本技术涉及实验工装,尤其是一种ptc多支路控制板。
背景技术:
1、ptc是positive temperature coefficient的缩写,意思是正的温度系数,泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件,通常我们提到的ptc是指正温度系数热敏电阻,简称ptc热敏电阻。
2、目前在控制ptc模块电流频率的实验中,大多使用继电器的方式对电路进行通断,存在以下不足:
3、1、继电器寿命相对较短,有效通断次数相对较少,通常在10万次,因此只适用于通断次数较少的实验,无法满足高通断次数的实验;
4、2、继电器通断响应时间相对较长,会导致实验存在偏差,影响实验数据的准确性;
5、3、使用继电器通断的方式成本相对较高。
技术实现思路
1、本实用新型提供一种ptc多支路控制板,解决现有控制ptc模块电流频率的实验中使用继电器对电路进行通断无法满足高通断次数实验。
2、本实用新型一种ptc多支路控制板,所述ptc多支路控制板包括至少两个支路、接线端p2、接线端p3、电源端,所述支路之间互相并联,所述接线端p2、所述接线端p3均包括第一引脚、第二引脚,所述支路上设有mos管,所述mos管的输入端与所述接线端p3的第一引脚相连,所述mos管的输出端与所述接线端p2的第一引脚相连,所述接线端p3的第二引脚与所述电源端相连,所述mos管的输出端接地。
3、进一步的,所述mos管包括pmos管、nmos管中的至少一种。
4、进一步的,所述mos管为nmos管,所述mos管的输入端为d极,所述mos管的输出端为s极。
5、进一步的,所述mos管的g极、s极均与所述接线端p2的第一引脚相连,所述mos管的d极与所述接线端p3的第一引脚相连。
6、进一步的,所述mos管的g极、s极之间还设有下拉电阻。
7、进一步的,所述下拉电阻为47k电阻。
8、进一步的,所述mos管的g极与所述接线端p2的第一引脚之间还设有保护电阻。
9、进一步的,所述保护电阻为0r。
10、进一步的,所述ptc多支路控制板还包括接线端p1,所述接线端p1设有第一引脚、第二引脚,所述接线端p1的第一引脚与所述接线端p3的第二引脚相连,所述接线端p1的第二引脚接地。
11、进一步的,所述mos管型号为fqd50n06。
12、本实用新型与现有技术相比具有如下优点:
13、1、通过采用mos管替代传统的继电器,通断次数百万次,延长控制板使用寿命,降低工装费用;
14、2、通过设置多个支路,确保控制板在一个支路损坏时,另一个支路可继续工作,延长控制板的使用寿命,同时降低工装成本;
15、3、本实用新型在控制ptc模块电流频率的实验中,满足高通断次数实验。
1.一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述ptc多支路控制板包括至少两个支路、接线端p2、接线端p3、电源端,所述支路之间互相并联,所述接线端p2、所述接线端p3均包括第一引脚、第二引脚,所述支路上设有mos管,所述mos管的输入端与所述接线端p3的第一引脚相连,所述mos管的输出端与所述接线端p2的第一引脚相连,所述接线端p3的第二引脚与所述电源端相连,所述mos管的输出端接地。
2.根据权利要求1所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述mos管包括pmos管、nmos管中的至少一种。
3.根据权利要求2所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述mos管为nmos管,所述mos管的输入端为d极,所述mos管的输出端为s极。
4.根据权利要求3所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述mos管的g极、s极均与所述接线端p2的第一引脚相连,所述mos管的d极与所述接线端p3的第一引脚相连。
5.根据权利要求4所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述mos管的g极、s极之间还设有下拉电阻。
6.根据权利要求5所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述下拉电阻为47k电阻。
7.根据权利要求4所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述mos管的g极与所述接线端p2的第一引脚之间还设有保护电阻。
8.根据权利要求7所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述保护电阻为0r。
9.根据权利要求1-8任意一项所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述ptc多支路控制板还包括接线端p1,所述接线端p1设有第一引脚、第二引脚,所述接线端p1的第一引脚与所述接线端p3的第二引脚相连,所述接线端p1的第二引脚接地。
10.根据权利要求3所述一种ptc多支路控制板,其特征在于,所述mos管型号为fqd50n06。