芯片测试方法、装置、设备和存储介质与流程

本公开的实施例涉及芯片处理以及相关，具体地，涉及适用于一种芯片测试方法、装置、设备和存储介质。

背景技术：

1、芯片温度的测试方法为：转塔载盘通过加热至设定温度，持续提供高温，测试系统的测试探针与被测芯片的ic触点接触，基于测试探针探测测得的电信号测试出芯片的温度值。具体的实施过程为：转塔载盘首先加热至设定温度值，然后通过设备自带的温度传感器形成温度反馈回路，控制加热或停止加热来维持转塔载盘处于温度恒定，以转塔载盘处于恒定温度时的温度为基准温度，测试被测芯片的温度值。由于恒定温度的精度不高，芯片的测试温度值受到的影响较大。

技术实现思路

1、本文中描述的实施例提供了一种芯片测试方法、装置、设备和存储介质，解决现有技术存在的问题。

2、第一方面，根据本公开的内容，提供了一种芯片测试方法，包括：

3、在各测试区对应的基准芯片上电后，获取扇形转盘中各测试区对应的基准芯片的基准温度，其中，一个扇形转盘包括多个测试区；

4、在各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的初始测试温度，其中，一个测试区对应一个基准芯片和多个测试芯片；

5、根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的初始测试温度的关系，熔丝修调所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度；

6、再次给各测试区对应的测试芯片上电并获取各测试区对应的测试芯片的实际温度读值；

7、根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的实际温度读值，确定芯片是否合格。

8、在本公开的一些实施例中，所述根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的初始测试温度的关系，熔丝修调所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度，包括：

9、获取目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的初始测试温度的温度差值；

10、根据所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的初始测试温度的温度差值，熔丝修调所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度。

11、在本公开的一些实施例中，所述根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的初始测试温度的关系，熔丝修调所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度，包括：

12、在所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的初始测试温度的温度差值大于零时，升高所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度；

13、在所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的初始测试温度的温度差值小于零时，降低所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度。

14、在本公开的一些实施例中，所述给各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的初始测试温度之前，还包括：

15、根据各测试区对应的基准芯片的基准温度，确定任意相邻的两个测试区对应的基准芯片的基准温度的基准温度差值；

16、所述给各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的初始测试温度，包括：

17、在任意相邻的两个测试区对应的基准芯片的基准温度的基准温度差值小于或等于预设基准温度差值时，给各测试区对应的测试芯片上电；

18、获取上电后各测试区对应的测试芯片的初始测试温度。

19、在本公开的一些实施例中，所述给各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的初始测试温度，包括：

20、给各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的输出电压；

21、根据各测试区对应的测试芯片的输出电压确定初始测试温度。

22、在本公开的一些实施例中，所述根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的实际温度读值，确定芯片是否合格，包括：

23、获取目标测试区对应的基准芯片的基准温度和目标测试区对应的目标测试芯片的实际温度读值的温度差值；

24、根据所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的实际温度读值的温度差值与预设温度差值的关系，确定芯片是否合格。

25、在本公开的一些实施例中，所述根据所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的实际温度读值的温度差值与预设温度差值的关系，确定芯片是否合格，包括：

26、在所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的实际温度读值的温度差值小于或等于预设温度差值时，确定所述目标测试芯片合格；

27、在所述目标测试区对应的基准芯片的基准温度与所述目标测试区对应的目标测试芯片的实际温度读值的温度差值大于预设温度差值时，确定所述目标测试芯片不合格。

28、第二方面，根据本公开的内容，提供了一种芯片测试装置，包括：

29、基准温度获取模块，用于在各测试区对应的基准芯片上电后，获取扇形转盘中各测试区对应的基准芯片的基准温度，其中，一个扇形转盘包括多个测试区；

30、初始测试温度获取模块，用于在测试装置给各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的初始测试温度，其中，一个测试区对应一个基准芯片和多个测试芯片；

31、控制信号输出模块，用于根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的初始测试温度的关系，熔丝修调所述测试芯片的初始测试温度至所述基准芯片的基准温度；

32、实际温度读值获取模块，用于再次给各测试区对应的测试芯片上电并获取各测试区对应的测试芯片的实际温度读值；

33、确定模块，用于根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的实际温度读值，确定芯片是否合格。

34、第三方面，根据本公开的内容，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如以上任意一个实施例中方法的步骤。

35、第四方面，根据本公开的内容，提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如以上任意一个实施例中方法的步骤。

36、本公开实施例提供的芯片测试方法、装置、设备和存储介质，在各测试区对应的基准芯片上电后，获取扇形转盘中各测试区对应的基准芯片的基准温度，在各测试区对应的测试芯片上电后，获取各测试区对应的测试芯片的初始测试温度，根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的初始测试温度的关系，熔丝修调所述测试芯片的初始测试温度至基准芯片的基准温度，再次给各测试区对应的测试芯片上电并获取各测试区对应的测试芯片的实际温度读值，根据各测试区对应的基准芯片的基准温度和各测试区对应的测试芯片的实际温度读值，确定芯片是否合格。本技术实施例提供的芯片测试方法中，首先采用4位1芯(基准芯片)的方式，一个扇形载盘可测4×4颗测试芯片，基准芯片和测试芯片通过探针连接，使得每4个测试芯片对应有一个基准芯片，通过参考基准芯片的基准温度，对比检查生产的测试芯片的初始测试温度，基于比较结果修正测试芯片的温度，进而再次通过上电判断测试芯片的实际温度读值是否符合温度误差要求，完成测试芯片的测试，实现对测试芯片测试的基础上，测试芯片的温度测量精度达±0.5℃，测量温度误差很小，能够实现对测试芯片进行高精度温度在线式大批量生产测试。

37、上述说明仅是本技术实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。