用于去耦电容器的电容倍增器的制作方法

本文所描述的实施方案整体涉及集成电路，并且更具体地讲，涉及具有电容倍增器电路的集成电路。

背景技术：

1、集成电路通常包括用于减小感兴趣的电路的电源噪声的去耦电容。去耦电容器对直流(dc)电源线上的噪声进行分流并且帮助防止噪声到达被供电的电路部件。具有较大电容值的去耦电容可提供较好的噪声抑制，但是以较大的电路面积为代价。为了帮助在小布局区域内提供大电容，去耦电容有时被实现为电容倍增器电路。

2、电容倍增器电路可能对于设计具有挑战性。常规电容倍增器电路具有输入和输出并且通常具有从输入到输出的电压降，这使得它们不适合于低电压应用。常规电容倍增器电路通常具有固定的电容值，要求被供电的感兴趣的电路具有高阻抗，并且还消耗大量功率。正是在这种情况下，产生本文的实施方案。

技术实现思路

1、电子设备可包括集成电路，该集成电路具有耦接到电源线的一个或多个电路。集成电路可被设置有去耦电容电路以帮助抑制电源线上的噪声。去耦电容电路可使用电容倍增器配置来实现以最小化去耦电容电路的电路面积。实现电容倍增的去耦电容电路有时被称为去耦电容倍增器电路或电容倍增器电路。

2、本公开的一方面提供了一种集成电路，该集成电路包括：电路，该电路耦接到电源线；和电容倍增器电路，该电容倍增器电路耦接到该电源线。该电容倍增器电路可包括：电容器，该电容器具有耦接到该电源线的第一端子并且具有第二端子；可调整电阻，该可调整电阻具有耦接到该电容器的该第二端子的第一端子并且具有第二端子；和跨导电路，该跨导电路耦接到该电容器和该可调整电阻。该电容倍增器电路可任选地包括：第一电阻器，该第一电阻器具有耦接到该电源线的第一端子并且具有耦接到该可调整电阻的第二端子的第二端子；第二电阻器，该第二电阻器具有耦接到该可调整电阻的该第二端子的第一端子并且具有耦接到接地线的第二端子；和晶体管，该晶体管具有耦接到该电容器的该第二端子的栅极端子、耦接到该电源线的第一源极-漏极端子和耦接到接地线的第二源极-漏极端子。

3、该跨导电路可包括：电流源，该电流源耦接在该晶体管的该第二源极-漏极端子和该接地线之间；和附加晶体管，该附加晶体管具有耦接到该晶体管的该第一源极-漏极端子的第一源极-漏极端子、耦接到其第一源极-漏极端子的栅极端子，以及耦接到该电源线的第二源极-漏极端子。在另一个实施方案中，该晶体管的该第一源极-漏极端子可直接耦接到该电源线。该晶体管的该第二源极-漏极端子也可直接耦接到该接地线。该电容倍增器电路具有可通过增加可调整电阻的电阻值来提高的电容值。该电容倍增器电路具有大于该电容器的电容值的一百倍的总电容值。该总电容值有时被称为倍增电容值。

4、本公开的一方面提供了一种电容倍增器电路，该电容倍增器电路包括：电容器，该电容器具有耦接到正电源线的第一端子并且具有第二端子；可调整电阻，该可调整电阻耦接到该电容器的该第二端子；和晶体管，该晶体管具有耦接到该电容器的该第二端子的栅极端子、耦接到该正电源线的第一源极-漏极端子和耦接到接地电源线的第二源极-漏极端子。该电容倍增器电路还可包括：第一电阻器，该第一电阻器具有耦接到该正电源线的第一端子并且具有耦接到该可调整电阻的第二端子；和第二电阻器，该第二电阻器具有耦接到该可调整电阻的第一端子并且具有耦接到该接地电源线的第二端子。该电容倍增器电路可包括电部件，该电部件耦接在该正电源线和该晶体管的该第一源极-漏极端子之间，该电部件是选自由以下组成的组的部件：二极管连接的晶体管、电阻器和电感器。该电容倍增器电路可包括另一个电部件，该另一个电部件耦接在该晶体管的该第二源极-漏极端子和该接地电源线之间，该另一个电部件是选自由以下组成的组的部件：电流源、电阻器和电感器。

5、本公开的一方面提供了一种电容倍增器电路，该电容倍增器电路包括：电容器，该电容器具有第一端子并且具有耦接到接地电源线的第二端子；可调整电阻，该可调整电阻耦接到该电容器的该第一端子；和晶体管，该晶体管具有耦接到该电容器的该第一端子的栅极端子、耦接到正电源线的第一源极-漏极端子和耦接到该接地电源线的第二源极-漏极端子。该电容倍增器电路还可包括：第一电阻器，该第一电阻器具有耦接到该正电源线的第一端子并且具有耦接到该可调整电阻的第二端子；和第二电阻器，该第二电阻器具有耦接到该可调整电阻的第一端子并且具有耦接到该接地电源线的第二端子。该电容倍增器电路还可包括电部件，该电部件耦接到该晶体管的该第一源极-漏极端子和该第二源极-漏极端子中的至少一者，该电部件是选自由以下组成的组的部件：二极管连接的晶体管、电流源、电阻器和电感器。

6、本发明的其他特征、其性质和各种优点将从附图和以下详细描述中变得更加显而易见。

技术特征：

1.一种集成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述跨导电路包括：

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：

6.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：

7.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述晶体管的所述第一源极-漏极端子直接耦接到所述电源线。

8.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述晶体管的所述第二源极-漏极端子直接耦接到所述接地线。

9.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：

10.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述跨导电路还包括：

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可调整电阻包括：

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电容器、所述可调整电阻和所述跨导电路共同形成电容倍增器电路，所述电容倍增器电路具有通过增加所述可调整电阻的电阻值来提高的倍增电容值。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中所述电容器具有电容值，并且其中所述倍增电容值大于所述电容器的所述电容值的一百倍。

14.一种电容倍增器电路，包括：

15.根据权利要求14所述的电容倍增器电路，还包括：

16.根据权利要求14所述的电容倍增器电路，还包括：

17.根据权利要求14所述的电容倍增器电路，还包括：

18.一种电容倍增器电路，包括：

19.根据权利要求18所述的电容倍增器电路，还包括：

20.根据权利要求19所述的电容倍增器电路，还包括：

技术总结
本公开涉及用于去耦电容器的电容倍增器。一种集成电路可包括耦接到电容倍增器电路的一个或多个电路。该电容倍增器电路可包括电容器、固定和可调谐电阻，以及跨导电路。可调整该可调谐电阻以控制该电容倍增器电路的总电容。该跨导电路可包括晶体管，该晶体管具有耦接到第一电部件的漏极端子和耦接到第二电部件的源极端子。该第一电部件可以是二极管连接的晶体管、直接短接导线、电阻器、电感器或电流源。该第二电部件可以是电流源、直接短接导线、电阻器、电感器或另一个二极管连接的设备。以此方式配置，该电容倍增器电路可提供大的可调整电容量而无电压降并且不消耗大量功率。

技术研发人员：禹相炫
受保护的技术使用者：苹果公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13