专利名称：用于同时检测离子材料的大小和浓度的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于同时检测离子材料的大小和浓度的方法和设备。
背景技术：
基于晶体管的生物传感器是利用电信号检测离子材料尤其是生物分子的一类传感器。基于晶体管的生物传感器通过半导体制造工艺制造并具有高速电信号传输的优点，因而已经进行了很多关于它们的研究。
美国专利No.4238757是关于利用场效应晶体管(FET)检测生物响应(biological response)的原始专利。该专利涉及利用由于表面电荷浓度而产生的半导体反型层(inversion layer)的电流改变来检测抗原-抗体反应的生物传感器。该专利涉及生物分子中蛋白质的检测。
与传统方法相比，使用FET作为生物传感器的优点是较低成本、高速检测、及集成电路(IC)/MEMS工艺的较简单结合。
在基于FET的生物传感器的栅极电极表面上，可以设置或不设置探针生物分子(probe biomolecule)。使用基于FET的生物传感器的生物分子检测方法包括测量由于目标生物分子到栅极电极表面的键合(binding)导致的电流或电压改变，该栅极电极表面可设置有或未设置探针生物分子。在供选方法中，该检测方法可以通过测量由于目标生物分子在距离栅极电极的特定距离内的存在导致的电流或电压改变来执行，该栅极电极未设置有探针生物分子。
然而，当传统的基于FET的生物传感器用于检测目标离子材料时，生物传感器通过电压或电流改变仅能检测非特定离子材料的浓度，然而，问题在于它不能确定目标离子材料是否是造成所述电压或电流改变的原因。
例如，当预先精确选定引物(primer)并精确设定化验条件以使得特定聚合酶链反应(PCR)应理想地进行时，目标核酸的存在能够从仅带(band)的存在而完全确认。然而，当PCR实际上利用未知样品进行时，在次优而不是最优条件下获得的反应物被检测，因而错误会经常发生。
因此，需要同时检测离子颗粒的浓度和大小例如核酸的长度，从而确定错误是否发生。
发明内容
本发明提供同时检测离子材料的大小和浓度的方法。
本发明还提供用于同时检测离子材料的大小和浓度的设备。
根据本发明的一方面，提供一种同时检测离子材料的大小和浓度的方法，该方法包括利用用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个测量其大小和浓度已知的至少三种离子材料的电压降值；相关于用于检测离子材料的具有不同电特性的至少所述两个基于FET的传感器的每个在三维图中确定至少三个点，所述三维图包括来自至少三种离子材料的已知大小、浓度和所述测量的电压降值的大小、浓度和电压降值；相关于用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个将至少所述三个点用单个平面近似；利用用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器测量其大小和浓度未知的离子材料的电压降值；相关于用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个使用所述未知离子材料的电压降值确定在所述平面上存在的等势线；以及确定至少所述两条等势线之间的交点。
在本发明一实施例中，测量所述离子材料的电压降值通过将包含每种离子材料的溶液引入到包括用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的室中来进行。
在本发明一实施例中，用于检测所述离子材料的至少两个基于FET的传感器的不同电特性由所述传感器的表面上的材料、传感器结构或传感器大小的差异来表现。
在本发明一实施例中，用于检测离子材料的至少两个基于FET的传感器的每个包括具有相同电特性的多个基于FET的传感器。
在本发明一实施例中，所述离子材料的电压降值的测量通过对利用具有相同电特性的多个基于FET的传感器所测量的电压降值取平均来进行。
在本发明一实施例中，所述离子材料的大小是所述离子材料的电荷或长度。
在本发明一实施例中，近似所述平面通过利用三个点求解方程1的常数a、b和c来进行方程(1)ax+by+cz+1＝0其中x表示离子材料的大小，y表示浓度且z表示电压降值。
在本发明一实施例中，确定所述等势线通过将所测量的未知离子材料的电压降值代入方程1来进行。
在本发明一实施例中，所述等势线之间的交点的确定这样进行当至少三条等势线存在时，获得所述至少三条等势线中每两条等势线之间的交点，并得到所述交点的平均点。
在本发明一实施例中，所述离子材料是生物分子。
在本发明一实施例中，所述生物分子是核酸或蛋白质。
根据本发明的另一方面，提供一种用于检测离子材料的大小和浓度的设备，该设备包括电压降测量单元，其包括用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器；点确定单元，其确定三维图中的点，该三维图包括来自在所述电压降测量单元中测量的离子材料的已知大小、浓度和电压降值的大小、浓度和电压降值；平面近似单元，其将所述点确定单元中确定的至少三个点近似成单个平面；等势线确定单元，其利用在所述电压降测量单元中测量的其大小和浓度未知的离子材料的电压降值，确定在所述平面近似单元中近似的平面上存在的等势线；及交点确定单元，其确定在所述等势线确定单元中所确定的至少两条等势线之间的交点。
在本发明一实施例中，所述电压降测量单元包括单个室中用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器。
在本发明一实施例中，所述用于检测离子材料的至少两个基于FET的传感器的不同电特性由传感器表面上的材料、传感器结构或传感器大小的差异表现。
在本发明一实施例中，用于检测离子材料的至少两个基于FET的传感器的每个包括具有相同电特性的多个基于FET的传感器。
在本发明一实施例中，所述离子材料的大小是所述离子材料的电荷或长度。
在本发明一实施例中，所述平面近似单元利用三个点进行求解方程1的常数a、b和c的过程
方程(1)ax+by+cz+1＝0其中x表示离子材料的大小，y表示浓度且z表示电压降值。
在本发明一实施例中，所述等势线确定单元进行将所测量的未知离子材料的电压降值代入方程1的过程。
在本发明一实施例中，所述交点确定单元进行这样的过程当至少三条等势线存在时，获得所述至少三条等势线中每两条等势线之间的交点，并得到所述交点的平均点。
在本发明一实施例中，所述离子材料是生物分子。
通过参照附图详细描述其示例性实施例，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显，附图中图1是流程图，示出了根据本发明一实施例检测离子材料的大小和浓度的方法；图2是曲线图，概念上示出了根据本发明一实施例确定等势线之间的交点的过程；图3是框图，示意性示出了根据本发明一实施例检测离子材料的大小和浓度的设备的构成；图4是侧剖视图，示意性示出了包括在根据本发明一实施例的图3的电压降测量单元中的基于FET的传感器；图5是侧剖视图，示意性示出了包括在根据本发明另一实施例的图3的电压降测量单元中的基于FET的传感器；图6是顶视图，示意性示出了包括在根据本发明另一实施例的图3的电压降测量单元中的基于FET的传感器。
具体实施例方式
现在将参照附图更详细地说明本发明。
图1是流程图，示出根据本发明一实施例检测离子材料的大小和浓度的方法。
参照图1，首先，利用具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个进行其大小和浓度已知的至少三种离子材料的电压降值的测量11。
离子材料的电压降值的测量11可通过在包括用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的室中引入每个包含所述离子材料中的一种的溶液来进行。
用于检测离子材料的基于FET的传感器的不同电特性可通过传感器的表面材料、传感器结构或传感器大小的差异来获得。传感器结构的差异可以是在制造相同传感器的工艺中发生的轻微差异。
用于检测离子材料的基于FET的传感器可独立地由具有相同电特性的多个基于FET的传感器构成。在此情况下，离子材料的电压降值可通过对利用具有相同电特性的多个基于FET的传感器所测量的电压降值取平均来计算。
所述FET可以是已经用于常规生物传感器或CMOS器件等的任何FET，且可以是n-MOS和p-MOS。例如，当衬底是n型掺杂时，源极和漏极可以独立地p型掺杂，另一方面，当衬底是p型掺杂时，源极和漏极可以独立地n型掺杂。
离子材料不特别限制，且可以是例如离子原子、离子分子或生物分子。生物分子可以是选自包括DNA、RNA、PNA、LNA及其混合物的组的核酸、或者是选自包括酶、酶作用物、抗原、抗体、配体、核酸适体(aptamer)和受体的组的蛋白质。
例如，当离子材料是离子时，离子材料的大小是该离子的电荷，另外当离子材料是核酸时，离子材料的大小是该核酸的长度。
再参照图1，下一步，相关于用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个，进行三维图中至少三个点的确定12，所述三维图包括来自与至少所述三种离子材料对应的已知大小和浓度及测量的电压降值的大小、浓度和电压降值。
所述三维图可包括例如设定为大小的x轴、设定为浓度的y轴、及设定为电压降值的z轴。至少所述三个点的确定12可以这样进行首先利用一种其大小和浓度已知的离子材料确定电压降值，并且大小、浓度和电压降值表示在三维图中，然后，其余两种离子材料的点按照上述相同方法表示在三维图中。
然后，相关于用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个利用至少所述三点进行单个平面的近似13。
平面近似操作13可包括本领域技术人员公知的平面近似的任何统计方法，并且不特别限制。
例如，当三点被近似成单个平面时，平面近似可以通过求解三个常数例如方程1的a、b和c来进行。由此，可得到包括三个变量例如x、y和z的方程1。
方程(1)ax+by+cz+1＝0其中x表示离子材料的大小，y表示离子材料的浓度且z表示离子材料的电压降值。
然后，利用用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个进行其大小和浓度未知的离子材料的电压降值的测量14。
离子材料的电压降值的测量14可通过在包括用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的室中引入每个包含所述离子材料中的一种的溶液来进行。
用于检测离子材料的基于FET的传感器可独立地由具有相同电特性的多个基于FET的传感器构成。在此情况下，离子材料的电压降值的计算可通过对利用具有相同电特性的多个基于FET的传感器所计算的电压降值取平均来计算。
然后，相关于用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个使用未知离子材料的电压降值进行在近似平面上存在的等势线的确定15。
例如，当三个点利用平面被近似时，确定等势线15可以通过将z即所计算的未知离子材料的电压降值代入方程1来进行。由此，可以获得包括两个变量x和y的方程。
然后，进行至少所述两条等势线之间的交点的确定16。
图2是曲线图，概念上示出了根据本发明一实施例确定等势线之间的交点的过程。参照图2，等势线表示在包括x轴上的DNA大小(bp)和y轴上的浓度的二维平面上。在FETA的情况下，示出了15、20、25、30和35mV等势线，在FETB的情况下，示出了12、14、16、18、20和22mV等势线。当其大小和浓度未知的DNA的电压降值关于用于检测离子材料的具有不同电特性的FETA和FETB是30mV和18mV时，获得了两条相交的等势线并且其交点利用所述结果而被确定。交点的x值和y值分别表示未知DNA大小(bp)和未知DNA浓度。
交点的确定可以这样进行当至少三条等势线存在时，获得所述三条等势线中每两条之间的交点，并得到交点的平均。
图3是框图，示意性示出了根据本发明一实施例用于检测离子材料的大小和浓度的设备的构成。
参照图3，根据本发明一实施例的设备包括电压降测量单元31、点确定单元32、平面近似单元33、等势线确定单元34和交点确定单元35。
电压降测量单元31包括用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器并测量离子材料的电压降值。
另外，电压降测量单元31可在单个室中包括用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器。
至少所述两个用于检测离子材料的基于FET的传感器的不同电特性可通过传感器的表面材料、传感器结构或传感器大小的差异来获得。传感器结构的差异可以是在制造相同传感器的工艺中发生的轻微差异。
另外，每个用于检测离子材料的基于FET的传感器可包括具有相同电特性的多个基于FET的传感器。
所述FET可以是已经用于常规生物传感器或CMOS器件等的任何FET，且可以是n-MOS和p-MOS。例如，当衬底是n型掺杂时，源极和漏极可以独立地p型掺杂，另一方面，当衬底是p型掺杂时，源极和漏极可以独立地n型掺杂。
所述FET可包括衬底；形成在衬底的任一侧且被掺杂从而具有与衬底相反的极性的源极和漏极；以及形成在衬底上从而接触源极和漏极的栅极。源极供应例如可以是自由电子或空穴的载流子，漏极是源极供应的载流子到达的地点，且栅极起控制源极和漏极之间载流子的流动的作用。当在电解质内检测离子材料例如生物分子时，FET是传感器的最优选形式并且其能够检测离子材料的存在而不标记(无标记(label-free))。
包括所述FET的室还可包括用于溶液的入口和出口、及用于允许溶液流入和流出室的微泵。
在当前实施例中，离子材料不特别限制，且可以是例如离子原子、离子分子或生物分子。生物分子可以是选自包括DNA、RNA、PNA、LNA及其混合物的组的核酸、或选自包括酶、酶作用物、抗原、抗体、配体、核酸适体和受体的组的蛋白质。
例如，当离子材料是离子时，离子材料的大小是该离子的电荷，另外当离子材料是核酸时，离子材料的大小是该核酸的长度。
图4是侧剖视图，示意性示出了包括在根据本发明一实施例的图3的电压降测量单元中的基于FET的传感器。参照图4，用于检测离子材料的具有不同电特性的两个基于FET的传感器42和43包括在单个室41中。含有离子材料的样品溶液可沿箭头方向流动。
图5是侧剖视图，示意性示出了包括在根据本发明另一实施例的图3的电压降测量单元中的基于FET的传感器。参照图5，用于检测离子材料的具有不同电特性的三个基于FET的传感器52、53和54包括在单个室51中。
图6是顶视图，示意性示出了包括在根据本发明另一实施例的图3的电压降测量单元中的基于FET的传感器。参照图6，多个基于FET的传感器包括A组基于FET的传感器(A1、A2、A3、...、Am)、B组基于FET的传感器(B1、B2、B3、...、Bm)、C组基于FET的传感器(C1、C2、C3、...、Cm)等。单个组的所有基于FET的传感器具有相同电特性，然而不同组的基于FET的传感器具有不同电特性。
点确定单元32确定三维图中的点，该三维绘图包括来自在电压降测量单元中测量的离子材料的已知大小、浓度和电压降值的大小、浓度和电压降值。
在平面近似单元33中，点确定单元确定的至少三个点用单个平面近似。
平面近似单元33可利用三个点进行求解方程1的常数a、b和c的过程。
方程(1)ax+by+cz+1＝0其中x表示离子材料的大小，y表示浓度且z表示电压降值。
等势线确定单元34利用在电压降测量单元中测量的其大小和浓度未知的离子材料的电压降值确定在所述平面近似单元中形成的平面上存在的等势线。
等势线确定单元34可进行将所测量的未知离子材料的电压降值代入方程1的过程。
交点确定单元35确定等势线确定单元所确定的至少两条等势线的交点。
交点确定单元35可进行这样的过程当至少三条等势线存在时，获得三条等势线中每两条等势线之间的交点，并得到所述交点的平均点。
下面，将参照下面的示例更详细地描述本发明。这些示例仅用于说明目的并且不意图限制本发明的范围。
示例1基于FET的生物传感器的制造当前示例中使用的FET元件从X-FAB Semiconductor Foundries(德国)定制。该定制产品是其中设置了制造为全部具有相同结构和电特性的48(4×12)FL FET的阵列、及其中设置了制造为全部具有相同结构和电特性的192(12×16)NMOS FET的阵列，但是，其中NMOS FET与FL FET的结构和电特性不同。该产品通过使用X-FAB Semiconductor Foundries公司的设备并且通过进行该公司的内部CMOS工艺来制造。每个公司的标准CMOS工艺有轻微差异，然而，其细节被忽略，因为其对FET元件的特性不具有大的影响并且与本发明无关。
通过去除阵列中每个FET的钝化层和栅极电极层，多晶硅层被暴露。然后，包括暴露的多晶硅层的FET表面被小心清洗。该清洗利用纯丙酮和水进行，清洗之后，所得产品被干燥。该衬底清洗工艺使用半导体制造工艺中使用的湿式工作站(wet station)。清洗结束之后，所述产品使用旋转脱水(spindry)进行干燥。
室的侧壁安装在阵列衬底上且衬底被涂覆以铂作为标准电极。包括12FLFET和36 NMOS FET的室A、包括12 FL FET的室B、以及包括36 NMOSFET的室C被独立制造。
实验示例1利用根据本发明一实施例的方法检测DNA的大小和浓度通过使用在示例1中制造的每个室A、B和C，可以确认目标DNA的大小和浓度能否被精确测量。
具有12ng/μl的浓度和249bp的长度的DNA用作目标DNA。
1-1使用两个不同FET组使用室A的12 FL FET作为一个组和室A的36 NMOS FET作为另一组进行根据图1的方法。
即，其长度和浓度已知的三种DNA的电压降值相关于每组被测量。然后，12 FL FET中测量的各DNA的电压降值被平均，且36 NMOS FET中测量的各DNA的电压降值被平均。
然后，在三维图中确定点，该三维图包括相关于FL FET的组的长度(x)、浓度(y)和电压降(z)，并且从它们近似单个平面。特别地，当三种DNA的已知大小和浓度独立地为x1、y1；x2、y2；及x3、y3，且测量电压降值分别是z1、z2和z3时，通过同时求解三个方程即a1x1+b1y1+c1z1+1＝0；a1x2+b1y2+c1z2+1＝0；及a1x3+b1y3+c1z3+1＝0并确定a、b和c的值而获得了平面方程a1x+b1y+c1z+1＝0。
类似地，通过相关于NMOS FET的组进行相同方法获得了另一平面方程a2x+b2y+c2z+1＝0。
然后，其大小和浓度将相关于每组被检测的目标DNA的电压降值被测量和平均从而得到z4和z5，并且这些值被代入平面方程。相应地，得到了两个等势线方程即a1x+b1y+c1z4+1＝0和a2x+b2y+c2z5+1＝0，该两个方程被同时求解，因而得到一个交点的x和y值从而获得了目标DNA的大小和浓度。
结果示于表1。
1-2使用12 FET假定包括在室B中的各12 FL FET根据制造工艺而具有微小电特性差异，通过单独使用每个不同的FET，以与实验示例1-1中相同的方式执行方法。
结果，得到了12条等势线和132个(12×11)交点。相应地，交点的x和y值被平均从而得到目标DNA的大小和浓度。结果示于表1。
1-3使用36 FET假定包括在室C中的各36 NMOS FET根据制造工艺而具有微小电特性差异，通过单独使用每个不同的FET，以与实验示例1-1中相同的方式执行方法。
结果，得到了36条等势线和1260个(36×35)交点。相应地，交点的x和y值被平均从而得到目标DNA的大小和浓度。结果示于表1。
1-4使用48 FET假定包括在室A中的各12 FL FET和36 NMOS FET根据制造工艺而具有微小电特性差异，通过单独使用每个不同FET，以与实验示例1-1中相同的方式执行方法。
结果，得到了48条等势线和2256个(48×47)交点。相应地，交点的x和y值被平均从而得到目标DNA的大小和浓度。结果示于表1。
表1
如表1所示，当假定在制造具有相同电特性的FET的工艺中产生微小电差异来进行本发明的示例时，结果不好。另一方面，当本发明使用具有不同电特性的FET执行时，获得了好的结果。
本发明可实施为计算机可读记录介质上的计算机可读码。该计算机可读记录介质是可存储数据的任何数据存储装置，所述数据以后可通过计算机系统读出。计算机可读记录介质的例子包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘、光数据存储器件、及载波(例如通过互联网的数据传输)。
如上所述，离子材料如核酸的浓度和大小可根据本发明被同时测量。然后，当目标离子材料利用基于FET的生物传感器被检测时，不仅离子材料的浓度可根据电压或电流的改变被确定，而且可确认电压或电流的改变是否可归因于目标离子材料。
尽管参照其示例性实施例特别显示和描述了本发明，但是本领域技术人员能够理解，在不脱离本发明的权利要求所定义的精神和范围的情况下可以进行形式和细节上的各种改变。
权利要求
1.一种检测离子材料的大小和浓度的方法，该方法包括利用用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个测量其大小和浓度已知的至少三种离子材料的电压降值；相关于用于检测离子材料的具有不同电特性的所述至少两个基于FET的传感器的每个在三维图中确定至少三个点，所述三维图包括来自至少三种离子材料的已知大小、浓度和所述测量的电压降值的大小、浓度和电压降值；相关于用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个将所确定的点近似为单个平面；利用用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个测量其大小和浓度未知的离子材料的电压降值；相关于用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个使用未知离子材料的电压降值确定在所述平面上存在的等势线；确定所确定的等势线之间的至少一个交点。
2.如权利要求1的方法，其中所述离子材料的电压降值的测量通过将包含每种离子材料的溶液引入到包括用于检测所述离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的室中来进行。
3.如权利要求1的方法，其中所述用于检测离子材料的至少两个基于FET的传感器的不同电特性通过所述传感器的表面上的材料、传感器结构或所述传感器大小的差异来获得。
4.如权利要求1的方法，其中用于检测离子材料的至少两个基于FET的传感器的每个包括具有相同电特性的多个基于FET的传感器。
5.如权利要求4的方法，其中所述离子材料的电压降值的测量通过对利用具有相同电特性的多个基于FET的传感器所测量的电压降值取平均来进行。
6.如权利要求1的方法，其中所述离子材料的大小是所述离子材料的电荷或长度。
7.如权利要求1的方法，其中所述近似所述平面通过利用三个点求解方程1的常数a、b和c来进行方程(1)ax+by+cz+1＝0其中x表示离子材料的大小，y表示浓度且z表示电压降值。
8.如权利要求7的方法，其中所述等势线的确定通过将所测量的未知离子材料的电压降值代入方程1来进行。
9.如权利要求1的方法，其中所述等势线之间的交点的确定这样进行当至少三条等势线存在时，获得所述等势线中每两条等势线之间的交点，并得到所述交点的平均点。
10.如权利要求1的方法，其中所述离子材料是生物分子。
11.如权利要求10的方法，其中所述生物分子是核酸或蛋白质。
12.一种用于检测离子材料的大小和浓度的设备，该设备包括电压降测量单元，其包括用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器；点确定单元，其确定三维图中的点，该三维图包括来自在所述电压降测量单元中测量的离子材料的已知大小、浓度和电压降值的大小、浓度和电压降值。平面近似单元，其将所述点确定单元中确定的至少三个点近似成单个平面；等势线确定单元，其利用在所述电压降测量单元中测量的其大小和浓度未知的离子材料的电压降值，确定在所述平面近似单元中近似的平面上存在的等势线；以及交点确定单元，其确定在所述等势线确定单元中所确定的至少两条等势线之间的交点。
13.如权利要求12的设备，其中所述电压降测量单元包括单个室中用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器。
14.如权利要求12的设备，其中所述用于检测离子材料的至少两个基于FET的传感器的不同电特性通过所述传感器表面上的材料、传感器结构或所述传感器大小的差异获得。
15.如权利要求12的设备，其中用于检测离子材料的所述至少两个基于FET的传感器的每个包括具有相同电特性的多个基于FET的传感器。
16.如权利要求12的设备，其中所述离子材料的大小是所述离子材料的电荷或长度。
17.如权利要求12的设备，其中所述平面近似单元利用三个点进行求解方程1的常数a、b和c的过程方程(1)ax+by+cz+1＝0其中x表示离子材料的大小，y表示浓度且z表示电压降值。
18.如权利要求17的设备，其中所述等势线确定单元进行将所测量的未知离子材料的电压降值代入方程1的过程。
19.如权利要求12的设备，其中所述交点确定单元进行这样的过程当至少三条等势线存在时，获得所述等势线中每两条等势线之间的交点，并得到所述交点的平均点。
20.如权利要求12的设备，其中所述离子材料是生物分子。
全文摘要
本发明提供同时检测离子材料的大小和浓度的方法和设备。该方法包括利用用于检测离子材料的具有不同电特性的至少两个基于FET的传感器的每个测量其大小和浓度已知的至少三种离子材料的电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个在三维图中确定至少三个点，所述三维图包括来自至少三种离子材料的已知大小、浓度和所述测量的电压降值的大小、浓度和电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个将至少所述三个点近似为单个平面；利用所述至少两个传感器测量其大小和浓度未知的离子材料的电压降值；相关于所述至少两个传感器的每个使用未知离子材料的电压降值确定在所述平面上存在的等势线；确定所述各等势线之间的交点。
文档编号G06F17/00GK101046462SQ20061016861
公开日2007年10月3日 申请日期2006年12月20日 优先权日2006年3月31日
发明者李圭祥, 柳圭泰, 沈储暎, 郑洹锡, 赵莲子 申请人:三星电子株式会社