电压调整电路的制作方法
【专利摘要】一种电压调整电路，包括具有同步降压控制器的电压转换单元、第一分压电阻单元及第二分压电阻单元，同步降压控制器包括通过电感连接电压输出端的电压输出反馈端及输出电流反馈端，电压输出端通过第一分压电阻单元连接输出电流反馈端，输出电流反馈端通过第二分压电阻单元接地，第二分压电阻单元包括用于感应电感的温度变化而改变自身的电阻值的负温度系数热敏电阻，电压转换单元用于调整电压输出反馈端的电压而调整电压输出端的电压从而维持电压输出反馈端的电压稳定。电压调整电路用于调整电压输出端的电压。
【专利说明】电压调整电路
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电压控制系统，特别是一种电压调整电路。
【背景技术】
[0002] 目前，一种应用于电脑的主板的电压电路包括一控制模块、连接所述控制模块的 一电源调整模块及一负载模块，所述电源调整模块通过所述控制模块输出一稳定电压至所 述负载模块，在所述电压电路中，当负载模块是处于轻载状态只需要一小于所述稳定电压 的电压即可满足用电需求，而当时浪费功耗，在所述负载模块处于负载状态时需要一大于 所述稳定电压另一电压以满足系统稳定需求，而所述电路电压中，所述电源调整模块输出 的所述稳定电压使所述负载模块在轻载时浪费电资源在负载时无法满足系统稳定性需求。
【发明内容】
[0003] 鉴于以上内容，有必要提供一种轻载时节能及负载时满足供电需求而稳定系统的 电压调整电路。
[0004] 一种电压调整电路，包括一电压转换单元，所述电压转换单元包括一同步降压控 制器，所述同步降压控制器包括一电压输出反馈端及一输出电流反馈端，所述电压输出反 馈端通过一电感连接一电压输出端，所述电压调整电路还包括一连接所述电压输出端的第 一分压电阻单元及一第二分压电阻单元，所述电压输出端通过所述第一分压电阻单元连接 所述输出电流反馈端，所述输出电流反馈端通过所述第二分压电阻单元接地，所述第二分 压电阻单元包括一负温度系数热敏电阻，所述负温度系数热敏电阻能够根据感应到的所述 电感的温度而改变自身的电阻值，所述电压转换单元用于调整所述电压输出反馈端的电压 而调整所述电压输出端的电压从而维持所述电压输出反馈端的电压稳定。
[0005] -实施例中，所述电源调整模块还包括连接所述同步降压控制器的一第一晶体管 及一第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管均包括一导通端、一第一连接端及一 第二连接端，所述第一晶体管的第一连接端连接一电源，所述第二晶体管的第二连接端接 地，所述电压输出反馈端、所述第一晶体管的第二连接端及所述第二晶体管的第一连接端 均连接一第一节点，所述电感连接于所述第一节点与一第二节点之间，所述第二节点连接 所述电压输出端，所述第二节点连接所述第一分压单元，所述同步降压控制器的一高端门 场效应管驱动信号输出端连接所述第一晶体管的导通端，所述同步降压控制器的一低端门 场效应管驱动信号输出端连接所述第二晶体管的导通端，所述同步降压控制器的电压输出 反馈端连接所述第一节点，所述同步降压控制器的输出电流反馈端连接一第三节点。
[0006] -实施例中，所述第一分压电阻单元为一第一电阻，一第二电阻与一可变分压电 阻组并联，所述可变分压电阻组包括一第三电阻及一可变电阻组，所述第一电阻连接于所 述第二节点与所述第三节点之间，所述第二电阻连接于所述第三节点与地之间，所述可变 电阻组连接于一公共端与地之间，所述第三电阻连接于所述第三节点与所述公共端之间。
[0007] -实施例中，所述可变电阻组还包括一与所述负温度系数热敏电阻并联的第四电 阻，所述负温度系数热敏电阻及所述第四电阻均连接于所述公共端及地之间，所述负温度 系数热敏电阻用于感应所述电感的温度的升高时而减小电阻值从而减小所述输出电流反 馈端的电压，所述电压转换单元用于减小所述电压输出反馈端的电压而减小所述电压输出 端的电压从而维持所述输出电流反馈端的电压稳定，所述负温度系数热敏电阻还用于感应 所述电感的温度的降低时而增大电阻值从而增大所述输出电流反馈端的电压，所述电压转 换单元还用于增大所述电压输出反馈端的电压而增大所述电压输出端的电压从而维持所 述输出电流反馈端的电压稳定。
[0008] -实施例中，所述同步降压控制器的输出电压端连接所述第二节点。
[0009] -实施例中，所述第一晶体管及所述第二晶体管为N沟道增强型MOSFET晶体管， 所述第一晶体管及所述第二晶体管的导通端、第一连接端及所述第二连接端分别对应于所 述N沟道增强型MOSFET晶体管的栅极、漏极及源极。
[0010] 一实施例中，所述同步降压控制器的接地端接地。
[0011] 一实施例中，所述同步降压控制器的型号为TPS51117。
[0012] 与现有技术相比，所述电压调整电路中，所述负温度系数热敏电阻感应所述电感 的温度变化而改变自身的电阻值，所述电压转换单元调整所述电压输出反馈端的电压而调 整所述电压输出端的电压从而维持所述电压输出反馈端的电压稳定，所述电压调整电路用 于调整所述电压输出端的电压。
【专利附图】
【附图说明】
[0013] 图1是本发明电压调整电路的一较佳实施方式的原理图。
[0014] 图2是本发明电压调整电路的一较佳实施方式的电路连接图。
[0015] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种电压调整电路，包括一电压转换单元，所述电压转换单元包括一同步降压控制 器，其特征在于：所述同步降压控制器包括一电压输出反馈端及一输出电流反馈端，所述电 压输出反馈端通过一电感连接一电压输出端，所述电压调整电路还包括一连接所述电压输 出端的第一分压电阻单元及一第二分压电阻单元，所述电压输出端通过所述第一分压电阻 单元连接所述输出电流反馈端，所述输出电流反馈端通过所述第二分压电阻单元接地，所 述第二分压电阻单元包括一负温度系数热敏电阻，所述负温度系数热敏电阻能够根据感应 到的所述电感的温度变化而改变自身的电阻值，所述电压转换单元用于调整所述电压输出 反馈端的电压而调整所述电压输出端的电压从而维持所述电压输出反馈端的电压稳定。
2. 如权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于：所述电源调整模块还包括连接所 述同步降压控制器的一第一晶体管及一第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管均 包括一导通端、一第一连接端及一第二连接端，所述第一晶体管的第一连接端连接一电源， 所述第二晶体管的第二连接端接地，所述电压输出反馈端、所述第一晶体管的第二连接端 及所述第二晶体管的第一连接端均连接一第一节点，所述电感连接于所述第一节点与一第 二节点之间，所述第二节点连接所述电压输出端，所述第二节点连接所述第一分压单元，所 述同步降压控制器的一高端门场效应管驱动信号输出端连接所述第一晶体管的导通端，所 述同步降压控制器的一低端门场效应管驱动信号输出端连接所述第二晶体管的导通端，所 述同步降压控制器的电压输出反馈端连接所述第一节点，所述同步降压控制器的输出电流 反馈端连接一第三节点。
3. 如权利要求2所述的电压调整电路，其特征在于：所述第一分压电阻单元为一第一 电阻，一第二电阻与一可变分压电阻组并联，所述可变分压电阻组包括一第三电阻及一可 变电阻组，所述第一电阻连接于所述第二节点与所述第三节点之间，所述第二电阻连接于 所述第三节点与地之间，所述可变电阻组连接于一公共端与地之间，所述第三电阻连接于 所述第三节点与所述公共端之间。
4. 如权利要求3所述的电压调整电路，其特征在于：所述可变电阻组还包括一与所述 负温度系数热敏电阻并联的第四电阻，所述负温度系数热敏电阻及所述第四电阻均连接于 所述公共端及地之间，所述负温度系数热敏电阻用于感应所述电感的温度的升高时而减小 电阻值从而减小所述输出电流反馈端的电压，所述电压转换单元用于减小所述电压输出反 馈端的电压而减小所述电压输出端的电压从而维持所述输出电流反馈端的电压稳定，所述 负温度系数热敏电阻还用于感应所述电感的温度的降低时而增大电阻值从而增大所述输 出电流反馈端的电压，所述电压转换单元还用于增大所述电压输出反馈端的电压而增大所 述电压输出端的电压从而维持所述输出电流反馈端的电压稳定。
5. 如权利要求2所述的电压调整电路，其特征在于：所述同步降压控制器的输出电压 端连接所述第二节点。
6. 如权利要求2所述的电压调整电路，其特征在于：所述第一晶体管及所述第二晶体 管为N沟道增强型MOSFET晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管的导通端、第一连接 端及所述第二连接端分别对应于所述N沟道增强型MOSFET晶体管的栅极、漏极及源极。
7. 如权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于：所述同步降压控制器的接地端接 地。
8. 如权利要求1所述的电压调整电路，其特征在于：所述同步降压控制器的型号为 TPS51117。
【文档编号】G05F1/56GK104238609SQ201310233686
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月14日 优先权日:2013年6月14日
【发明者】曾祥宾, 李民伟 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司