一种基于PCB罗氏线圈的SiCMOSFET阈值电压在线检测方法

文档序号:37234740发布日期:2024-03-06 16:53阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种基于pcb罗氏线圈的sic mosfet阈值电压在线检测方法,用于连接碳化硅器件的栅极以及漏极,其特征在于,包括:电流采样单元、阈值电流识别单元以及阈值电压生成单元,所述电流采样单元连接所述阈值电流识别单元,所述电流采样单元分别连接所述碳化硅器件的栅极以及漏极;

2.根据权利要求1所述的一种基于pcb罗氏线圈的sic mosfet阈值电压在线检测方法,其特征在于,所述电流采样单元包括栅极电流采样模块以及漏极电流采样模块,所述栅极电流采样模块包括第一pcb罗氏线圈以及第一积分电路,所述第一pcb罗氏线圈用于连接碳化硅器件的栅极,所述第一积分电路上设有第一复位开关;所述漏极电流采样模块包括第二pcb罗氏线圈以及第二积分电路,所述第二pcb罗氏线圈用于连接碳化硅器件的漏极,所述第二积分电路上设有第二复位开关。

3.根据权利要求1所述的一种基于pcb罗氏线圈的sic mosfet阈值电压在线检测方法,其特征在于,所述阈值电流识别单元连接至包括至少一个放大模块、输出信号模块以及第一放大比较电路;


技术总结
本发明提供一种基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET阈值电压在线检测方法,用于在线检测SiC MOSFET的阈值电压,包括:电流采样单元、阈值电流识别单元和阈值电压生成单元,所述电流采样单元连接至所述阈值电流识别单元,所述阈值电流识别单元连接至所述阈值电压生成单元,所述电流采样单元分别连接所述碳化硅器件的栅极以及漏极;所述电流采样单元对碳化硅器件的栅极电流和漏极电流分别进行采样,通过阈值电流识别单元进行放大,通过阈值电压生成单元获取到碳化硅器件的阈值电压,在不改变功率变换器的功率电路和驱动电路的基础上,能够实现对SiC MOSFET阈值电压的实时在线检测。

技术研发人员:邵天骢,郑琼林,李志君,孙宇晗,黄波
受保护的技术使用者:北京交通大学
技术研发日:
技术公布日:2024/3/5
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