系数p_den_judge，确定所述待测硅片的等级。

44、可选地，所述判定部分，经配置为：

45、根据每个所述圆环区域内包含的所述颗粒物的累加面积p_area与所述每个圆环区域对应的面积area的比值p_area/area计算获得每个圆环区域对应的面积判定系数p_area_judge。

46、可选地，所述判定部分，经配置为：

47、根据每个所述圆环区域内包含的所述颗粒物的总数量p_count与所述所述每个圆环区域对应的面积area的比值p_count/area计算获得每个圆环区域对应的密度判定系数p_den_judge。

48、可选地，所述判定部分，还经配置为：

49、根据多个圆环区域所对应的面积判定系数p_area_judge，获得所述多个圆环区域中所述面积判定系数p_area_judge的最大值与所述面积判定系数p_area_judge的最小值之间的第一比值；

50、依次比较多个圆环区域中相邻圆环区域所对应的所述面积判定系数p_area_judge，并获得所述相邻圆环区域所对应的所述面积判定系数p_area_judge之间的第一差值的绝对值；

51、根据多个圆环区域所对应的密度判定系数p_den_judge，获得所述多个圆环区域中所述密度判定系数p_den_judge的最大值与所述密度判定系数p_den_judge的最小值之间的第二比值；

52、依次比较多个圆环区域中相邻圆环区域所对应的所述密度判定系数p_den_judge，并获得所述相邻圆环区域所对应的所述密度判定系数p_den_judge之间的第二差值的绝对值；

53、当所述第一比值、所述第一差值的绝对值、所述第二比值以及所述第二差值的绝对值均对应满足设定的阈值时，确定所述待测硅片为良品；

54、反之，当所述第一比值、所述第一差值的绝对值、所述第二比值以及所述第二差值的绝对值任一没有满足设定的阈值时，确定所述待测硅片为不良品。

55、第三方面，本发明实施例提供了一种判定硅片等级的设备，所述设备包括：通信接口，存储器和处理器；各个组件通过总线系统耦合在一起；其中，

56、所述通信接口，用于在与其他外部网元之间进行收发信息过程中，信号的接收和发送；

57、所述存储器，用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序；

58、所述处理器，用于在运行所述计算机程序时，执行第一方面所述判定硅片等级的方法的步骤。

59、第四方面，本发明实施例提供了一种计算机存储介质，所述计算机存储介质有判定硅片等级的程序，所述判定硅片等级的程序被至少一个处理器执行时实现第一方面所述判定硅片等级的方法的步骤。

60、本发明实施例提供了一种判定硅片等级的方法、装置、设备及计算机存储介质；通过粒子计数器获取待测硅片表面的检测结果数据，在具体实施过程中上述的检测结果数据可以包括待测硅片表面附着的每个颗粒物的尺寸、位置以及每种尺寸所对应的颗粒物的数量，由此根据上述的检测结果数据能够得到待测硅片表面上每个指定区域内包含的颗粒物的累加面积以及颗粒物的总数量，进而基于每个指定区域内包含的颗粒物的累加面积以及颗粒物的总数量，按照设定的判定规则能够判定待测硅片的等级。本发明实施例提供的判定硅片等级的方法能够快速精确地对硅片进行等级划分，筛选出不良硅片，提高了硅片的良率；另一方面，也能够自动化地对硅片表面的检测结果进行分析以及等级划分，降低人力成本。