一种验证功率器件极限功率的专用装置的制作方法

本技术涉及半导体功率器件测试验证领域，尤其涉及一种验证功率器件极限功率的专用装置。

背景技术：

1、垂直双扩散功率mosfet(vdmos：vertical double-diffusion metal oxidesemicondur)器件因其具有功耗低、开关速度快、驱动能力强、负温度系数等优点，而广泛应用于电机调速、逆变器、电子开关、汽车电器和电子镇流器等,是功率集成电路及功率集成系统的核心元器件之一。

2、对于功率mosfet的封装管壳，比较常见的是to、smd等塑封、金属和陶瓷管壳。对于大功率芯片，其要求能具备足够大的电流承受能力，并具备足够大极限功率。但是，功率状态下功率器件的发热会导致壳温上升，而温升会进一步导致功率器件外加功率需要降额，如此一来，大功率的实验就无法开展。验证极限功率较为常规的做法是使用带水冷散热的老炼设备(如btwe362大功率场效应晶体管老化系统)来实现。

3、然而随着当前整机设计需要定制更多功率器件的趋势，设计验证周期要求越来越快，配套验证希望能快速、灵活的完成。这样一来，传统的大型功率老炼设备或带水冷的老炼设备因其资金投入大、场地要求高、设备大而笨拙，不适应小、快、灵的功率验证开发，易用性差，故而需要改进。

技术实现思路

1、针对上述现有技术中存在的不足之处，本实用新型提供了一种验证功率器件极限功率的专用装置，该专用装置解决传统的验证功率器件极限功率时，需配置专业的大型功率老炼设备或带水冷的老炼设备，体积大、价格高、使用不灵活，不能适应功率器件研发时极限功率验证装置小型化、小投入、灵活验证的问题。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用了如下技术方案：

3、一种验证功率器件极限功率的专用装置，包括散热座和器件转接测试座；所述器件转接测试座设置在散热座上。

4、作为本实用新型的一种优选方案，该专用装置还包括可调速散热器，所述可调速散热器设置在散热座上。

5、作为本实用新型的一种优选方案，所述可调速散热器安装在散热座的侧面上。

6、作为本实用新型的一种优选方案，所述散热座上且位于器件转接测试座的一侧设有功率器件装载区。

7、作为本实用新型的一种优选方案，所述器件转接测试座上并靠近功率器件装载区的一侧设有插接孔。

8、作为本实用新型的一种优选方案，所述散热座为导热材料制成的导热散热座。

9、与现有技术相比，本实用新型具有如下技术效果：

10、1、本实用新型通过散热座、器件转接测试座和可调速散热器，可实现功率器件功率状态下的热量耗散，相较于大型自动化的水冷散热设备，构成简单，实施容易，可以实现小成本投入下功率器件极限功率验证。

11、2、本实用新型仅在散热座、器件转接测试座进行调整，兼容性强，可适用于各类外壳，具有较好的兼容性。

12、3、本实用新型所采用的可调速散热器，可以针对不同功率器件的极限功率调整散热效率，且灵活易用。

技术特征：

1.一种验证功率器件极限功率的专用装置，其特征在于：包括散热座(1)和器件转接测试座(2)；所述器件转接测试座(2)设置在散热座(1)上；

2.根据权利要求1所述的一种验证功率器件极限功率的专用装置，其特征在于：还包括可调速散热器(5)，所述可调速散热器(5)设置在散热座(1)上。

3.根据权利要求2所述的一种验证功率器件极限功率的专用装置，其特征在于：所述可调速散热器(5)安装在散热座(1)的侧面上。

4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的一种验证功率器件极限功率的专用装置，其特征在于：所述散热座(1)为导热材料制成的导热散热座。

技术总结
本技术公开了一种验证功率器件极限功率的专用装置，包括散热座、器件转接测试座和可调速散热器；器件转接测试座设置在散热座上，可调速散热器安装在散热座的侧面上。相比于传统功率验证设备，本技术把功率器件固定在散热座上，从器件转接测试座处加电进行功率实验，功率状态下功率器件产生的热能够快速耗散，避免因散热不足导致功率器件过热损坏，实现了功率器件的极限功率验证。从而在不使用专用、或大型设备的前提下，可以实现小型化、小投入、灵活验证功率器件极限功率，具有普适性和通用性，可广泛应用于半导体功率器件功率老炼领域。

技术研发人员：王斌,肖添,刘勇,徐岚,钟怡,刘玉奎,杨永晖
受保护的技术使用者：重庆中科渝芯电子有限公司
技术研发日：20230525
技术公布日：2024/4/17