专利名称：用于三极管区检测的方法和电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及恒流源，更具体地涉及检测在诸如在用于背光电子显示器的发光二极 管(“LED”)串和/或其他电子电路系统中使用的恒流源中使用的晶体管在三极管区中的 操作。
背景技术：
背光被用于照亮液晶显示器(“LCD”)。具有背光的LCD被用于蜂窝电话和个人 数字助理(“PDA”)的小显示器以及计算机监视器和电视机的大显示器。通常，背光的光 源包括一个或多个冷阴极荧光灯(“CCFL”)。背光的光源也可以是白炽灯泡和电致发光板 (“ELP”)，或一个或多个热阴极荧光灯(“HCFL”)。显示器行业正热衷于寻求将LED用作背光技术中的光源，因为CCFL具有许多缺 点它们在低温下不易点亮，它们需要足够的空闲时间来点亮，以及它们需要精密的加工。 此外，相比于其他背光源，LED的发光与功耗之比较高。因此，具有LED背光的显示器消耗 的功率比其他显示器少。LED背光已传统地用于小而便宜的IXD面板。然而，在诸如用于计 算机和电视机的大显示器中，LED背光正变得越来越常见。在大显示器中，需要多个LED为 IXD显示器提供足够的背光。大显示器中的用于驱动多个LED的电路通常设置有分布在多个串中的LED。
图1 示出具有背光系统的示例性的平板显示器10，该背光系统具有三个独立的LED串1、2和3。 第一 LED串1包括散布在显示器10上且串联连接的七个LED 4、5、6、7、8、9和11。第一串 1由驱动电路12控制。第二串2由驱动电路13控制，而第三串3由驱动电路14控制。LED 串1、2和3的LED可通过导线、迹线或其他连接元件串联连接。图2示出具有背光系统的另一示例性平板显示器20，该背光系统具有三个独立的 LED串21,22和23。在该实施例中，串21,22和23以垂直方式排列。三个串21,22和23 相互平行。第一串21包括串联连接的七个LED 24、25、26、27、28、四和31，且由驱动电路或 驱动器32控制。第二串22由驱动电路33控制，而第三串23由驱动电路34控制。本领域 技术人员将理解，LED串也可按照水平方式或另一配置来排列。显示器的一个重要特征是控制亮度的能力。在IXD中，通过改变背光强度来控制 亮度。LED的强度或发光度是流过LED的电流的函数。图3示出LED的发光强度与正向电 流的关系的代表性曲线图。随着LED中的电流增加，LED所产生的光强增加。恒流源电路被用于产生用于驱动LED的稳定电流。图4是用于产生恒定电流的电 路的表示。恒流源是无论驱动电压V9ra是否变化都将电流保持于恒定水平的源。恒流源在 广泛的各种应用中使用；将恒流源描述为在LED阵列中使用的应用仅仅是说明性的。图4 的运算放大器40具有非反相输入端41、反相输入端42以及输出端43。为产生恒流源，放 大器40的输出端可连接至晶体管44的栅极。该晶体管44在图4中被示为场效应晶体管 (“FET”)，但也可使用其他类型的晶体管。晶体管的示例包括IGBT、M0S器件、JFET以及双 极器件。晶体管的漏极被连接至负载45，该负载45在图4中为LED阵列。放大器40的反 相输入端被连接至晶体管44的源极。晶体管44的源极还通过感测电阻器Rs接地。当对放大器40的非反相输入端施加基准电压时，放大器增大输出端电压，直到反相输入端处的电 压与非反相输入端处的电压匹配。随着放大器40的输出端处的电压升高，晶体管44的栅 极处的电压升高。随着晶体管44的栅极处的电压升高，从晶体管44的漏极到源极的电流 增大。因此，施加于非反相输入端42的由Rs的值分压的电压对应于预期的恒定电流。具 有LED背光的大显示器使用多个与图4相同的恒定电流源。因此，大LED背光显示器使用 许多晶体管44。对于在给定亮度下工作的LED背光显示器，晶体管44的漏极电流中的电流必须被 保持于设定水平的设计电流。该设计电流可以是固定值，或它可根据显示器的亮度设定而 改变。图5示出示例性晶体管的漏极电流与栅极电压之间的典型关系。因为几乎没有 或没有电流流入放大器40的反相输入端，所以增大的电流通过感测电阻器Rs。随着感测 电阻器Rs上的电流增大，根据欧姆定律，感测电阻器上的电压降也增大电压降(V)=电流 (i)X电阻(R)。该过程继续，直到放大器40的反相输入端处的电压等于非反相输入端处 的电压。然而，如果反相输入端处的电压比非反相输入端处的电压高，则放大器40的输出 端处的电压降低。这又降低了晶体管44的源极电压，因此减小了从晶体管44的漏极到源 极的电流。因此，不论驱动电压V9ra是否有变化，图4的电路保持反相输入端和晶体管44 的源极侧的电压等于施加于放大器40的非反相输入端的电压。然而，如果驱动电压V9ra降低太多，则低V9ga导致晶体管在三极管区工作从而失 去调节。在三极管工作区中，晶体管的特性如同电阻器，且漏一源电流很大程度上取决于
漏一源电压而不是栅一源电压。晶体管的跨导^11由方程A =^给出，其中Ids是晶体管
GS
的漏一源电流，而Ves是晶体管的栅一源电压。在饱和区中，漏一源电流Ids由以下方程Ids =K(Ves-Vte)2给出，其中Vte是晶体管的阈值电压，而K是与晶体管相关联的常数。在三极 管区中，漏一源电流Ids由以下方程Ids = K' (2VGSVDS-VtrVDS"VDS2)给出，其中Vds是晶体管的 漏一源电压，而K'是与晶体管相关联的常数。如上述方程所说明，漏一源电流在饱和区中 与栅一源电压的平方成比例，而在三极管区中与一阶栅一源电压成比例。此外，晶体管的跨 导在饱和区中与一阶栅一源电压成比例。但在三级管区中，跨导相对于栅一源电压恒定，且 相对于漏一源电压成比例。图6示出在各种栅一源电压Vesi、Ves2、V㈣、Ves4下的晶体管中的漏一源电流与漏一 源电压之间的示例性关系。在三极管转换电压61、62、63、64右边的区域中，随着漏一源电 压变化，漏一源电流不显著变化。该区域称为晶体管的饱和区。在三极管转换电压61、62、 63、64左边的区域中，随着漏一源电压变化，漏一源电流显著变化。该区域称为三极管区。避免在三级管区中工作的一种方法是设计具有足够净空的恒流电路，以使晶体管 的典型漏一源电流能在不进入三极管区的情况下显著波动。然而，由于晶体管中消耗的功 率等于漏一源电流Ids与漏一源电压Vds之积，因此该方法导致晶体管上的功耗增加，从而可 能需要较大覆盖区的晶体管。
发明内容
本发明涉及用于检测晶体管在三极管区中工作的电路和方法。根据本发明的一个实施例，一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区工作的电路包括检测器，该检测器具 有第一输入端、第二输入端以及输出端，其中该检测器的第一输入端耦合于晶体管的源极， 且该检测器的第二输入端耦合于恒流源的设定点端子。该电路还包括耦合于检测器的输出 端的标记。该检测器的参数被选择成当晶体管的源极处的电压满足基准条件时，检测器的 输出端置位该标记，其中该基准条件在选定漏一源电流下相对于恒流源的设定点端子处的 电压且相对于晶体管的三极管转变电压而建立。本发明的另一实施例包括一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的电 路，该电路包括检测器，该检测器具有第一输入端、第二输入端以及输出端。该检测器的第 一输入端耦合于晶体管的栅极。该电路还包括耦合于检测器的第二输入端的编程电压源和 耦合于检测器的输出端的标记。该检测器的参数被选择成当晶体管的栅极处的电压满足 基准条件时，检测器的输出端置位该标记，其中该基准条件在选定漏一源电流下相对于编 程电压源处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压而建立。另一实施例包括一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的电路，该电路 包括检测器，该检测器具有第一输入端、第二输入端以及输出端。该检测器的第一输入端耦 合于晶体管的栅极。该电路还包括耦合于检测器的第二输入端的编程电压源，其中编程电 压源处的电压在选定漏一源电流下相对于晶体管的三极管转变电压而建立。该电路还包括 耦合于检测器的输出端的标记。该检测器的参数被选择成当晶体管的栅极处的电压满足 基准条件时，检测器的输出端置位该标记，其中该基准条件相对于编程电压源处的电压而 建立。本发明还包括一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的方法，该方法包 括检测晶体管的源极处的电压；检测恒流源的设定点端子处的电压；在选定漏一源电流 下相对于恒流源的设定点端子处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压建立基准条件； 确定晶体管的源极处的电压是否满足该基准条件；以及如果满足基准条件则置位标记。本发明还包括一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的方法，该方法包 括检测晶体管的源极处的电压；检测编程电压源处的电压；在选定漏一源电流下相对于 编程电压源处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压建立基准条件；确定晶体管的源极 处的电压是否满足该基准条件；以及如果满足基准条件则置位标记。本发明的另一实施例包括一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的方 法，该方法包括检测晶体管的栅极处的电压；在选定漏一源电流下相对于晶体管的三极 管转变电压建立编程电压源的电压；检测编程电压源处的电压；相对于编程电压源处的电 压建立基准条件；确定晶体管的栅极处的电压是否满足该基准条件；以及如果满足该基准 条件则置位标记。附图简述一旦结合附图考虑以下详细描述，本发明的上述和其他目的和优点将变得显而易 见，全部附图中的相同标记指示相同部件，且在附图中图1示出实现LED串的示例性显示器；图2示出实现LED串的另一示例性显示器；图3示出展现LED中的电流与发光强度之间的关系的曲线图；图4示出用于提供恒流源的现有技术；
图5示出展现晶体管中的栅极电压与源极电流之间的关系的曲线图；图6示出示例性晶体管的漏一源电流与漏一源电压之间的关系；图7示出本发明的一个示例性实施例；以及图8示出本发明的一个示例性实施例。本发明的详细描述本发明的方法和电路涉及对晶体管工作于三极管区的检测。所描述的恒流源可用 于电子显示器的背光的LED串中，或者它们可用于驱动任何电子负载。本发明一实施例是一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的电路，该电 路包括具有第一输入端、第二输入端以及输出端的检测器，其中该检测器的第一输入端耦 合于晶体管的源极，且该检测器的第二输入端耦合于恒流源的设定点端子；以及耦合于检 测器的输出端的标记。该检测器的参数被选择成当晶体管的源极处的电压满足基准条件 时，检测器的输出端置位该标记，其中该基准条件在选定漏一源电流下相对于恒流源的设 定点端子处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压而建立。如本文所使用地，相对于值B建立的值A意味着值A是值B的函数。A与B之间的 函数关系可通过数学关系建立，或通过参照理论或实验关系建立。图7是本发明的示例性实施例的图示。如图所示，用于检测晶体管工作于三极管 区的电路70包括检测器71和标记72。该标记72可以是储存于存储器中的信息位，或可以 是信号。例如，由检测器71置位的标记72可以是在检测器71的输出端上设置的电压。检 测器71具有耦合于晶体管79的源极的第一输入端73。检测器71还具有耦合于恒流源75 的设定点端子的第二输入端74。恒流源的设定点端子是恒流源的输入端，包括恒流源的所 需工作设定的信号施加于该输入端。如图7所示，当恒流源75被用于驱动LED阵列时，基 于LED的所需光强的电压Vijtt可被施加于恒流源75的设定点端子。如此处所使用，耦合意 味着通过导线、迹线或其他连接元件直接或间接地串联连接。耦合的元件可相互接收信号。 当晶体管79工作于饱和区时，晶体管79的源极处的电压与恒流源75的设定点端子处的电 压之间的关系恒定。当晶体管79进入三极管区时，晶体管79的源极处的电压与恒流源75的设定点端 子之间的关系变化。本发明的检测器71检测该变化，并在检测到变化时置位标记。检测器 71通过将晶体管79的源极处的电压与基准条件作比较来检测该变化，基准条件是在选定 漏一源电流下相对于恒流源75的设定点端子处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压 而建立的。基准条件可以是恒定的偏移，从而当晶体管的源极处的电压小于恒流源的设定 点端子处的电压量加上常数时，检测器71置位标记72。该常数可以是正数或负数。基准条 件可以是设定点端子处的电压的函数。例如，当晶体管的源极处的电压小于恒流源的设定 点端子处的电压乘以常数时，检测器71可置位该标记。常数可以是正数或负数。在本发明 中，基准条件是在选定漏一源电流下相对于晶体管79的三极管转变电压而建立的。该选定 漏一源电流可以是晶体管79目前的漏一源电流。检测器71可确定晶体管目前的漏一源电 流，因为该目前的漏一源电流等于晶体管79的源极处的电压除以感测电阻器的电阻Rs。该 选定漏一源电流可以是晶体管的最大设计漏一源电流。最大设计电流是晶体管79被设计 成在恒流源75中工作的最大电流。选定漏一源电流的三极管转变电压可根据如图6所示 的晶体管79的漏一源电流与漏一源电压关系来确定。
如图8所示，本发明的实施例包括用于检测恒流源85中的晶体管89工作于三极 管区的电路80，该电路80包括具有第一输入端83、第二输入端84以及输出端87的检测器 81，其中该检测器的第一输入端83耦合于晶体管的栅极。该电路80还包括耦合于检测器 的第二输入端84的编程电压源Vl6g和耦合于检测器81的输出端87的标记82。该检测器 81的参数被选择成当晶体管的栅极处的电压满足基准条件时，检测器81的输出端87置 位标记82。该基准条件是在选定漏一源电流下相对于编程电压源Vl6g处的电压且相对于 晶体管的三极管转变电压而建立的。该基准条件可包括编程电压源加上常数或编程电压源乘以常数。选定漏一源电流 可以是晶体管目前的漏一源电流、晶体管的最大设计漏一源电流、或根据晶体管的漏一源 电流与漏一源电压关系确定的一些其它值。在如图8所示的本发明的替代实施例中，用于检测恒流源85中的晶体管89工作 于三极管区的电路80包括具有第一输入端83、第二输入端84以及输出端87的检测器81， 其中该检测器81的第一输入端83耦合于晶体管89的栅极。该电路80还包括耦合于检测 器81的第二输入端84的编程电压源Vl6g,其中编程电压源Vl6g处的电压是在选定漏一源 电流下相对于晶体管89的三极管转变电压而建立的。该电路80还包括耦合于检测器81 的输出端87的标记82。该检测器81的参数被选择成当晶体管89的栅极处的电压满足 基准条件时，检测器的输出端87置位该标记82，其中该基准条件是相对于编程电压源V编程 处的电压而建立的。该基准条件可包括编程电压源加上常数或编程电压源乘以常数。选定漏一源电流 可以是晶体管目前的漏一源电流、晶体管的最大设计漏一源电流、或根据晶体管的漏一源 电流与漏一源电压关系确定的一些其它值。本发明还涉及一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的方法，该方法包 括检测晶体管的源极处的电压；检测恒流源的设定点端子处的电压；在选定漏一源电流 下相对于恒流源的设定点端子处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压建立基准条件； 确定晶体管的源极处的电压是否满足该基准条件；以及如果满足基准条件则置位标记。本发明的方法可进一步包括确定晶体管的源极处的电压与恒流源的设定点端子 处的电压的偏离是否超过一常数。如此处所使用的，偏离意味着差值的大小。确定负数的 绝对值是否大于一值可包括确定该数是否小于一值。本发明的方法可进一步包括确定晶体管的源极处的电压与恒流源的设定点端子 处的电压的偏离是否超过恒流源的设定点端子处的电压乘以一常数。本发明的方法的选定漏一源电流可以是晶体管目前的漏一源电流、晶体管的最大 设计漏一源电流、或根据晶体管的漏一源电流与漏一源电压关系确定的一些其它值。本发明还涉及一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的方法，该方法包 括检测晶体管的栅极处的电压；检测编程电压源处的电压；在选定漏一源电流下相对于 编程电压源处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压建立基准条件；确定晶体管的栅极 处的电压是否满足该基准条件；以及如果满足基准条件则置位标记。本发明的上述方法可进一步包括确定晶体管的栅极处的电压与编程电压源处的 电压的偏离是否超过一常数。本发明的上述方法可进一步包括确定晶体管的源极处的电压与编程电压源处的电压的偏离是否超过编程电压源处的电压乘以一常数。本发明的上述方法的选定漏一源电流可以是晶体管目前的漏一源电流、晶体管的 最大设计漏一源电流、或根据晶体管的漏一源电流与漏一源电压关系确定的一些其它值。本发明还涉及一种用于检测恒流源中的晶体管工作于三极管区的方法，该方法包 括检测晶体管的栅极处的电压；在选定漏一源电流下相对于晶体管的三极管转变电压建 立编程电压源的电压；检测编程电压源处的电压；相对于编程电压源处的电压建立基准条 件；确定晶体管的栅极处的电压是否满足该基准条件；以及如果满足该基准条件则置位标 记。本发明的上述方法可进一步包括确定晶体管的栅极处的电压与编程电压源处的 电压的偏离是否超过一常数。本发明的上述方法可进一步包括确定晶体管的源极处的电压与编程电压源处的 电压的偏离是否超过编程电压源处的电压乘以一常数。本发明的上述方法的选定漏一源电流可以是晶体管目前的漏一源电流、晶体管的 最大设计漏一源电流、或根据晶体管的漏一源电流与漏一源电压关系确定的一些其它值。本领域技术人员将理解，上述的本发明的技术、结构和方法是示例性的。本发明可 在各种实施例中实现，而不背离本发明的范围。
权利要求
1.一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区中工作的电路，所述电路包括具有第一输入端、第二输入端以及输出端的检测器，其中所述检测器的第一输入端耦 合于所述晶体管的源极，且所述检测器的第二输入端耦合于所述恒流源的设定点端子；以 及耦合于所述检测器的输出端的标记；所述检测器的参数被选择成当所述晶体管的源极处的电压满足基准条件时，所述检 测器的输出端置位该标记，其中所述基准条件是在选定漏-源电流下相对于所述恒流源的 设定点端子处的电压且相对于所述晶体管的三极管转变电压而建立的。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述晶体管的源极处的电压小于所述恒 流源的设定点端子处的电压加上一常数时，所述检测器的输出端置位所述标记。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，当所述晶体管的源极处的电压小于所述恒 流源的设定点端子处的电压乘以一常数时，所述检测器的输出端置位所述标记。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管目前的 漏-源电流。
5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管的最大设 计漏-源电流。
6.一种包括如权利要求1所述的电路的液晶显示器。
7.一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区中工作的电路，所述电路包括具有第一输入端、第二输入端以及输出端的检测器，其中所述检测器的第一输入端耦 合于所述晶体管的栅极；耦合于所述检测器的第二输入端的编程电压源；以及耦合于所述检测器的输出端的标记；所述检测器的参数被选择成当所述晶体管的栅极处的电压满足基准条件时，所述检 测器的输出置位所述标记，其中所述基准条件是在选定漏-源电流下相对于所述编程电压 源处的电压且相对于所述晶体管的三极管转变电压而建立的。
8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，当所述晶体管的栅极处的电压与所述编程 电压源处的电压的偏离超过一常数时，所述检测器的输出端置位所述标记。
9.如权利要求7所述的电路，其特征在于，当所述晶体管的栅极处的电压与所述编程 电压源处的电压的偏离超过所述编程电压源处的电压乘以一常数时，所述检测器的输出端 置位所述标记。
10.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管目前的 漏-源电流。
11.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管的最大 设计漏-源电流。
12.一种包括如权利要求7所述的电路的液晶显示器。
13.一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区中工作的电路，所述电路包括具有第一输入端、第二输入端以及输出端的检测器，其中所述检测器的第一输入端耦 合于所述晶体管的栅极；耦合于所述检测器的第二输入端的编程电压源，其中所述编程电压源处的电压是在选定漏-源电流下相对于所述晶体管的三极管转变电压而建立的；以及 耦合于所述检测器的输出端的标记；所述检测器的参数被选择成当所述晶体管的栅极处的电压满足基准条件时，所述检 测器的输出端置位所述标记，其中所述基准条件是相对于所述编程电压源处的电压而建立 的。
14.如权利要求13所述的电路，其特征在于，当所述晶体管的栅极处的电压与所述编 程电压源处的电压的偏离超过一常数时，所述检测器的输出端置位所述标记。
15.如权利要求13所述的电路，其特征在于，当所述晶体管的栅极处的电源与所述编 程电压源处的电压的偏离超过所述编程电压源处的电压乘以一常数时，所述检测器的输出 端置位所述标记。
16.如权利要求13所述的电路，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管目前的 漏-源电流。
17.如权利要求13所述的电路，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管的最大 设计漏-源电流。
18.—种包括如权利要求13所述的电路的液晶显示器。
19.一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区中工作的方法，所述方法包括 检测所述晶体管的源极处的电压；检测所述恒流源的设定点端子处的电压；在选定漏-源电流下相对于所述恒流源的设定点端子处的电压且相对于所述晶体管 的三极管转变电压建立基准条件；确定所述晶体管的源极处的电压是否满足所述基准条件；以及 如果满足所述基准条件则置位标记。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括确定所述晶体管的源极处的 电压与所述恒流源的设定点端子处的电压的偏离是否超过一常数。
21.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括确定所述晶体管的源极处的 电压与所述恒流源的设定点端子处的电压的偏离是否超过所述恒流源的设定点端子处的 电压乘以一常数。
22.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管目前的 漏-源电流。
23.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管的最大 设计漏-源电流。
24.一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区中工作的方法，所述方法包括 检测所述晶体管的栅极处的电压；检测编程电压源处的电压；在选定漏-源电流下相对于所述编程电压源处的电压且相对于所述晶体管的三极管 转变电压建立基准条件；确定所述晶体管的栅极处的电压是否满足所述基准条件；以及 如果满足所述基准条件则置位标记。
25.如权利要求M所述的方法，其特征在于，进一步包括确定所述晶体管的栅极处的电压与所述编程电压源处的电压的偏离是否超过一常数。
26.如权利要求M所述的方法，其特征在于，进一步包括确定所述晶体管的源极处的 电压与所述编程电压源处的电压的偏离是否超过所述编程电压源处的电压乘以一常数。
27.如权利要求M所述的方法，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管目前的 漏-源电流。
28.如权利要求M所述的方法，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管的最大 设计漏-源电流。
29.一种用于检测恒流源中的晶体管在三极管区中工作的方法，所述方法包括检测所述晶体管的栅极处的电压；在选定漏-源电流下相对于所述晶体管的三极管转变电压建立编程电压源的电压；检测所述编程电压源处的电压；相对于所述编程电压源处的电压建立基准条件；确定所述晶体管的栅极处的电压是否满足所述基准条件；以及如果满足所述基准条件则置位标记。
30.如权利要求四所述的方法，其特征在于，进一步包括确定所述晶体管的栅极处的 电压与所述编程电压源处的电压的偏离是否超过一常数。
31.如权利要求四所述的方法，其特征在于，进一步包括确定所述晶体管的源极处的 电压与所述编程电压源处的电压的偏离是否超过所述编程电压源处的电压乘以一常数。
32.如权利要求四所述的方法，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管目前的 漏-源电流。
33.如权利要求四所述的方法，其特征在于，所述选定漏-源电流是所述晶体管的最大 设计漏-源电流。
全文摘要
本发明涉及用于检测晶体管在三极管区中工作的电路和方法，包括用于恒流源中的晶体管的电路。该电路包括具有第一输入端、第二输入端以及输出端的检测器。该检测器的第一输入耦合于晶体管的源极，且该检测器的第二输入耦合于恒流源的设定点端子。该电路还包括耦合于检测器输出端的标记。该检测器的参数被选择成当晶体管的源极处的电压满足基准条件时，检测器的输出置位该标记。该基准条件是在选定漏-源电流下相对于恒流源的设定点端子处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压而建立的。
文档编号G05F3/02GK102067059SQ200980120966
公开日2011年5月18日 申请日期2009年6月26日 优先权日2008年4月28日
发明者D·艾斯, H·桑托, K·维埃 申请人:爱特梅尔股份有限公司