恒温控制器的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种恒温控制器，其包括单片机及与所述单片机相连的加热电路、测温电路、按键、显示、数据存储电路，所述加热电路包括与所述单片机相连的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的温度保险丝和加热电阻，所述测温电路包括与所述单片机相连的数字温度传感器。
【专利说明】恒温控制器【技术领域】
[0001]本发明涉及一种恒温控制器，尤其涉及一种采用DS18B20作为数字温度传感器的恒温控制器。
【背景技术】
[0002]对于人工培育等需要高精度温控的场合，采用基于单片机电路的恒温控制器是很有必要的。加热器启动的瞬间是一个持续加温的过程，因此极有可能造成过度加热，而实时温度是一个振荡逐步趋于稳定的过程，故需要在启动加热器的开始采用另外一种温控模式来精确控制温度。但现有的恒温控制器没有设置这种温控模式，从而极易造成过度加热，温度控制效果较差。
[0003]有鉴于此，有必要对现有的恒温控制器予以改进，以解决上述问题。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种新型的恒温控制器，该恒温控制器能够非常精确的控制温度，且温度控制效果较好。
[0005]为实现上述发明目的，本发明提供了一种恒温控制器，其包括单片机及与所述单片机相连的加热电路、测温电路、按键、显示、数据存储电路，所述加热电路包括与所述单片机相连的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的 温度保险丝和加热电阻，所述测温电路包括与所述单片机相连的数字温度传感器。
[0006]作为本发明的进一步改进，所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管均包括一个输入端和两个输出端。
[0007]作为本发明的进一步改进，所述单片机与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的输入端之间连接有第一电阻，所述第一电阻与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管输入端的连接处向外突伸有与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的其中一个输出端相连的第一支路，所述第一支路上设置有第二电阻。
[0008]作为本发明的进一步改进，所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的另一输出端与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的输入端相连，所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的另一输出端与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管输入端的连接处向外突伸有与电源相连的第二支路，所述第二支路上设置有第三电阻。
[0009]作为本发明的进一步改进，所述电源与所述第三电阻的连接处向外突伸有与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的其中一个输出端相连的第三支路。
[0010]作为本发明的进一步改进，所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的另一个输出端向外突伸有接地的第四支路，所述第四支路上设置有所述温度保险丝和所述加热电阻。[0011]作为本发明的进一步改进，所述温度保险丝设置在所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述加热电阻之间。
[0012]本发明的有益效果是:本发明的恒温控制器通过在加热电路内设置与单片机相连的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的温度保险丝和加热电阻，在测温电路内设置与单片机相连的数字温度传感器，从而本发明的恒温控制器能够非常精确的控制温度，且温度控制效果较好。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本发明恒温控制器的功能框图。
[0014]图2是本发明恒温控制器的加热、测温电路图。
[0015]图3是本发明恒温控制器的操作流程图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
[0017]如图1与图2所示，本发明的恒温控制器包括单片机(MCU)以及与所述MCU相连的加热电路、测温电路、按键、显示及数据存储电路(说明书附图中简称为存储)。所述MCU作为处理核心通过所述按键和所述显示接受用户的设定，从而控制需要控制的温度。
[0018]所述加热电路包括与所述MCU相连的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(M0S管)Q19、与所述N沟道MOS管Q19相连的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(M0S管)Q20以及与所述P沟道MOS管Q20相连的温度保险丝Fl和加热电阻R64。
[0019]所述N沟道MOS管Q19和所述P沟道MOS管Q20均包括一个输入端和两个输出端。本实施方式中，所述N沟道MOS管Q19包括接地的第一输出端11和与所述第一输出端11相对应的第二输出端12 ;所述P沟道MOS管Q20包括第三输出端13和与所述第三输出端13相对应的第四输出端14。
[0020]所述MCU与所述N沟道MOS管Q19的输入端之间连接有第一电阻R61。所述第一电阻R61与所述N沟道MOS管Q19输入端的连接处向外突伸有与所述N沟道MOS管Q19的第一输出端11相连的第一支路10,所述第一支路10上设置有第二电阻R62。
[0021]所述N沟道MOS管Q19的第二输出端12与所述P沟道MOS管Q20的输入端相连，且所述第二输出端12与所述P沟道MOS管Q20输入端的连接处向外突伸有与电源DC相连的第二支路20。所述第二支路20上设置有第三电阻R63。
[0022]所述电源DC与所述第三电阻R63的连接处向外突伸有与所述P沟道MOS管Q20的第三输出端13相连的第三支路30。所述P沟道MOS管Q20的第四输出端14向外突伸有接地的第四支路40。所述第四支路40上设置有所述温度保险丝Fl和所述加热电阻R64，且所述温度保险丝Fl设置在所述P沟道MOS管Q20与所述加热电阻R64之间。
[0023]所述加热电路在工作运行时，所述MCU输出CONTROL信号给所述第一电阻R61，从而控制所述N沟道MOS管Q19运行，并驱动所述P沟道MOS管Q20运行，以进一步驱动所述加热电阻R64工作。所述温度保险丝Fl为110°C温度保险丝，以防止出现故障后持续加温造成温度过高的危险。
[0024]所述测温电路包括与所述MCU相连的数字温度传感器U7。所述数字温度传感器U7包括用以连接电源VCC的VCC接口、用以接地的GND接口以及用以与所述MCU相连的DATA接口。本实施方式中，所述MCU输出TEMP信号至所述DATA接口，且所述数字温度传感器U7的型号为DS18B20。
[0025]如图3所示，本发明的恒温控制器在工作运行时，首先从温度监测入口对所述DS18B20进行读取以获取实时温度，然后根据实时温度与设定温度的对比计算出PWM信号的占空比，以实现温度的精确控制，最后重新启动所述DS18B20并进行温度采样以用于下次进入时直接读取。本发明的恒温控制器Is启动一次，以保证所述DS18B20能够正确采样。
[0026]综上所述，本发明的恒温控制器通过在加热电路内设置与所述MCU相连的N沟道MOS管Q19、与所述N沟道MOS管Q19相连的P沟道MOS管Q20以及与所述P沟道MOS管Q20相连的温度保险丝Fl和加热电阻R64 ;在测温电路内设置与所述MCU相连的数字温度传感器U7，从而本发明的恒温控制器能够非常精确的控制温度，且温度控制效果较好。
[0027]以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种恒温控制器，其特征在于:所述恒温控制器包括单片机及与所述单片机相连的加热电路、测温电路、按键、显示、数据存储电路，所述加热电路包括与所述单片机相连的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管相连的温度保险丝和加热电阻，所述测温电路包括与所述单片机相连的数字温度传感器。
2.根据权利要求1所述的恒温控制器，其特征在于:所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管均包括一个输入端和两个输出端。
3.根据权利要求2所述的恒温控制器，其特征在于:所述单片机与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的输入端之间连接有第一电阻，所述第一电阻与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管输入端的连接处向外突伸有与所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的其中一个输出端相连的第一支路，所述第一支路上设置有第二电阻。
4.根据权利要求3所述的恒温控制器，其特征在于:所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的另一输出端与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的输入端相连，所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的另一输出端与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管输入端的连接处向外突伸有与电源相连的第二支路，所述第二支路上设置有第三电阻。
5.根据权利要求4所述的恒温控制器，其特征在于:所述电源与所述第三电阻的连接处向外突伸有与所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的其中一个输出端相连的第二支路。
6.根据权利要求5所述的恒温控制器，其特征在于:所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的另一个输出端向外突伸有接地的第四支路，所述第四支路上设置有所述温度保险丝和所述加热电阻。
7.根据权利要求6所述的恒温控制器，其特征在于:所述温度保险丝设置在所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管和所述加热电阻之间。
【文档编号】G05D23/20GK103901915SQ201210573521
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月26日 优先权日:2012年12月26日
【发明者】邓洪波 申请人:苏州工业园区新宏博通讯科技有限公司