化镀溶液中的金属分析方法与流程

本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种化镀溶液中的金属分析方法。

背景技术：

1、在半导体集成电路制造业中，化镀工艺通常用于制作半导体封装前的焊接/阻挡层，该工艺形成的金属层因其具有成本低、性能好的优势，被广泛应用于功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)器件、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet，以下简称为“mos”)器件、互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxidesemiconductor contact image sensor，cis)器件等半导体产品的制作工艺中。

2、以化镀镍镀钯浸金(electroless nickel electroless palladium immersiongold，enepig)工艺为例，其包括除油，微蚀，第一次沉锌(zn)，去除，第二次沉锌，化镀镍(ni)，化镀钯(pd)和化镀金(au)这八个步骤。其中，涉及金属沉积的有三个步骤，即化镀镍、化镀钯和化镀金，在这三个步骤中，金属的浓度直接影响金属层厚度，因此快速分析化镀溶液中金属离子的浓度是至关重要的。

3、相关技术中，对于化镀溶液中的金属浓度，是通过对样品进行一系列的前处理后，使用原子吸收光谱(atomic absorption spectroscopy，aas)分析得到化镀溶液中的金属浓度。然而，通过上述方式耗时较长，通常需要10小时以上。

技术实现思路

1、本申请提供了一种化镀溶液中的金属分析方法，可以解决相关技术中提供的化镀溶液中的金属分析方法复杂且耗时较长的问题，该方法包括：

2、将预定容积的化镀溶液和盐酸溶液至于预定容积的容量瓶中，得到混合溶液，所述化镀溶液中包含目标金属元素；

3、将混合溶液放置于icp-oes设备的进样管中，作为测试样品；

4、在预定波长下，通过目标金属元素的标准曲线对所述测试样品进行分析，得到目标金属元素的浓度。

5、在一些实施例中，所述方法，还包括：

6、配置至少三种浓度的目标金属元素的标准溶液；

7、将至少三种浓度的标准溶液分别放置于icp-oes设备的进样管中，作为标准测试样品；

8、通过icp-oes设备对所述标准测试样品进行分析，绘制得到所述目标金属元素的标准曲线。

9、在一些实施例中，所述方法，还包括：

10、将目标金属元素的标准溶液稀释后，得到稀释后的标准样品；

11、将所述稀释后的标准样品放置于icp-oes设备的进样管中，作为波长测试样品；

12、通过icp-oes设备对所述波长测试样品进行分析，得到不同波长下的测试结果；

13、将测试结果最准确的所对应的波长确定为所述预定波长。

14、在一些实施例中，所述方法应用于enepig工艺中。

15、在一些实施例中，所述目标金属元素为金元素。

16、在一些实施例中，所述预定波长为210纳米至250纳米。

17、本申请技术方案，至少包括如下优点：

18、通过将化镀溶液通过盐酸稀释后，将其置于icp-oes设备中通过预定波长进行分析，得到目标金属的浓度，不需要复杂的一系列的前处理，节省了分析时间，在一定程度上提高了生产效率。

技术特征：

1.一种化镀溶液中的金属分析方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述方法应用于enepig工艺中。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标金属元素为金元素。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预定波长为210纳米至250纳米。

技术总结
本申请公开了一种化镀溶液中的金属分析方法，包括：将预定容积的化镀溶液和盐酸溶液至于预定容积的容量瓶中，得到混合溶液，该化镀溶液中包含目标金属元素；将混合溶液放置于ICP‑OES设备的进样管中，作为测试样品；在预定波长下，通过目标金属元素的标准曲线对测试样品进行分析，得到目标金属元素的浓度。本申请通过将化镀溶液通过盐酸稀释后，将其置于ICP‑OES设备中通过预定波长进行分析，得到目标金属的浓度，不需要复杂的一系列的前处理，节省了分析时间，在一定程度上提高了生产效率。

技术研发人员：李晓宁,沈雁君,黄红伟
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15