一种RCO电加热可控硅温度控制系统及方法与流程

一种rco电加热可控硅温度控制系统及方法
技术领域
1.本发明涉及环保技术领域，尤其涉及一种rco电加热可控硅温度控制系统，还涉及一种rco电加热可控硅温度控制方法。


背景技术：

2.目前，为了应对国家日益严峻的环保要求，需要对废气进行脱硫处理。在脱硫工艺中，保持稳定的温度状态可以获得良好的脱硫效果，同时，催化剂反应也需要更加稳定的温度状态。
3.现有技术中，传统的电加热控制系统中电加热停止加热时，电加热温度继续升温偏移智能温度表上限停止电伴热设定温度25度后电加热才开始降温，当电加热温度低于智能温度表下限电加热设定温度10度后电加热才开始升温，这样就会出现电加热升温上限温度和降温下限温度差值大，从而影响了电加热温度控制精度和电加热效果，更进一步影响电加热的温度过低过高，当温度控制不稳定时可能会引催化剂反应和废气不完全现象，这种传统的电加热接触器控制频繁的启停也会增加电器故障率和电能消耗大。
4.因此，提供一种能够稳定控温的温度控制系统是本领域亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种rco电加热可控硅温度控制系统及方法。
6.本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制系统，包括：
7.温度控制单元，用于获取实时温度信息，并根据温度信息与预设温度值比较结果，控制可控硅输出状态；
8.可控硅，与温度控制单元电连接，根据温度控制单元指令确定输出状态，并通过输出状态控制电加热单元加热；
9.电加热单元，用于根据可控硅控制进行加热；
10.温度检测单元，用于检测实时温度信息。
11.可选的，温度控制单元根据温度信息与预设温度值比较结果，控制可控硅输出状态，具体为：
12.若实时温度高于预设温度值，温度控制单元控制可控硅降低输出状态；
13.若实时温度低于预设温度值，温度控制单元控制可控硅升高输出状态。
14.可选的，可控硅通过输出状态控制电加热单元加热，具体为：
15.可控硅降低输出状态，则电加热单元降低加热功率；
16.可控硅升高输出状态，则电加热单元升高加热功率。
17.可选的，温度控制单元为智能温度表，通过调整可控硅开度来控制可控硅输出状态。
18.可选的，通过可控硅开度确定可控硅输出电压。
19.本申请所提供的技术方案，通过智能温度表设定预设温度值，通过温度检测单元检测实时温度并传递至智能温度表，智能温度表就可以实现温度的自动跟踪，根据实时温度信息和预设温度值，智能温度表通过pid计算输出电流信号给可控硅，并通过控制可控硅开度来控制可控硅输出电压，进而控制电加热单元的功率，可以理解的是，当实时温度高于预设温度值，电加热运行功率降一点，从而达到实时温度降低至预设温度值，当实时温度低于预设温度值，行功率加大，从而使实时温度加大到预设温度值，这样往复的工作从而使电加热温度稳定的。
20.本申请还公开了一种rco电加热可控硅温度控制方法，包括：
21.设定预设温度值；
22.检测实时温度信息；
23.若实时温度高于预设温度，则控制电加热单元降低运行功率；
24.若实时温度低于预设温度，则控制电加热单元升高运行功率。
25.可选的，采用可控硅输出电压控制的方式进行电加热单元运行功率控制。
26.可选的，采用可控硅开度控制的方式进行可控硅输出电压控制。
27.本申请所提供的rco电加热可控硅温度控制方法，步骤简单可靠，技术效果与系统类似，此处不再赘述。
附图说明
28.图1为本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制的结构框图；
29.图2为本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制方法的流程框图。
具体实施方式
30.如图1所示，图1为本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制的结构框图。
31.参照图1，本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制系统，该系统包括智能温度表、pt100温度检测器、可控硅、电加热单元。
32.智能温度表与pt100温度检测器、可控硅电连接；可控硅与电加热单元电连接。
33.智能温度表设定预设温度值，pt100温度检测器检测实时温度信息，并传递至智能温度表；
34.若实时温度高于预设温度值，智能温度表控制可控硅开度减小，可控硅输出电压降低，从而降低电加热单元运行功率；
35.若实时温度高于预设温度值，智能温度表控制可控硅开度变大，可控硅输出电压升高，从而升高电加热单元运行功率。
36.上述实施例中，通过智能温度表设定预设温度值，通过温度检测单元检测实时温度并传递至智能温度表，智能温度表就可以实现温度的自动跟踪，根据实时温度信息和预设温度值，智能温度表通过pid计算输出电流信号给可控硅，并通过控制可控硅开度来控制可控硅输出电压，进而控制电加热单元的功率，可以理解的是，当实时温度高于预设温度值，电加热运行功率降一点，从而达到实时温度降低至预设温度值，当实时温度低于预设温度值，行功率加大，从而使实时温度加大到预设温度值，这样往复的工作从而使电加热温度稳定的。
37.如图2所示，图2为本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制方法的流程框图。
38.参照图2，本发明提出的一种rco电加热可控硅温度控制方法，包括：
39.s1：设定预设温度值，检测实时温度信息，若实时温度高于预设温度值，则跳转步骤s2，若实时温度低于预设温度值，则跳转步骤s3；
40.s2：降低可控硅开度，使得可控硅输出电压降低，从而降低电加热单元运行功率；
41.s3：加大可控硅开度，使得可控硅输出电压升高，从而升高电加热单元运行功率。
42.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种rco电加热可控硅温度控制系统，其特征在于，包括：温度控制单元，用于获取实时温度信息，并根据温度信息与预设温度值比较结果，控制可控硅输出状态；可控硅，与温度控制单元电连接，根据温度控制单元指令确定输出状态，并通过输出状态控制电加热单元加热；电加热单元，用于根据可控硅控制进行加热；温度检测单元，用于检测实时温度信息。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，温度控制单元根据温度信息与预设温度值比较结果，控制可控硅输出状态，具体为：若实时温度高于预设温度值，温度控制单元控制可控硅降低输出状态；若实时温度低于预设温度值，温度控制单元控制可控硅升高输出状态。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，可控硅通过输出状态控制电加热单元加热，具体为：可控硅降低输出状态，则电加热单元降低加热功率；可控硅升高输出状态，则电加热单元升高加热功率。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，温度控制单元为智能温度表，通过调整可控硅开度来控制可控硅输出状态。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，通过可控硅开度确定可控硅输出电压。6.一种rco电加热可控硅温度控制方法，应用于如权利要求1-5任一项所述的系统，其特征在于，包括：设定预设温度值；检测实时温度信息；若实时温度高于预设温度，则控制电加热单元降低运行功率；若实时温度低于预设温度，则控制电加热单元升高运行功率。7.根据权利要6所述的方法，其特征在于，采用可控硅输出电压控制的方式进行电加热单元运行功率控制。8.根据权利要7所述的方法，其特征在于，采用可控硅开度控制的方式进行可控硅输出电压控制。

技术总结
本发明公开了一种RCO电加热可控硅温度控制系统，包括：温度控制单元，用于获取实时温度信息，并根据温度信息与预设温度值比较结果，控制可控硅输出状态；可控硅，与温度控制单元电连接，根据温度控制单元指令确定输出状态，并通过输出状态控制电加热单元加热；电加热单元，用于根据可控硅控制进行加热；温度检测单元，用于检测实时温度信息。本发明还公开了一种RCO电加热可控硅温度控制方法，包括：设定预设温度值；检测实时温度信息；若实时温度高于预设温度，则控制电加热单元降低运行功率；若实时温度低于预设温度，则控制电加热单元升高运行功率。运行功率。运行功率。


技术研发人员：程亚运 钱黎明 姚凯 陆晓飞 邝雷明 王成武 谭楠 李超 刘景波
受保护的技术使用者：中科新天地(合肥)环保科技有限公司
技术研发日：2022.10.08
技术公布日：2023/1/2