专利名称：控制系统及其数据和程序的存储方法
技术领域：
本发明涉及电子设备控制系统，特别涉及控制系统及其数据和程序的存储方法。
背景技术：
目前为了提高芯片的性价比，大多数新开发的单片机芯片都大大压缩了内部的程序ROM，这就导致需要外挂的存储器来存放电子设备控制系统的数据和程序。相对于芯片开发商来说，芯片的成本降低了，但电子设备的整机开发成本是没有变化的，因为芯片取消了存放程序的内部ROM，则电子设备控制系统的程序就存放在外挂的FLASH存储器中，由于FLASH存储器掉电后，它内部存储的控制系统的数据易丢失，所以控制系统的初始化数据则存放在外挂的EEPROM中。这样，对于电子设备生产而言，生产线在烧写FLASH存储器的同时，还要烧写EEPROM芯片，增加了生产、贴装芯片过程的繁琐。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，针对目前控制系统的数据和程序存储过程繁琐的问题，提供一种控制系统及其数据和程序的存储方法。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，控制系统，包括控制芯片，外挂的FLASH存储器，控制芯片与FLASH存储器相连，其特征是，控制系统的数据和程序分别存储在FLASH存储器的数据扇区和程序扇区。
控制系统的数据和程序的存储方法，包括下列步骤；a、将控制系统的数据和程序写入FLASH存储器，数据和程序存储在不同的扇区；b、控制芯片通过激活FLASH存储器的读/写寄存器来分别控制对FLASH存储器的读/写操作。
本发明的有益效果是，突破了在以往电子设备的系统设计中，需要将控制系统的数据存储在EPROM中，控制系统的程序存储在FLASH存储器中的思路，而直接将控制系统的数据和程序同时存储在FLASH存储器中，简化了电子设备的系统设计、生产和调试流程；对电子设备的系统设计方案的改动较小，解决方案简单易行、实施可靠、具有较高的性价比。
以下结合具体实施方式
和附图，对本发明作进一步说明。
图1是实施例的示意图。
具体实施例方式
本发明的控制系统运用在电子设备的系统设计中，包括控制芯片和外挂的FLASH存储器，控制芯片与FLASH存储器相连，控制系统的数据和程序分别存储在FLASH存储器的数据扇区和程序扇区。具体地讲，控制芯片通过串行数据输入端，串行数据输出端，串行时钟信号端，芯片始能控制端，写保护状态设置端与FLASH存储器相连。这样，对电子设备的系统设计而言，就只需要烧写FLASH存储器及贴装芯片，减少了烧写EEPROM及贴装芯片的过程。同时，电路上也省去了对EEPROM芯片保留供电的电路，只需对FLASH存储器供电即可。本发明简化了电子设备的设计和生产。
本发明的控制系统程序及数据的存储方法包括下列步骤a、将控制系统的数据及程序写入FLASH存储器，数据和程序存储在不同的扇区，控制系统的数据写入FLASH存储器的底层扇区，控制系统的程序写入FLASH存储器的底层扇区以上的扇区；b、控制芯片通过激活FLASH存储器的读/写寄存器来分别控制对FLASH存储器的读/写操作上电后，控制芯片将FLASH存储器存放数据的扇区置为写保护模式，并激活FLASH存储器存放数据的扇区的读控制寄存器；掉电前，控制芯片取消对FLASH存储器的写保护模式，并激活FLASH存储器存放数据的扇区的写控制寄存器，将FLASH存储器中的相关数据写入存放数据的扇区。
本发明将控制系统的数据和程序同时存放在FLASH存储器中，在生产过程中，只需对FLASH存储器进行预先写数据和程序，简化了电子设备的调试过程。
实施例本实例中，控制系统的控制芯片的型号为MST718，FLASH存储器的芯片型号为Pm25lv040。MST718通过串行数据输入端(SI)，串行数据输出端(SO)，串行时钟信号端(SCK)，芯片始能控制端(CE)，写保护状态设置端(WP)与Pm25lv040相连，如图1所示Pm25lv040一共有512K×8BIT的存储空间，分为8个块(BLOCK)，每个块又分为64个扇区组，每个扇区组由16个邻近扇区(Sector)组成，参见下表
上表中，Memory Density表示存储空间；Block No.表示块编号；Block Size表示块的大小，单位为Kbytes；Sector No.表示块编号；Sector Size表示块的大小，单位为Kbytes；Address Range表示每个扇区对应的地址范围。
本实施例中，将控制系统的初始化数据写入Pm25lv04的4K byte的Sector0中(即把Pm25lv04的Sector0当作EEPROM使用)，控制系统的程序从Block0的Sector1开始写入；将Pm25lv040的Sector0配置为保护状态，则所有芯片对Pm25lv040的Sector0的全部读写操作都无效。
开机上电后，MST718激活Pm25lv040内部的读/写寄存器，以实现对Pm25lv040的读写操作。MST718将Pm25lv040的Sector0设置为写保护模式，激活Sector0的读寄存器，允许MST718通过总线读取Pm25lv040的Sector0相关数据；关机掉电前，MST718取消写保护模式，激活禁止读始能，即激活Sector0的写寄存器，将系统运行后保存在Pm25lv040中的相关数据写入Sector0中。这种对Pm25lv040的读/写操作与RAM和ROM完全一样。
再次开机时，Pm25lv040的Sector0缺省状态为写保护模式，写保护寄存器相当稳定，程序如不使用状态寄存器写(WRSR)指令改变它的值，对Pm25lv040的Sector0内的数据将无法进行数据擦除和写入。
擦除程序时，如果数据有必要存储，可将Pm25lv040的Sector0的设置为写保护状态，避免擦除；如果认为没必要存储，则取消写保护状态，全部擦除。在写程序时，同时将数据一次性写入。写入操作类似于擦除操作，只是往目标地址中写入的是实际值。
权利要求
1.控制系统，包括控制芯片，外挂的FLASH存储器，控制芯片与FLASH存储器相连，其特征是，控制系统的数据和程序分别存储在FLASH存储器的数据扇区和程序扇区。
2.如权利要求1所述的控制系统，其特征是，所述控制芯片通过串行数据输入端，串行数据输出端，串行时钟信号端，芯片始能控制端，写保护状态设置端与FLASH存储器相连。
3.控制系统的数据和程序的存储方法，其特征是，包括下列步骤；a、将控制系统的数据及程序写入FLASH存储器，数据和程序存储在不同的扇区；b、控制芯片通过激活FLASH存储器的读/写寄存器来分别控制对FLASH存储器的读/写操作。
4.如权利要求3所述的控制系统的数据和程序的存储方法，其特征是，所述步骤a中，控制系统的数据写入FLASH存储器的底层扇区，控制系统的程序写入FLASH存储器的底层扇区以上的扇区。
5.如权利要求3或4所述的控制系统的数据和程序的存储方法，其特征是，所述步骤b包括b1、上电后，控制芯片激活FLASH存储器存放数据的扇区的读控制寄存器；b2、掉电前，控制芯片激活FLASH存储器存放数据的扇区的写控制寄存器；将FLASH存储器中的相关数据写入存放数据的扇区。
全文摘要
本发明涉及电子设备控制系统，特别涉及控制系统及其数据和程序的存储方法。本发明针对目前控制系统的数据和程序存储过程繁琐的问题，公开了一种控制系统及其数据和程序的存储方法。本发明的控制系统，包括控制芯片，外挂的FLASH存储器，控制芯片与FLASH存储器相连，控制系统的数据和程序分别存储在FLASH存储器的不同扇区。本发明还公开了控制系统的数据和程序的存储方法，包括下列步骤a.将控制系统的数据及程序写入FLASH存储器，数据和程序存储在不同的扇区；b.控制芯片通过激活FLASH存储器的读/写寄存器来实现读/写操作。本发明的有益效果是，简化了电子设备的系统设计、生产和调试流程。
文档编号G06F12/02GK101079005SQ200710201119
公开日2007年11月28日 申请日期2007年7月18日 优先权日2007年7月18日
发明者梁敏 申请人:四川长虹电器股份有限公司