多晶硅还原炉的硅芯检测装置及多晶硅还原炉的制作方法

文档序号:35715948发布日期:2023-10-14 10:29阅读:84来源:国知局
多晶硅还原炉的硅芯检测装置及多晶硅还原炉的制作方法

本技术实施例涉及多晶硅生产,尤其涉及一种多晶硅还原炉的硅芯检测装置及多晶硅还原炉。


背景技术:

1、当前,对于多晶硅还原炉中硅芯的检查多采用人工检测方式,例如:现场人员用绝缘摇表去对硅芯做绝缘测试。

2、人工检测的检测效率低下,降低了多晶硅还原炉的生产效率。


技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种多晶硅还原炉的硅芯检测装置及多晶硅还原炉,以解决现有的硅芯检测效率低,降低了多晶硅还原炉的生产效率的问题。

2、为了解决上述技术问题,本实用新型是这样实现的:

3、第一方面,本实用新型实施例提供了一种多晶硅还原炉的硅芯检测装置,多晶硅还原炉包括硅芯以及电源,所述电源通过第一电路与所述硅芯电性连接,用于向所述硅芯提供启动还原反应所需的电能;

4、包括:

5、断路器,设于所述第一电路上,用于根据接收到的开启信号或者关闭信号,接通所述第一电路或者断开所述第一电路;

6、检测器,用于检测得到所述硅芯的硅芯状态信息,所述硅芯状态信息包括以下至少一项:硅芯绝缘值、硅芯接地电流值以及硅芯电阻值;

7、控制器,与所述检测器电性连接,用于接收所述检测器发送的硅芯状态信息并将所述硅芯状态信息转发至交互端;所述检测器与所述断路器电性连接,所述控制器还用于向所述断路器发送开启信号或者关闭信号。

8、可选地,

9、所述检测器包括:

10、硅芯绝缘检测传感器、硅芯接地电流检测传感器以及硅芯电阻检测传感器。

11、可选地,

12、所述控制器为可编程逻辑plc控制器。

13、可选地,还包括:

14、分散控制dcs系统,所述分散控制dcs系统与所述控制器电性连接,所述交互端为接入所述分散控制dcs系统的交互端。

15、可选地,

16、所述控制器还用于接收所述交互端发送的开启信号或者关闭信号,并将开启信号或者关闭信号转发至所述断路器。

17、可选地,

18、所述控制器通过光纤与所述检测器电性连接。

19、可选地,

20、所述控制器通过无线通信方式与所述检测器电性连接。

21、可选地,

22、所述硅芯具有多组;

23、所述断路器具有多组,每组所述断路器至少控制4组所述硅芯的通电或者断电。

24、可选地,

25、所述断路器还用于与所述检测器构成电气互锁。

26、第二方面,本实用新型实施例提供了一种多晶硅还原炉,包括:硅芯以及电源,所述电源通过第一电路与所述硅芯电性连接,用于向所述硅芯提供启动还原反应所需的电能,还包括:如第一方面中任一项所述的硅芯检测装置。

27、本实用新型实施例中,通过设置断路器、检测器以及控制器,本硅芯检测装置能够检测得到硅芯状态信息,并将硅芯状态信息通过控制器转发给交互端,使与交互端关联的用户获得硅芯状态信息,为用户启动或者关停还原炉提供了信息支撑,提高对硅芯状态信息的检测效率。采用本硅芯检测装置能够提高硅芯检测效率,进而提高多晶硅还原炉的生产效率。



技术特征:

1.一种多晶硅还原炉的硅芯检测装置,多晶硅还原炉包括硅芯以及电源,所述电源通过第一电路与所述硅芯电性连接,用于向所述硅芯提供启动还原反应所需的电能;

2.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于:

4.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于,还包括:

5.根据权利要求1或4所述的硅芯检测装置,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于:

7.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于:

8.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于:

9.根据权利要求1所述的硅芯检测装置,其特征在于:

10.一种多晶硅还原炉,包括:硅芯以及电源,所述电源通过第一电路与所述硅芯电性连接,用于向所述硅芯提供启动还原反应所需的电能,其特征在于,还包括:如权利要求1至9中任一项所述的硅芯检测装置。


技术总结
本技术提供一种多晶硅还原炉的硅芯检测装置及多晶硅还原炉,多晶硅还原炉包括硅芯以及电源,电源通过第一电路与硅芯电性连接,用于向硅芯提供启动还原反应所需的电能,其中硅芯检测装置包括:断路器,设于第一电路上,用于根据接收到的开启信号或者关闭信号,接通第一电路或者断开第一电路;检测器,用于检测得到硅芯的硅芯状态信息,硅芯状态信息包括以下至少一项:硅芯绝缘值、硅芯接地电流值以及硅芯电阻值;控制器,与检测器电性连接,用于接收检测器发送的硅芯状态信息并将硅芯状态信息转发至交互端;检测器与断路器电性连接,控制器还用于向断路器发送开启信号或者关闭信号。本技术能够提高硅芯检测效率。

技术研发人员:张磊,徐景珏,侯勇,杨全林,冯栋科,武磊磊
受保护的技术使用者:新特硅基新材料有限公司
技术研发日:20230522
技术公布日:2024/1/15
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