专利名称：用于探测和指示非离子化电磁幅射和静电的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于探测和指示非离子化电磁幅射和静电的装置，特别是涉及用于应用/集成到任何类型抗幅射/抗静电/抗射滤波器中，其目的是主要在装有阴极射线管的装置中阻挡所述的幅射。
CRT集成的装置被广泛应用，特别用于电视机和计算机终端，其典型的部件还包括变压器、偏转线圈和高压变压器，这些部件产生幅射电磁场和累积的静电能。
人类长时间暴露在这种幅射中，会产生大量的健康问题。
这种幅射存在是具有高危险性的，即使是在以“低幅射水平”标准设计的那些装置如MPR II(瑞士)中也是如此。
再有在太空操作中，由于缺少大气层的保护，这类辐射对宇航员的健康构成了极大危害。
一直力图在高暴露的计算机环境中减少其作用，创造了带有接地的金属纬线专门服装。除了使用笨拙之外，它不能保护特别敏感的区域，如头部的那些区域。
其它严格的措施，趋向于在工作环境中限制计算机的使用，例如在日本就不允许孕妇穿行于这种环境当中。
为了解决上述问题，早先的技术出现了几种特殊光学(通常经淬火的)晶体，带有附加的多层表面涂层，它们被许多制造商采用，是在高真空涂层系统中喷涂的，并带有金属涂层用作阻挡幅射的网。
其它的阻挡方法包括在玻璃/晶体上施加导电附着膜。
以上这些解决方法，通过使用处理过的晶体使在CRT与观察者之间在观察表面增加对比度和消除了反射，这样就产生了优化视觉的优点。
这样就产生了众所周知的“抗幅射/抗静电/抗反射滤波器”。
关于种专利(甚低频-“VLF”非离子化幅射包括从3-30 KHz，极低频-“ELF”包括从30-300Hz和静电)，接地电缆/元件被认为是至关重要的。
由于不同的电位差和低电阻，后者可对通过上述滤波器网分流的幅射和静电，向相对一点是“参考地”放电，如用于计算中心和楼层的接地棒、插座的第三端，金属管，金属结构等，以上的主要缺点是，放电点可能不充分或呈现出未予见的电阻或由于连接的磨损造成了电路的开路，从而使所需的保护失效。
这就意味着处于上述危险时，还没有察觉到。
由于上述情况必须使用昂贵的仪器来测量抗幅射/抗静电/抗反射滤波器的效果，从而使使用者确信有这种需要。
这种认识在制造商通过在销售点用便携仪器加以解决，在用户中引起明显的关注。这样在销售地点和时间演示上述滤波器的效果，但在安装地还会发生变化。
这种演示是销售的重要辅助工具。然而，由于测量仪器的造价比滤波的本身要高的多，不能以竞争价格提供。
所以购买者不能完全相信，他的滤波器在面对类似的安装和构成整体的变化因素时，总是能够有效的起作用。
本发明的目的是提供一种新的永久测量和指示的集成元件，它是无源的(它的供电是由它的测量对象提供)、廉价的、可适于安装在所有的抗幅射/抗静电/抗反射滤波，甚至是最初安装在制造工厂的计算机终端、电视机等上的滤波器(滤光器)。其技术类似所销售的附件的技术。
上述还提供在这些滤波器的晶体表面/结构衬底上的本发明实施电路的表面组装，对有源和无源电路的非限制使用，对不同显示元件的非限制使用。
进而，本发明专利申请还保护，将本发明集成到图象装置中，主要包括(但不局限)阴极射线管，电视机，计算机终端等。它们都结合有抗幅射/抗静电/抗反射滤波器。还涉及到由公开的非限定探测的电路模型，主软件(使用中的最著名的“操作系统软件”)所提供的信息，可使在计算机终端或类似的荧光屏上显示抗幅射/抗静电/抗反射滤波器的效能级别。它还涉及集成有上述滤波器的设备装置，带有本申请中公布的非限制性探测的电路模型，由对屏幕显示的面板或遥控命令来驱动。
本发明的应用还包括在VLF和ELF频段之外进行幅射滤波处理的其它装置，产生放电电流，可产生上述指示。
下面参考附图，描述非限制最佳实施例，以说明本发明，其中
图1示意性地表示了由带磁场的电部件110和阴极射线管109产生的甚低频“VLF”，极低频“ELF”和静电“+”的非离子化幅射，影响于人。
图2表示了引起这种幅射的主要部件，其中110构成电视机和计算机终端典型部件的部分，如变压器，高压变压器，偏转线圈及阴极射线管109。
玻璃/晶体/基片100是涂层或处理物的物理支撑，它们共同构成抗幅射/抗静电/抗反射滤波器。
涂层115在滤波器上起抗射作用，由光源111发出的入射光112，该光被衰减反射为113。
这些滤波器还可以对某些光幅射起衰减作用。经滤波器发出处理后的光束114，由此用作光的“通带滤波器”。
放电电缆102与膜/涂层/网的连接器101相联，具有将捕获能接地103的优良功能。
图3是方块图，表示滤波器所支撑的导电网/膜/涂层上的功能实施原理，包括信号比较电路104(无源组件，主要包括低消耗阻性感性器件，可以区分在其两输入端输入端最小电位差，产生确定的电压输出指示，代表对指示的系统105的每个结果状态；参考电路106(主要是感性无源器件，可建立参考电压电平以供给到比较电路104，相关于幅射、磁场和累积静电能阵列的存在与不存在，它们首先是撞击滤波器的导电涂层/处理物/膜)；很低电阻的导体103，连接于接地点103，和极低损耗的液晶指示系统105。
所述导体102可以是电缆的一部分，典型的用于本类型滤波器的结构或只是比较电路104的连接。
图4a是上述的等效图，它还以非限制的方式包括另一电路的构成元件，其中不同的是107包括感性探测器电路，108是感性传感器。
图4b是非限定性电路的另一种形式，基于包括阻性，容性和/或感性部件107构成的装置，其中与上述情况相反，引线108可以使在连接放电点102和接地/地之间插入探测的电路107。
根据上述两个附图，感性传感的电缆108包围或接触放电导体102，它可做为幅射、磁场和叠积静电能阵列产生的电流传感器起作用，这些能量首先撞击滤波器涂层/表面处理物/导体膜等。感性探测器107具有不同的电压状态条件。
应当清楚这些相同的系统可以装备附加电源(电池，外部电源，太阳能等)它们也包括在本发明范围内。
图5a、5b、5c、5d表示以世界市场上最典型的一些抗幅射/抗静电/抗反射滤波器形式，在本发明目的范围内的可能的组装和集成。
最后图6，图7表示集成有抗幅射/抗静电/抗反射的计算机终端和电视机的某些最典型的可能的装配区域。
如上所述，当VLF和ELF非离子化辐射和静电撞击滤波器导电表面116，该滤波器是平行的安装在发射装置109，110的前部，它们产生通过放电导体102连接于地/接地103的电流，建立起电位差使所述幅射转换成电流泄放掉。
在这种情况中，导电表面116用作对这些幅射的阻挡金属屏，其效果正比于相对于接地103的电位差，理想的趋近于零电阻。
要注意到缺少所述连接，就记录不了可测量的电流，因而使用理想的接地连接，探测电流可在导体102上有最大电平。
因此，导体102上两种可能的能量状态可清楚的区分，最大的和最小的或无。
由于可用作接地103的元件变化，不能同理论上的性能一致，图3，图4所示电路考虑到有这种限制，并提供通过105产生的指示，带有予定容限，可使用户区分几乎可忽略的波动，确定他或她是否被滤波器所保护或没有。主要是相关于无源设计形式(无外部电源)，这也是本发明的优点。
比较器电路104探测当102由于接地103的好或坏状态传导或不传导可测量能量级时导体102上的变化。
另一方面，参考电平电路106给比较电路104提供另一探测状态，可使比较电路104在指示器105上产生一个指示，该信号对应于首先撞击滤波器涂层/表面处理物/导电膜116的幅射、磁场和积累的静电能阵列的有无状态。
也就是说系统的关键事实是独立于对首先撞击滤波的涂层/表面处理物/导电膜116的幅射、磁场和积累的静电能阵列的探测或测量，而关注的是放电导体102上形成的电流的有效探测和解释。
总之，它是间接的指示过程，因为当指示器105通知说滤波器有效的阻挡了幅射，磁场、累积的静电能阵列，实际记录的是好的接地103的状态，这就确保了电流的流通。电流由滤波器116捕获的幅射转变成。
关于图4a，图4b所示的情况，单独的操作差异包括利用感性传感器108，它与感性探测器电路107相连，探测导体102上的电流变化并随后产生触发指示器105的参考电压。
这些最后的变换形式，主要是用于产生比正常电平高的系统。
上述都包括在本发明的范围内，这主要由权利要求书所表述。
权利要求
1.一种用于探测和指示非离子化电磁幅射和静电的无源装置，特别是设计用于应用/集成到任何类型抗幅射/抗静电/抗反射滤波器中，其目的是主要在阴极射线管(CRT)装置中阻挡这种幅射，包括放电电缆，与所述滤波器上的导电网或膜的电接触端相连，其特征在于所述电接触端与信号比较器输入端相连接，比较器的另一个输入端与参考电平电路相连，比较器的输出端与指示装置相连。
2.根据权利要求1所述的用于非离子化电磁幅射和静电的探测和指示的无源装置，其特征在于所述电连接是阻性的。
3.根据权利要求1所述的用于非离子化电磁幅射和静电的探测和指示的无源装置，其特征在于所述电连接是容性的。
4.根据权利要求1所述的用于非离子化电磁幅射和静电的探测和指示的无源装置，其特征在于所述电连接是感性的。
全文摘要
本发明涉及用于探测和指示非离子化电磁辐射和静电的无源装置,特别是设计用于应用/集成到任何类型抗辐射/抗静电/抗反射滤波器中,其目的是主要在阴极射线管(CRT)装置中阻挡这种辐射,包括放电电缆,与所述滤波器上的导电网或膜的电接触端相连,其特征在于所述电接触端与信号比较器输入端相连接,比较器的另一个输入端与参考电平电路相连,比较器的输出端与指示装置相连。
文档编号G01T1/16GK1274089SQ9910647
公开日2000年11月22日 申请日期1999年5月12日 优先权日1999年5月12日
发明者若热·劳尔·巴图洛斯 申请人:若热·劳尔·巴图洛斯