专利名称：聚焦离子束(fib)传感器电路的制作方法
技术领域：
本发明关于FIB传感器之电路，其可用于精灵卡ICs之保护。
在电子电路中，主要在设有保持个人信息之内存之电路中，有一问题，即电路必须加以保护以防未授权之分析，别是保护存资料之被秘密发现。一种可能攻击可FIB(聚焦电子束)达成。此种攻击可由适于此目的之电路予以侦出，俾在一攻击被证实后发动适当对策。例如，其可被在此一攻击期间或之后，电子电路变成无法使用至一程度，即信息无法以未授权方式读出。
适于此目的之电路主要系构成一FIB传感器，其可侦出由攻击所实施之对保护电路之电攻击，或对备有此目的之电路之攻击。由FIB攻击而由FIB传感器侦出之电荷，导致电荷含量可侦出之改变，以辨认此电路已为FIB攻击之目标。FIB传感器因此包含一内存单元，其有一驱动电路，及一天线连接至内存单元，作为一电导体，在FIB攻击期间其上有电荷积聚。
此电荷被馈至内存后，内存即经验出其电荷容量可侦出之改变。设有另一电路作为驱动电路，以证实FIB传感器之内存单元之状态。此时，必须确保此电路已连接，或连接后可使天线在FIB攻击时，收集之电荷不会在内存再程序化前，自驱动电路流出。
EP 0 510 434 A2专利说明一防止电路被分析之电路配置，其中设有一PIN光电二极管以侦测攻击之辐射，并连接在作业放大器之反相及未反相输入之间，放大器之输出控制一开关，其在辐射时之供应电压待保护时，将易失RAM内存脱接。
本发明之一目的为指定一电路，其适于作为FIB传感器及可以精灵卡IC之标准组件实施。
此一目的之达成系由一可侦出FIB攻击之电路完成，该电路具有申请专利范围第1项之特性。进一步之精进可由附属专利范围中出现。
本发明使用标准组件之侦测FIB攻击之电路，经一电容作电容性激活内存单元之驱动(擦拭，再程序及读取)，该电容系额外存在并可将内存单元之驱动电路自天线隔离。在经天线侦测一攻击时，电容可防止电荷流出，俾产生之电压作用在内存单元上，该单元因而可经历其电荷状态之可侦出之改变，例如，予以对应性再程序。电容可以电路之随机电容器结构实现。
内存单元之构型原则上为随机的。较佳为一浮动闸单元，EEPROM单元(电可擦拭可程序仅读内存)，或快速单元。在一简单情形下，内存单元可由在硅面积上之导电电极形成，电极与硅由作为储存媒体之绝缘体所隔离。此电极导电连接至天线。绝缘体可包含一氮化物层。此结构可构成为一SONOS单元(硅氧化物-氮氧化物-[多]硅)。
附图简略说明本发明之电路举例。
图1例中说明电路之基本结构。FIB传感器之内存单元1由驱动电路2操作，该电路为熟知者，故不详述。一FIB攻击导致电导体上之充电。电荷主要积聚在所备之天线3上，并传导至内存单元。根据本发明，电容4之设置供驱动电路2自内存单元1及天线3之地路分支除耦合。
图2说明比较之较佳实施倒，其中有一第二内存单元1′，其亦连接至天线3，并由电容4自驱动电路2除耦合。此时，一内存单元之设计可使其侦测正电荷，另一内存单元之设计可侦测负电荷。其优点为二符号之电荷均被侦出，并无法由特殊方式补偿。
本发明之电路适于，特别适于供PIB传感器之操作，该传感器系供保护精灵卡IC。
参考符号表1内存单元1′内存单元2驱动电路3天线4电容
权利要求
1.一种供侦测一由FIB攻击之电路，其中有一内存单元(1)，其有一驱动电路(2)反一天线(3)连接至内存单元以侦测攻击，其特征为一电容(4)连接在内存(1)与驱动电路(2)之间，以将驱勤电路自天线(3)隔离。
2.如申请专利范围第1项之电路，其中，该内存单元(1)为自浮动闸单元，EEPROM单元，闪存及SONOS单元之一组。
3.如申请专利范围第1项之电路，其中，该内存单元(1)包含在硅面积上之导电电极。
4.如申请专利范围第1至3项中任一项之电路，其申，供有二内存单元(1，1′)其连接至天线(3)，并由电容(4)与驱动电路(2)隔离。
5.如申请专利范围第1至3项中任一项之电路，供一精灵卡IC之FIB传感器之操作。
全文摘要
本电路可经由一电容(4)电容性激活一内存单元之驱动(擦拭，程序化及读取)，该电容系额外存在，并自内存单元(1)之驱动电路(2)与天线(3)隔离。在攻击情况下，电荷会积聚在天线上。此电容可防止电荷流失，俾产生之电压作用在内存单元上，因此其经历一电荷状态之对应改变，此举并可被侦出。此电容可以电路之随机电容器结构之方式实现。
文档编号G06F21/06GK1528019SQ02806203
公开日2004年9月8日 申请日期2002年2月15日 优先权日2001年3月7日
发明者H·塔德迪肯, H 塔德迪肯 申请人:因芬尼昂技术股份公司