一种环规的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种环规，包括环规主体，该环规主体包括依次设置的纳米晶体层、收缩层和保护套，所述的收缩层位于纳米晶体层和保护套之间，并与纳米晶体层以及保护套同轴设置，在保护套的内壁上沿圆周方向开设有数个凹槽，该凹槽与所述的收缩层相对应。本实用新型的优点是：由于收缩层和凹槽的设置，保护套在热胀冷缩过程中产生的形变会被凹槽吸收，凹槽收到挤压后，保护纳米晶体层不会被挤压，从而保证环规的精度。
【专利说明】
一种环规
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种环规。
【背景技术】
[0002]普通的铝制保护套在冷热环境下，受热胀冷缩的影响，形变比较大，形成过程中会挤压内部的纳米晶体层，导致了环规的使用寿命缩短。
【发明内容】
[0003]为克服现有技术的缺陷，本实用新型提供一种环规，包括环规主体，该环规主体包括依次设置的纳米晶体层、收缩层和保护套，所述的收缩层位于纳米晶体层和保护套之间，并与纳米晶体层以及保护套同轴设置，在保护套的内壁上沿圆周方向开设有数个凹槽，该凹槽与所述的收缩层相对应。
[0004]本实用新型的优点是:由于收缩层和凹槽的设置，保护套在热胀冷缩过程中产生的形变会被收缩层和凹槽吸收，凹槽收到挤压后，保护纳米晶体层不会被挤压，从而保证环规的精度。
【附图说明】
[0005]图1是本实用新型的主体结构示意图。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体实施例来进一步描述本实用新型，本实用新型的优点和特点将会随着描述而更为清楚。但这些实施例仅是范例性的，并不对本实用新型的范围构成任何限制。本领域技术人员应该理解的是，在不偏离本实用新型的精神和范围下可以对本实用新型技术方案的细节和形式进行修改或替换，但这些修改和替换均落入本实用新型的保护范围内。
[0007]参见图1，本实用新型涉及一种环规，包括环规主体，该环规主体包括依次设置的纳米晶体层1、收缩层4和保护套2，所述的收缩层4位于纳米晶体层I和保护套2之间，并与纳米晶体层I以及保护套2同轴设置，在保护套2的内壁上沿圆周方向开设有数个凹槽3，该凹槽3与所述的收缩层4相对应。
【主权项】
1.一种环规，包括环规主体，其特征在于，该环规主体包括依次设置的纳米晶体层、收缩层和保护套，所述的收缩层位于纳米晶体层和保护套之间，并与纳米晶体层以及保护套同轴设置，在保护套的内壁上沿圆周方向开设有数个凹槽，该凹槽与所述的收缩层相对应。
【文档编号】G01B3/34GK205482660SQ201620141192
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年2月25日
【发明人】赵永海
【申请人】苏州国量量具科技有限公司