电缆护层的电流采样方法、系统及存储介质与流程

本技术涉及局部放电检测的领域，尤其是涉及一种电缆护层的电流采样方法、系统及存储介质。

背景技术：

1、局部放电是指在较高的电场强度作用下，由于设备或器件在生产过程中或外部其他原因造成的缺陷，所产生的未贯穿的电极之间的放电，且重复击穿和熄灭。产生局部放电的主要原因是当电介质不均匀时，绝缘体各区域的电场强度不均匀。在某些区域，电场强度达到击穿场并发生放电，而其他区域保持绝缘。

2、进行局部放电的检测的其中一环是对设备的线缆进行检测，具体的检测方法是对单芯电缆金属护套的接地情况进行检测，单芯电缆金属护套在正常情况下为一点接地，此时金属护套上的环流极小，而且主要是容性电流。一旦金属护套出现多点接地与大地形成回路后，环流会显著增加，严重时可达主电流的90%以上。

3、实时监测金属护套环流及其变化量，即可实现单芯电缆金属护套多点接地故障的在线监测，从而及时准确的发现接地故障，从根本上避免电缆事故的发生，保证电缆安全、可靠的运行。采集电缆上环流需要使用到adc芯片，但是,同一批生产出来的adc芯片之间会存在差异性，让检测到的数据存在误差。

技术实现思路

1、为了降低adc芯片采集到的电流数值的误差，本技术提供一种电缆护层的电流采样方法、系统及存储介质。

2、第一方面，本技术提供的一种电缆护层的电流采样方法，采用如下的技术方案：

3、一种电缆护层的电流采样方法，包括如下步骤：

4、基于电流发生器生成的第一真实电流值，使用第一采样芯片获取第一采样电流值与第一标定电流值，所述第一标定电流值为所述第一真实电流值与所述第一采样电流值之间的差值；

5、基于所述电流发生器生成的第二真实电流值，使用第二采样芯片获取第二采样电流值与第二标定电流值，所述第二标定电流值为所述第二真实电流值与所述第二采样电流值之间的差值；

6、所述第一采样芯片与所述第二采样芯片位于电缆护层上不同的部位，所述第一采样芯片与所述第二采样芯片之间距离为第一设定距离；使用所述第一采样芯片与所述第二采样芯片同时采样电缆护层上的电流，所述第一采样芯片输出第一实际采样值，所述第二采样芯片输出第二实际采样值；

7、根据所述第一实际采样值与所述第一标定电流值相加计算得到第一电流值，根据所述第二实际采样值与所述第二标定电流值的和计算得到第二电流值；

8、计算所述第一实际采样值与所述第二实际采样值之间的差值为实际差值；

9、计算所述第一电流值与所述第二电流值的平均值；

10、若所述实际差值小于设置的电流校正值，则将所述平均值作为最终电流值；否则，根据所述实际差值与所述电流校正值的差值反相关调整所述平均值，所述实际差值与所述电流校正值的差值越大，所述平均值越小；所述实际差值与所述电流校正值的差值越小，所述平均值越大；再将所述平均值作为最终电流值；其中，根据所述实际差值与所述电流校正值的差值反相关调节所述第一设定距离；所述实际差值与所述电流校正值的差值越大，所述第一设定距离越小；所述实际差值与所述电流校正值的差值越小，所述第一设定距离越大。

11、通过采用上述技术方案，基于两个采样芯片采集电流值，每个采样芯片自身会进行差值纠正，提升结果的准确度，同时两个采样芯片之间也会计算实际差值，然后将实际差值与电流校正值进行比较，基于比较的结果输出最终电流值，因此能够获得准确度更高的电流值，降低adc芯片采集到的电流数值的误差。

12、可选地，方法还包括如下步骤：

13、所述电流发生器生成多个所述第一真实电流值得到第一真实电流值组，使用所述第一采样芯片获取第一采样电流值组与第一标定电流值组，所述第一采样电流值组以及所述第一标定电流值组均与所述第一真实电流值组对应；

14、存储所述第一采样电流值组与所述第一标定电流值组；

15、所述第一采样芯片获取所述第一实际采样值，根据所述第一实际采样值从所述第一采样电流值组中匹配到对应的所述第一采样电流值，并根据对应的所述第一采样电流值从所述第一标定电流值组中匹配出对应的所述第一标定电流值；

16、计算所述第一实际采样值与所述第一标定电流值的和值作为第一电流值。

17、通过采用上述技术方案，在测试环境下得到多个数值组，然后在实际检测环境下查询存储的数值组以匹配到对应的误差值，并根据实际的误差值计算并输出更准确的电流值。

18、可选地，方法还包括如下步骤：

19、所述电流发生器生成多个所述第二真实电流值得到第二真实电流值组，使用所述第二采样芯片获取第二采样电流值组与第二标定电流值组，所述第二采样电流值组以及所述第二标定电流值组均与所述第二真实电流值组对应；

20、存储所述第二采样电流值组与所述第二标定电流值组；

21、所述第二采样芯片获取所述第二实际采样值，根据所述第二实际采样值从所述第二采样电流值组中匹配到对应的所述第二采样电流值，并根据对应的所述第二采样电流值从所述第二真实电流值组中匹配出对应的值作为第二电流值。

22、通过采用上述技术方案，在测试环境下得到多个数值组，然后在实际检测环境下查询存储的数值组以匹配到并输出更准确的电流值。

23、可选地，所述根据所述实际差值与所述电流校正值的差值反相关调节所述第一设定距离的步骤中，还包括如下步骤：

24、计算多个最新的所述实际差值的平均值；

25、根据所述实际差值的平均值与所述电流校正值的差值反相关调节所述第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量；所述实际差值的平均值与所述电流校正值的差值越大，所述第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量越小，反之，所述第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量越大。

26、通过采用上述技术方案，使用实际差值的平均值计算出差值，能够让差值更稳定，然后能更稳定地调节第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量，电缆护层长度方向上的分量越长，对同一地点电磁干扰的抗干扰的能力越强。

27、可选地，所述根据所述实际差值与所述电流校正值的差值反相关调节所述第一设定距离的步骤中，还包括如下步骤：

28、计算多个最新的所述实际差值的平均值；

29、根据所述实际差值的平均值与所述电流校正值的差值正相关调节所述第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量；所述实际差值的平均值与所述电流校正值的差值越大，所述第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量越大；反之，所述第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量越小。

30、通过采用上述技术方案，使用实际差值的平均值计算出差值，能够让差值更稳定，然后能更稳定地调节第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量，第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量越长，对电缆一侧电磁干扰的抗干扰的能力越强。

31、可选地，方法还包括如下步骤：

32、根据所述第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量正相关调节所述电流校正值；所述第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量越大，所述电流校正值越大；所述第一设定距离在电缆护层长度方向上的分量越小，所述电流校正值越小。

33、通过采用上述技术方案，电缆护层长度方向上的分量越长，对同一地点电磁干扰的抗干扰的能力越强，从而适当地调整电流校正值，能够让更宽范围的平均值作为最终电流值。

34、可选地，方法还包括如下步骤：

35、根据所述第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量反相关调节所述电流校正值；所述第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量越大，所述电流校正值越小；反之，所述电流校正值越大。

36、通过采用上述技术方案，电缆护层宽度方向上的分量越长，对电缆同一侧电磁干扰的抗干扰的能力越强，此时需要调整电流校正值，能够让更窄范围的平均值作为最终电流值。

37、可选地，方法还包括如下步骤：

38、根据所述最终电流值的变化速度正相关调节所述实际差值的数量，用于计算出所述实际差值的平均值；所述最终电流值的变化速度越大，所述实际差值的数量越大；反之，所述实际差值的数量越小。

39、通过采用上述技术方案，最终电流值的变化程度代表电缆上的工作波动情况的复杂程度，电缆上的工作波动越复杂，则需要更平稳的实际差值的平均值参与计算。

40、第二方面，本技术提供的一种电缆护层的电流采样系统，采用如下的技术方案：

41、一种电缆护层的电流采样系统，包括处理器，所述处理器中运行有上述中任意一项所述的电缆护层的电流采样方法的程序。

42、第三方面，本技术提供的一种存储介质，采用如下的技术方案：

43、一种存储介质，存储有上述中任意一项所述的电缆护层的电流采样方法的程序。

44、综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：

45、基于两个采样芯片采集电流值，每个采样芯片自身会进行差值纠正，提升结果的准确度，同时两个采样芯片之间也会计算实际差值，然后将实际差值与电流校正值进行比较，基于比较的结果输出最终电流值，因此能够获得准确度更高的电流值，降低adc芯片采集到的电流数值的误差。

46、在测试环境下得到多个数值组，然后在实际检测环境下查询存储的数值组以匹配到并输出更准确的电流值。

47、使用实际差值的平均值计算出差值，能够让差值更稳定，然后能更稳定地调节第一设定距离在电缆护层长度方向上和电缆护层宽度方向上的分量，电缆护层长度方向上的分量越长，对同一地点电磁干扰的抗干扰的能力越强；第一设定距离在电缆护层宽度方向上的分量越长，对电缆一侧电磁干扰的抗干扰的能力越强。