三端稳压集成电路启动电路的制作方法

文档序号:6284004阅读:356来源:国知局
专利名称:三端稳压集成电路启动电路的制作方法
技术领域
本发明涉及一种三端稳压集成电路启动电路,尤其是一种用于78系列三 端稳压集成电路的启动电路。
背景技术
三端稳压集成电路大多应用于交流电源转换成直流电源,即所谓的 AC/DC应用。在AC/DC应用中,交流输入信号存在瞬态浪涌电压,但瞬态 浪涌电压超过输入电压的最大极限电压或瞬态浪涌电压低于地(GND) 0.8 伏以下且具有足够大的能量,将会导致三端稳压集成电路损坏。通常的解决 办法是在交流输入端接入电容和背靠背(即两个二极管极性相反)保护二极 管消除浪涌电压。
如图1所示,78系列三端稳压集成电路是将功率调整管、取样电路、基 准稳压电路、误差放大电路、启动电路和保护电路等全部集成在一个芯片上 的集成电路。现有78系列三端稳压集成电路的启动电路如图2所示,包括启 动电阻R1、 二极管D1和三极管Q12,其中启动电阻R1的一端连接三极管 Q12的基极和二极管的负极,启动电阻R1的另一端和三极管Q12的集电极 连接三端稳压集成电路的输入端,二极管D1的正极接地。
通过大量的分析和实验,我们找到瞬态浪涌电压导致三端稳压集成电路 损坏的原因,即瞬态浪涌电压导致三端稳压集成电路内部的启动电路损坏。 电源开关时产生的浪涌电压使启动电阻R1到地之间形成的寄生PNP管导通,
导致电源到地瞬间短路,产生的大电流使启动电路损坏,三端稳压集成电路失效。

发明内容
本发明的目的是克服瞬态浪涌电压导致三端稳压集成电路损坏,提供一 种三端稳压集成电路内部的启动电路。
按照本发明提供的技术方案, 一种三端稳压集成电路启动电路,包括二 极管D1和三极管Q12,其特征是还包括栅极接地的长沟道场效应管T1, 所述长沟道场效应管Tl的漏极和三极管Q12的集电极连接三端稳压集成电 路的输入端,所述长沟道场效应管Tl的源极连接三极管Q12的基极和二极 管D1的负极,所述二极管D1的正极接地。所述长沟道场效应管Tl工作时形成的等效电阻的阻值等于三端稳压集 成电路所需启动电阻R1的阻值。
本发明的优点是结构简单、成本低,在不影响集成电路功能的情况下 避免了瞬态浪涌电压导致三端稳压集成电路损坏。


图1是78系列三端稳压集成电路原理图。 图2是现有78系列三端稳压集成电路启动电路等效图。 图3是本发明电路等效图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是78系列三端稳压集成电路原理图,按照本发明提供的技术方案, 其启动电路包括二极管Dl、三极管Q12和栅极接地的长沟道场效应管Tl, 所述长沟道场效应管Tl的漏极和三极管Q12的集电极连接三端稳压集成电 路的输入端,所述长沟道场效应管Tl的源极连接三极管Q12的基极和二极 管D1的负极,所述二极管D1的正极接地,如图3所示。
所述长沟道场效应管Tl工作时形成的等效电阻的阻值等于三端稳压集 成电路所需启动电阻R1的阻值。利用长沟道场效应管T1栅极接地形成等效 电阻来替代启动电阻R1,没有寄生PNP管效应,由于其基区到地的击穿电 压(BVBS)较低,从而避免了瞬态浪涌电压对三端稳压集成电路内部启动电 路的损坏。
权利要求
1、一种三端稳压集成电路启动电路,包括二极管(D1)和三极管(Q12),其特征是还包括栅极接地的长沟道场效应管(T1),所述长沟道场效应管(T1)的漏极和三极管(Q12)的集电极连接三端稳压集成电路的输入端,所述长沟道场效应管(T1)的源极连接三极管(Q12)的基极和二极管(D1)的负极,所述二极管(D1)的正极接地。
2、 如权利要求1所述的三端稳压集成电路启动电路,其特征是所述长 沟道场效应管(Tl)工作时形成的等效电阻的阻值等于三端稳压集成电路所 需启动电阻(Rl)的阻值。
全文摘要
本发明涉及一种三端稳压集成电路启动电路,尤其是一种用于78系列三端稳压集成电路的启动电路,其包括二极管、三极管和栅极接地的长沟道场效应管,所述长沟道场效应管的漏极和三极管的集电极连接三端稳压集成电路的输入端,所述长沟道场效应管的源极连接三极管的基极和二极管的负极,所述二极管的正极接地;所述长沟道场效应管T1工作时形成的等效电阻的阻值等于三端稳压集成电路所需启动电阻R1的阻值。本发明的优点是结构简单、成本低,在不影响集成电路功能的情况下避免了瞬态浪涌电压导致三端稳压集成电路损坏。
文档编号G05F1/10GK101441490SQ20081023538
公开日2009年5月27日 申请日期2008年11月18日 优先权日2008年11月18日
发明者史训南 申请人:无锡创立达科技有限公司
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