本发明涉及硅片加工，具体涉及一种检测硅片体内铜含量的方法。
背景技术：
1、集成电路正向着集成度不断提高和器件尺寸不断缩小的方向发展，对工艺技术和原材料的要求也越来越高，硅片是集成电路制造过程中的重要原材料之一，硅片中的金属杂质对元器件良率以及集成电路性能具有显著影响，因此对硅片中各种金属杂质的管控极其重要。
2、过渡族金属元素普遍存在于硅片加工过程中，因此很难避免污染，cu是典型的过渡族金属元素，其在硅片中的化学行为需要重点关注。cu会影响器件的性能和可靠性，损害元器件的电学性能，甚至导致集成电路失效。cu在硅中的扩散系数很大，cu主要是在硅晶格的格点间隙移动，其需要的激活能比较小，在硅中扩散并不需要克服很大的势垒。
3、cu会在单晶拉制、切片、研磨、腐蚀和抛光等各工艺加工时引入，在硅片加工过程中需要高温处理时，沾污的cu会很容易地进入硅片内部，从而以多种方式影响材料和器件的性能。传统的测试方法主要是使用spv检测，或者使用混酸对硅片进行溶解，并用icp-ms检测。
4、传统测试方法存在以下缺点：溶解法前处理时间较长，操作步骤繁杂，操作过程中容易引入外部杂质；spv对硅片表面的粗糙度和光泽度要求较高，而且测试时间较长。
技术实现思路
1、本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种检测硅片体内铜含量的方法，其检测硅片内部cu含量的方法，方便管控硅片生产和加工过程中的cu污染，促进良率的提高。通过酸混合溶液除去样品表明的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染引入，更真实准确的测定硅片样品体内的金属含量。
2、本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种检测硅片体内铜含量的方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：用超纯水清洗各类容器，其电阻率≥18mω.cm；并且采用超纯水、hf和h2o2配置3%hf+4%h2o的混合溶液。
5、自然环境下水中含有各种矿物质及金属离子，因此其可以导电。纯净的水为绝缘体避免或者减少外部杂质对测试结果的干扰，提高测试结果的准确性和可信性。
6、第二步：移液枪移取3%hf+4%h2o2混合溶液清洗待测硅片表面2遍，以除去硅片表面的自然氧化膜和污物。
7、第三步：将待测硅片置于电热板上加热，温度设置为300摄氏度，加热时间为3小时，加热板温度应均匀，避免硅片局部温差过大。
8、第四步：停止加热，待温度冷却至室温后，硅片表面用2ml2%hf+2%h2o2 进行萃取，萃取过程中通过氮气枪吹扫萃取液。
9、第五步：使用icp-ms测试空白样品，以确认仪器状态正常，最后使用icp-ms测试样品溶液中的cu含量。
10、涉及到酸的操作必须在通风橱中进行，穿戴好防护用具。涉及到加热的操作，要避免烫伤。
11、作为优选，所述的移液枪移取3%hf+4%h2o2混合溶液的量为4ml。
12、作为优选，所述的hf溶液采用upsss级38～49%hf，要求金属元素≤10ppt。
13、作为优选，所述的h2o2溶液采用upsss级30～35% h2o2，最佳采用多摩化学35%h2o2。
14、本发明能够达到如下效果：
15、本发明提供了一种检测硅片体内铜含量的方法，与现有技术相比较，检测硅片内部cu含量的方法，方便管控硅片生产和加工过程中的cu污染，促进良率的提高。通过酸混合溶液除去样品表明的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染引入，更真实准确的测定硅片样品体内的金属含量。
1.一种检测硅片体内铜含量的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的检测硅片体内铜含量的方法，其特征在于：所述的移液枪移取3%hf+4%h2o2混合溶液的量为4ml。
3.根据权利要求1所述的检测硅片体内铜含量的方法，其特征在于：所述的hf溶液采用upsss级38～49%hf，要求金属元素≤10ppt。
4.根据权利要求1所述的检测硅片体内铜含量的方法，其特征在于：所述的h2o2溶液采用upsss级30～35% h2o2，最佳采用多摩化学35% h2o2。