一种抗热辐射型热电阻的制作方法

文档序号:10054449阅读:328来源:国知局
一种抗热辐射型热电阻的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种热电阻,尤其涉及一种抗热辐射型热电阻。
【背景技术】
[0002]热电阻是常用的一种温度检测器,热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的,具有测量精度高,性能稳定等优点。现在普遍使用的插入炉内用于测温的热电阻温度传感器,将被高温物体发出的热辐射加热,易导致温度传感器工作失效、损坏;且现有热电阻采用陶瓷材质的保护套,在运行过程中有隹热和散热损失,为了减少测量误差,热电阻有足够的插入深度,对于温度不断变化的被测区域,过程瞬间变化,要求传感器的响应快,而普通的温度传感器不仅跟不上被测对象的温度变化速度出现滞后,而且也会因达不到热平衡而产生测量误差。

【发明内容】

[0003]根据以上技术问题,本实用新型提供一种抗热辐射型热电阻,包括热电阻本体、接线盒、电气转换接头、陶瓷套管、固定套,其特征在于:还包括TSic温度传感器、金属保护壳、连接法兰、陶瓷纤维层,所述热电阻本体上设置有接线盒,所述接线盒的一端与电气转换接头连接,所述热电阻本体的一端通过固定套与陶瓷套管连接,所述陶瓷套管的内部安装有TSic温度传感器,所述陶瓷套管的外部套设有金属保护壳,所述金属保护壳上安装有连接法兰,所述金属保护壳与陶瓷套管之间设置有陶瓷纤维层。
[0004]所述金属保护壳上设置有聚四氟乙烯涂层。
[0005]本实用新型的有益效果为:本实用新型提供一种抗热辐射型热电阻,设置有金属防护套,增强本实用新型的硬度以及抗冲击、防爆能力,在金属防护套上涂有聚乙烯四氟,具有抗潮、防腐蚀、阻燃的性能,可有效延长其使用寿命;在陶瓷套管与外侧金属防护套之间设置有陶瓷纤维层,可有效增强其保温隔热能力,增强其抗热辐射性能,避免温度传感器被高温物体发出的热辐射加热而导致损坏;使用TSic温度传感器代替其他感温元件,响应速度快、精度高、运行稳定,避免产生测量误差。本实用新型结构简单、温度测量响应快、精度高,具有良好的抗热辐射性能。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型结构示意图。
【具体实施方式】
[0007]根据图1所示,对本实用新型进行进一步说明:
[0008]如图,电阻本体-1、接线盒-2、电气转换接头-3、陶瓷套管-4、TSic温度传感器_5、金属保护壳_6、固定套-7、连接法兰-8、陶瓷纤维层-9。
[0009]实施例1
[0010]本实用新型提供一种抗热辐射型热电阻,包括热电阻本体1、接线盒2、电气转换接头3、陶瓷套管4、TSic温度传感器5、金属保护壳6、固定套7、连接法兰8、陶瓷纤维层9,热电阻本体1上设置有接线盒2,接线盒2的一端与电气转换接头3连接,热电阻本体1的一端通过固定套7与陶瓷套管4连接,陶瓷套管4的内部安装有TSic温度传感器5,陶瓷套管4的外部套设有金属保护壳6,金属保护壳6上安装有连接法兰8,金属保护壳6与陶瓷套管4之间设置有陶瓷纤维层9。
[0011]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出的是,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进,这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种抗热辐射型热电阻,包括热电阻本体、接线盒、电气转换接头、陶瓷套管、固定套,其特征在于:还包括TSic温度传感器、金属保护壳、连接法兰、陶瓷纤维层,所述热电阻本体上设置有接线盒,所述接线盒的一端与电气转换接头连接,所述热电阻本体(1)的一端通过固定套与陶瓷套管连接,所述陶瓷套管的内部安装有TSic温度传感器,所述陶瓷套管的外部套设有金属保护壳,所述金属保护壳上安装有连接法兰,所述金属保护壳与陶瓷套管之间设置有陶瓷纤维层。2.按照权利要求1所述的一种抗热辐射型热电阻,其特征在于:所述金属保护壳上设置有聚四氟乙烯涂层。
【专利摘要】本实用新型提供一种抗热辐射型热电阻,包括热电阻本体、接线盒等,其特征在于:还包括TSic温度传感器、金属保护壳、连接法兰、陶瓷纤维层,所述热电阻本体上设置有接线盒,所述接线盒的一端与电气转换接头连接,所述热电阻本体1的一端通过固定套与陶瓷套管连接。本实用新型设置有金属防护套,使得本实用新型具有抗冲击、防爆能力、具有抗潮、防腐蚀、阻燃的性能,可有效延长其使用寿命;设置有陶瓷纤维层,增强其抗热辐射性能,避免温度传感器被高温物体发出的热辐射加热而导致损坏;使用TSic温度传感器代替其他感温元件,响应速度快、精度高、运行稳定,避免产生测量误差。本实用新型结构简单、温度测量响应快、精度高,具有良好的抗热辐射性能。
【IPC分类】G01K7/18
【公开号】CN204964056
【申请号】CN201520525471
【发明人】孙连峰
【申请人】中电华辰(天津)精密测器股份公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年7月20日
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