一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置

本发明涉及半导体晶圆测试，具体为一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置。

背景技术：

1、表面粗糙度是半导体单晶抛光片测试的一个重要指标，用较低的表面粗糙度晶圆制作器件，有利于器件性能的稳定、高效。以碳化硅单晶抛光片为例，其表面粗糙度一般要求为si面≤0.3nm，c面≤1nm(10μm x 10μm)，因此在实际生产过程中，得到准确的表面粗糙度数据尤为重要。

技术实现思路

1、本发明的目的在于半导体晶圆表面的粗糙度数据不准确的问题，提供了一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置。

2、为了实现上述目的，本发明提供一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置，包括：颗粒去除模块、静电消除模块和粗糙度检测模块，其中，所述粗糙度检测模块包括样品台，所述样品台表面具有真空吸口；

3、所述颗粒去除模块用于去除所述真空吸口处的颗粒；

4、所述静电消除模块用于对晶圆表面进行消除静电处理；

5、所述粗糙度检测模块用于检测位于所述样品台表面且消除静电处理后的晶圆表面的粗糙度。

6、作为一种可实施方式，还包括晶圆移动模块，所述晶圆移动模块用于移动晶圆至去除颗粒后的所述样品台表面。

7、作为一种可实施方式，所述静电消除模块用于对位于所述样片台表面的所述晶圆表面进行消除静电处理；或者，所述晶圆移动模块还用于移动晶圆至所述静电消除模块，所述静电消除模块用于对固定于所述晶圆移动模块的晶圆进行消除静电处理。

8、作为一种可实施方式，所述颗粒去除模块、所述晶圆移动模块和所述静电消除模块活动连接于同一转轴结构，使得分别旋转到所述样片台或者其他相应位置进行相关操作

9、作为一种可实施方式，所述颗粒去除模块包括第一连杆，所述第一连杆的一端连接所述转轴结构，所述第一连杆的另一端具有和所述样品台相对应的第一吸盘罩。

10、作为一种可实施方式，所述第一吸盘罩内具有和所述真空吸口相对应的吹气口。

11、作为一种可实施方式，所述第一吸盘罩内具有和所述真空吸口相对应的第二吸盘罩。

12、作为一种可实施方式，所述第一连杆的中部具有子转轴结构。

13、作为一种可实施方式，所述静电消除模块包括第二连杆，所述第二连杆的一端连接所述转轴结构，所述第二连杆的另一端具有离子风机。

14、相应的，本发明提供了一种半导体晶圆表面粗糙度检测方法，包括：

15、去除样品台表面的真空吸口处的颗粒；

16、对晶圆表面进行消除静电处理；

17、检测位于所述样品台表面且消除静电处理后的晶圆表面的粗糙度。

18、本发明的有益效果：本发明公开了一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置，通过颗粒去除模块去除真空吸口处的颗粒；通过静电消除模块对晶圆表面进行消除静电处理；再通过粗糙度检测模块检测位于所述样品台表面且消除静电处理后的晶圆表面的粗糙度。消除了颗粒和静电影响，使得大大提高了晶圆表面粗糙度检测的精确度。

技术特征：

1.一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，包括：颗粒去除模块、静电消除模块和粗糙度检测模块，其中，所述粗糙度检测模块包括样品台，所述样品台表面具有真空吸口；

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，还包括晶圆移动模块，所述晶圆移动模块用于移动晶圆至去除颗粒后的所述样品台表面。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述静电消除模块用于对位于所述样片台表面的所述晶圆表面进行消除静电处理；或者，所述晶圆移动模块还用于移动晶圆至所述静电消除模块，所述静电消除模块用于对固定于所述晶圆移动模块的晶圆进行消除静电处理。

4.根据权利要求2所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述颗粒去除模块、所述晶圆移动模块和所述静电消除模块活动连接于同一转轴结构，使得分别旋转到所述样片台或者其他相应位置进行相关操作。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述颗粒去除模块包括第一连杆，所述第一连杆的一端连接所述转轴结构，所述第一连杆的另一端具有和所述样品台相对应的第一吸盘罩。

6.根据权利要求5所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述第一吸盘罩内具有和所述真空吸口相对应的吹气口。

7.根据权利要求5所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述第一吸盘罩内具有和所述真空吸口相对应的第二吸盘罩。

8.根据权利要求5所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述第一连杆的中部具有子转轴结构。

9.根据权利要求4所述的半导体晶圆表面粗糙度检测装置，其特征在于，所述静电消除模块包括第二连杆，所述第二连杆的一端连接所述转轴结构，所述第二连杆的另一端具有离子风机。

10.一种半导体晶圆表面粗糙度检测方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明涉及半导体晶圆测试技术领域，公开了一种半导体晶圆表面粗糙度检测装置，通过颗粒去除模块去除真空吸口处的颗粒；通过静电消除模块对晶圆表面进行消除静电处理；再通过粗糙度检测模块检测位于所述样品台表面且消除静电处理后的晶圆表面的粗糙度。使得大大提高了晶圆表面粗糙度检测的精确度。

技术研发人员：皮孝东,钱怡潇,杨德仁
受保护的技术使用者：浙江大学杭州国际科创中心
技术研发日：
技术公布日：2024/2/29