电流检测方法、装置、电子设备和存储介质与流程

本发明涉及信号测量领域，特别是涉及一种电流检测方法、装置、电子设备和存储介质。

背景技术：

1、针对电流测量，被测物(移动手环、手机、电池、开关漏电、物联网iot等)的电流通常是不稳定的，被测物使用过程中时可以会产生电流跳变，例如，被测物刚开机时，通常会有一个比较大的电流，正常工作后电流较小。再例如，被测物的工作电流可能较大，待机电流较小。而针对被测物全工作期的电流检测是确定被测物工作状况的必选项。

技术实现思路

1、本公开实施例提供电流检测方法、装置、电子设备和存储介质。

2、根据本公开实施例的第一方面，提出了一种电流检测方法，其特征在于，应用于电流检测电路，所述电流检测电路包括：

3、串联有第一电阻和第二电阻的串联电路，其中，所述第一电阻的电阻值小于所述第二电阻的电阻值；分流金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor,mos)，与所述第二电阻并联连接，所述分流mos的源极和漏极分别与所述第二电阻两端连接；

4、所述方法包括：

5、确定所述第一电阻的第一电压值；

6、所述方法还包括以下一项：

7、所述第一电压值小于第一电压阈值，确定所述第二电阻的第二电压值，并根据所述第二电压值确定流经所述串联电路的第一流向电流的电流值；

8、所述第一电压值大于或等于所述第一电压阈值，根据所述第一电压值确定所述第一流向电流的电流值；

9、其中，所述第一流向电流的电流方向与所述分流mos中体二极管的正向导通方向相同，所述第一电压阈值是根据所述体二极管的第一死区电压值设置的。

10、在一些实施例中，

11、所述第一电压阈值满足以下表达式：

12、

13、其中，vth1表示所述第一电压阈值，r1表示所述第一电阻的电阻值，r2表示所述第二电阻的电阻值，vd1表示所述第一死区电压值。

14、在一些实施例中，所述方法还包括：

15、确定第一电路参数值指示所述体二极管中的电流大于第一预定电流阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极。

16、在一些实施例中，所述第一电路参数值包括以下至少一项：

17、所述第一电压值；

18、所述分流mos的第一温度值；

19、所述确定第一电路参数值指示所述体二极管中的电流大于或第一预定电流阈值，包括以下至少一项：

20、确定所述第一电压值大于第二电压阈值，其中，所述第二电压阈值大于第一电压阈值；

21、确定所述第一温度值大于第一温度阈值。

22、在一些实施例中，所述电流检测电路还包括：

23、与所述第二电阻并联连接的分流二级管，其中，所述分流二级管的正向导通方向与所述分流mos中体二极管的正向导通方向相反；

24、所述方法还包括以下一项：

25、所述第一电压值小于第三电压阈值，根据所述第二电压值确定流经所述串联电路的第二流向电流；

26、所述第一电压值大于或等于所述第三电压阈值，根据所述第一电压值确定所述第二流向电流；

27、其中，所述第二流向电流的电流方向与所述第一流向电流的电流方向相反，所述第三电压阈值是根据所述分流二级管的第二死区电压值设置的。

28、在一些实施例中，所述第三电压阈值满足以下表达式：

29、

30、其中，vth2表示所述第三电压阈值，r1表示所述第一电阻的电阻值，r2表示所述第二电阻的电阻值，vd2表示所述第二死区电压值。

31、在一些实施例中，所述方法还包括：

32、确定第二电路参数值指示所述分流二级管中的电流大于第二预定电流阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极。

33、在一些实施例中，所述第二电路参数值包括以下至少一项：

34、所述第一电压值；

35、所述分流二级管的第二温度值；

36、所述确定第二电路参数值指示所述分流二级管中的电流大于或第二预定电流阈值，包括以下至少一项：

37、确定所述第一电压值大于第四电压阈值，其中，所述第四电压阈值大于第三电压阈值；

38、确定所述第二温度值大于第二温度阈值。

39、根据本公开实施例的第二方面，提出了一种电流检测装置，其特征在于，应用于电流检测电路，所述电流检测电路包括：

40、串联有第一电阻和第二电阻的串联电路，其中，所述第一电阻的电阻值小于所述第二电阻的电阻值；分流mos，与所述第二电阻并联连接，所述分流mos的源极和漏极分别与所述第二电阻两端连接；

41、所述装置包括：

42、处理模块，用于确定所述第一电阻的第一电压值；

43、所述处理模块，还用于以下一项：

44、所述第一电压值小于第一电压阈值，确定所述第二电阻的第二电压值，并根据所述第二电压值确定流经所述串联电路的第一流向电流的电流值；

45、所述第一电压值大于或等于所述第一电压阈值，根据所述第一电压值确定所述第一流向电流的电流值；

46、其中，所述第一流向电流的电流方向与所述分流mos中体二极管的正向导通方向相同，所述第一电压阈值是根据所述体二极管的第一死区电压值设置的。

47、在一些实施例中，

48、所述第一电压阈值满足以下表达式：

49、

50、其中，vth1表示所述第一电压阈值，r1表示所述第一电阻的电阻值，r2表示所述第二电阻的电阻值，vd1表示所述第一死区电压值。

51、在一些实施例中，所述处理模块，还用于：

52、确定第一电路参数值指示所述体二极管中的电流大于第一预定电流阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极。

53、在一些实施例中，所述第一电路参数值包括以下至少一项：

54、所述第一电压值；

55、所述分流mos的第一温度值；

56、所述处理模块，具体用于以下至少一项：

57、确定所述第一电压值大于第二电压阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极，其中，所述第二电压阈值大于第一电压阈值；

58、确定所述第一温度值大于第一温度阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极。

59、在一些实施例中，所述电流检测电路还包括：

60、与所述第二电阻并联连接的分流二级管，其中，所述分流二级管的正向导通方向与所述分流mos中体二极管的正向导通方向相反；

61、所述处理模块，还用于以下一项：

62、所述第一电压值小于第三电压阈值，根据所述第二电压值确定流经所述串联电路的第二流向电流；

63、所述第一电压值大于或等于所述第三电压阈值，根据所述第一电压值确定所述第二流向电流；

64、其中，所述第二流向电流的电流方向与所述第一流向电流的电流方向相反，所述第三电压阈值是根据所述分流二级管的第二死区电压值设置的。

65、在一些实施例中，所述第三电压阈值满足以下表达式：

66、

67、其中，vth2表示所述第三电压阈值，r1表示所述第一电阻的电阻值，r2表示所述第二电阻的电阻值，vd2表示所述第二死区电压值。

68、在一些实施例中，所述处理模块，还用于：

69、确定第二电路参数值指示所述分流二级管中的电流大于第二预定电流阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极。

70、在一些实施例中，所述第二电路参数值包括以下至少一项：

71、所述第一电压值；

72、所述分流二级管的第二温度值；

73、所述处理模块，具体还用于以下一项：

74、确定所述第一电压值大于第四电压阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极，其中，所述第四电压阈值大于第三电压阈值；

75、确定所述第二温度值大于第二温度阈值，控制所述分流mos导通所述源极和所述漏极。

76、根据本公开实施例的第三方面，提出了一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

77、一个或多个处理器；

78、其中，所述处理器用于调用指令以使得所述电子设备执行第一方面所述的电流检测方法。

79、根据本公开实施例的第四方面，提出了一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有指令，当所述指令在电子设备上运行时，使得所述电子设备执行第二方面所述的电流检测方法。

80、根据本公开实施例，一种电流检测方法，应用于电流检测电路，所述电流检测电路包括：串联有第一电阻和第二电阻的串联电路，其中，所述第一电阻的电阻值小于所述第二电阻的电阻值；分流mos，与所述第二电阻并联连接，所述分流mos的源极和漏极分别与所述第二电阻两端连接；所述方法包括：确定所述第一电阻的第一电压值；所述第一电压值小于第一电压阈值，确定所述第二电阻的第二电压值，并根据所述第二电压值确定流经所述串联电路的第一流向电流的电流值；所述第一电压值大于或等于所述第一电压阈值，根据所述第一电压值确定所述第一流向电流的电流值；其中，所述第一流向电流的电流方向与所述分流mos中体二极管的正向导通方向相同，所述第一电压阈值是根据所述体二极管的第一死区电压值设置的。如此，通过关联于mos中的体二极管的第一死区电压值的第一电压阈值作为判断采用第一电阻或第二电阻检测第一流向电流的电流值，一方面，能通过体二极管保护第二电阻过流的情况，另一方面，基于第一死区电压值选择第一电阻或第二电阻检测第一流向电流的电流值，提高检测的准确度。