一种应用于离子束蚀刻的基片载片台的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及等离子体工艺技术领域，特别涉及一种应用于离子束蚀刻的基片载片台。
【背景技术】
[0002]离子束(IBE)设备广泛用于半导体材料、石英、陶瓷等材料的干法刻蚀。在IBE刻蚀时，现有技术中的基片固定方式主要有胶带粘附、真空硅脂粘附、定位螺丝卡附等。其中胶带粘附是指用双面胶将基片与IBE载片台粘贴在一起，真空硅脂粘附是指将真空硅脂涂抹在基片背面，并将基片贴附在IBE载片台上，这两种方法刻蚀结束后，将基片取出并用擦拭纸蘸酒精进行擦拭，以去除基片背面的胶或真空硅脂。这两种方法均易造成基片背面污染且不易取片，尤其是真空硅脂粘附方法，由于大量的真空硅脂涂敷在基片背面，为避免基片划伤，以至于擦拭过程变得非常困难。由于真空硅脂本身所具有的非固态性特点，在基片刻蚀过程中，真空硅脂可能会污染基片表面。而定位螺丝卡附由于受定位孔位置的限制，对一些非标准尺寸的基片则无法卡牢，在转动刻蚀过程中，基片容易脱落。
【实用新型内容】
[0003]为此，本实用新型所要解决的技术问题在于现有技术中基片背面的真空硅脂擦拭困难，在转动蚀刻过程中基片容易脱落。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型的所采用的技术方案:
[0005]—种应用于离子束蚀刻的基片载片台，由载片台主体、多个螺母轨道、卡爪、固定螺丝组成；多个螺母轨道以载片台主体的中心点为圆心周向排布;卡爪套设在所述螺母轨道上，通过所述固定螺丝固定于所述载片台主体上，所述卡爪为“L”型，靠圆心一端设有爪耳，所述爪耳面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角为锐角;所述卡爪的数量大等于3。
[0006]其中，所述螺母轨道纵向切面为倒“T”型结构。
[0007]其中，所述卡爪数量范围为3?8。
[0008]其中，所述卡爪的高度比基片厚度大I?10mm。
[0009]其中，所述爪耳面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角范围为30?80°。
[0010]其中，所述应用于离子束蚀刻的基片载片台由金属制得。
[0011 ]本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0012]由于所述卡爪的爪耳与所述载片台主体表面的夹角为锐角，且所述卡爪数量大等于3个可以牢牢固定住基片，防止在蚀刻过程中脱落。
【附图说明】
[0013]为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中，
[0014]图1为本实用新型一种应用于离子束蚀刻的基片载片台的剖面示意图；
[0015]图2为本实用新型一种应用于离子束蚀刻的基片载片台的卡爪的剖面示意图；
[0016]图3为本实用新型一种应用于离子束蚀刻的基片载片台的俯视图。
[0017]标号说明:
[0018]载片台主体-101;螺母轨道-102;卡爪-103;固定螺丝-104;夹角-105
[0019]爪耳-106。
【具体实施方式】
[0020]为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0021]—种应用于离子束蚀刻的基片载片台，如图1、2、3所示，由载片台主体101、多个螺母轨道102、卡爪103、固定螺丝104组成;多个螺母轨道102以载片台主体的中心点为圆心周向排布;卡爪103套设在所述螺母轨道102上，通过所述固定螺丝104固定于所述载片台主体101上，所述卡爪103靠圆心一端设有爪耳106，所述爪耳106为“L”型，面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角105为锐角;所述卡爪的数量大等于3。
[0022]优选的，所述螺母轨道纵向切面为倒“T”型结构。
[0023]优选的，所述卡爪数量范围为3~8。
[0024]优选的，所述卡爪的高度比基片厚度大I?10_。
[0025]优选的，所述爪耳面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角范围为30?80°。
[0026]优选的，所述应用于离子束蚀刻的基片载片台由金属制得。
[0027]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造的保护范围之中。
【主权项】
1.一种应用于离子束蚀刻的基片载片台，其特征在于:由载片台主体、多个螺母轨道、卡爪、固定螺丝组成;多个螺母轨道以载片台主体的中心点为圆心周向排布;卡爪套设在所述螺母轨道上，通过所述固定螺丝固定于所述载片台主体上，所述卡爪为“L”型，靠圆心一端设有爪耳，所述爪耳面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角为锐角;所述卡爪的数量大等于3。2.根据权利要求1所述的应用于离子束蚀刻的基片载片台，其特征在于，所述螺母轨道纵向切面为倒“T”型结构。3.根据权利要求2所述的应用于离子束蚀刻的基片载片台，其特征在于，所述卡爪数量范围为3~8。4.根据权利要求3所述的应用于离子束蚀刻的基片载片台，其特征在于，所述卡爪的高度比基片厚度大I?10mm。5.根据权利要求4所述的应用于离子束蚀刻的基片载片台，其特征在于，所述爪耳面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角范围为30?80°。6.根据权利要求1所述的应用于离子束蚀刻的基片载片台，其特征在于，所述基片载片台由金属制得。
【专利摘要】本实用新型提供一种应用于离子束蚀刻的基片载片台，由载片台主体、多个螺母轨道、卡爪、固定螺丝组成；多个螺母轨道以载片台主体的中心点为圆心周向排布；卡爪套设在所述螺母轨道上，通过所述固定螺丝固定于所述载片台主体上，所述卡爪为“L”型，靠圆心一端设有爪耳，所述爪耳面向圆心一侧的侧面与载片台主体表面的夹角为锐角；所述卡爪的数量大等于3。由于所述卡爪与所述载片台主体的夹角为锐角，且所述卡爪数量不少于3个可以牢牢固定住基片，防止在蚀刻过程中脱落。
【IPC分类】H01L21/687, H01L21/673
【公开号】CN205282457
【申请号】CN201521103597
【发明人】梁万国, 冯新凯, 陈立元, 邹小林, 李广伟, 缪龙, 陈怀熹
【申请人】福建中科晶创光电科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月28日