专利名称：记忆卡的制作方法
技术领域：
本发明涉及计算机数据处理领域，更具体地，本发明涉及一种记忆卡。
背景技术：
随着消费者对额外存储卡的需求，使得记忆存储卡的市场得到急速发展。
图1是示出现有存储单片的基本结构的示意图。参照图1 ，现有的存储刀片采用64 片8Gbit的NAND FLASH芯片HY27UG088G，组成一个固态盘，由Altera的FPGA EP2C70F72C8 来管理，FPGA用于控制和管理NAND FLASH的读写操作，并最终通过PCI-E接口把数据发送 出去。 采用NAND FLASH的固态盘是非易失的，所以其优点在于无需额外的供电电源，但 NAND FLASH的读写速度要比DRAM慢，而且最终的速度要受到PCI-E带宽的限制，并且该存 储单片的体积较大。
发明内容
考虑到上述问题而做出本发明，为此，本发明的主要目的在于提供一种记忆卡，该 记忆卡包括多个随机存储介质，用于存储信息；以及一个芯片，包括多个控制器，该芯片 用于编写多个控制器与多个随机存储介质进行交互的事务层协议，从而访问所述多个随机 存储介质。 此外，该记忆卡还包括电源模块，用于向多个随机存储介质和芯片提供电源。
其中，记忆卡具有数量与多个控制器的数量相同的多个通道，每一个通道都控制 预定数量的随机存储介质。 优选地，记忆卡具有两个通道，每一个通道控制四个随机存储介质。 优选地，随机存储介质可以为薄型双列直插式存储模块。在这种情况下，在记忆卡
的单板上设置与多个随机存储介质对应的多个连接器以在多个连接器中插入多个随机存
储介质，其中，以一高一矮的两个连接器为单位，将多个连接器设置在单板的正面和反面上
并且多个连接器在单板上左右反向进行设置。 此外，随机存储介质也可以为内存颗粒。 优选地，芯片为现场可编程门阵列或片上系统。 其中，使用verilog HDL语言编写事务层协议，并且事务层协议为PCI_E协议和控 制器协议。 通过本发明的技术方案，与现有的存储刀片相比，能够实现数据的快速读写，能够 灵活地进行扩展，并且体积较小。 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明 书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发
明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中 图1是示出现有存储单片的基本结构的示意图； 图2是示出根据本发明的记忆卡的基本结构的示意图； 图3是示出根据本发明的记忆卡的系统结构图；以及 图4是示出根据本发明的记忆卡中DI匪进行配置的示意图。
具体实施例方式
下面将结合附图来详细说明本发明的实施例。 图2是示出根据本发明的记忆卡的基本结构的示意图。 参照图2，根据本发明的记忆卡包括多个随机存储介质，用于存储信息；以及一 个芯片，包括多个控制器，该芯片用于编写多个控制器与多个随机存储介质进行交互的事 务层协议，从而访问所述多个随机存储介质。 此外，该记忆卡还包括电源模块，用于向多个随机存储介质和芯片提供电源。
具体地，参照图3描述根据本发明的记忆卡的系统结构图。 注意，在本发明的记忆卡中，芯片可以为现场可编程门阵列(fieldprogrammable gate array,简称为FPGA)或片上系统(system on chip,简称为S0C)，以及随机存储介质 可以为双列直插式存储模块(dual in linememory modules,简称为DIMM)、薄型双列直插 式存储模块(smalloutline-DI匪，简称为SO-DI匪)或内存颗粒。在以下描述中，以FPGA和 S0-DI匪为例进行描述，其他芯片或随机存储介质具有类似的结构，因此省略具体描述。
从图3可以看出，该记忆卡中存在两个通道，每个通道控制4个S0-DI匪。在这 种配置下，以FPGA(如xilinx 50T)做为控制芯片，其内部集成了 PCI-E hard core。用 verilog HDL语言编写包括PCI-E协议和双通道DDR2控制器协议的事务层协议。这样就可 以用PCI-E的方式实现对DI匪的数据的访问。本实例中实现了 2个DDR2控制器，分别控 制2个通道的DI匪内存条。 在DI匪或SO-DI匪的情况下，需要在记忆卡的单板上设置与其对应的多个DI匪 或SO-DI匪连接器以在多个连接器中插入DI匪或SO-DI匪，在图4中示出了连接器设置的 示意图，其中，以一高一矮的两个连接器为单位，这样就可以将SO-DI匪设置为两层(一高 一矮)，从而节省空间，以及将多个连接器设置在单板的正面和反面上并且多个连接器在单 板上左右反向进行设置。 注意，在该实例中，示出了两个通道，但应该理解，可以根据需要增加通道数，只要 相应地采用资源更多的芯片即可。 此外，随机存储介质也可以为内存颗粒，如果使用内存颗粒，就无需在单板上设置 连接器，而是直接将内存颗粒直接焊接集成到单板上，并且这样还可以在相同的空间中设 置更多的内存颗粒，从而增加存储容量。 如上所述，通过本发明的技术方案，能够实现数据的快速读写，能够灵活地进行扩 展，并且减小了体积。 以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
一种记忆卡，其特征在于，所述记忆卡包括多个随机存储介质，用于存储信息；以及一个芯片，包括多个控制器，所述芯片用于编写所述多个控制器与所述多个随机存储介质进行交互的事务层协议，从而访问所述多个随机存储介质。
2. 根据权利要求1所述的记忆卡，其特征在于，还包括电源模块，用于向所述多个随机 存储介质和所述芯片提供电源。
3. 根据权利要求1所述的记忆卡，其特征在于，所述记忆卡具有数量与所述多个控制 器的数量相同的多个通道，每一个通道都控制预定数量的随机存储介质。
4. 根据权利要求3所述的记忆卡，其特征在于，所述记忆卡具有两个通道，每一个通道 控制四个随机存储介质。
5. 根据权利要求1所述的记忆卡，其特征在于，所述随机存储介质为双列直插式存储 模块或薄型双列直插式存储模块。
6. 根据权利要求5所述的记忆卡，其特征在于，在所述记忆卡的单板上设置与所述多 个随机存储介质对应的多个连接器以在所述多个连接器中插入所述多个随机存储介质，其 中，以一高一矮的两个连接器为单位，将所述多个连接器设置在所述单板的正面和反面上 并且所述多个连接器在所述单板上左右反向进行设置。
7. 根据权利要求1所述的记忆卡，其特征在于，所述随机存储介质为内存颗粒。
8. 根据权利要求1至7中任一项所述的记忆卡，其特征在于，所述芯片为现场可编程门 阵列或片上系统。
9. 根据权利要求l至7中任一项所述的记忆卡，其特征在于，使用verilog HDL语言编 写所述事务层协议。
10. 根据权利要求1至7中任一项所述的记忆卡，其特征在于，所述事务层协议为 PCI-E协议和控制器协议。
全文摘要
本发明公开了一种记忆卡，包括多个随机存储介质，用于存储信息；以及一个芯片，包括多个控制器，芯片用于编写多个控制器与多个随机存储介质进行交互的事务层协议，从而访问多个随机存储介质。通过本发明，能够实现数据的快速读写，能够灵活地进行扩展，并且体积较小。
文档编号G06K19/073GK101699475SQ20091023681
公开日2010年4月28日 申请日期2009年10月30日 优先权日2009年10月30日
发明者刘新春, 李丰旺, 聂华, 许建卫, 邵宗有 申请人:曙光信息产业(北京)有限公司