一种MEMS光谱芯片晶元检测装置的制作方法

文档序号:36027397发布日期:2023-11-17 15:22阅读:24来源:国知局
一种MEMS光谱芯片晶元检测装置的制作方法

本技术涉及晶元检测,尤其涉及一种mems光谱芯片晶元检测装置。


背景技术:

1、随着微机电技术的发展,近几年,基于mems法珀腔干涉可调滤波芯片的微型化近红外光谱仪设备被广泛应用于食品、饮料、医药、煤炭等各个领域,光谱mems可调法珀腔芯片的光学原理是基于法布里珀罗干涉原理,通过半导体集成电路工艺制成的分光芯片,以不同电压驱动芯片,实时改变mems法珀腔芯片的腔长,获得不同窄波光谱。微型化近红外光谱仪相较于传统的大型傅里叶变换光谱分析系统,其具有结构简单、成本低廉、携带方便、检测快速、结果实时可见等优势,目前已成为光谱领域的热门产品。

2、随着微型化近红外光谱产品的广泛应用,对光谱mems可调法珀腔芯片的需求量逐渐增加,进而对芯片合格性也提出了更高的检测需求。传统检测光谱mems可调法珀腔芯片合格性的方法是通过人工的方式对晶元上每颗光谱mems可调法珀腔芯片进行合格性检测,对光谱mems可调法珀腔芯片两端进行供电,观察光谱图形是否合格,做出合格性判断后,人工更替下一颗待测芯片进行重复检测。传统方法不仅需要将光谱芯片从晶元上逐一取下,易造成光谱芯片损坏,而且每次只能检测单颗光谱芯片,检测效率极低,严重阻碍微型化近红外光谱技术的发展。


技术实现思路

1、本实用新型提供了一种mems光谱芯片晶元检测装置,用于解决现有检测技术中存在检测效率低下,检测成本过高,检测过程易于损坏光谱mems可调法珀腔芯片的问题,提供一种高效率、高准确率的mems光谱芯片晶元检测装置,该装置同时给晶元上所有mems光谱芯片供给相同电压,再通过图像采集识别器进行芯片合格性检测,大幅度节约检测成本,提升检测效率及准确率,同时也能降低检测过程中光谱mems芯片的损坏率。

2、本实用新型采用的技术方案是:提供一种mems光谱芯片晶元检测装置,包括:供电电源、图像采集识别器、mems光谱芯片晶元以及灯光发射器;所述mems光谱芯片晶元上设置有多颗光谱mems可调法珀腔芯片;所述图像采集识别器和灯光发射器位于mems光谱芯片晶元同侧;所述灯光发射器用于给mems光谱芯片晶元提供稳定且均匀的准直近红外光;所述图像采集识别器用于拍摄获取mems光谱芯片晶元上各颗光谱mems可调法珀腔芯片在供电情况下的状态,并进行图像分析及结果展示;所述供电电源分别为图像采集识别器、mems光谱芯片晶元、灯光发射器供电。

3、进一步的,所述灯光发射器卤钨灯、聚光杯以及匀光板,所述卤钨灯位于聚光杯内,所述匀光板位于所述聚光杯的出光侧。

4、进一步的,所述卤钨灯的发光波长范围为350nm~2500nm。

5、进一步的,所述光发射器位于mems光谱芯片晶元的斜上方45度位置。

6、进一步的,所述图像采集识别器包括高精度光学显微镜相机、图像处理器以及显示终端,所述图像处理器分别与高精度光学显微镜以及显示终端相连,所述高精度光学显微镜位于所述mems光谱芯片晶元正上方。

7、进一步的,所述供电电源包括供电器和稳压器,所述供电器与mems光谱芯片晶元之间连有稳压器。

8、进一步的,所述光谱mems可调法珀腔芯片呈矩阵式规律排布于mems光谱芯片晶元之上,所述mems光谱芯片晶元上各颗光谱mems可调法珀腔芯片相互并联在mems光谱芯片晶元的正负接线柱之间。

9、本实用新型的有益效果是:本实用新型能同时给mems光谱芯片晶元上所有光谱mems可调法珀腔芯片供给相同电压,再通过图像采集识别器进行芯片合格性检测,大幅度节约检测成本,提升检测效率及准确率,同时也能降低检测过程中光谱mems可调法珀腔芯片的损坏率。



技术特征:

1.一种mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,包括:供电电源、图像采集识别器、mems光谱芯片晶元以及灯光发射器;所述mems光谱芯片晶元上设置有多颗光谱mems可调法珀腔芯片;所述图像采集识别器和灯光发射器位于mems光谱芯片晶元同侧;所述灯光发射器用于给mems光谱芯片晶元提供稳定且均匀的准直近红外光;所述图像采集识别器用于拍摄获取mems光谱芯片晶元上各颗光谱mems可调法珀腔芯片在供电情况下的状态,并进行图像分析及结果展示;所述供电电源分别为图像采集识别器、mems光谱芯片晶元、灯光发射器供电。

2.根据权利要求1所述的mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,所述灯光发射器卤钨灯、聚光杯以及匀光板,所述卤钨灯位于聚光杯内,所述匀光板位于所述聚光杯的出光侧。

3.根据权利要求2所述的mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,所述卤钨灯的发光波长范围为350nm~2500nm。

4.根据权利要求1所述的mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,所述光发射器位于mems光谱芯片晶元的斜上方45度位置。

5.根据权利要求1所述的mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,所述图像采集识别器包括高精度光学显微镜相机、图像处理器以及显示终端,所述图像处理器分别与高精度光学显微镜以及显示终端相连,所述高精度光学显微镜位于所述mems光谱芯片晶元正上方。

6.根据权利要求1所述的mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,所述供电电源包括供电器和稳压器,所述供电器与mems光谱芯片晶元之间连有稳压器。

7.根据权利要求1所述的mems光谱芯片晶元检测装置,其特征在于,所述光谱mems可调法珀腔芯片呈矩阵式规律排布于mems光谱芯片晶元之上,所述mems光谱芯片晶元上各颗光谱mems可调法珀腔芯片相互并联在mems光谱芯片晶元的正负接线柱之间。


技术总结
本技术公开了一种MEMS光谱芯片晶元检测装置,包括:供电电源、图像采集识别器、MEMS光谱芯片晶元及灯光发射器;MEMS光谱芯片晶元上设置有多颗光谱MEMS可调法珀腔芯片;图像采集识别器和灯光发射器位于MEMS光谱芯片晶元同侧;灯光发射器用于给MEMS光谱芯片晶元提供稳定且均匀的准直近红外光;图像采集识别器用于拍摄获取MEMS光谱芯片晶元上各颗光谱MEMS可调法珀腔芯片在供电情况下的状态,并进行图像分析及结果展示;供电电源分别为图像采集识别器、MEMS光谱芯片晶元、灯光发射器供电。本技术能同时给晶元上所有芯片供给相同电压,再通过图像采集识别器进行芯片合格性检测,大幅度节约检测成本,提升检测效率及准确率,同时也能降低检测过程中芯片的损坏率。

技术研发人员:刘浩,陈宫傣,张国宏,闫晓剑,何涛
受保护的技术使用者:四川启睿克科技有限公司
技术研发日:20230607
技术公布日:2024/1/15
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