一种工业控制器的输出电路的制作方法

文档序号:34881852发布日期:2023-07-25 13:39阅读:29来源:国知局
一种工业控制器的输出电路的制作方法

本技术属于工业控制器,尤其涉及一种工业控制器的输出电路。


背景技术:

1、plc,又称工业控制器,是一种具有微处理器的用于自动化控制的数字运算控制器,可以将控制指令随时载入内存进行储存与执行,可编程控制器由cpu、指令及数据内存、输入/输出接口、电源、数字模拟转换等功能单元组成。早期的可编程逻辑控制器只有逻辑控制的功能,所以被命名为可编程逻辑控制器。

2、现有技术中,工业控制器的输出电路一般如图1所示,需要导通mos管q11时,由cpu的控制输出脚输出0v至三极管d11,控制电源经电阻r21和三极管d11向mos管q11的栅极提供开启电压,以使mos管q11导通。

3、然而,此种结构存在弊端,具体为需要关断mos管q11时,cpu的控制输出脚输出脚关断0v,三极管d11停止向mos管q11的栅极提供电压,mos管的删极上存有的电压通过电阻r12泄放到gnd,由于泄放要时间,故导致mos管q11会延时断开,在输出高频率的信号时,mos管q11输出到负载的波形会变形,因而导致影响使用。

4、因此,目前工业控制器的输出电路中在需要关断连接至负载的mos管时,存在因电路结构的局限性导致输出高频率的信号时存在延迟,进而导致输出到负载的波形变形的问题。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种工业控制器的输出电路,旨在解决现有技术中工业控制器的输出电路中在需要关断连接至负载的mos管时,因电路结构的局限性导致输出高频率的信号存在延迟而使输出到负载的波形变形的技术问题。

2、为实现上述目的,本实用新型实施例提供一种工业控制器的输出电路,包括第一mos管,所述第一mos管的漏极用于连接负载;还包括控制电源和电压泄放电路,所述电压泄放电路包括第一三极管和第一电阻,所述第一三极管的基极用于连接主控电路;所述第一三极管的集电极与所述第一mos管的栅极连接;所述第一三极管的发射极接地;所述第一电阻的一端与所述控制电源连接,所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接。

3、所述第一三极管的集电极和发射极之间还连接一第三电阻。

4、可选地,所述第一三极管为npn型三极管。

5、所述第一三极管为n沟道mos管。

6、可选地,所述控制电源包括电压供电端和第二电阻,所述第二电阻的第一端与所述电压供电端连接,所述第二电阻的第一端还与所述第一电阻连接;所述第二电阻的第二端与所述第一三极管的集电极连接。

7、可选地,所述第一mos管为n沟道mos管。

8、所述第一mos管为npn三级管或达林顿管。

9、可选地,所述主控电路包括cpu,所述cpu的输出脚与所述第一三极管的基极连接。

10、本实用新型实施例提供的工业控制器的输出电路中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一:

11、本实用新型所述工业控制器的输出电路在工作时,若需要导通所述第一mos管时,通过所述主控电路输出0v至所述第一三极管基极,三极管关断,不继续短接mos管栅极与gnd,控制电压通过第二电阻向所述第一mos管的栅极提供开启电压,此时,所述第一mos管导通;当需要通过所述主控电路关断0v以关断所述第一mos管时,通过第一电阻和所述第一三极管把所述第一mos管的栅极与所述第一三极管的发射极连接的gnd迅速连起来,以提升所述第一mos管的栅极电压泄放的速度,降低延迟进而减少输出到负载的波形的变形程度。



技术特征:

1.一种工业控制器的输出电路,包括第一mos管,所述第一mos管的漏极用于连接负载;其特征在于,还包括控制电源和电压泄放电路,所述电压泄放电路包括第一三极管和第一电阻,所述第一三极管的基极用于连接主控电路;所述第一三极管的集电极与所述第一mos管的栅极连接;所述第一三极管的发射极接地;所述第一电阻的一端与所述控制电源连接,所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接。

2.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述第一三极管的集电极和发射极之间还连接一第三电阻。

3.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述第一三极管为npn型三极管。

4.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述第一三极管为n沟道mos管。

5.根据权利要求1所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述控制电源包括电压供电端和第二电阻,所述第二电阻的第一端与所述控制电源端连接,所述第二电阻的第一端还与所述第一电阻连接;所述第二电阻的第二端与所述第一三极管的集电极连接。

6.根据权利要求1-3任一项所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述第一mos管为n沟道mos管。

7.根据权利要求1-3任一项所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述第一mos管为npn三级管。

8.根据权利要求1-3任一项所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述第一mos管为达林顿管。

9.根据权利要求1-3任一项所述的工业控制器的输出电路,其特征在于,所述主控电路包括cpu,所述cpu的输出脚与所述第一三极管的基极连接。


技术总结
本技术属于工业控制器技术领域,尤其涉及一种工业控制器的输出电路,包括第一MOS管,所述第一MOS管的漏极用于连接负载;还包括控制电源和电压泄放电路,所述电压泄放电路包括第一三极管和第一电阻,所述第一三极管的基极用于连接主控电路;所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极连接;所述第一三极管的发射极接地;所述第一电阻的一端与所述控制电源连接,所述第一电阻的另一端与所述第一三极管的基极连接。本技术通过第一电阻和所述第一三极管把所述第一MOS管的栅极与所述第一三极管的发射极连接的GND迅速连起来,以提升所述第一MOS管的栅极电压泄放的速度,降低延迟进而减少输出到负载的波形的变形程度。

技术研发人员:孙安国
受保护的技术使用者:东莞市怡德电子科技有限公司
技术研发日:20221231
技术公布日:2024/1/12
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