一种晶圆测试参数的筛选方法与流程

本发明涉及半导体集成电路测试领域，特别涉及一种晶圆测试参数的筛选方法。

背景技术：

1、随着集成电路面积越做越小，存储器的外围电路越做越简洁，这样对实际所需晶圆测试参数的选择提出更高的要求。

2、在当前存储器产品的cp测试(circuit probing或chip probing，裸晶针测；也称为wafer sort、wafer probing等，晶圆测试)时，需要筛选出最优的参数选择方案，但是，由于基准电流档位可调节但是无法量化以及cell(存储单元)窗口无法量化等原因，使得当前的筛选方法复杂、筛选所花费的时间多。

技术实现思路

1、本发明的目的在于，提供一种晶圆测试参数的筛选方法，可以降低晶圆测试参数在筛选时的复杂程度，并减少晶圆测试参数筛选所花费的时间。

2、为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括以下步骤：

3、提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；

4、在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中；以及

5、将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位。

6、可选的，所述测试结果包括测试通过和测试失败。

7、进一步的，当所述测试结果为测试通过时记作1，所述测试结果为测试失败时记作0。

8、可选的，“在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

9、在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

10、对所述待测试晶圆进行烘烤工艺；

11、在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

12、在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中；以及

13、在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，m≥i，且m、n和i均为正整数。

14、进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

15、在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

16、在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；

17、在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；以及

18、在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。

19、进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

20、在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

21、在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；

22、在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；以及

23、在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。

24、进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

25、在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

26、在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；

27、在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

28、在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第i+1测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，i≥2。

29、进一步的，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

30、在基准电流档位0下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

31、在基准电流档位l下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中，其中，l为正整数且大于0；

32、在基准电流档位l+1下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中；

33、在基准电流档位n下，对每个所述晶粒进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中。

34、可选的，将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位具体包括：

35、先将所有所述测试结果进行统计，再根据统计的所有所述测试结果绘制出测试结果的分布图。

36、进一步的，所述分布图包括离散图和直方图。

37、与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

38、本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括以下步骤：提供待测试晶圆，所述待测试晶圆包括多个晶粒；在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，其中，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中；以及将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位，以通过对基准电流及cell窗口均不可量化的存储器产品的研究，可通过一次完整项目的晶圆测试，得到基准电流档位与测试结果的分布图，从而直观反映产品特性，确定最终的cp筛选方案，本发明的筛选方法仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。

技术特征：

1.一种晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，所述测试结果包括测试通过和测试失败。

3.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，当所述测试结果为测试通过时记作1，所述测试结果为测试失败时记作0。

4.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在全基准电流档位下对所有所述晶粒进行每个测试项目的测试，并将每个所述晶粒的所有所述测试项目的测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

5.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第一测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

6.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第i测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

7.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个档位下均进行第i+1测试项目的测试，并将所有测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

8.如权利要求4所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，“在基准电流档位0至基准电流档位n下，对每个所述晶粒在每个基准电流档位下均进行第m测试项目的测试，并将所有所述测试结果存储于所述晶圆中”具体包括：

9.如权利要求1所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，将所有所述测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位具体包括：

10.如权利要求9所述的晶圆测试参数的筛选方法，其特征在于，所述分布图包括离散图和直方图。

技术总结
本发明提供一种晶圆测试参数的筛选方法，包括：提供待测试晶圆，待测试晶圆包括多个晶粒；在全基准电流档位下对所有晶粒进行每个测试项目的测试，在第一测试项目和第二测试项目之间包括烘烤工艺，并将每个晶粒的所有测试项目的测试结果存储于晶圆中；以及将所有测试结果进行统计，以筛选出每个测试项目的最优基准电流档位，以通过对基准电流及cell窗口均不可量化的存储器产品的研究，可通过一次完整项目的晶圆测试，从而得到基准电流档位与测试结果的分布图，并直观反映产品特性，且仅通过一次烘烤工艺，缩短了测试所需时间，减少筛选所花费的时间，还降低了晶圆测试参数的筛选时的复杂程度。

技术研发人员：孙黎瑾
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13