指示体检测装置及检测传感器的制作方法

专利名称：指示体检测装置及检测传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种指示体检测装置，例如用于触摸板。更详细地说涉及能够检测与通过手指、静电笔等指示体进行指示操作输入的面(指示操作输入时指示体能接触的面， 以下称为指示输入面)交叉的方向上的指示体的移动对应的与上述指示输入面的分离位置以及对上述指示输入面的按压力的装置。
背景技术：
以往，作为检测触摸板等中所使用的用户的手指或专用笔等指示体的方式提出了例如静电耦合方式(静电电容方式)、电阻膜方式、电磁感应方式等各种传感器方式。在静电耦合方式的指示体检测装置中，如图59所示，将多个上部电极Ex与多个下部电极Ey排列在指示输入面的例如X轴方向(横向)以及Y轴方向(纵向)，并且相互正交，空出极小的间隙而排列。由此在上部电极Ex和下部电极Ey之间的重叠部分形成预定的静电电容Co。在图59的静电耦合方式的指示体检测装置中，用户的手指等指示体靠近或接触指示输入面时，与该部分的上部电极Ex之间形成静电电容Cf，其结果，该部分的上部电极 Ex和下部电极Ey之间的电荷的移动量发生变化。在静电耦合方式的指示体检测装置中，通过检测该电荷的移动量的变化，在指示体输入面上确定由指示体指示的位置。这种静电耦合方式的指示体检测装置，以往记载于例如专利文献1至3等中。在专利文献1中记载有将使用正交扩频码的码分复用方式适用于多用户触摸系统中的技术。 在专利文献2中记载有使用模拟随机信号的坐标输入装置。并且，在专利文献3中记载有在静电电容型坐标装置中使用的静电笔。并且，关于使用电阻膜方式的指示体检测，特别是例如在专利文献4中公开了同时检测多个指示体输入的技术。参照图60，对该专利文献4中公开的使用电阻膜方式的指示体检测技术进行说明。S卩，在专利文献4的指示体检测装置中，形成有与图59的例相同的多个上部电极 Ex的电极片1001、第一电阻体层1002、第二电阻体层1003和形成有与图59的例子相同的多个下部电极Ey的电极片1004在正交于χ轴以及y轴的ζ轴方向上层叠排列。此时，如图60⑶中所示的图60的(A)的剖视图所示，在形成于电极片1001的上部电极Ex上形成第一电阻体层1002，上部电极Ex与第一电阻体1002电气性地连接。并且，在形成于电极片1004的下部电极Ey上形成第二电阻体1003，上部电极Ey与第一电阻体1003电连接。此外，第一电阻体层1002与第二电阻体层1003之间形成极小的空隙AG。本例的指示体检测装置，通过手指等指示体对指示输入面图例中的电极片1001 在Z轴方向上进行按压时，电极片1001如图60的(C)的剖视图所示，该按压部分弹性位移， 使第一电阻体层1002与第二电阻体层1003接触。并且，指示体对指示输入面的按压力越大，第一电阻体层1002和第二电阻体层1003间的接触面积越大。于是，相当于在该按压部分的上部电极Ex和下部电极Ey之间设置了与第一电阻体层1002与第二电阻体层1003两者的接触面积对应的可变电阻。此时，该第一电阻体层 1002与第二电阻体层1003的接触面积越大，可变电阻变得越小。此外，如60(B)所示， 未通过指示体按压时，第一电阻体层1002与第二电阻体层1003大致是非接触状态，因此可变电阻基本上无限大。因此，在图60的⑶的状态下，即使从上部电极Ex与下部电极Ey中的一个电极施加电压，其信号电流也不会传送到另一个电极。并且第一电阻体层1002和第二电阻体层 1003接触时，来自一个电极的信号电流开始经由可变电阻流向另一个电极。并且，随着按压力增大，第一电阻体层1002与第二电阻体层1003的接触面积增大时，从一个电极流向另一个电极的信号电流根据其接触面积增大。如上所述，在电阻膜方式的指示体检测装置中，通过检测上部电极Ex和下部电极 Ey之间的电阻值的变化，确定由指示体指示的位置，并且根据所述电阻值检测出按压力。专利文献1 日本特开2003-22158号公报专利文献2 日本特开平9_22四47号公报专利文献3 日本特开平10-161795号公报专利文献4 美国申请公开2009/0256817A1在上述静电耦合方式的指示体检测装置中，虽然能够检测指示体接近或接触指示输入面的位置或指示体与指示输入面的分离位置，但存在着不能检测针对输入面的按压的问题。另一方面，在使用电阻膜方式的指示体检测装置的情况下存在如下问题指示体对指示输入面的接触(触摸)位置的检测灵敏度(初期手指压力灵敏度)低，并且完全不能检测出指示体与指示输入面的分离位置。

发明内容
鉴于以上问题，本发明的目的在于提供一种指示体检测装置，能够检测出指示体与指示输入面分离或接触的位置，并且能够得到与指示体按压指示输入面的状态下的按压力对应的检测输出。并且，本发明的目的还在于，能够用比较简单的结构实现上述指示体检测装置。为解决上述问题，本发明提供一种指示体检测装置，其包括检测传感器，具有被配置在第一方向的多个第一导体、被配置在与上述第一方向交叉的第二方向的多个第二导体以及被配置在上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的具有预定的电阻特性的压敏材料；信号供给电路，用于向上述多个第一导体供给预定的信号；以及信号检测电路，用于从上述多个第二导体检测信号，在指示体位于上述检测传感器的附近的情况以及指示体与上述检测传感器接触时施加的压力小于预定压力的情况下，向上述信号检测电路供给与上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的静电电容的变化对应的信号，在上述指示体对上述检测传感器施加超过上述预定压力的压力的情况下，向上述信号检测电路供给与来自上述指示体的上述压力施加到上述压敏材料而引起的上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的电阻特性的变化对应的信号，从而上述检测传感器能够检测上述指示体的指示位置及压力。根据上述结构的本发明的指示体检测装置，信号检测电路能够检测与多个第一导体和多个第二导体之间的静电电容的变化对应的信号，并根据该检测输出检测出指示体与检测传感器的例如接触及其位置。并且，信号检测电路能够检测与多个第一导体和多个第二导体之间的电阻特性的变化对应的信号，并根据该检测输出检测出指示体对检测传感器施加压力的指示位置，并检测出其压力。S卩，根据本发明的指示体检测装置，能够通过由信号检测电路检测与多个第一导体和多个第二导体之间的静电电容的变化对应的信号、和与多个第一导体和多个第二导体之间的电阻特性的变化对应的信号的比较简单的结构，检测指示体的指示位置以及压力。根据本发明，能够得到一种指示体检测装置，结构比较简单，并且指示体与指示输入面的接触位置的检测灵敏度高，能够得到与指示体按压指示输入面的状态的按压力对应的检测输出。


图1是表示本发明的指示体检测装置的第一实施方式的整体结构例的框图。图2是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的传感器部的结构的图。图3是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的传感器部的结构的图。图4是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式的指示体检测的动作原理的图。图5是说明用于第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式的指示体检测的主要部分电路的图。图6是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的电阻膜方式的指示体检测的动作原理的图。图7是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的电阻膜方式的指示体检测的动作原理的图。图8是说明用于第一实施方式的指示体检测装置的电阻膜方式的指示体检测的主要部分电路的图。图9是说明用于第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式以及电阻膜方式两种方式的指示体检测的主要部分电路的图。图10是说明用于第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式以及电阻膜方式两种方式的指示体检测的主要部分电路的另一例的图。图11是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的发送部的图。图12是用于说明作为第一实施方式的指示体检测装置中使用的输出信号的例的扩频码的图。图13是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的发送部的动作的图。图14是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的接收部的一部分的图。图15是用于说明图14的接收部的一部分的动作的图。图16是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的接收部的其余部分的图。图17是表示用于说明第一实施方式的指示体检测装置的发送部以及接收部的动作的时序图。
图18是表示图16的接收部的一部分的详细结构例的框图。图19是表示用于说明图18的接收部的一部分的详细结构例的动作的时序图。图20是表示图18的接收部的一部分的详细结构例的框图。图21是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的指示体检测动作的图。图22是用于说明第一实施方式的指示体检测装置的指示体检测动作的图。图23是表示用于说明第一实施方式的指示体检测装置的动作例的流程图的一部分的图。图M是表示用于说明第一实施方式的指示体检测装置的动作例的流程图的一部分的图。图25是用于说明根据第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式检测指示体的悬停状态的动作原理的图。图沈是用于说明根据第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式检测指示体的悬停状态的动作原理的图。图27是用于说明根据第一实施方式的指示体检测装置的静电耦合方式检测指示体的悬停状态的动作原理的图。图观是表示本发明的指示体检测装置的第二实施方式的主要部分的结构例的框图。图四是表示用于说明第二实施方式的指示体检测装置的动作例的流程的图。图30是表示本发明的指示体检测装置的第三实施方式的主要部分的结构例的框图。图31是表示用于说明第三实施方式的指示体检测装置的动作例的流程的一部分的图。图32是表示用于说明第三实施方式的指示体检测装置的动作例的流程的一部分的图。图33是表示本发明的指示体检测装置的第三实施方式的另一例的主要部分的结构例的框图。图34是用于说明本发明的指示体检测装置的第四实施方式的图。图35是用于说明本发明的指示体检测装置的第四实施方式的图。图36是用于说明本发明的指示体检测装置的第四实施方式的图。图37是用于说明本发明的指示体检测装置的第四实施方式的图。图38是用于说明本发明的指示体检测装置的第四实施方式的图。图39是表示本发明的指示体检测装置的第四实施方式的主要部分的结构例的框图。图40是表示本发明的指示体检测装置的第四实施方式的其他主要部分的结构例的框图。图41是表示本发明的指示体检测装置的第四实施方式的其他主要部分的结构例的框图。图42是表示本发明的指示体检测装置的第四实施方式的主要部分的另一结构例的框图。
图43是用于说明本发明的指示体检测装置的第五实施方式的图。图44是用于说明本发明的指示体检测装置的第五实施方式的图。图45是表示本发明的指示体检测装置的第五实施方式的主要部分的结构例的框图。图46是表示本发明的指示体检测装置的第五实施方式的主要部分的结构例的框图。图47是表示本发明的指示体检测装置的第五实施方式的主要部分的另一结构例的框图。图48是表示本发明的指示体检测装置的第六实施方式的主要部分的结构例的框图。图49是表示图48的主要部分的结构例的一部分的详细结构例的框图。图50是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例1的图。图51是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例2的图。图M是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例3的图。图53是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例3的图。图M是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例4的图。图55是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例5的图。图56是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例5的图。图57是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例6的图。图58是用于说明本发明的指示体检测装置的实施方式的传感器部的变形例6的图。图明是用于说明静电耦合方式的指示体检测装置的传感器部的图。图60是用于说明电阻膜方式的指示体检测装置的传感器部的图。
具体实施例方式下面参照附图，以如下顺序对该发明的指示体检测装置的实施方式进行说明。1.第一实施方式基本结构例2.第二实施方式不进行检测模式的切换的例3.第三实施方式同时执行两个检测模式的例4.第四实施方式作为扩频码使用哈达玛码时的改良结构例5.第五实施方式消除检测不均勻的例6.第六实施方式放大电路的自动增益控制7.第七实施方式大型传感器部的例8.第八实施方式使用调制的扩频码的结构例9.第九实施方式扩频码的另一供给方法10.第十实施方式接收导体的选择方法11.第十一实施方式传感器部的另一结构例(第一实施方式基本结构例)本实施方式的指示体检测装置不仅检测与指示体的指示输入面的接触以及指示体对指示输入面的按压，还检测指示输入面上的空间的指示体位置、指示体在指示输入面上的接触位置以及按压位置(指示体坐标位置)。在本例中，指示输入面上的空间的指示体的位置是处于不与指示输入面接触的分离的空间位置的指示体的位置，在本例中，其位置由从指示体对指示输入面划垂线时的指示输入面的坐标位置和指示体与指示输入面的分离距离确定。此外，在本说明书中，将在与指示输入面分离的空间位置存在指示体的状态称为悬停(Hovering)状态。并且，在本说明书中，将从指示体对指示输入面的划垂线的方向作为Z轴方向，指示输入面上的坐标位置根据相互正交的X轴方向以及Y轴方向的位置而定。并且，作为指示体，在以下说明中，对主要使用用户手指的情况进行说明，但如上所述，也能将静电笔等用作指示体。并且，以下说明的实施方式是能够检测同时存在于指示输入面的多个指示体，例如多个手指的例。此外，以下说明的实施方式具备能够快速进行指示输入面上的指示体的位置检测的结构。(第一实施方式的指示体检测装置的整体结构例图1)图1是表示第一实施方式的指示体检测装置1的整体结构例的框图。本实施方式的指示体检测装置1由如下部分构成作为检测传感器的例的传感器部100、发送部200、接收部300、控制发送部200以及接收部300的动作的控制电路40。以下对各部分的结构进行说明。控制电路40是用于控制本实施方式的指示体检测装置1的各部分的电路，例如构成搭载微型计算机的结构。该控制电路40如图1所示，连接到发送部200的后面所述的发送信号供给电路21、发送导体选择电路22和时钟产生电路23，并且连接到接收部300的后面所述的接收导体选择电路31、放大电路32和位置检测电路34。并且，控制电路40如下所述，根据从时钟产生电路23输出的时钟信号CLK，适当生成及输出开始信号ST、发送负荷信号Mltjad及接收负荷信号Srltjad，并控制上述各部分的动作定时。(传感器部100的说明)(传感器部100的结构例图I-图2)参照图1以及图2对传感器部100进行说明。此外，图2㈧是图1的传感器部 100的X轴方向的剖视图，图2(B)是图1的传感器部100的Y轴方向的剖视图。传感器部100具备连接在发送部200的多个第一电极和连接在接收部300的多个第二电极，并且具备后面所述的压敏材料。在以下说明中，第一电极称为发送导体，由多个第一电极构成的一组称为发送导体组11。在本实施方式中，发送导体组11例如由64个发送导体IlY1 IlY64构成。并且，在本实施方式中，第二电极称为接收导体，由多个第二电极构成的一组称为接收导体组12。接收导体组12例如由1 个接收导体12 12X128构成。此外，在本说明书中的发送导体的说明中，没有必要区别是发送导体组11中的64 个发送导体IlY1NllY64中的哪一个时，称为发送导体11Y。同样地，在接收导体说明中，没有必要区别是接收导体12中的1 个接收导体12 12)(⑽中的哪一个时，称为接收导体 12X。发送导体1IY是沿指示输入面100S的横向(X轴方向)延伸的直线状(板状)导体。在本例中，发送导体IlY在图2所示的下侧基板16上如图1所示沿传感器部100的纵向(Y轴方向)等距离隔开地排列64个，从而形成发送导体组11。
并且，接收导体12X是沿指示输入面100S的纵向(Y轴方向)延伸的直线状(板状)导体。在本例中，接收导体12X在图2所示的上侧基板17的下侧如图1所示沿传感器部100的横向(X轴方向)等距离隔开地排列1 个，从而形成接收导体组12。上侧基板17的上侧面是通过手指、静电笔等指示体进行指示操作输入的指示输入面100S。下侧基板16与上侧基板17在Z轴方向上以预定的距离相隔。并且发送导体IlY 与接收导体12X也在Z轴方向上隔着预定的距离而相互相对，并且发送导体IlY和接收导体12X的延伸方向相互正交地配置。由于如上所述的结构，多个发送导体IlY和多个接收导体12X分别在本例中在沿 Z轴方向上隔着预定的距离的状态下，在相互正交的方向上交叉。在本说明书中，发送导体 IlY和接收导体12X的交点称为交叉点。指示输入面100S的交叉点的坐标位置成为指示体的指示输入的检测坐标位置。此外，将呈直线状形成的发送导体IlY与接收导体12X正交而配置的情况为例进行了说明，但发送导体IlY以及接收导体12X的形状根据实施方式适当设定。并且发送导体IlY和接收导体12X也可以以正交以外的角度例如倾斜交叉。并且，发送导体IlY与接收导体12X中的至少一个导体还可以由曲线状或同心圆状形成的导体构成。例如，多个发送导体IlY分别形成不同直径的圆形状，并使之呈同心圆状配置，并且通过从上述同心圆呈放射状延伸的直线形状的多个导体形成多个接收导体12X，沿圆周方向以等角度间隔对所述多个直线形状的导体进行配置。并且，电特性上，接收导体12X的宽度比发送导体IlY的宽度狭窄即可。这是因为， 能够通过悬浮电量的减少，降低噪声混入接收导体12X。并且，各发送导体IlY以及接收导体12X的排列间隔(间距)例如均为3. 2mm。此外，发送导体IlY以及接收导体12X的数量以及间距不限于此，可以根据传感器部100的尺寸、所需的检测精度等适当地设定。下侧基板16以及上侧基板17例如使用由透明的合成树脂等构成的薄片状(薄膜状)的基板。上侧基板17由指示体按压时能够向按压方向弹性位移的材料构成。下侧基板16由于没有必要进行弹性位移，因此可以由玻璃基板或铜箔图形基板构成。发送导体IlY以及接收导体12X例如用由银图形、ITOdndium TinOxide 铟锡氧化物)膜构成的透明电极膜或铜箔等形成。发送导体组11以及接收导体组12的电极图形例如如下形成。首先，在例如通过溅射法、蒸镀法、涂敷法等在基板16以及基板17上分别形成由上述材料等形成的电极膜。接着，对所形成的电极膜进行蚀刻，分别形成预定的电极图形的发送导体组11以及接收导体组12。此外，用铜箔形成发送导体IlY以及接收导体 12X时，还可以使用除铜箔蚀刻以外的方法，例如使用喷墨打印机将包含铜粒子的墨吹付到玻璃板等上而形成预定的电极图形。并且，压敏材料由第一电阻体与第二电阻体构成。即，如图2所示，在下侧基板16 上的发送导体IlY上，通过第一电阻体(以下称为发送电阻体)13Y层叠而形成。并且，在上侧基板17的下侧的接收导体12Χ上，通过第二电阻体(以下称为接收电阻体)14Χ层叠而形成。发送电阻体13Υ与接收电阻体14Χ在与指示输入面100S正交的方向上隔开极小的空隙15而设置。
在本例中，在发送电阻体13Y与接收电阻体14X中，在经由空隙15而相对的各面上，如图2所示，形成有极小的凹凸。如下所述，发送电阻体13Y与接收电阻体14X接触的状态下的发送导体IlY与接收导体12X间的电阻值成为与发送电阻体13Y以及接收电阻体 14X的形成有该凹凸的两个相对面的接触面积对应的值。此外，虽然省略了图示，但传感器部100的边缘部的下侧基板16与上侧基板17之间，设置有用于维持空隙15的垫片部件。即，下侧基板16与上侧基板17经由该垫片部件而接合。发送电阻体13Y以及接收电阻体14X为了提高指示体的按压位置(X_Y坐标位置) 的检测灵敏度以及按压力的检测灵敏度，与各发送导体1IY以及接收导体12Χ对应地，形成为由分开的多个构成的发送电阻体以及接收电阻体。S卩，所形成的发送电阻体13Υ如图2(B)所示，覆盖各发送导体11Υ，并且使相邻的发送电阻体13Υ之间通过空隙15Υ分离而成为电独立的状态。通过设置发送电阻体13Υ而覆盖发送导体11Υ，各发送导体IlY和发送电阻体13Υ电连接。同样，所形成的接收电阻体14Χ如图2(A)所示，覆盖各接收导体12Χ，并且使相邻的接收电阻体14Υ之间通过空隙15Χ分离而成为电独立的状态。通过设置接收电阻体14Χ 而覆盖接收导体12Χ，各接收导体12Χ和发送电阻体14Χ电连接。此外，发送电阻体13Υ以及接收电阻体14Χ如图60所示，可以设置在基板16以及基板17的一整面上。但是，由于将发送电阻体13Υ以及接收电阻体14Χ双方设置在基板16 以及基板17的一整面时，检测指示体时的分辨力会下降，因而发送电阻体13Υ与接收电阻体14Χ的任一方最好如上述例形成分开的多个电阻体的结构。发送电阻体13Υ以及接收电阻体14Χ由例如ITOandium TinOxide 铟锡氧化物)、ΑΤ0(氧化锡锑)等透明电阻膜构成。此外，在指示体检测装置1不必配置在显示画面的前表面时，构成发送电阻体13Υ以及接收电阻体14Χ的材料当然不限定于透明的电阻膜材料。本发明的指示体检测装置能将液晶面板等显示装置一体构成，此时传感器部100 重叠设置在液晶面板上。(传感器部100的指示体检测的原理说明图3-图10)在本实施方式中，从发送部200向传感器部100的各发送导体IlY供给如下所述的发送信号。该发送信号作为电压信号供给到发送导体11Υ。该发送信号(电压信号)供给到发送导体IlY与接收导体12Χ之间的静电电容Co。在该静电电容Co上流动着根据指示体的存在与否而变化的电流，该电流流到接收导体12Χ。并且，如下所述，通过指示体向指示输入面100S施加按压力，而使发送电阻体13Υ 与接收电阻体14Χ处于接触状态时，发送电阻体13Υ与接收电阻体14Χ的接触面积根据上述按压力发生变化。并且，通过供给到发送导体IlY的发送信号(电压信号)，与发送电阻体13Υ与接收电阻体14Χ的接触面积对应的电流流向接收导体12Χ。流向接收导体12Χ的电流作为接收信号供给到接收部300。由于接收部300构成信号检测电路，因而将作为电流信号接收的接收信号转换成电压信号，如下所述地得到指示体检测结果。此外，在以下说明的原理说明中，为求简单，假设同一个发送信号依次错开发送定时地供给到64个发送导体IlY1 IlY64的情况。
(从指示体与指示输入面分开的状态到接触的检测静电耦合方式，图3-图5)此时，传感器部100的上侧基板17的表面即指示输入面100S上不存在手指等指示体时，通过供给到发送导体IlY的发送信号(电压信号)，在接收导体12X与发送导体 IlY的交叉点的静电电容Co流通电流。该电流流向接收导体12X，作为接收信号(电流信号)供给到接收部300。由于这在指示输入面100S的所有交叉点中相同，因而在指示输入面100S上不存在手指等指示体时，从所有接收导体UX1 12X128如图4(A)所示向接收部 300供给相同电平(同样的电流值)的接收信号。此外，图4(A)表示流向与任意的一个发送导体IlY交叉的1 个接收导体12 12X128的1 个交叉点的电流即从各接收导体12 得到的接收信号。在指示输入面100S上不存在手指等指示体时，在其他的全部发送导体IlY与1 个接收导体12 12X128的交叉点也同样，如图4 (A)所示，从接收导体12X供给到接收部300接收信号具有相同的电平。另一方面，如图3所示，在指示输入面100S上，作为指示体18的例的手指置于与指示输入面100S分离的附近位置，或置于与指示输入面100S接触的位置而进行指示输入时，在该指示输入位置上，通过指示体18与接收导体12X之间的耦合生成静电电容Cfa， Cfb。于是，在与指示体18的指示输入位置对应的交叉点上，通过发送信号(电压信号)流向静电电容Co的一部分电流通过静电电容Cfa，Cfb消失。S卩，在传感器部100的指示输入面100S上存在指示体18的情况下，如图3所示， 该指示体18的指示输入位置的发送导体IlY不仅与接收导体12X成为静电耦合的状态，还经由指示体18与地面成为静电耦合的状态。在这种状态下，如图3中用箭头所示，根据发送信号从连接在发送导体IlY的发送电阻体13Y出发的电力线不仅通过接收电阻体14X在接收导体12X收敛，其一部分还在指示体18收敛。因此，根据发送信号流向接收导体12X 的电流的一部分经由指示体18向地面分流。其结果，如图4(B)所示，流向指示体18的指示输入位置的接收导体12X上的电流比不存在指示体18时的值ref (作为基准值)减少。通过检测比该基准值ref小的电流变化，检测出从与指示输入面100S分离的位置到接触位置的指示体18的指示输入面100S上的指示输入位置。并且，根据检测发生这种减少的电流变化的交叉点的位置，检测从与指示输入面100S分离的位置到接触位置的指示体18的指示输入位置。对于指示体18的指示输入位置的检测将在后面详细讲述。如上所述，指示体18存在于与指示输入面100S分离的悬停(Hovering)状态到与指示输入面100S接触状态之间的情况下，在本实施方式中通过静电耦合方式检测指示体。在这种静电耦合方式中，从接收导体12X得到的作为电流信号的接收信号在接收部300转换成电压信号。图5是表示在静电耦合方式中的电流-电压转换电路(以下称为 I/V转换电路)的基本结构例的图。即，在静电耦合方式中针对来自接收导体12X的接收信号(电流信号)而设置的 I/V转换电路，如图5所示，在运算放大器51的输入输出端间连接有检测电容器52。此外， 实际上在检测电容器52上并联着用于直流偏压的电阻53。(指示体对指示输入面的按压力的检测电阻膜方式，图6-图8)在上述从指示输入面分离的状态到接触为止，指示体对指示体输入面施加按压力的状态中，发送电阻体13与接收电阻体14处于隔着空隙15隔开的状态，电流不会通过所述发送电阻体13与接收电阻体14流动。因此，在未向指示体输入面100S上施加指示体18 的按压力的状态中，如图7(A)所示，电流不会通过发送电阻体13与接收电阻体14流动，流向接收导体12X电流保持一定(=基准值ref)。如图6所示，从指示体18与指示输入面100S接触的状态，进一步施加按压力时， 被施加该按压力的上侧基板17的部位发生位移，成为该部位的接收电阻体14X与发送电阻体13Y的两个相对面接触的状态。于是，通过供给到发送导体IlY的发送信号(电压信号)，在施加按压力的位置的接收导体12X中，经由通过接触的接收电阻体14X与发送电阻体13Y形成的可变电阻VR的电阻值有电流流动。即，在施加按压力的位置上，从发送导体IlY到接收导体12X中，流入与施加该按压力的部位的接收电阻体14X和发送电阻体13Y接触部分的可变电阻VR的电阻值对应的电流(参照图7 (B))。接收电阻体14X与发送电阻体13Y的接触部分的可变电阻VR的电阻值，其接触面积越大变得越小，流过可变电阻VR的电流是接触面积越大则变得越大。如上所述，发送电阻体13Y与接收电阻体14X接触的面形成有极小的凹凸，指示体18对指示输入面100S的按压力越大，上述凹凸间的空隙越变得没有，而接收电阻体14X与发送电阻体13Y的接触面积则变得越大。因此，指示体18对指示输入面100S施加按压力时，在施加所述按压力的部位上， 电流通过上述可变电阻VR从发送导体IlY流向接收导体12X，其电流量根据按压力而变大。 即，未施加按压力时由于发送电阻体13与接收电阻体14不接触，不会有通过可变电阻VR 的电流，从接收导体12X得到的电流为基准值ref，但施加按压力的发送电阻体13与接收电阻体14 一旦接触，电流通过上述可变电阻VR流动，从接收导体12X得到的电流向比基准值 ref增加的方向发生变化。 通过检测比该基准值ref增加的方向的电流变化，检测通过指示体18对指示输入面100S施加的按压力。并且，通过检测发生比基准值ref增加方向的电流变化的交叉点的位置，检测指示体18对指示输入面100S施加有按压力的指示输入位置。如上所述，对于指示体18对指示输入面100S的按压力的指示输入，通过电阻膜方式完成指示体的检测。电阻膜方式中从接收导体12X得到电流也与静电耦合方式的情况相同，在接收部 300转换成电压。但是，电阻膜方式与静电耦合方式的不同之处在于，用于电流检测的元件不是电容器，而是电阻。图8是表示电阻膜方式的I/V转换电路的基本结构例的图。电阻膜方式中，针对从接收导体12X供给到接收部300的接收信号(电流信号)而设置的I/V转换电路如图8 所示，运算放大器51的输入输出端间连接有检测电阻M。如上所述，在本实施方式中，能够在传感器部100中进行静电耦合方式的指示体检测(包含悬停检测)和电阻膜方式的指示体检测(包含按压检测)。控制电路40根据供给到接收部300的接收信号(电流信号)的变化，判断接收部 300中执行的指示体的检测处理应该选用静电耦合方式或电阻膜方式中的哪一方式执行。 具体来说，控制电路40在从接收导体12X供给到接收部300的接收信号按比基准值ref减少的方向发生电流变化时，控制为接收部300以静电耦合方式进行指示体检测，在从接收导体12X供给到接收部300的接收信号按比基准值ref增加的方向发生电流变化时，控制为接收部300以电阻膜方式进行指示体检测。此外，除了控制电路40，还可以在接收部300 中设置判断单元，用来判断以哪一指示体检测方式执行指示体的检测，控制接收部300中采用哪种指示体检测方式。此外，在本说明书的以下的说明中，将静电耦合方式中的指示体检测模式称为电容性接触(Capacitive touch)检测模式，电阻膜方式中的指示体检测模式称为电阻性接触 (Resistive touch)检测模式。(用于本实施方式的I/V转换电路的结构例)本实施方式中，I/V转换电路有必要形成能够进行上述静电耦合方式与电阻膜方式两种指示体检测方式的结构。以下对能进行静电耦合方式与电阻膜方式两种指示体检测方式的I/V转换电路的结构例进行说明。(第一结构例图9)图9表示用于本实施方式的I/V转换电路的第一结构例。在该I/V转换电路的第一结构例中，通过开关电路55对静电耦合方式与电阻膜方式进行切换。S卩，在该第一结构例中，在运算放大器51的输入输出端之间设置通过来自外部的切换控制信号SWl能够对端子C与端子R进行切换的开关电路55、静电耦合方式的检测电容器52和电阻膜方式的检测电阻M。并且，该开关电路55的端子C侧与运算放大器51的输入输出端之间连接有静电耦合方式的检测电容器52。此外，在检测电容器52连接有直流偏压电阻53。并且，在该开关电路55的端子R侧与运算放大器51的输出端之间连接有电阻膜方式的检测电阻M。在该第一结构例中，指示体检测装置1具备电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式这两个指示体检测模式。并且，根据在控制电路40或接收部300中对以上述的静电耦合方式或电阻膜方式中的哪一指示体检测方式执行指示体检测处理进行判断的判断单元的判断结果生成切换控制信号SWl，并供给到开关电路55。即，控制电路40或接收部300 根据从传感器部100输入的电流信号生成切换控制信号SWl。此外，在电容性接触检测模式中，开关电路55根据该切换控制信号SWl切换到端子C侧，在运算放大器51的输入输出端之间连接检测电容器52。并且，在电阻性接触检测模式中，开关电路55根据切换控制信号SWl切换到端子 R侧，在运算放大器51的输入输出端之间连接检测电阻M。此外，在图9的例中，开关电路55设置在运算放大器51的输入端侧，但也可设置在运算放大器51的输出端侧。(第二结构例图10)该第二结构例是能共用于电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式的I/V转换电路的一例。即，不需要进行与电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式对应的切换的例。图10表示用于本实施方式的I/V转换电路的第二结构例。在该I/V转换电路的第二结构例中，在运算放大器51的输入输出端之间并联连接静电耦合方式的检测电容器 52与电阻膜方式的检测电阻M。此时，如图5所示，在检测电容器52连接有直流偏压电阻53。因此，如果电阻膜方式的检测电阻M是与检测电容器52的直流偏压电阻53相同的电阻值，就不需要设置如第一结构例所示的模式切换的开关电路55。S卩，此时，检测电阻M的电阻值R在将检测电容
器52的静电电容设为C时满足R—l/ jcoC的情况下，I/V转换电路能够成为该第二结构例。在该第二结构例中，基本上不需要电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式的切换。此外，检测以何种检测模式进行指示体检测，并输出该模式检测结果时，与第一结构例相同，在控制电路40或接收部300中判断以哪种检测方式进行指示体检测，并输出该判断结果。(用于检测指示体的指示输入位置(交叉点位置)的结构部分的说明)在本实施方式中，静电耦合方式的指示体检测的情况和电阻膜方式的指示体检测情况下，指示体的指示输入位置的检测的方法采用完全一样的检测处理动作。在各发送导体IlY和各接收导体12Χ的所有交叉点上，执行静电耦合方式的指示体检测与电阻膜方式的指示体检测时，能够进行指示体在哪个交叉点进行了指示输入的位置检测。此时，将一个(一种)发送信号依次供给到所有交叉点的发送导体，并且通过在接收部300对来自发送信号供给到发送导体的交叉点的接收导体的接收信号进行指示体检测，能够检测出指示体的指示输入位置。但是，如此一来，由于对多个交叉点一个一个地执行指示体检测，要想得到指示输入面100S的所有交叉点的指示体检测的结果需要很长时间，因此在实用方面不是优选。另一方面，可以考虑如下结构按发送导体IlY的数量，准备相应数量的发送信号，并在接收部300针对各接收导体12Χ设置I/V转换电路而进行指示体检测。此时，同时向所有发送导体IlY供给能够在接收部300识别的不同的发送信号，并且在接收部300通过各ΙΛ转换电路将来自所有接收导体的接收信号同时转换成电压信号而进行指示体检测。通过在接收部300中同时处理来自多个I/V转换电路的接收信号，能够得到针对指示输入面100S的所有交叉点的指示体检测结果，因而能够非常快速地得到处理结果。但是，如此一来，存在硬件结构变大、成本变高，并且成为大型指示体检测装置的问题。在本实施方式中，鉴于所述问题，发送部200以及接收部300构成为，解决硬件规模变大的问题，并且能够快速得到指示检测结果。S卩，在本实施方式中，发送导体组11的多个发送导体IlY分别分割为由相同数量的多个发送导体IlY构成的多个组，按照各组分配不同的发送信号。在以下说明中，将由多个发送导体IlY构成的组称为发送块。作为不同的发送信号，如下所述，在本实施方式中， 使用代码不同的扩频码。在本实施方式中，同步并同时向从分别包含于多个发送块中的多个发送导体IlY 选择的一个发送导体IlY供给上述不同的发送信号。并且，在各发送块上，切换选择的一个发送导体，反复进行同步并同时向切换后的各发送导体IlY供给按照各发送块各不相同的发送信号的动作。结束向发送块内的所有发送导体IIY供给发送信号时，返回选择在该发送块内最初选择的发送导体IlY的状态，并反复进行以上的处理。
由此，在各接收导体12X中，与来自多个发送块的不同发送信号(电压信号)对应的电流按照多重状态流动。并且，如下所述，接收部300构成如下结构能够与发送信号的发送定时同步地检测来自各接收导体12X的各电流信号。S卩，由于在本实施方式中，作为发送信号使用代码不同的扩频码，因而在接收部 300中，同时并列地检测不同的各扩频码的相关值。并且，通过根据检测出的相关值检测流过接收导体12X的电流变化，得到指示体在指示输入面100S上的哪一交叉点上指示输入的检测输出。控制电路40为了实现在如上所述的发送部200以及接收部300进行的动作，与各发送块内的多个发送导体IlY的上述切换定时同步地，对接收部300的接收导体12X的切换定时进行控制。通过如上所述的结构，将发送块的数量设为N(N为大于2的整数)时，能够以依次查询所有交叉点时的N倍的速度(处理时间是1/N)进行指示体检测处理。(发送部200的结构例图11-图13)为了实现上述功能，本实施方式的发送部200具备发送信号供给电路21、发送导体选择电路22和时钟产生电路23。在本实施方式中，如图11所示，64个发送导体IlY1 IlY64分割成例如每4个构成一个块的16个发送块TB1 TB16。因此，发送信号供给电路21须生成16个不同的发送信号，但在本例中，作为发送信号使用16个不同的扩频码。此外，作为不同的扩频码，能够将一个扩频码按照一码片量或多个码片量地错开相位而使用。特别在本例中，与发送块数量相应地，如图12所示，考虑使用16行X16列的哈达玛矩阵，并将构成该哈达玛矩阵的各行(各列也一样)的16码片的哈达玛码用作16个扩频码C1 C16。所述16个哈达玛码是具有相互正交关系的代码串。本例的发送信号供给电路21如图11所示，由16个扩频码生成电路2101、 2102、· · · ,2116构成。扩频码生成电路2101,2102, · · · ,2116分别生成由相互正交的哈达玛码构成的扩频码(^、C2.....C16。从时钟产生电路23分别向扩频码生成电路2101、2102.....2116输入时钟信号
CLK。此外，从时钟产生电路23输出的时钟信号CLK作为定时信号也输入到控制电路40。各扩频码生成电路2101、2102.....2116根据控制电路40的控制，与从时钟产生
电路23供给的时钟信号CLK同步地按每一码片输出扩频码Cp C2.....C160在本例中，通
过各扩频码生成电路2101、2102.....2116分别按照时钟信号CLK的每一周期生成扩频码
的一码片的数据，在时钟信号CLK的16周期，分别生成由16码片PN1IN2.....PN16构成的
扩频码C1, C2、. . .、C16。即，该扩频码生成电路2101、2102、. . .、2116按照时钟信号CLK的每16周期，分别周期性地反复生成16码片PR、PN2.....PN16的扩频码Q、C2.....C160此外，在以下说明中，为了方便，将作为时钟信号CLK的16周期的16码片PN1, PN2.....PN16称为扩频码Q、C2.....C16的1周期。扩频码生成电路2101、2102.....2116将生成的扩频码C”C2.....C16供给到发送
导体选择电路22。此外，该发送信号供给电路21可以通过提前在由ROM等构成的非易失性存储器中保存扩频码Cp C2.....C16的数据，控制所述非易失性存储器的读出地址，输出多个扩频码
Cl、C2 Λ . . .、C-^g O发送导体选择电路22如图11所示，由与16个发送块TB1 TB16分别对应的16个开关电路2201 2216构成。开关电路2201 2216分别形成单输入四输出的开关电路。 在所述各开关电路2201 2216中输入有来自对应的各扩频码生成电路2101 2116的扩
频码Q、C2.....C160并且，各开关电路2201 2216将构成对应的各发送块TB1 TB16的
4个发送导体IlY中的一个发送导体选择性地连接到前级扩频码生成电路2101 2116，而供给扩频码。开关电路2201与发送块TB1对应，作为供给输入到该开关电路2201的扩频码C1 的发送导体，对发送块TB1W四个发送导体IIYiUIY2UIY3UIY4逐个依次进行切换。并且， 开关电路2202与发送块TO2对应，作为供给输入到该开关电路2202的扩频码C2的发送导体，对发送块TB2的四个发送导体11Y5、11Y6、11Y7、11Y8逐个依次进行切换。其他各开关电路2203 2216也相同，作为供给输入到各自中的扩频码的发送导体，对对应的各发送块 TB3 TBm内的4个发送导体逐个依次进行切换。在所述开关电路2201 2216中，从控制电路40供给切换控制信号SW2。控制电路40从时钟信号CLK生成该切换控制信号SW2。控制电路40作为将扩频码的一周期即时钟信号CLK的16周期设为一周期的脉冲信号，生成切换控制信号SW2。开关电路2201 2216根据该切换控制信号SW2，按照时钟信号CLK的每16周期， 切换供给扩频码的发送导体11Υ。即，开关电路2201 2216根据切换控制信号SW2结束各自向选择中的发送导体IlY供给由16码片构成的扩频码的1周期量后，切换到下一个发送导体11Υ。图13表示此时的开关电路2201 2216的切换动作例。在图13的例中，通过开关
电路2201 2216最初选择16个发送导体IlY4UlY8.....IlY60UlY640并且，向通过该开
关电路2201 2216选择的发送导体1IY4、1IY8.....1 IY6tl、1IY64供给各扩频码C1、C2.....
C15、C160在这种状态下，经过始终信号CLK的16周期量时，各扩频码Cp C2.....C15, C16的
一周期量结束向16个发送导体11Y4、1 IY8.....IlY6tlUH64供给。并且，此时通过切换控制
信号SW2，各开关电路2201 2216将选择的发送导体IlY切换成在本例中索引号码变小的相邻的发送导体。并且，通过开关电路2201 2216选择各发送块TB1 TB16内的最小索引号码的
发送导体Yp Y5.....Y57以及Y61，进行扩频码C1 C16的供给后，再通过开关电路2201
2216选择各发送块内的最大索引号码的发送导体11Y4、Y8.....Υ6(Ι、Υ64。上述切换动作在各
发送块内反复进行，从而对所有发送导体IlY供给扩频码C1 C16。如上所述，在发送部200中，在多个发送块同步地完成发送导体IlY的切换，从而同时向多个发送导体IlY供给按照发送块不同的多个扩频码。因此，能使发送信号供给到传感器部100的所有发送导体的时间为按照每一个发送导体供给发送信号时的发送块的数量分之一，因而能缩短对传感器部100的所有发送导体的供给时间。并且，与针对所有发送导体IlY准备不同的发送信号的情况相比，虽然将发送信号供给到传感器部100的所有发送导体的时间变慢，但能够使作为发送信号的多个扩频码为发送块的数量分之一，因此能够相应地缩小成比较小的电路规模。此外，开关电路2201 2216的切换动作的顺序不限于上述例。例如，在各发送块内的发送导体IIY的切换按照扩频码的每一周期进行，但可以按照扩频码的多个周期进行。并且，扩频码可以按照与发送块内的发送导体数量相应的时钟信号CLK的每周期生成一码片，并且各发送块内的发送导体IlY的切换可以按照时钟信号CLK的每一周期进行。(接收部300的结构例图14-图22)接收部300将从各接收导体12X得到的接收信号(电流)放大，并且通过检测上述电流变化的信号处理，进行指示体检测。在这里，如果针对从各接收导体12X得到的接收信号依次进行上述信号处理，直到结束需要很长时间。所以，可以考虑在各接收导体12X设置进行上述信号处理的专用的处理电路，并同时对所有接收信号进行信号处理而实现高速化。但是，如此一来存在电路规模及费用的问题，所以不现实。因此本实施方式中，在接收部300中，多个接收导体12X共用处理电路，缩小电路规模。即，将接收导体组12的多个接收导体12X分别分割成由相同数量的多个接收导体 12X构成的多个组，针对各组设置放大器以及I/V转换电路等。在以下说明中，将由多个接收导体12X构成的组称为检测块。 在本例中，构成接收导体组12的多个接收导体12 12)(⑽如图14所示，每8个构成一个块而分割成16个检测块DB1 DB16。并且，从16个检测块DB1 DB^的各块中所包含的8个接收导体12X依次切换选择一个接收导体12X而执行接收部300的处理。根据以上结构，与逐个依次处理来自所有接收导体12X的接收信号的情况相比，能够以检测块数量分之一的处理时间进行对所有接收导体12X的处理，从而提高处理速度。接收部300如图1所示包括接收导体选择电路31、放大电路32、A/D(Analog to Digital)转换电路33和位置检测电路34。位置检测电路34构成根据来自A/D转换电路 33的输出得到指示检测输出的检测单元。本实施方式中，由于发送信号使用相互不同的多个扩频码，因而，位置检测电路34由用于检测所述代码相互不同的多个扩频码的运算处理电路35和输出指示体检测输出的输出电路36构成。后面详细讲述相关值运算电路35。输出电路36根据相关值运算电路35检测的相关值输出，得到与指示体的指示输入位置以及悬停状态或按压力对应的输出，并作为指示体检测装置1的输出信号进行发送。(接收导体选择电路31的结构例图14、图15)在本实施方式中，如上所述，构成接收导体组12的多个接收导体12 12&双分割为每8个构成一个块的16个检测块DB1 DB16。并且，接收导体选择电路31如图14所示，具备与16个检测块DB1 DB16对应的 16个开关电路3101 3116。各开关电路3101 3116是8输入1输出的开关电路。向所述各开关电路3101 3116输入有来自对应的各检测块DB1 DBni的8个接收导体12X的接收信号。并且，各开关电路3101 3116选择对应的各检测块DB1 DB16的8个接收导体12X中的一个，连接到后级放大电路32的I/V转换电路3201 3216而供给接收信号。具体地说，开关电路3101与检测块DBjf应，逐个依次切换该检测块DB1的8个接收导体12)^12 .....12&。并且，开关电路3102与检测块对应，逐个依次切换该检测块DB2的8个接收导体12X9U2X10, · · · U2Xieo其他各开关电路3103 3116也相同，逐个依次切换对应的各检测块D DBm的8个接收导体。向所述开关电路3101 3116，从控制电路40供给切换控制信号SW3。控制电路 40根据时钟信号CLK生成该切换控制信号SW3。控制电路40作为将时钟信号CLK的16X4 周期(扩频码的4周期)设为1周期的脉冲信号，生成切换控制信号SW3。开关电路3101 3116通过该切换控制信号SW3，按照时钟信号CLK的每个16X4 周期切换选择的接收导体12X。即，各开关电路3101 3116每次结束对所有发送导体IlY 供给16种扩频码时，将对应的检测块 DBni的接收导体切换到下一个接收导体12X。并且，来自各开关电路3101 3116的输出信号S1 S16供给到放大电路32。图15表示此时的开关电路3101 3116的切换动作。在该图15的例中，开关电路3101、3102、. . .、3116最初选择16个接收导体12&、12X9、. . .、12X121，将在所述接收导体 12X^12X9.....12X121得到的接收信号作为输出信号Sp &.....S16输出到放大电路32。在这种状态下，时钟信号CLK的16X4周期经过时，各扩频码。C2.....C15, C16
的1周期结束对所有发送导体IlY的供给。并且，此时通过切换控制信号SW3，各开关电路 3101 3116将接收导体IlX切换到选择索引号码变大的相相邻收导体的状态。并且，根据开关电路2201 2216选择各检测块DB1 DB16内的最大索引号码的
接收导体12X8、12X16.....12X120以及12X128，进行扩频码C1 C16的供给后，再次通过开关
电路3101 3116选择各检测块内最小索引号码的接收导体m”12X9.....12Xmo通过
在各检测块内反复进行上述切换动作，能够得到来自所有接收导体12X的接收信号。如上所述，来自从接收导体选择电路31的各开关电路3101 3116得到的检测块
DBl DB16内的每一个接收导体12X的接收信号(电流信号)作为输出信号S1, S2.....
S16输出到放大电路32。此外，在开关电路3101 3116中，未被选择的接收导体12X优选连接在任意的基准电位或地面。如此，在开关电路3101 3116中，通过将未被选择的接收导体12X连接到任意的基准电位或地面，能够使未被选择的接收导体12X避免噪声，因而能提高耐噪声性。 并且，还能减少发送信号的返回。此外，接收导体12的切换动作顺序不限定于上述例。在后面对其变形例进行详细讲述。(放大电路32的结构例图14)放大电路32由与各检测块DB1-DBni对应的16个I/V转换电路3201、3201、...、 3216构成。在本实施方式中，作为各I/V转换电路3201 3216，将图9所示的电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式，通过开关电路阳切换检测电容器52和检测电阻M的结构作为例进行说明。此外，在图14中，虽然只对I/V转换电路3201表示了其内部电路，但由于其他它各I/V转换电路3202 3216的内部电路也与I/V转换电路3201的内部电路完全相同，因此省略了图示。来自接收导体选择电路31的输出信号S1、S2.....S16分别供给到放大电路32的
对应的用于检测块的各 /v转换电路3201,3202.....3216。各I/V转换电路3201 3216从接收导体选择电路31的各开关电路3101 3116 将各检测块DB1-DBni的输出信号(电流信号)S1A2.....Sni转换成电压信号并放大而输出。在该I/V转换电路3201 3216转换成电压信号的输出信号S1, S2.....S16输入到A/
D转换电路33。本实施方式的指示体检测装置1包括电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式，控制电路40进行该模式的管理以及模式切换控制。控制电路40如下所述，根据来自接收部300的信息，判定以电容性接触检测模式和电阻性接触检测模式的哪个检测模式检测指示体，并根据其判定结果生成模式切换控制信号SWl。并且，控制电路40将生成的模式切换控制信号SWl供给到各I/V转换电路3201 3216的开关电路55而进行模式切换。(A/D转换电路33的结构例图16)A/D转换电路33具备检测块数即16个A/D转换器3301 3316。在I/V转换
电路3201 3216转换成电压信号的输出信号Sp S2.....S16供给到各A/D转换器3301、
3302、...、3316，并以时钟信号CLK的定时进行采样。并且，各A/D转换器3301、3302、...、 3316将各采样值转换成η位(η是2以上的整数)例如8位的数字采样数据而输出。由A/D转换电路33输出的输出信号SpS2.....S16的数字采样数据供给到位置检
测电路34的运算处理电路35。因此，该数字采样数据成为与供给到传感器部100的发送导
体IlY的扩频码的各码片对应的信号。但是，在得到各输出信号S”S2.....S16各接收导体
12Χ中，16种扩频码同步并同时供给到16个发送导体IlY而得到的电流以多重模式流动，
因而与扩频码的各码片对应的输出信号S1A2.....S16的数字采样数据由16种扩频码的各
码片值合成(相加)而成。此外，A/D转换电路33除了由16个A/D转换器3301 3316构成以外，还可以用一个或16以外的多个A/D转换器实施。(位置检测电路34的结构例图16)位置检测电路34构成根据从A/D转换电路33供给的数字采样数据进行指示检测的检测单元。由于该位置检测电路34将代码相互不同的多个扩频码用作发送信号，因而由用于检测所述代码相互不同的多个扩频码的运算处理电路35和输出指示体检测结果的输出电路36构成。在后文详细说明运算处理电路35。输出电路36根据运算处理电路35的相关值运算电路3501 3516检测的相关值，得到与指示体的指示输入位置以及悬停状态或按压力对应的输出，并作为指示体检测装置1的输出信号进行输出。运算处理电路35由检测块数即16个相关值运算电路3501、3502.....3516构成，
输出信号Si、S2.....S16的数字采样数据分别供给到各相关值运算电路3501、3502.....
3516。下面将对相关值运算电路3501、3502.....3516进行详细讲述，具备用于分别保
存与各扩频码的一周期对应的输出信号Si、S2.....S16的数字采样数据的移位寄存器。并
且，输出信号Si、S2.....S16的数字采样数据与时钟信号同步地在相关值运算电路3501、
3502.....3516的各移位寄存器上按照扩频码的每一周期进行保存。并且，相关值运算电路3501、3502.....3516对保存在移位寄存器上的输出信号
S1^S2.....S16的数字采样数据和相关值运算用代码进行相关运算，并输出两者的相关值。并且，在各相关值运算电路3501、3502.....3516计算出的相关值供给到输出电路36。该输出电路36由存储电路36M和位置计算电路361构成。输出电路36将在各相
关值运算电路3501、3502.....3516计算出的相关值写入存储电路36M并暂时保存。并且，
存储在存储电路36M的相关值供给到位置计算电路361。位置计算电路361根据存储电路 36M的相关值数据生成并输出预定的输出模式的输出数据。对于输出电路36的处理以及输出数据将在下面进行讲述。(位置计算电路361的例)位置计算电路361对存储在存储电路36M上的所有相关值和基准值ref进行比较，检测得到不同于该基准值ref的相关值的交叉点。S卩，位置计算电路361检测得到不同于基准值ref的相关值的交叉点时，从存储所述相关值的存储电路36M的地址位置检测对应的交叉点的坐标位置。如此，由于位置计算电路361能够通过对各相关值和基准值ref进行比较，分别对各交叉点进行指示体检测，因而在同时对指示输入面100S进行多个指示体的指示输入时，也能够同时检测所述多个指示体。例如，用10个手指同时触摸指示输入面100S时，位置计算电路361能够检测这所有 10个手指的输入指示位置。并且，例如在张开手指使之横跨多个交叉点地接触指示输入面时，能够在这种多个交叉点上得到表示指示体检测的相关值。因此，位置计算电路361能得到与手指的指示输入状态对应的指示体检测结果。此外，得到不同于基准值ref的相关值的交叉点有多个，又都相邻的情况下，作为指示体检测输出还可以计算这些多个交叉点所占的面积。并且，位置计算电路361根据存储在存储电路36M中的相关值中是否存在超过基准值ref的相关值，判定存储在该存储电路36M的相关值是根据电容性接触检测模式得到的指示体检测结果还是根据电阻性接触检测模式得到的指示体检测结果，这种判定结果例如作为标记输出。因此，如果输出的标记表示电容性接触检测模式，则表示指示体与指示输入面100S分开或接触的状态。并且，如果输出的标记表示电阻性接触检测模式，则表示指示体按压指示输入面100S的状态。并且，位置计算电路361在存储在存储电路36M的相关值小于基准值ref时，即判定为存储在存储电路36M的相关值是电容性接触检测模式的指示体检测结果时，在本实施方式中，还进行悬停状态的检测。并且，位置计算电路361在存储在存储电路36M的相关值大于基准值时，即判定为存储在存储电路361M的相关值是电阻性接触检测模式的指示体检测结果时，还进行指示体的按压力检测。(发送导体以及接收导体切换定时的例的说明图17)下面参照图17对发送导体IlY的切换定时以及接收导体12X的切换定时进行说明。如上所述，分别由16码片构成的16种扩频码C1 C16以时钟信号CLK(参照图 17(B))的16周期同步生成。发送导体选择电路22的开关电路2201 2216根据控制电路 40的切换控制信号SW2(参照图17(C))，按照该时钟信号CLK的每16周期进行切换。16个扩频码C1 C16根据所述开关电路2201 2216的切换，同步且同时供给到 16个发送块TB1 TB16各自的一个发送导体。并且，16个扩频码C1 C16以时钟信号CLK的16X4周期供给到16个发送块TB1 TBni各自内的所有4个发送导体11Y。即，16种扩频码C1 C16以时钟信号CLK的16X4周期供给到传感器部100的所有发送导体11Y。即，16个扩频码C1 C16在从16个检测块DB1 DB16各自的一个接收导体得到输出信号的时钟信号的CLK16X4周期的期间，供给到所有发送导体11Y。并且，通过在16个检测块DB1 DB16各自中选择的一个接收导体按照时钟信号CLK的每16 X 4周期进行切换， 扩频码C1 C16供给到传感器部100的所有发送导体11Y。并且，反复以上动作。另一方面，在接收导体选择电路31中，各开关电路3101 3116通过来自控制电路40的切换控制信号SW3(参照图17(A))，按照时钟信号CLK的每16X4周期进行切换。 如图17(A)所示，能够通过该开关电路3101 3116的切换在时钟信号CLK的16X4周期的期间，从16个检测块DB1 DBm各自的一个接收导体得到接收信号。同步且同时供给该扩频码C1 C16的时钟信号CLK的16周期即在扩频码的一周期期间，对来自由接收导体选择电路31选择的各接收导体的16个输出信号S1 S16分别通过各A/D转换器3301 3316以时钟信号CLK的定时进行采样，其采样值转换成数字采样数据。并且该数字采样数据并列地写入相关值运算电路3501 3516的各移位寄存器(参照图 17(D))。根据如上所述的发送导体IlY以及接收导体12X的选择切换控制，能够减少接收导体12X的选择切换控制次数，减少有可能重叠到来自接收导体12X的输出信号的切换时的噪声。(相关值运算电路3501 3516的结构例图18-图19)接着，对相关值运算电路3501 3516的结构例进行说明。由于16个相关值运算电路3501 3516具有相同的结构，因而在这里仅以进行输出信号Sl的相关值运算处理的相关值运算电路3501的情况为列，参照图18对其结构例进行说明。相关值运算电路3501根据控制电路40的控制，计算从A/D转换器3301输出的输出信号S1的数字采样数据和16个扩频码Cl C16的相关值。该相关值运算电路3501如图1所示，连接到A/D转换电路33、控制电路40和输出电路36。并且，该相关值运算电路3501具备构成信号延迟用的缓冲电路的移位寄存器
35a;数量与扩频码Ck(k = 1，2，...，16)数量相同(16个)的相关器351^3^^351^.....
3恥16 ；向各相关器35b1,35b2,35b3>. · ·、35b16供给相关值运算用代码Ck，(k = 1，2，· · .，16) 的相关值运算用代码生成电路35ci、35c2、35c3.....35c16、35c16 ；和相关值存储电路35d。移位寄存器3 是暂时保存从A/D转换器3301输出的数字采样数据，并将这种保存的数据同时供给到各相关器35bi 的电路。该移位寄存器3 由与扩频码Ck的代码长度(码片数)相同数量(16个)的D-触发电路 35β1λ35β2λ35β3λ. . .、35a15、35a16 构成。该D-触发电路35a 16、35a<i5、35a<i4、· · ·、35a3、 35a2,35ai构成移位寄存器3 各级的数据锁存电路，按照该顺序从A/D转换电路33侧串联
连接。此夕卜，各D-触发电路35a16、35a15......35 在图18中为求简单仅图示了一个D-触
发电路，但实际上，由来自A/D转换器3301的数字采样数据的位数的D-触发电路构成。并且，该D-触发电路35a16 35 各自的输出端子连接到相邻的下一级D-触发电路(例如D-触发电路35a16, D-触发电路35a15)和相关器351^ 35b16。即，来自D-触发电路35 的输出信号输入到所有相关器35bi 3恥16中。
构成移位寄存器35a的各级的D-触发电路35 3 各自的输出如上所述是与扩频码的各码片数据对应的输出信号S1的数字采样数据。以下，分别将来自16个D-触发电路:35 的16码片的输出信号称为PSpPS^PS.....PS15^PS160各相关器35bi 是计算输出信号S1和扩频码Ck的相关值的电路。即各相关器35bi 35b16对从构成移位寄存器3 的各D-触发电路35 35a16输出的输出信号 S1的数字采样数据PS1 PSm和从各相关值运算用代码生成电路35Cl 35c16输入的相关值运算用代码C/ C16’的各码片进行乘法运算，计算输出信号S1和扩频码Ck的相关值。各相关值运算用代码生成电路35Cl 35q6是用于使各相关器351^ 3恥16进行相关运算时所使用的各相关值运算用代码C/ C16’供给到各相关器35bi 35b16的电路。 各相关值运算用代码生成电路35Cl 35c16连接到相关器35bi 3恥16中的对应的相关器。相关值运算用代码C/ C16’是与作为发送信号的扩频码C1 C16对应的代码， 使用特殊的代码串例如哈达玛码时，能够利用来自发送信号供给电路21的扩频码C1 C16。 此时，相关值运算用代码生成电路35Cl 35c16形成接收来自接收发送信号供给电路21的各扩频码生成电路2101 2116的扩频码C1 Q6的寄存器的结构。并且，从各扩频码生成电路2101 2116输出的扩频码C1 C16以时钟信号CLK的定时，作为相关值运算用代码C1， C16’写入所述寄存器的结构的相关值运算用代码生成电路35Cl 35c16。 此外，与各扩频码生成电路2101 2116相同，相关值运算用代码生成电路35Cl 35c16由ROM等构成，能生成与扩频码C1 C16对应的相关值运算用代码C/ C16’。以下将各相关值运算用代码C1 ’ C16’的16码片的数据称为生成码(Generation code) PN1', PN2 \ PN3 . ·、PN15，、PN16，。各相关器35bi 3恥16按照向移位寄存器3 写入扩频码的一周期的数字采样数据PS1 PS16的定时(参照后文说明的接收负荷信号Srltjad)开始进行相关运算。并且，相关器35bi对来自各D-触发电路35 35a16的输出信号PS1 PS16和相关值运算用代码C/的PN/ PN16'进行相同码片之间的乘法运算后再相加而计算相关值。 同样，相关器35 对各D-触发电路35 35a16的输出信号PS1 PS16和相关值运算用代码C2’的PN/ PN16'进行相同的码片之间的乘法运算后再相加而计算相关值。以下同样， 在16个相关器35bi 3恥16，对输出信号S1的数字采样数据PS1 PS16和相关值运算用代码C1 ’ C16’的生成码PN/ PN16'进行相同的码片之间的乘法运算再相加而计算相关值。 并且，相关器35bi 将计算的相关值输出到相关值存储电路35d。并且，在各相关器35bi 3恥16，如果进行保存在移位寄存器35a的输出信号S1的数字采样数据和相关值运算用代码C/ C16’的相关运算，则得到输出信号S1的接收导体上不存在指示体18时能得到一定值的相关值，并且，得到输出信号S1的接收导体上存在指示体时能得到不同于该一定值的相关值的值的相关值。相关值存储电路35d是用于暂时存储在相关器35bi 35b16进行相关运算得到的相关值的存储部。该相关值存储电路35d由与相关器35bi 相同数量的多个寄存器 35屯 35d16构成。如图11所示，各发送块TB1 TBni由4个发送导体IlY构成。由于发送块TB1 TB16的每一个发送导体IlY在开关电路2201 2216进行切换，因而64个发送导体组11由扩频码C1 C16同步且同时供给的16个发送导体IlY的组4组构成。
并且，如图17的说明，这4组发送导体IlY通过开关电路2201 2216按照扩频码的每1周期进行切换。因此，以扩频码的4周期，对所有4组发送导体IlY供给扩频码因此，对来自1个接收导体12X的接收信号进行相关运算时，得到分别由16个发送导体IlY构成的位置相互不同的4组发送导体IlY的4个相关值。并且，与之对应地，构成相关值存储电路35d的16个寄存器35屯 35d16各自具备4个区域。这4个区域中存储对位置相互不同的4组的各16个发送导体IlY得到的相关值。输出电路36的位置计算电路361根据存储在存储电路36M的相关值进行指示体的位置检测或按压力检测、悬停状态检测等，从而生成并输出数据。接着，参照图19的时序图对各相关值运算电路3501 3516的数据处理进行说明。在这里，图19 (A)是从时钟生成电路23产生的时钟信号CLK的信号波形。该时钟信号CLK的一周期相当于扩频码Ck的1码片长度。图19(B)是表示传感器部100的所有交叉点的搜索的开始定时的开始信号ST。控制电路40使该开始信号ST在相当于传感器部100的所有交叉点的指示体检测结束为止的区间的周期，与钟信号CLK同步地反复生成。即，由于进行对所有交叉点的搜索所需时间相当于对一个发送导体IlY供给扩频码的所需时间(时钟信号CLK的16周期)、构成各发送块TB1 TB16的发送导体的数量、和构成各检测块DB1 DBm的接收导体的数量相乘的值， 因而，控制电路40按照时钟信号CLK的16X4X8周期反复生成开始信号ST。图19(C)是从控制电路40供给到发送导体选择电路22以及接收导体选择电路31 的发送负荷信号Stlrad的信号波形。该发送负荷信号Mlrad是周期设定成扩频码Ck的代码长度(扩频码Ck的1周期=时钟信号CLK的16周期)的脉冲信号。控制电路40生成最初的发送负荷信号Mltjad晚于开始信号ST，晚时钟信号CLK的1周期量，然后按照扩频码Ck 的每一周期反复生成。图19⑶是从控制电路40供给到相关值运算电路35的接收负荷信号Mltjad的信号波形。该接收负荷信号Mltjad是周期设定成扩频码Ck的代码长度(扩频码Ck的1周期= 时钟信号CLK的16周期)的脉冲信号。控制电路40输出接收负荷信号Stlrad晚于发送负荷信号StlMd，晚时钟信号CLK的一周期而进行输出。图19 (E)是从发送信号供给电路21对发送导体IlY发送的扩频码Ck的发送输出的时序图。图19 (F)是在各相关值运算电路3501 3516的移位寄存器3 设置的16码片的
输出信号(PSpP^.....PS16)的时序图。并且，图19(G)是在移位寄存器3 设置的输出信
号相乘并相加的相关值运算用代码Ck’的生成码(PN1', PN2'.....PV )。此外，图19(G)
是各相关值运算电路3501 3516的相关值输出的时序图。输入从时钟产生电路23输出的时钟信号CLK(参照图19(A))时，控制电路40将与该时钟信号CLK同步地生成开始信号ST，并供给到位置检测电路34的输出电路36。并且，控制电路40在比开始信号ST延迟时钟信号CLK 一周期的定时生成发送负荷信号StlMd(参照图19(C))，与该发送负荷信号Mltjad的产生定时同步地生成扩频码的每一周期的切换控制信号SW2，并供给到发送导体选择电路22。并且，控制电路40与该发送负荷信号Mlrad的产生定时同步地生成将开始信号ST的产生定时作为基准的扩频码的每4 周期的切换控制信号SW3，并供给到接收导体选择电路31。并且，控制电路40在发送负荷信号乂-d生成的1时钟周期后，生成接收负荷信号 (参照图19(D))，并分别供给到位置检测电路34的运算处理电路35的相关值运算电
路 3501 3516。相关值运算电路3501 3516根据接收负荷信号Stlrad的定时执行上述相关运算并将相关值输出到输出电路36。输出电路36的存储电路36M，根据来自控制电路40的时钟信号CLK以及接收负荷信号Stltjad的定时，将从各相关值运算电路3501 3516输出的相关值存储在存储电路36M 的预定地址中。预定地址是指按照各交叉点而确定的存储电路36M上的地址。发送导体选择电路22，在发送负荷信号StlMd为高电平，且以时钟信号CLK的上升定时(图19中的时刻O开始向16个发送导体IlY供给16种扩频码(^ (16。并且，发送导体选择电路22通过开关电路2201 2216根据切换控制信号SW2进行切换，切换供给扩频码C1 Q6的16个发送导体11Y。在这里，切换控制信号SW2的开关电路2201 2216 的切换时刻是发送负荷信号Mlrad为高电平，且时钟信号CLK的上升定时(例如，图19中的时刻t2以及时刻t4)。在通过发送导体选择电路22选择的各发送导体IlY中，以时钟信号CLK的上升定时供给扩频码C1 C16的第η码片的代码。S卩，在时刻、，各扩频码C1 C16的第1码片的代码供给到发送导体11Y。之后，按照时钟信号CLK的每1时钟，第2码片、第3码片...， 扩频码C1 C16的第η码片的代码供给到发送导体11Υ(参照图19(E))。并且，由于在下一个发送负荷信号StlMd的高电平的定时，且时钟信号CLK的第17 个上升定时，结束对选择的16个发送导体IlY供给扩频码C1 C16，因而，发送导体选择电路22在该定时将选择的发送导体IlY切换成下一个发送导体11Y。之后，同样地，发送导体选择电路22在发送负荷信号StlMd的上升定时切换发送导体11Y。并且，发送导体选择电路22在输入发送负荷信号Mltjad的第4个脉冲时，将回到最初重复上述切换动作。另一方面，接收导体选择电路31，在最初的发送负荷信号StlMd为高电平，且时钟信号CLK的上升定时，最初选择进行接收的16个接收导体12X(图14的方式)。之后，接收导体选择电路31通过在发送负荷信号Stltjad的脉冲每发生4次时，开关电路3101 3116 根据切换控制信号SW3进行切换，切换选择的16个接收导体12X。并且，接收导体选择电路31在发送负荷信号Mlrad的第33个脉冲为高电平，且时钟信号CLK的上升定时，回到最初的选择切换状态(图4状态)，并重复上述切换动作。此外，可以将切换控制信号SW3的切换周期设为时钟信号CLK的16X4+m周期(m 自然数)，设置1时钟的剩余期间，以防由于接收导体选择电路31的开关电路3101 3116 进行切换时过渡现象而产生噪声。通过接收导体选择电路31从16个接收导体12X得到的接收信号在放大电路32 放大信号电平，在A/D转换电路33的各A/D转换器3301 3316以时钟信号CLK的上升定时转换成数字采样数据并进行输出。并且，从各A/D转换器3301 3316输出的数字采样数据输入到对应的各相关值运算电路3501 3516。数字采样数据如上所述，从各相关值运算电路3501 3516的移位寄存器3 初级的D-触发电路35 依次进行输入(参照图19(F))。并且，在接收负荷信号Srlrad的脉冲为高电平，且时钟信号CLK的上升定时(在图 19上时刻t3)，输出信号PS1 PS16 (参照图18)在各相关值运算电路3501 3516的移位寄存器3 设置。因此，在该定时中，相关器35bi 3恥16成为供给有输出信号PS1 PS16 的状态。另一方面，在各相关值运算电路3501 3516中，同样地，从接收负荷信号Srltjad的脉冲为高电平，且时钟信号CLK的上升定时(在图19上时刻t3)开始，16种相关值运算用代码C/ C16’的各生成码PN/ PN16'(参照图19(G))从相关值运算用代码生成电路 35Cl 35c16供给到相关器35b! 35b16。各相关器35bi 在该接收负荷信号Srlrad为高电平，且时钟信号CLK脉冲的上升定时，执行该相关值运算用代码C/ C16’的各生成码PN/ PN16'和在移位寄存器 35a设置的输出信号PS1 PSni的相关运算。并且，各相关值运算电路3501 3516的相关器351^ 将各运算结果的相关值暂时存储在相关值存储电路35d的寄存器35屯 35d16(在参照图19(H))。并且，暂时存储在相关值存储电路35d的寄存器35屯 35屯6中的相关值存储在输出电路36的存储电路36M。(相关器35b! 35b16的结构例图20)接着，参照图20对相关器35bi 的结构例进行详细讲述。相关器351^ 35b16具有完全相同的结构，图20表示其中一个相关器35bi的结构例。相关器35b!如图20所示由16个乘法器35f\、35f2、. · ·、35f16和加法器35g构成。 在本实施方式中，设置16个乘法器35f\ 35f\6是为了求16码片的扩频码Ck的相关。因此，乘法器的数量根据扩频码Ck的码片数量所设置的数量不同。在各乘法器35f\ 35f16中，供给来自移位寄存器3 各级的输出信号PS1 PS16 和相关值运算用代码Ck’的各生成码PN/ PN16'。各乘法器35f\ 35f16对相同的码片位置之间的信号进行乘法运算得到乘法信号。在乘法器35f\ 35f16计算的乘法信号供给到加法器35g。加法器35g对从乘法器35f\ 35f16供给的乘法信号进行加法运算得到相关值。该相关值存储在相关值存储电路35d的寄存器35屯(参照图18)上。此外，根据使用的代码，乘法器35f\ 35f\6可以使用加法器或减法器。(控制电路40的检测模式控制和输出电路36的位置检测处理)如上所述，存储电路36M中暂时存储传感器部100的所有交叉点的相关值，但控制电路40根据暂时存储在该存储电路36M中的相关值确定检测模式是电容性接触检测模式还是电阻性接触检测模式。并且，控制电路40根据确定的检测模式，切换I/V转换电路 3201 3216的切换开关电路55。(控制电路40的切换检测模式图21-图指示体18按如下顺序进行对指示输入面100S的变化，从不在传感器部100的指示输入面100S上的状态到与指示输入面100S分离而存在的状态一与指示输入面100S接触的状态一按压指示输入面100S的状态。所以，在本实施方式中，控制电路40在初期状态根据切换控制信号SWl将I/V转换电路3201 3216的切换开关电路55切换到检测电容器52侧作为电容性接触检测模式。如图21㈧所示，指示体不在传感器部100的指示输入面100S时，由于只有发送导体IlY与接收导体12X进行静电耦合，因而将发送信号供给到发送导体IlY时，各交叉点的接收导体12X上将流动相同的电流信号。因此，如图21 (B)所示，能够从运算处理电路35的各相关值运算电路3501 3516 均得到一定的相关值(基准值ref)。此外，图21 (B)表示相关值运算电路3501 3516的任意一个的相关值输出。并且，例如如图22㈧所示，在供给有扩频码C3的发送导体IlY9和接收导体12X124 的交叉点，例如有指示体18接触时，如上述所示与指示体18和接收导体12X124间的静电电容相应地，发送信号进行分流，减少从接收导体12Xm得到的电流信号。因此，来自指示体18接触的接收导体12)(m的电流信号的信号电平在供给到发送导体IlY9的扩频码C3上减少。即如图22⑶所示，与发送导体IlY9和接收导体12Xm的交叉点对应的相关值向比图21所示的指示体18不在指示输入面100S上时的相关值(基准值ref)减少的方向变化。另一方面，如图22㈧所示的供给有扩频码C3的发送导体IlY9和接收导体12X124 的交叉点，指示体18施加按压力时，在其交叉点上发送电阻体13Y和接收电阻体14X接触， 并开始流动与其接触面积对应的电流。其结果导致从接收导体12&%得到的输出信号S16 的电流信号增加。因此，如图22(C)所示，指示体18接触的接收导体12)(m的电流信号的信号电平在供给到发送导体IlY9的扩频码C3上增加。S卩，与发送导体IlY9和接收导体12)(m的交叉点相应的相关值向比上述基准值ref增加的方向变化。因此，位置计算电路361参照输出电路36的存储电路36M的所有交叉点的相关值，在比基准值ref减少的相关值的交叉点存在时，控制电路40维持电容性接触检测模式。并且，位置计算电路361参照输出电路36的存储电路36M的所有交叉点的相关值，检测到比基准值ref增加的相关值时，控制电路40根据切换控制信号SWl将I/V转换电路3201 3216的切换开关电路55切换到检测电阻M侧，并切换到电阻性接触检测模式。因此，能够通过存储在存储电路36M的所有相关值中是否存在高于基准值ref的值，控制电路40切换检测模式。但是，基准值ref根据每一个指示体检测装置的个体差、环境因素(温度等)等引起的偏差而发生变化。所以在本实施方式中，指示体18不在传感器部100的指示输入面100S上时，预先存储由相关值运算电路3501 3516得到的相关值(=ref)。以下，将该相关值称为偏移值。并且，将相关值存储在存储电路36M时，从在各相关值运算电路3501 3516计算的相关值减去该偏移值(=ref)的值作为各交叉点的相关值进行存储。这样一来，在电容性接触检测模式得到的相关值在指示体18不在传感器部100的指示输入面100S时将全部变为零。此外，指示体18在传感器部100的指示输入面100S上且悬停的状态，或接触的交叉点的相关值成为负值。并且，如果传感器部100的指示输入面100S上的指示体18从指示输入面100S施加按压力时，从构成施加有按压力的交叉点的接收导体12X得到的相关值成为正值。并且，位置计算电路361参照存储在存储电路36M的相关值，检测在存储在该存储电路36M的相关值中是否有表示正值的相关值或表示负值的相关值。控制电路40在电容性接触检测模式时，位置计算电路361检测到表示正值的相关值时，将检测模式切换到电阻性接触检测模式。并且，控制电路40在电阻性接触检测模式时，位置检测电路361没有检测到表示正值的相关值时，将检测模式切换到电容性接触检测模式。在这里，位置计算电路361检测出表示正值的相关值时的检测模式是电阻性接触检测模式时，以及位置计算电路361检测出表示负值的相关值时的检测模式是电容性接触检测模式时，控制电路40维持其检测模式。此外，将在电阻性接触检测模式中计算的相关值写入存储电路36M时，不必必须进行相当于上述基准值ref的值的减法。在电阻性接触检测模式中得到的相关值比在电容性接触检测模式得到的相关值非常大。因此，在电阻性接触检测模式中计算的相关值即使不进行减法处理也可以检测与施加有按压力的交叉点对应的相关值。存储在存储电路36M上的相关值是否为正值，可以将阈值设为零并对相关值和阈值进行比较，但为了更正确地判定，可以使与相关值比较的阈值为比零大一些的值。这是为了不对噪声等作出反应。图23以及图M表示在本实施方式的指示体检测装置1的包含检测方式切换处理的所有处理动作流程的流程图。由图23以及图M构成的流程图的处理根据控制电路40的开始信号ST开始。并且，每生成开始信号ST时执行对指示输入面100S的所有交叉点的1次的处理动作。首先，控制电路40输出开始信号ST后，在时钟信号CLK的一周期后生成的发送负荷信号^lrad供给到发送信号供给电路21时，发送信号供给电路21生成与发送负荷信号 Stload以及时钟信号CLK同步的16种扩频码C1 C16，并且开始对发送导体选择电路22进行供给(步骤S101)。然后，控制电路40作为检测模式选择电容性接触检测模式，根据切换控制信号 Sffl将I/V转换电路3201 3216的切换开关电路55切换到检测电容器52侧(步骤S102)。接着，控制电路40通过根据时钟信号CLK生成的切换控制信号SW3，对接收导体选择电路31的开关电路3101 3116进行切换控制，从各检测块DB1 DBni中选择1个接收导体12X(步骤S 103)。并且，控制电路40通过与发送负荷信号Stltjad同步生成的切换控制信号SW2，对发送导体选择电路22的开关电路2201 2216进行切换控制，选择各发送块TB1 TB16之中的1个发送导体IlY (步骤S104)。根据以上所述，16种扩频码C1 C16同时同步地供给到发送导体选择电路22选择的16个发送导体IlY(步骤S105)。于是，从接收导体选择电路31选择的16个接收导体 12X得到作为接收信号的输出信号S1 S16。该输出信号S1 S16通过放大电路32以及A/ D转换电路33供给到运算处理电路35的各相关值运算电路3501 3516 (步骤S106)。接着，相关值运算电路3501 3516分别对数字采样数据和相关值运算用代码 C/ C16’进行相关运算，将作为其结果得到的相关值通过相关值存储电路35d写入输出电路36的存储电路36M上(步骤S107)。控制电路40判别是否对与选择的接收导体12X构成交叉点的所有发送导体IlY 进行了扩频码的供给(步骤S108)。在步骤S108判别为没有结束扩频码的供给时，回到步骤S104重复该步骤S104以后的处理。由于发送块由4个发送导体12Y构成，因而选择的多个发送导体的组是4组。因此，在步骤S108，判别是否重复4次步骤S104 步骤S107的处理。并且，在步骤S108中，判别为结束对与接收导体选择电路31选择的接收导体12X 构成交叉点的所有发送导体IlY进行扩频码的供给时，判别是否从所有接收导体12X得到的输出信号(步骤S109)。在该步骤S109中，判别为没有从所有发送导体12X得到输出信号时，回到步骤S103重复该步骤S103以后的处理。由于检测块由8个接收导体12X构成，因而选择的多个接收导体的组是8组。因此，在步骤S109中，判别是否重复8次步骤S103 步骤S108的处理。在步骤S109中，判别为对所有发送导体IlY进行发送信号的供给，并且从所有接收导体12X得到输出信号时，参照存储在存储电路36M的相关值，判别是否有基准值ref以上的相关值(图M的步骤S111)。在步骤Slll中，判别为在存储在存储电路36M的相关值中不存在基准值ref以上的相关值时，控制电路40判别此时的检测模式是否为电容性接触检测模式(步骤S112)。 并且在步骤S112中，判别为此时的检测模式是电容性接触检测模式时，控制电路40控制输出电路36并进行指示体的位置检测处理而输出其检测结果(步骤S113)。并且在步骤S112 中，判别为此时的检测模式不是电容性接触检测模式时回到步骤S102，控制电路40将切换控制信号SWl供给到各I/V转换电路3201 3216的开关电路55，并将各开关电路55切换到检测电容器52侧，切换到电容性接触检测模式。并且，控制电路40重复该步骤S103以后的处理。并且在步骤Slll中，判别为在存储在存储电路36M的相关值中有基准值ref以上的相关值时，控制电路40判别此时的检测模式是否是电阻性接触检测模式(步骤S114)。 在步骤S114中判别为此时的检测模式是电阻性接触检测模式时，控制电路40控制输出电路36并进行指示体的位置检测处理，输出该检测结果(步骤S113)。并且在步骤S114中， 判别为此时的检测模式不是电阻性接触检测模式时，控制电路40将切换控制电路SWl供给到各I/V转换电路3201 3216的开关电路55，将各开关电路55切换到检测电阻M侧，切换到电阻性接触检测模式(步骤SlM)。并且控制电路40将处理回到步骤S103重复步骤 S103以后的处理。(悬停检测图25 图27)参照图25 图27对悬停状态的检测方法进行说明。悬停状态的检测可以如下进行。如图25(A)所示，在电容性接触检测模式中，指示体18与传感器部100的指示输入面 100S接触时，如图25 (B)所示，接触中心位置的交叉点的相关值变为最大的相关值PK，并且该接触中心位置的交叉点周围的比较狭窄面积范围的交叉点成为负极性的相关值。另一方面，如图^(A)所示，在电容性接触检测模式中，指示体18从传感器部100 的指示输入面100S分离时，如图沈(B)所示，指示体18的正下方位置的交叉点的相关值变为最大的相关值PK，并且该指示体18的正下方位置的交叉点的周围的比较广的面积范围的交叉点呈负极性的相关值。S卩，图25(B)以及图沈⑶成为表示将指示输入面100S上的指示体18的接触中心位置或正下方位置的交叉点作为中心的周围交叉点的相关值的电平变化的曲线(以下， 称为相关值的电平曲线)400。如图25以及图沈的情况可以说明如下。首先，如图25㈧所示，在指示体18与传感器部100的指示输入面100S接触的状态下，如上所述，与供给到发送导体IlY的发送信号(电压信号)对应的电力线之中的比较多电力线在指示体18 (例如手指)收敛。据此，接收导体12X上不存在指示体18时在该接收导体12X流动的电流之中的、在所述指示体18结束的电力线量的电流经由指示体18分流到地面。并且，由于指示体18与接收导体 12X接触，因而静电耦合的接收导体12X的范围狭窄。其结果如图25(B)所示，相关值的电平曲线400成为进行电平变化的宽度(面积)狭窄，能得到比较大的峰值Hi的曲线。对此，如图^(A)所示，在指示体18与传感器部100的指示输入面100S分离的状态(悬停状态)中，与指示体18接触的情况相比，指示体18与接收导体12X进行静电耦合的范围变大，并且与指示体18的耦合度降低，流向该接收导体12X的电流中通过指示体18 在地面进行分流的电流也变少。并且，指示体18与接收导体进行静电耦合的范围随着指示体18和指示输入面100S间的分离距离越大变得越广，其结果在接收导体12X上不存在指示体18时流向该接收导体12X的电流之中通过指示体18分流到地面的电流随着指示体18 和指示输入面100S间的分离距离越大变得越少。因此，如图沈⑶所示，指示体18在悬停状态时，相关值的电平曲线400的电平变化的宽度(面积)根据指示体18和指示输入面100S的分离距离而变广，峰值Hi根据指示体18和指示输入面100S的分离距离而变小。因此，求出相关值的电平曲线400的倾斜度θ和相关值的电平曲线的峰值1 之比，从该比得到悬停状态的检测输出。此时，通过对相关值的电平曲线400的倾斜度θ与相关值的电平曲线的峰值Hi之比和预定阈值进行比较，识别指示体18是否与指示输入面 100S接触。并且识别为悬停状态时，从其比的值识别指示体18和指示输入面100S的分离距离。接着，对求出相关值的电平曲线400的倾斜度θ和相关值的电平曲线峰值1 之比的运算具体例进行说明。指示体18如图沈(A)所示从指示输入面100S分离的状态下以某一时刻得到的相关值的电平值进行映射时，例如，成为如图27所示分布。此外，在该图27中表示在3X3的交叉点得到的相关值电平值，其相关值电平值正规化，并且为了方便设为正值。在图27所示的例中，在中央的交叉点得到相关值电平的最大值“100”，在位于其上下左右的交叉点得到相关值电平值“50”。并且，在中央的交叉点的左上、右上、左下、右下的交叉点得到相关值电平值“20”。因此，该相关值的电平曲线的峰值Hi是“100”。相关值的电平曲线400的倾斜度能够通过以下方式求出峰值1 与和得到该峰值 PK的交叉点相邻的其他交叉点的相关值电平值之差。例如，在图27的例的情况下，由于相关值的电平曲线400的峰值Hi是中央网格的“100”，因而边缘的倾斜度是100-50 = 50。因此，图27的例的相关值的电平曲线400的倾斜度与峰值之比是(相关值的电平曲线的倾斜度)/(峰值HO = 50/100 = 0.5。在这里，将判别是悬停状态还是接触状态的阈值设为例如0. 7，在图27所示的例中，位置计算电路361判定为指示体18是悬停状态。 并且，相关值的电平曲线400的倾斜度与峰值Hi之比为例如0. 9时，位置计算电路361判定为指示体18与传感器部100的指示输入面接触的状态。在上述例中，针对指示体18，将为了判定悬停状态和接触状态而设定一个阈值的情况为例进行说明，但本发明不限于此。例如，关于指示体18，除用于判定悬停状态和接触状态的阈值外，还可以设定一个或多个用于判定悬停状态程度(传感器部100的指示输入面100S和指示体的分离距离)的阈值。此时的阈值当然是比用于识别悬停状态和接触状态的阈值小的值。此外，在上述说明中，根据相关值的电平曲线(相关值电平值的映射数据)，直接例示说明了进行判定悬停状态的情况，但本发明不限于此。也可以对相关值的电平曲线进行非线性处理，并根据非线性处理后的特性判定悬停状态。例如，针对相关值的电平曲线，作为非线性处理进行对数转换的情况为例进行说明。不进行非线性处理时，通过指示体18与传感器部100的指示输入面接触而得到的相关值的电平在指示体18和指示输入面100S接触的部分变得极端大，在指示体18从指示输入面100S分离的部分变得极端小。因此，进行包含指示体18从指示输入面100S稍微分离的状态的识别处理时，由于相关值电平在上述2种情况下极端不同，很难进行正确的识别。因此，针对相关值的电平曲线，进行预定的信号转换处理，例如进行对数转换时， 能够提高相关值为小电平的部分，并抑制相关值电平大的部分。即，在对数转换后的相关值的电平曲线，高峰部的形状宽广化，其最大值受到抑制。此时，指示体18的接触状态和非接触状态的边界附近的相关值的电平值连续变化，即使在指示体18从指示输入面100S稍微浮起的状态，也能轻易识别悬停状态，并提高识别特性。(按压力(指压)的检测)位置计算电路361参照存储在存储电路36M上的相关值的结果，判别为存在相关值为基准值ref以上的交叉点时，其交叉点是通过指示输入面100S从指示体18施加按压力的部分。并且如上所述，在本实施方式的传感器部100中，发送电阻体13Y与接收电阻体 14X间的接触面积根据按压力发生变化。即，按压力越大，发送电阻体13Y与接收电阻体14X 间的接触面积越大，在发送电阻体13Y与接收电阻体14X之间形成的可变电阻的电阻值越小。但是，按压力达到一定以上时，将没有接触面积的变化，限制器产生作用。并且，从接收导体12X得到的电流信号的电流值根据在发送电阻体13Y和接收电阻体14X之间形成的可变电阻的电阻值发生变化，按压力越大，从接收导体12X得到的电流信号的电流值将越大。因此，从施加按压力的交叉点的接收导体12X得到的输出信号的数字采样数据与限制器产生作用之前的按压力成比例地成为大的数值。所以，该数字采样数据的相关值也成为与按压力对应的正值。如上所述，位置计算电路361从存储在存储电路36M的相关值中检测出其值为基准值ref以上的相关值时，从其地址位置判定对应的交叉点的坐标位置，并且输出与所述相关值的大小对应的按压力的检测输出。此外，在上述实施方式中，向存储电路36M写入相关值时，将从各相关值减去偏移值。但是，本发明不限于此。例如，在存储电路36M中存储在各相关值运算电路3501 3516 计算的相关值，在位置计算电路361进行位置检测时，也可以从各相关值减去偏移值。此时，位置计算电路361进行上述步骤Slll的判别处理，并将其判别结果通知给控制电路40。 并且，位置计算电路361根据控制电路40的控制指示而输出指示体检测结果的输出数据。此外，位置计算电路361的处理，也可以在具备控制电路40的微型计算机作为软件处理执行。如上所述，在本实施方式中，输出电路36具备位置计算电路361，对写入存储电路 36M的相关值进行如上所述的处理而得到指示体的检测结果。S卩，在位置计算电路361生成与指示体18指示输入的交叉点对应的坐标、指示输入的面积、悬停状态、按压力、与检测模式对应的标记、关于多个指示体的指示体检测结果等，并作为输出数据进行输出。但是，该位置计算电路361的处理动作能够在连接有本实施方式的指示体检测装置1的装置，例如在个人电脑等执行。此时，输出电路36不具备位置计算电路361，将存储电路36M的存储内容例如转换成位映射数据，并作为输出数据进行输出。或者输出电路36 也可以将存储电路36M的存储内容直接作为输出数据进行输出。在上述的第一实施方式中，控制电路40根据存储在存储电路36M的相关值切换电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式，但本发明不限于此。例如当然也可以手动切换电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式。S卩，针对控制电路40，例如可以连接滑动开关，通过该滑动开关手动指定而切换电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式。此时，可以通过滑动开关选择“自动模式切换”。 此时，用户能够选择如上述实施方式的自动模式切换，并且根据需要，选择切换电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式中的任意一个。并且，在上述实施方式中，发送电阻体13Y沿着发送导体IlY形成，接收电阻体14X 沿着接收导体12X形成，但发送电阻体13Y以及接收电阻体14X也可以分别在与发送导体 IlY或接收导体12X相同的方向形成。并且，还可以将发送电阻体13Y以及接收电阻体14X 在与发送导体IlY和接收导体12X的交叉点对应的各区域，呈岛状形成。此外，发送电阻体 13Y以及接收电阻体14X还可以如上所述，遍及下侧基板16以及上侧基板17的一整面形成。并且，可以形成如下结构发送电阻体IlY或接收电阻体12X的一方沿着发送导体 IlY或接收导体12X形成，另一方遍及下侧基板16或上侧基板17的一整面形成。并且还可以形成如下结构发送电阻体IlY或接收电阻体12X的一方在与发送导体IlY和接收导体12X的交叉点对应的各区域呈岛状设置，另一方遍及下侧基板16或上侧基板17的一整面或者沿着发送导体IlY或接收导体12X形成。在上述第一实施方式的指示体检测装置中，控制电路40判别检测模式是电容性接触检测模式还是电阻性接触检测模式，切换放大电路32的各I/V转换电路3201 3216 的开关电路阳。但是，如使用图10进行的说明，电阻膜方式的检测电阻M如果是与检测电容器52 的直流偏压电阻53大致相等的电感值，则在放大电路32的I/V转换电路中，将不需要模式切换开关电路阳。此外，在该第一实施方式中，通过对存储在存储电路36M的相关值与基准值ref进行比较而将检测模式切换到电阻性接触检测模式或电容性接触检测模式中的任一种的情况为例进行了说明，但本发明不限于此。例如，可以按照各ΙΛ转换电路将检测模式切换到电阻性接触检测模式或电容性接触检测模式中的任一种。如此一来，即使多个指示体处于指示输入面100S上，一个指示体处于悬停状态或接触状态，另一指示体对指示输入面施加按压力时，也能适当地检测出指示体。(第二实施方式不进行检测模式的切换的例，四)在上述第一实施方式的指示体检测装置中，控制电路40判别检测模式是电容性接触检测模式还是电阻性接触检测模式，切换放大电路32的各I/V转换电路3201 3216 的开关电路阳。 但是，例如在指示体18挪动到传感器部100的指示输入面上而与指示输入面100S 接触，并且按压指示输入面100S的状态，位移速度变快时，如果控制电路40对每个I/V转换电路3201 3216进行模式切换，恐怕不能顺应其位移速度。因此，第二实施方式的指示体检测装置在上述第一实施方式的结构中，将图10结构的Ι/ν转换电路用作放大电路32，而不用使用开关电路的模式切换。在以下说明的第二实施方式中，放大电路32以外的结构与第一实施方式相同，在与第一实施方式相同的部分标以相同的标号并省略详细说明。后面讲述的关于其他的实施方式也一样。图观是用于说明第二实施方式的情况下的放大电路32的结构例的图。如图观所示，在该第二实施方式的指示体检测装置中，放大电路32由与各检测块 DB1 -DBni对应的16个I/V转换电路3201，、3202，、. . .、3216，构成。所述各I/V转换电路3201’ 3216’如图10所示，由在运算放大器51的输入输出端之间并联连接静电耦合方式的检测电容器52与电阻膜方式的检测电阻M的I/V转换电路构成。I/V转换电路3201， 3216’不存在与检测模式对应的切换开关电路55。因此， 在第二实施方式中，控制电路40不必生成第一实施方式的情况的向I/V转换电路3201 3216的切换控制信号SW1。因此，控制电路40如第一实施方式，也不必参照在相关值运算电路3501 3516计算的相关值，而进行应该用电容性接触检测模式还是用电阻性接触检测模式的判定处理。并且，其他结构与第一实施方式相同。接着，参照图四的流程图，对该第二实施方式的指示体检测装置的整体处理动作的流程例进行说明。图四的流程图根据来自控制电路40的开始信号ST开始。并且，每产生开始信号 ST时，执行关于指示输入面100S的所有交叉点的一次处理动作。首先，控制电路40输出开始信号ST后，在时钟信号CLK的1周期后生成的发送负荷信号Stlrad供给到发送信号供给电路21时，发送信号供给电路21生成与发送负荷信号 Stload以及时钟信号CLK同步的16种扩频码C1 C16，并且开始供给到发送导体选择电路 22(步骤 S201)。接着，控制电路40通过根据发送负荷信号Stltjad生成的切换控制信号SW3，切换控制接收导体选择电路31的开关电路3101 3116，从各检测块 DBni之中选择一个接收导体12X(步骤S202)。并且，控制电路40通过根据发送负荷信号Stltjad生成的切换控制信号SW2，切换控制发送导体选择电路22的开关电路2201 2216，从各发送块TO1 TBni之中选择一个发送导体IlY (步骤S203)。根据上述内容，向发送导体选择电路22选择的16个发送导体IlY同时且同步地供给16种扩频码C1 C16(步骤S204)。并且，接收导体选择电路31将来自在该接收导体选择电路31选择的16个接收导体12X的接收信号作为输出信号S1 S16得到。该输出信号S1 S16通过放大电路32以及A/D转变电路33供给到运算处理电路35的各相关值运算电路3501 ；3516(步骤S205)。接着，在各相关值运算电路3501 3516中，进行数字采样数据与相关值运算用代码C/ C16’进行相关运算，作为其结果得到的相关值通过相关值存储电路35d写入输出电路36的存储电路36M(步骤S206)。控制电路40判别是否针对与选择的接收导体12X构成交叉点的所有发送导体IlY 进行了扩频码Ck的供给(步骤S207)。在步骤S207中，判别为没有结束扩频码Ck的供给时，回到步骤S203重复步骤S203以后的处理。由于选择的多个发送导体的组是4组，因而在步骤S207中判别是否重复了 4次步骤S203 步骤S206的处理。并且，在步骤S207中，判别为结束了对与选择的接收导体12X构成交叉点的全部发送导体IlY的扩频码的供给时，判别是否从所有接收导体12X得到输出信号(步骤 S208)。在步骤S208中，对所有发送导体IlY进行了发送信号的供给，并且判别为没有从所有接收导体12X得到输出信号时，回到步骤S202，重复步骤S202以后的处理。由于选择的多个接收导体的组是8组，因而在步骤S208中，判别是否重复了 8次步骤S202 步骤S207 的处理。在步骤S208中，判别为对所有发送导体IlY进行发送信号的供给，并且从所有接收导体12X得到输出信号时，控制电路40控制输出电路36进行指示体的位置检测处理，并输出其检测结果(步骤S209)。之后，控制电路40将处理回到步骤S202，重复步骤S202以后的处理。在该第二实施方式中，由于控制电路40不需要对检测模式进行管理以及切换控制，因此电路结构简单。但是，如上所述，位置计算电路361根据存储在存储电路36M的相关值是否比基准值ref大，判定是以静电耦合方式与电阻膜方式中的哪种检测方式检测的指示体，并将其判定结果反映到指示体检测结果的输出数据上的过程与第一实施方式相同。并且，由于第一实施方式的指示体检测装置对检测模式进行切换控制，因而有时难于同时检测指示体18与指示输入面100S的接触状态或悬停状态和指示体18对指示输入面100S的按压状态。就此问题，第二实施方式的指示体检测装置，无论采用静电耦合方式与电阻膜方式中的任一检测方式都能同时检测指示输入面100S上的指示体18。因此，在指示输入面 100S上的一个交叉点上指示体18接触而形成指示输入，在另一交叉点上形成指示体18的按压输入，第二实施方式的指示体检测装置也能够轻易地将其检测出。(第三实施方式)该第三实施方式也是为了解决控制电路40按照各I/V转换电路3201 3216进行模式切换时存在不能顺应指示体18的移位速度的问题而提出的例。在第三实施方式中， 可以同时进行电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式。(第一结构例图3O-图幻)
在第三实施方式的第一结构例中，通过分时执行电容性接触检测模式的指示体检测处理与电阻性接触检测模式的指示体检测处理而同时进行两个检测模式。在该第三实施方式的第一结构例中与第一实施方式相同，放大电路32的I/V转换电路3201 3216的结构如图9所示。并且，控制电路40具有如下结构根据切换控制信号SWl切换I/V转换电路3201 3216各自的开关电路55。位置检测电路34如图30所示，由运算处理电路35与输出电路360构成。并且在运算处理电路35与输出电路360之间设有模式切换电路37。并且，在第三实施方式中，将输出电路360的结构构成为与第一实施方式的位置检测电路34不同的结构。此外，其他结构与第一实施方式相同。如图30所示，本例的输出电路360除了存储电路36M以及位置计算电路361之夕卜， 包括与存储电路36M同样地具有与传感器部100的所有交叉点对应的存储地址的电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363和合成处理电路364。并且，电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363 的输出端连接合成处理电路364的两个输入端，并且，合成处理电路364的输出端连接存储电路36M的输入端。模式切换电路37由与检测块DB1 DBni分别对应的16个开关电路3701 3716 构成。这种开关电路3701 3716的输入端与运算处理电路35的16个相关值运算电路 3501 3516的各输出端相连接。开关电路3701 3716分别具有C侧端(输出端)与R侧端(输出端)。并且，开关电路3701 3716各自的C侧端连接电容性接触检测模式用存储器的输出端。开关电路 3701 3716各自的R侧端连接电阻性接触检测模式用存储器363的输入端。并且，各开关电路3701 3716根据来自控制电路40的切换控制信号SWl，I/V转换电路3201 3216 分别与开关电路阳的切换同步地，在电容性接触检测模式时，分别切换到C侧输出端，在电阻性接触检测模式时，分别切换到R侧输出端。在该第三实施方式的第一结构例中，由于分时切换电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式，因而，切换控制信号SWl用作切换这两个检测模式的控制信号。控制电路40 在本例中，到对电容性接触检测模式的传感器部100的全部交叉点的指示体检测结束的时刻时，将检测模式变更为电阻性接触检测模式。并且，控制电路40向I/V转换电路3201 3216的开关电路55以及开关电路3701 3716供给切换控制信号SW1，将该开关电路55 以及开关电路3701 3716分别切换到R侧端。并且，控制电路40到对电阻性接触检测模式的传感器部100的全部交叉点的指示体检测的时刻时，将检测模式变更为电容性接触检测模式。并且，控制电路40向I/V转换电路3201 3216的开关电路55以及开关电路3701 3716供给切换控制信号SW1，将该开关电路阳以及开关电路3701 3716分别切换到C侧端。之后，控制电路40每到对电容性接触检测模式或者电阻性接触检测模式的一方的检测模式的传感器部100的全部交叉点的指示体检测结束时刻，进行控制以切换到另一方的检测模式。并且，由于如上所述开关电路3701 3716切换到C侧端，因而执行电容性接触检测模式时，在相关值运算电路3501 3516分别计算的相关值写入电容性接触检测模式用存储器362。
并且，由于如上所述开关电路3701 3716切换到R侧端，因而执行电阻性接触检测模式时，在相关值运算电路3501 3516分别计算的相关值写入电阻性接触检测模式用存储器363。并且，合成处理电路364每到电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式的两个检测模式对结束时，即，按照开始信号ST的2周期，合成电容性接触检测模式用存储器362 的存储内容与电阻性接触检测模式用存储器363的存储内容。合成处理电路364的合成处理例如按如下方式进行。即，合成处理电路364参照电容性接触检测模式用存储器362的存储内容寻找小于基准值ref的相关值。并且，合成处理电路364在检测到小于基准值ref的相关值时，在存储电路36M，将其相关值写入与写有该相关值的电容性接触检测模式用存储器362的地址相同的地址。并且，合成处理电路364参照电阻性接触检测模式用存储器363的存储内容寻找基准值ref以上的相关值。并且，合成处理电路364在检测到基准值ref以上的相关值时， 在存储电路36M，将其相关值写入与写有该相关值的电容性接触检测模式用存储器362的地址相同的地址。并且，合成处理电路364在存储电路36M的其他地址中，写入表示没有指示体的相关值(=基准值ref)。此外，向电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363写入相关值时，从各相关值减去偏移值时，基准值ref = 0与上述实施方式相同。控制电路40结束向存储电路36M写入的全部交叉点的相关值时，清除电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363的存储内容，以进行下一个相关值的存储。并且，在该第三实施方式的第一结构例中，位置计算电路361在存储电路36M的全部交叉点的存储内容重写的时刻，即，开始信号ST的每2周期时，对存储电路36M的存储内容进行与上述第一实施方式完全相同的处理，生成输出数据并进行输出。参照图31以及图32的流程图对该第三实施方式的第一结构例的整体处理动作流程例进行说明。控制电路40从第一个开始信号ST的发生时刻开始由图31以及图32构成的流程图的处理。并且，控制电路40在每次产生第二个开始信号ST时切换检测模式，并且对指示输入面100S的全部交叉点逐个执行一次处理动作。并且，控制电路40按照开始信号ST的每2个进行控制，使在输出电路36进行位置检测处理，并输出指示体检测的输出数据。首先，控制电路40输出开始信号ST后，向发送信号供给电路21供给时钟信号CLK 的1周期后产生的发送负荷信号Mltjad时，发送信号供给电路21生成与发送负荷信号Mltjad 以及时钟信号CLK同步的16种扩频码C1 C16，并且开始向发送导体选择电路22进行供给 (步骤 S301)。然后，控制电路40作为检测模式选择电容性接触检测模式，根据切换控制信号 Sffl将I/V转换电路3201 3216的切换开关电路55切换到检测电容器52，并且将开关电路3701 3716切换到C侧端(步骤S302)。接下来，控制电路40通过根据发送负荷信号Mltjad生成的切换控制信号SW3，切换控制接收导体选择电路31的开关电路3101 3116，从各检测块DB1 DB16之中选择1个接收导体12X(步骤S303)。并且，控制电路40通过根据发送负荷信号Mltjad生成的切换控制信号SW2，切换控制发送导体选择电路22的开关电路2201 2216，从各发送块TB1 TBni之中选择1个发送导体IlY (步骤S304)。如上所述，向发送导体选择电路22选择的16个发送导体IlY同时同步地供给16 种扩频码C1 C16 (步骤S3(^)。并且，接收导体选择电路31将来自该接收导体选择电路31 选择的16个接收导体12X的接收信号作为输出信号S1 S16获得。该输出信号S1 S16通过放大电路32以及A/D转换电路33供给到运算处理电路35的各相关值运算电路3501 ；3516(步骤 S306)。接着，在各相关值运算电路3501 3516中，进行数字采样数据与相关值运算用代码C/ C16’间的相关运算，作为其结果得到的相关值通过相关值存储电路35d写入输出电路36的电容性接触检测模式用存储器362(步骤S307)。控制电路40对扩频码是否供给到了与选择的接收导体12X构成交叉点的所有发送导体IlY进行判别(步骤S308)。在步骤S308中，判别为没有结束扩频码的供给时，回到步骤S304，重复步骤S304以后的处理。由于发送块由4个发送导体IlY构成，因而，选择的多个发送导体的组是4组。因此，在步骤S308中判别是否重复了 4次步骤S304 步骤 S307的处理。并且，在步骤S308中，判别为对与选择的接收导体12X构成交叉点的所有发送导体IlY结束扩频码的供给时，判别是否从所有接收导体12X得到输出信号(步骤S309)。 在步骤S309中，判别为未从所有接收导体12X得到输出信号时，回到步骤S303，重复步骤 S303以后的处理。由于检测块由8个接收导体12X构成，因而选择的多个接收导体的组是 8组。因此，在步骤S309中，判别是否重复了 8次步骤S303 步骤S308的处理。在步骤S309中，判别为对所有发送导体IlY进行发送信号的供给，并且从所有接收导体12X得到输出信号时，控制电路40产生下一个开始信号ST，并切换检测模式到电阻性接触检测模式。即，控制电路40根据切换控制信号SWl将I/V转换电路3201 3216的切换开关电路阳切换成检测电阻M侧，并且将开关电路3701 3716切换成R侧端(图 32的步骤S311)。接下来，控制电路40通过根据发送负荷信号Mltjad生成的切换控制信号SW3，切换控制接收导体选择电路31的开关电路3101 3116，从各检测块DB1 DBni的之中选择一个接收导体12X(步骤S312)。并且，控制电路40通过根据发送负荷信号StlMd生成的切换控制信号SW2切换控制发送导体选择电路22的开关电路2201 2216，从各检测块TO1 TBni的之中选择一个发送导体IlY (步骤S313)。如上所述，向发送导体选择电路22选择的16个发送导体IlY同时同步地供给16 种扩频码C1 C16 (步骤S314)。并且，接收导体选择电路31将来自该接收导体选择电路31 选择的16个接收导体12X的接收信号作为输出信号S1 S16获得。该输出信号S1 S16通过放大电路32以及A/D转换电路33供给到运算处理电路35的各相关值运算电路3501 3516(步骤 S315)。接着，在各相关值运算电路3501 3516中，进行数字采样数据与相关值运算用代码C/ C16’间的相关运算，作为其结果得到的相关值通过相关值存储电路35d写入输出电路36的电阻性接触检测模式用存储器363(步骤S316)。控制电路40对扩频码是否供给到与选择的接收导体12X构成交叉点的全部发送导体IlY进行判别(步骤S317)。在步骤S317中，判别为没有结束扩频码的供给时，回到步骤S313，重复步骤S313以后的处理。由于选择的多个发送导体的组是4组，因而在步骤 S317中判别是否重复了 4次步骤S313 步骤S316的处理。并且，在步骤S317中，判别为对与选择的接收导体12X构成交叉点的所有发送导体IlY结束扩频码的供给时，判别是否对所有发送导体IlY进行发送信号的供给，并且从所有接收导体12X得到输出信号(步骤S318)。在步骤S318中，判别为对所有发送导体IlY 进行发送信号的供给，并且未从所有接收导体12X得到输出信号时，回到步骤S312，重复步骤S312以后的处理。由于选择的多个接收导体的组是8组，因而在步骤S318中，判别是否重复了 8次步骤S312 步骤S317的处理。在步骤S318中，判别为对所有发送导体IlY进行发送信号的供给，并且从所有接收导体12X得到输出信号时，输出电路36的合成处理电路364如上所述，参照电容性接触检测模式用存储器362与电阻性接触检测模式用存储器363的存储内容而进行合成，并将其合成结果写入存储电路36M。并且位置计算电路361对存储电路36M的存储内容进行如上所述的位置检测处理以及指示体检测结果的输出数据的生成处理，并输出所生成的输出数据(步骤S319)。控制电路40在步骤S319之后回到步骤S302，再次开始电容性接触检测模式的指示体检测。并且，控制电路40重复上述步骤S302以后的处理。如此，在第三实施方式的第一结构例中，以开始信号ST的2周期为单位能够得到指示体检测结果的输出数据。此外，在以上的第三实施方式的第一结构例中，使用电容性接触检测模式用存储器362、电阻性接触检测模式用存储器363以及存储电路36M的3个存储器。但是，在存储电路36M使用能重写(覆盖)的存储器，并且通过如下的结构省略电容性接触检测模式用存储器362与电阻性接触检测模式用存储器363，构成只使用一个存储器(S卩，存储电路36M) 的结构。S卩，位置检测电路34在开始信号ST的2周期单位的前半部，在电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式之中的一个检测模式中进行指示体检测的相关值的计算，并将计算的相关值写入存储电路36M。并且，位置检测电路34在开始信号ST的2周期单位的后半部，在另一个检测模式中进行指示体检测的相关值的计算。并且，位置检测电路34向存储电路36M写入计算的相关值时，比较参照计算的相关值与基准值ref，根据其比较参照结果确定是否写入到存储电路 36M。S卩，在要新写入的另一个检测模式中计算的相关值是与基准值ref相等的值时， 所述相关值不会写入与存储电路36M对应的地址。并且，在要新写入的另一个检测模式中计算的相关值是与基准值ref不同的值时，参照已经写入与存储电路36M对应的地址中的相关值，在所述相关值等于基准值ref时，通过重写(覆盖)要新写入的相关值而执行写入。所述对应地址的相关值是与表示指示体的存在的基准值ref不同的值时，保留所述结束写入的相关值，不进行要新写入的相关值的写入。如上所述，通过控制针对存储电路36M写入2个检测模式的计算结果，设置在输出电路36上的对全部交叉点的存储器，只要一个存储电路36M就足够。此外，在上述结构例1中，使电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式按每个开始信号ST进行切换，但检测模式的切换定时不仅限于此。例如，也可以将时钟信号CLK 的1周期的区间二分为电容性接触检测模式用与电阻性接触检测模式用，时钟信号CLK的每1/2周期将电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式交替切换。此外，在这种情况下， 接收部300的电路以上述实施方式2倍的时钟频率动作。并且，向多个发送导体同步地同时供给16种扩频码的期间设为扩频码的2周期， 可以在其前半部的1周期与后半部的1周期，将电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式交替切换。(第二结构例图33)第三实施方式的第二结构例执行的电容性接触检测模式的指示体检测处理与电阻性接触检测模式的指示体检测处理不采用分时，而是始终同时进行。图33表示该第三实施方式的第二结构例中的指示体检测装置的接收部300的结构例。此外，其他结构与第一实施方式相同。如图33所示，在该第二实施方式中，在接收部300中，作为电容性接触检测模式用，设有放大电路32C、A/D转换电路33C和运算处理电路35C，并且，作为电阻性接触检测模式用，设有放大电路32R、A/D转换电路33R和运算处理电路35R。并且，在位置检测电路 34中设有与第一结构例相同的输出电路360。该第二结构例中的接收导体选择电路31’具有两组上述第一实施方式中用图14 说明的16个开关电路，用于电容性接触检测模式与电阻性接触检测模式。即，在接收导体选择电路31’中，开关电路3101C 3116C是电容性接触检测模式用，并且，开关电路 3101R 3116R是电阻性接触检测模式用。并且，开关电路3101C 3116C如上所述，输出来自对应的检测块DB1 DBni的接收导体中选择的一个接收导体的输出信号(电流信号)S1C S16C。并且，开关电路3101R 3116R也同样输出来自对应的检测块DB1 DBni的接收导体中选择的一个接收导体的输出信号(电流信号)S1R-S16R15但是，在开关电路3101C 3116C与开关电路3101R 3116R 中，通过来自控制电路40的切换控制信号进行切换，以免同时选择相同接收导体。S卩，例如，将选择来自检测块DB1的1个接收导体的开关电路3101C与开关电路 3101R的情况作为例，开关电路3101C选择接收导体12 时，开关电路3101R选择错开一个位置的接收导体12 ，接下来，开关电路3101C选择接收导体12 时，开关电路3101R选择错开一个位置的接收导体12X3，...，开关电路3101C与开关电路3101R进行切换。放大电路32以及放大电路32R分别与上述第一实施方式的放大电路32相同，将接收导体选择电路31’的输出信号(电流信号)S1C S16C以及S1R S16R分别放大，并且具有转换成电压信号的16个I/V转换电路(省略图示)。此时，放大电路32C的16个I/ V转换电路分别是在图5所示的静电耦合方式的结构。并且，放大电路32R的16个I/V转换电路分别形成图8所示的电阻膜方式的结构。并且，接收导体选择电路31，的输出信号S1C S16C输入到放大电路32C的16个CN 102207787 AI/V转换电路，并且，输出信号S1R S16R输入到放大电路32R。A/D转换电路33C以及33R分别与上述第一级第二实施方式中的A/D转换电路33 相同，具有与时钟信号CLK同步地将放大电路32C以及32R的16个I/V转换电路的输出信号转换成数字采样数据的16个A/D转换器。在本例中，放大电路32C的16个I/V转换电路的输出端连接在A/D转换电路33C 的16个A/D转换器各自的输入端上。并且，放大电路32R的16个I/V转换电路的输出端分别连接在A/D转换电路33R的16个A/D转换器各自的输入端上。运算处理电路35C以及35R分别与上述第一以及第二实施方式的运算处理电路35 相同，在输入侧具备具有与扩频码的16码片对应的16级移位寄存器的16个相关值运算电路。在本例中，A/D转换电路33C的16个A/D转换器各自的输出端分别连接在运算处理电路35C的16个相关值运算电路各自的输入端上。并且，A/D转换电路35R的16个A/D 转换器各自的输出端分别连接在运算处理电路35R的16个相关值运算电路各自的输入端上。此外，向电容性接触检测模式用存储器362供给运算处理电路35C的16个相关值运算电路各自的输出，并且，向电阻性接触检测模式363供给运算处理电路35R的16个相关值运算电路各自的输出。由于构成为如上所述结构，因此，接收导体选择电路31’的各输出信号S1C S16C 在放大电路32C的16个I/V转换电路各自中放大，并转换成电压信号。来自该放大电路 32C的16个I/V转换电路各自的输出信号在具有A/D转换电路33C的16个A/D转换器各自中转换成数字采样数据。并且，分别向具有运算处理电路35C的16个相关值运算电路的移位寄出存器传送来自该A/D转换电路33C的各数量字样品数据并进行保存。并且，运算处理电路35C的16个相关值运算电路如上所述，对各移位寄存器中保存的数字采样数据和16个相关值运算用代码进行相关运算，并将计算出的相关值写入输出电路360的电容性接触检测模式用存储器362。据此，在电容性接触检测模式用存储器362中，作为静电耦合方式的指示体的检测结果，在开始信号ST的1周期的期间写入传感器部100的全部交叉点的相关值。与此并行地，在电阻性接触检测模式用存储器363中，作为电阻膜方式的指示体的检测结果，在开始信号ST的1周期量的期间写入传感器部100的全部交叉点的相关值。S卩，接收导体选择电路31的各输出信号S1R S16R分别在放大电路32R的16个 I/V转换电路进行放大并转换成电压信号。来自该放大电路32R的输出信号在A/D转换电路33R具有的16个A/D转换器转换成数字采样数据。并且，向运算处理电路35R的16个相关值运算电路分别具有的移位寄存器分别传送来自该A/D转换电路33R的数字采样数据并进行保存。并且，运算处理电路35R的16个相关值运算电路如上所述，对各移位寄存器中保存的数字采样数据和16个相关值运算用代码进行相关运算，并将计算出的相关值写入输出电路360的电阻性接触检测模式用存储器363中。如此，在电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363写入与传感器部100的全部交叉点对应的相关值时，合成处理电路364与上述第三实施方式的第一结构例相同，对在电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363存储的相关值进行合成处理。并且，合成处理电路364与上述第三实施方式的第一结构例相同，将合成处理后的相关值写入存储电路36M中。如此，按照开关信号ST的每1周期向存储电路36M写入在电容性接触检测模式用存储器362以及电阻性接触检测模式用存储器363中存储的相关值的合成处理结果的相关值。位置计算电路361根据来自控制电路40的控制信号，按照开始信号ST的每1周期，从存储在电路36M的相关值生成并输出位置检测处理以及指示体检测的输出数据。此外，以上第三实施方式的第二结构例也与第一结构例相同，在存储电路36M使用能够重写(覆盖)的存储器，并对在电容性接触检测模式中计算的相关值与在电阻性接触检测模式中计算的相关值按如下方式进行合成处理，能够省略电容性接触检测模式用存储器362与电阻性接触检测模式用存储器363，仅使用1个与全部交叉点对应的存储器 (即，存储电路36M)。S卩，合成处理电路364对来自运算处理电路35C的相关值的输出和来自运算处理电路35R的相关值的输出进行合成处理后，写入存储电路36M。此时，合成处理电路364对同一交叉点，对来自运算处理电路35C的电容性接触检测模式中计算的相关值与来自运算处理电路35R的电阻性接触检测模式中计算的相关值进行比较参照，并根据其比较参照结果确定写入的相关值。S卩，在同一交叉点上，在电容性接触检测模式中计算的相关值和在电阻性接触检测模式中计算的相关值中的任一值与基准值ref相等时，作为该交叉点的相关值将基准值 ref写入存储电路36M。并且，在同一交叉点上，如在电容性接触检测模中计算的相关值是基准值ref以下的值，或者在电阻性接触检测模式中计算的相关值大于比基准值ref，2个相关值中的一个值是从基准值ref向与各检测模式对应的方向不同的值时，将所述相关值作为该交叉点的相关值写入存储电路36M中。根据该第三实施方式的第二结构例，指示体检测结果与第一实施方式相同，开始信号ST的每1周期获得一次。并且，能够对指示输入面100S上的多个不同的交叉点进行指示体检测，并能同时检测接触或悬停状态的指示体和按压交叉点的指示体。(第四实施方式使用哈达玛码作为扩频码时的改进结构例)该第四实施方式作为第一实施方式的指示体检测装置的改进例。在第一实施方式的指示体检测装置中，向发送导体IlY供给来自发送部200的发送信号，并从与该发送导体IlY空间上交叉的接收导体12X得到与发送信号(电压信号)对应的接收信号(电流信号)。并且，由于指示输入面100S上没有指示体时的接收信号的电流值与悬停状态或接触状态等指示输入面100S上有指示体时的接收信号的电流值不同， 因而通过检测其接收信号的电流变化而对指示输入面100S上的指示体进行检测。此时，在电容性接触检测模式中由于从接收导体12X得到的接收信号是低电平， 因而在放大电路32的I/V转换电路中，采用充分大的增益(放大增益)显得至关重要。但是，在上述实施方式中，能够通过同时向多个发送导体供给多个发送信号，并在接收部300分离检测与所述多个发送信号对应的接收信号成分，进行快速的指示体检测。并且，在上述实施方式中，作为多个发送信号使用扩频码，特别是作为扩频码使用相互正交且相互间的分离度高的哈达玛码。例如，在上述实施方式中，如图34(A)所示生成 16行X 16列的哈达玛矩阵，并将该哈达玛矩阵的各行的哈达玛码用作16个扩频码C1
C16O并且，在上述实施方式中，同步且同时向16个发送导体1IY供给16个扩频码C1 C16O S卩，在图34㈧中，16个扩频码C1-Q6同步且同时向16个发送导体供给各码片PNp PN2,. . . ,PN160因此，作为接收信号能够从与该16个发送导体IlY交叉的1个接收导体12X得到
以下信号，其相当于将16个扩频码C1 C16的各码片PN1JN2.....PN16的各数据相加而得
到的信号。即，与将图34(A)的哈达玛矩阵的列方向的相同码片位置的数据相加得到的结果相同的电流信号，在作为发送信号的扩散代码C1 C16的每1码片能够从各接收导体12X 得到。由该图34㈧的例的16个哈达玛码构成的扩频码C1 C16中，最上的行的扩频码C1的16个码片全部为“1”，但其他的扩频码C2 C16的16个码片则为8个“1”和8个 “-1”。并且，图34(A)的哈达玛矩阵为对称矩阵，行方向的代码串与列方向的代码串相同。因此，列方向的代码串也为哈达玛码，如从图34(A)可知，在16种扩频码C1-Q6的最初的码片PN1的定时中，能够从1个接收导体12X得到相当于16个“1”相加的电流信号。 并且，在16个扩频码C1 Q6的第二个以后的码片PN2 PN16的各定时中，能够从1个接收导体12X得到8个“1”与8个“-1”相加的零电平的电流信号。有必要对放大电路32的I/V转换电路的放大增益进行如下设定不会在全部码片的定时饱和，能够得到与应当检测的电流信号的电平对应的信号。为此，作为扩频码C1 C16，使用图34(A)的16码片的哈达玛码时，放大电路32的I/V转换电路的放大增益也有必要对最初的码片PN1的定时的相当于16个“1”相加的电流信号进行设定，形成不会饱和的较小的放大率。但是，设定成如此小的放大率时，作为放大电路32的I/V转换电路的放大增益，检测静电耦合方式的低电平的电流变化时，仍有可能不够充分。所以，在第四实施方式中，将图34(A)所示的16个扩频码MC1-MQ6用作从发送信号供给电路21产生的扩频码，所述16个扩频码MC1 MQ6由16行X 16列的哈达玛矩阵中未使用16个扩频码C1 C16全部成为“1”的最初的1码片PN1的15码片构成(参照 S 34(B)) 0S卩，所述16个扩频码MC1 MQ6如从图34⑶可知，将图34㈧的16码片的扩频码C1 C16的第二个以后的码片PN2 PNni作为其15码片PN1 PN15。因此，在该16个扩频码MC1 MC16的15码片PN1 PN15的各码片的定时中，8个“ 1”与8个“_1”被供给到8 个发送导体11Y。所以，在与该8个发送导体交叉的1个接收导体12X中，不能得到8个“ 1，， 与8个“-1”相加的零电平的电流信号，如16码片的情况，在起始码片的定时不会形成高电平的电流信号。因此，在该第四实施方式的指示体检测装置中，能够将放大电路32的I/V转换电路的放大增益设定得较大。
但是，作为从发送信号供给电路21发生的16个扩频码，如本例所示不使用16X16 的哈达玛矩阵中全部为“1”的列对应的起始码片的扩频码MCl MC16时，发现产生如下问题。以下为求简单，将4X4的哈达玛矩阵的情况作为例对该问题进行说明。此外，该问题发生在静电耦合方式的指示体检测上。图35以及图36表示如下情况同步且同时将4X4的哈达玛矩阵的各行的所有哈达玛码用作码片的扩频码C1 C4供给到4个发送导体IlY1 IlY4,并得到从一个接收导体12 得到的接收信号(电流信号)与各扩频码C1 C4的相关值。图35表示指示输入面100S上没有指示体的情况，图36表示指示体18与发送导体11 与接收导体12 的交叉点例如接触的情况。此外，在图35以及图36中，结合上述例，以扩频码C/ C/记载得到接收信号与各扩频码C1 C4的相关值的相关值运算用代码。并且，在以下说明中，在指示输入面100上没有指示体18的状态下，将扩频码C1 C4施加到各发送导体IlY时，从与4个发送导体IlY1 IlY4分别交叉的接收导体12 能够得到与供给到4个发送导体IlY1 IlY4的发送信号对应的D1 D4的信号电平。并且，在图35以及图36中，通过具备I/V转换电路的放大电路32向A/D转换电路33供给从接收导体12 得到的接收信号，所述I/V转换电路由运算放大器51和检测电容器52构成。并且，从接收导体12 得到的接收信号在A/D转换电路33转换成数字采样数据，成为与扩频码C1 C4的4码片对应的输出信号PSi、PS2、PS3、PS4，保存在相关值运算电路的移位寄存器35a中。并且，向相关器3 供给与保存在该移位寄存器35a的扩频码的4码片对应的输出信号PS1 PS4与相关值运算用代码C/ C/，并进行相关运算。首先，如图35所示，对指示输入面100S上没有指示体18的状态下的输出信号PSp PS2, PS3^PS4的值和相关值进行说明。如上所述，由于扩频码C1 C4的最初的码片全部是“1”，因而输出信号PS1的值成为如图35的左下方所示的大值。因此，如上所述，作为扩频码C1 C4使用4码片的哈达玛码时，放大电路32的I/V转换电路的放大增益也有必要对上述最初的码片PS1的定时中的相当于4个“1”相加的大值的电流信号进行设定，形成不会饱和的较小放大率。因此，在设定成如此小的放大率时，作为放大电路32的I/V转换电路的放大增益，检测静电耦合方式的低电平的电流变化时仍可能不够充分。此外，与第二码片以后对应的输出信号P&、PS3、 PS4的值成为零。并且，由于在移位寄存器3 中保存的输出信号PS1 P、与各相关值运算用代码 C/ C/的4个相关值成为输出信号PS1F为零的值，因而如图35右下所示，全部成为预定的值。此时，如果发送导体IlY1 IlY4与接收导体12 间的交叉点的静电耦合电容全部相等，将导致D1 = D2 = D3 = D4,因此，如上所述，指示输入面100S上没有指示体18的状态下的相关值成为全部相等的值(上述基准值ref)。接着，如图36所示，对指示体18与发送导体11 和接收导体12 间的交叉点例如接触的状态下的输出信号PSp P&、PS3, PS4的值与相关值进行说明。此时，由于指示体18与发送导体11 和接收导体12 间的交叉点接触，因而信号电平D2将减少。因此，各输出信号PS” PS2, PS3、PS4的值如图36左下所示，反映该信号电平D2的减少量。并且，在移位寄存器35a中保存的输出信号PS1 P、与各相关值运算用代码 C/ C/的4个相关值成为如图36右下所示的值。即只关于与扩频码C2对应的相关值运算用代码C2’的相关值变得比基准值ref小与信号电平&的减少相应的量，其他3个相关值变为基准值ref。此时，由于反映各数字采样数据PSp PS3, PS4所示的信号电平D2的减少量的成分在与相关值运算用代码C/、C/、C/的相关值的运算时相抵消，因而不会表示相关值，相关值变为基准值ref·。并且，关于与扩频码C2对应的相关值运算用代码C2’的相关值变得比基准值ref小与信号电平&的减少量精确对应的量。因此，如上所示，从计算的相关值减去指示输入面100S上没有指示体18的状态下的相关值的基准值ref时，只关于与扩频码C2对应的相关值运算用代码C2’的相关值成为与信号电平D2的减少量精确对应的负值。接着，为解决在使用4X4哈达玛矩阵的各行的哈达玛码的最初的1码片时放大电路32的I/V转换电路的放大增益变小的问题，如上所述，可以使用不使用上述最初的1码片的扩频码MC1 MC4。参照图37和图38对同步且同时将未使用4X4哈达玛矩阵的各行的哈达玛码的最初的1码片的扩频码MC1 MC4供给到4个发送导体IlY1 IlY4,并得到从1个接收导体12 得到的接收信号和各扩频码MC1-MC4的相关值的情况进行说明。此外，在图37以及图38中，结合上述例，用扩频码MC/ MC/记载得到接收导体和各扩频码MC1 MC4的相关值的相关值运算用代码。S卩，图37以及图38是分别与图35以及图36对应的图，图37表示指示输入面100S 上没有指示体18的情况，图38表示指示体18在发送导体11 与接收导体12 间的交叉点上例如接触的情况。在图37以及图38中，从接收导体12 得到的接收信号通过放大电路32被供给到 A/D转换电路33，而成为与扩频码MC1 MC4的3码片对应的输出信号P&、PS3、PS4，并在相关值运算电路的移位寄存器35a中保存。并且，保存在该移位寄存器35a中的输出信号 P、与相关值运算用代码 MC1' MC/供给到相关器3 而进行相关运算。首先，如图37所示，对指示输入面100S上没有指示体18的状态的输出信号PS2、 PS3^PS4的值与相关值进行说明。如上所述，与扩频码MC1 MC4的各码片对应的输出信号PS2、PS3、P&的值成为零。 并且，保存在移位寄存器3 上的输出信号 P、与各相关值运算用代码MC/ MC/ 的4个相关值分别也如图37右下所示，全部成为零。即，此时，相关值的基准值ref成为零， 相关值也成为零。接着，如图38所示，对指示体18与发送导体11 和接收导体12 间的交叉点例如接触的状态下的输出信号PS2、PS3、P&的值和相关值进行说明。此时，由于指示体18与发送导体11 和接收导体12 间的交叉点接触，信号电平 D2减少。因此，各输出信号PS2、PS3、PS4的值如图38的左下所示，成为反映该信号电平D2 的减少量的值，不会成为零。
并且，保存在移位寄存器35a的输出信号PS2 PS4与各相关值运算用代码C/ C/的4个相关值分别成为如图38右下所示的值。即，与扩频码C2对应的相关值运算用代码C2’的相关值变得比零小与信号电平A的减少量相应的量，并且其他3个相关值与零偏差与信号电平D2的减少量相应的量(称为偏移)。此时，4个相关值的平均电平成为零。并且，4个相关值根据指示体的接触状态或悬停状态，将零作为平均值上下变动。为此，将与指示体18接触的原来的交叉点对应的扩频码的相关值作为标准电平 ref =零而进行检测时，会产生如下问题通过静电耦合方式检测的存在指示体的交叉点中得到的负极性的相关值变小相当于上述偏移的量，且不能正确进行指示体的检测。为解决所述问题，以图38的例进行说明时，可以将输出信号？32、？53、？、和相关值运算用代码C/、C/、C/的相关值所示的偏移量从计算出的相关值减去而进行校正。如此一来，由于能够将用于指示体位置检测的相关值ref在排除偏移的状态下使之为零，因而能正确检测负的相关值。在输出信号？32、？531、与相关值运算用代码(1’、(3’、(；’的相关值所示的所述偏移量，在图38的例中是通过指示体18与发送导体11 和接收导体12 间的交叉点接触， 发生信号电平A的减少而生成。并且，能够从通过没有指示体18的接触等指示输入的其他发送导体IIY1UIY3UIY4的扩频码的相关值正确检测出所述偏移量。但是，在这里应该注意的是，检测偏移量的发送导体IlY是在指示输入面100S中有指示体18的接触等指示输入时，处于不会因该指示体18接触等而进行指示输入的位置的发送导体11Y。因此，为了满足这一要求，始终检测偏移量的发送导体IlY必须是没有指示体18接触等指示输入的状态。作为一种解决之策，可以从经掩模处理而不会检测指示体18的接触等指示输入的发送导体IlY得到代码相互不同的多个扩频码中的任意一个扩频码。但是，对发送导体IlY施行这样的掩模处理比较困难。并且，即使能够施行掩模处理，也会导致传感器部100的结构变得复杂、成本增加。所以，在第四实施方式中，不向发送导体IlY供给代码相互不同的多个扩频码之中的任意一个扩频码，而直接供给接收导体12X的输出信号。如此一来，该扩频码不必经由指示体18接触等而指示输入的交叉点，就能够施加接收导体12X的输出信号，并能够作为该扩频码的相关值检测偏移量。并且，根据检测的偏移量，校正在相关值运算电路中计算的相关值，由此能够始终正确地进行指示体检测。在图39以及图40中表示上述第一实施方式的指示体检测装置适用第四实施方式的情况的主要部分的结构。第四实施方式的结构是表示将16种扩频码C1 C16中的扩频码C1用作用于检测偏移量的扩频码的情况的例。此外，对于与第一实施方式相同的结构部分，标以相同的参照标号并省略详细说明。图39是表示该第四实施方式中的到传感器部100’、发送部200’、以及接收部300’ 的放大电路32的一部分的结构例的图。并且，图40是表示第四实施方式中的位置检测电路34’的结构例的图。其他部分与第一实施方式相同。如图39所示，该第四实施方式的传感器部100’不具有第一实施方式的传感器部 100的发送块TB1的4个发送导体IlY1 11Y4。因此，第四实施方式的传感器部100’的发送导体数量为60个。此外，关于接收导体组12，也包含检测块DB1 -DBni的结构，该第四实施方式也与第一实施方式相同。并且，在该第四实施方式中，由于不存在发送块TB1，因而发送导体选择电路22 ’不具有第一实施方式的发送导体选择电路22的开关电路2201。并且，如图39所示，通过发送导体选择电路22’同步且同时向各发送块TB2 TB16 的一个发送导体IlY供给来自发送信号供给电路21的扩频码生成电路2102 2116的15 种扩频码C2 C16。在该第四实施方式中，来自发送信号供给电路21的扩频码生成电路2101的扩频
码C1分别经由电容器3801、3802.....3816附加到来自接收导体选择电路31的输出信号
S1 S16，并被供给到放大电路32的各I/V转换电路3201、3202.....3216。此时，电容器3801、3802.....3816的电容选择为例如发送导体IlY与接收导体
12X间的交叉点上的静电电容Q。即，通过与不存在指示体18的状态的交叉点相同的静电电容C0向各放大电路的I/V转换电路3201、3202.....3216供给频码Q。因此，输入到放大电路32的各I/V转换电路3201、3202.....3216的输出信号
S1 S16成为与所有16个全部扩频码C1 Cni多重化的信号对应的信号。所述各输出信号S1 S16与第一实施方式相同，在各放大电路32的I/V转换电路
3201、3202.....3216转换成电压信号并放大后，在A/D转换电路33的A/D转换器3301
3316转换成数字采样数据。并且，如图40所示，向位置检测电路34的运算处理电路35的对应的相关值运算电路3501 3516供给从各A/D转换器3301 3316输出的数字采样数据。由于该相关值运算电路3501 3516分别具备与图18所示的第一实施方式完全相同的结构，输入的数字采样数据分别作为输出信号PS1 PSni保存在移位寄存器35a中。如上所述，各相关值运算电路3501 3516分别进行在移位寄存器35a中保存的输出信号PS1 PS16与16个扩频码C1 C16的相关运算，并向输出电路36’供给计算出的相关值。如下所述，在移位寄存器35a中保存的输出信号PS1 PSni与16个扩频码C1 C16的16个相关值中，关于扩频码C1的相关值表示偏移值。在该第四实施方式中，如图40所示，输出电路36 ’具备存储电路36M’、位置计算电路361、偏移去除电路365。存储电路36M’是存储传感器部100’的发送导体数量X接收导体数量=60X128 个的交叉点的相关值的存储电路。由于位置计算电路361具备与第一实施方式相同的结构，因而，在第四实施方式中，根据该存储在存储电路36M’的相关值生成指示体的检测结果作为输出数据。偏移去除电路365具备减法电路501 516，用于接收来自相关值运算电路 3501 3516的各相关值存储电路35d的输出而进行偏移的去除。并且，偏移去除电路365的各减法电路501 516分别连接到存储电路36M’，并向存储电路36M’传送在各减法电路501 516去除偏移值的各相关值。存储电路36M’对所述传送的相关值进行存储。并且，偏移去除电路365连接到控制电路40。由于偏移去除电路365的各减法电路501 516的结构均相同，因而，在图41中，以减法电路501的情况表示其结构例。
减法电路501由15个减法器50 50a16构成。15个减法器50 50a16的一个输入端分别连接到相关值运算电路3501的相关值存储电路35d的对应的寄存器35d2 35d16的各输出端。并且，各减法器50 50a16的另一个输入端连接到相关值运算电路3501的相关值存储电路35d的寄存器35屯的输出端。此外，各减法器50 50a16从来自寄存器35d2 35d16的相关值减去来自寄存器 35屯的相关值(偏移值)。与第一实施方式相同，在接收导体选择电路31选择16个检测块DB的1个接收导体12X的状态下，按照每1周期，向由15个发送导体IlY构成一组的四组供给15个扩频码 C2 C16。并且，在16个检测块DB1 DBni分别选择1个接收导体12X的状态下，按照扩频码的4周期，向所有发送导体IlY供给15种扩频码C2 C16。因此，来自接收导体选择电路31的16个输出信号S1-Sni分别为15个扩频码 C2 C16的各码片的成分相加的信号。并且，扩频码C1通过各电容器3801 3816与来自该接收导体选择电路31的16个输出信号S1 S16分别相加，从而输入到放大电路32的各
I/V转换电路3201、3202.....3216的各输出信号S1 S16成为所有16个扩频码C1 C16
相加的信号。在上述扩频码的4周期的最初的一周期中，分别向15个发送导体IlY8UlY12.....
IlY60供给15个扩频码C2 C16。并且，针对来自接收导体选择电路31的16个输出信号 S1 S16分别通过各电容器3801 3816加上扩频码C1。该输出信号S1 S16如上所述，分别经由放大电路32被供给到A/D转换电路33供给，并分别转换成数字采样数据而在各相关值运算电路3501 3516的移位寄存器35d中保存。并且，在各相关值运算电路3501 3516中，计算出各输出信号S1 S16的数字采样数据和各扩频码C1 Q6的相关值。此时，如上所述，由于没有向传感器部100’的发送导体IlY供给扩频码C1,因而， 该扩频码C1的相关值为接收导体选择电路31选择的接收导体12X和15个发送导体11Y8、 IlY12.....IlY60间的各交叉点的偏移值。该偏移值能够从相关值运算电路3501 3516的各相关值存储电路35d的寄存器 35屯得到。即，在相关值存储电路35d的寄存器35屯中保存偏移值。并且，来自该寄存器 35屯的偏移值被供给到偏移去除电路365，再被供给到各减法电路501 516的各减法器 50a2 50a16。并且，在各偏移去除电路365的减法电路501 516中，在各减法器50 50a16 中，从来自寄存器35d2 35d16的相关值减去来自寄存器35屯的偏移值而进行去除。并且， 向存储电路36M’供给来自各减法电路501 516的去除偏移值的相关值而进行存储。对在接收导体选择电路31选择的接收导体12X和其他15个发送导体的组进行的处理动作也与上述情况相同。并且，对四组15个发送导体的处理动作结束时，在接收导体选择电路31选择的接收导体12X在各检测块DB1 DB16切换成另一个接收导体切换并重复上述动作。如上所述，在第四实施方式中，由于使用未用代码相互不同的多个哈达玛码中全部成为“1”的最初的1码片的扩频码，因而，能增大放大电路32的放大增益。
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但是，在该第四实施方式中，即使使用未用代码相互不同的多个哈达玛码中全部成为“1”的最初的1码片的扩频码，也能解决所述情况的问题点，并与使用所有哈达玛码的码片的情况相同，正确检测指示体。(校正信号的合成方式的另一例)但是，在上述例中，对向A/D转换电路33输入来自接收导体12X的输出信号和相关值的偏移的校正信号(校准信号)之前，即在模拟信号的阶段合成的情况进行了说明。这样，在模拟信号的阶段合成校准信号和来自接收导体12X的输出信号时，由于仅设置电容器3801 3816即可实现，因而在简化电路结构的方面具有优点。但是，该电容器3801 3816有必要设定与在发送导体IlY和接收导体12X间的交叉点上形成的电容器同等程度的电容值。由于在发送导体IlY和接收导体12X间的交叉点上形成的电容器的电容是例如约0. 5pF左右的非常小的电容，因而，很难在实际的电路基板上进行安装。并且，在上述例中，由于在模拟信号的阶段合成校准信号和来自接收导体 12X的输出信号，因而也有容易产生误差的问题。因此，在该校准信号的合成方法的另一例中，将校准信号和A/D转换电路33的输出信号即转换成数字信号的接收信号进行合成。图42表示作为用于得到偏移值的校准信号的扩频码与A/D转换电路33的输出信号相加的情况的结构例的图。该图42的例也把扩频码C1用作用于得到偏移值的校准信号。在本例中，在A/D转换电路33的输出侧设置加法电路39。该加法电路39具备A/ D转换电路33的各A/D转换器3301 3316的输出端与一个输入端连接的加法器3901 3916。并且，经由电容器38向I/V转换电路3220供给来自发送信号供给电路21的扩频码生成电路2101的扩频码Q。此时，电容器38的电容选定为发送导体IlY与接收导体12X 间的交叉点的静电电容Q。并且，I/V转换电路3220形成与放大电路32的各I/V转换电路3201 3216相同的结构。即，通过不存在指示体18的状态的交叉点的静电电容C。向 I/V转换电路3220供给扩频码C1。并且，与A/D转换电路33的各A/D转换器3301 3316相同，I/V转换电路3220 的输出信号通过A/D转换器3320转换成与时钟信号CLK同步的数字采样数据。并且，向加法电路39的各加法器3901 3916供给来自A/D转换器3320的数字采样数据。加法电路39的各加法器3901 3916对来自A/D转换器3301 3316的数字采样数据和来自A/D转换器3320的数字采样数据进行加法运算。并且，向位置检测电路34 供给加法电路39的各加法器3901 3916的加法运算输出。该另一结构与上述第四实施方式的结构相同。如上所述，在校准信号的合成方法的另一例中，作为校准信号和来自接收导体12X 的输出信号，以数字信号合成。因此，在为供给校准信号而设置的电容器38中，例如使用 SpF的电容器，在A/D转换器3320中，通过消除4比特量的数据，比用模拟信号合成时的精度高的精度进行信号合成。此外，在上述第四实施方式中，作为校准信号，说明了使用1个扩频码的例，但不限于使用1个扩频码。例如，可以将2个以上的扩频码作为校准信号进行供给。以上，对第四实施方式适用于第一实施方式的情况进行了说明，但第四实施方式当然也能够适用于第二实施方式及第三实施方式。(第五实施方式去除检测不均，图43-图47)该第五实施方式是上述第一 第四实施方式的发送部200、200’以及接收部300、 300’的部分的变形例。如上所述，作为指示体18，不仅采用用户的手指，还能采用笔等。并且，在本实施方式的指示体检测装置中，能够通过电阻膜方式检测指示体18的按压力。但是，笔等指示体18如图43(A)、⑶所示，也能够指示输入2个接收导体12Xm、 12Xm+1之间的点。但是，这样指示输入2个接收导体12Xm、12Xm+1之间的点时，从2个接收导体12Xm、12Xrt的输出信号计计算的指示体的检测输出(相关值)根据所述指示输入点的2 个接收导体12Xm、12Xm+1之间的位置发生变化。S卩，指示体18的笔的指示输入点如图43㈧在2个接收导体12Xm、12Xm+1中与接收导体口乂^则接近时，如图43(C)所示，从接收导体12Xm的输出信号得到的指示体检测输出 (相关值)Im变大，从接收导体12Xm+1的输出信号得到的指示体检测输出(相关值)Im+1变小。对此，指示体18的笔的指示输入点如图43(B)在2个接收导体12Xm、12Xm+1中与接收导体12Xm+1侧接近时，如图43 (D)所示，从接收导体12Xm的输出信号得到的指示体检测输出 (相关值)Im变小，从接收导体12Xm+1的输出信号得到的指示体检测输出(相关值)Im+1变大。因此，例如使作为指示体18按压指示输入面100S并描绘直线而向接收导体的沿伸方向移动时，如图44所示，根据该指示体的检测输出检测的线60出现粗细不均勻或摇摆的问题。图43、图44的说明表示指示体18指示输入2个接收导体之间的点位置的情况，但在指示体18指示输入2个发送导体之间的点位置时，也出现相同的问题。该第五实施方式就是解决以上问题的例。(第一例)图45是用于说明该第五实施方式的第一例的主要部分的基本概念的图。在该第五实施方式的第一例中，同时向2个发送导体11Υη、11Υη+1供给扩频码Ck。并且，分别通过 I/V转换电路61、62向放大器63供给从2个接收导体12Xm、12Xm+1得到的接收信号(电流信号)，在该放大器63进行加法运算。如此一来，从放大器63得到的信号Smix的指示体检测输出(相关值)为与指示体检测输出(相关值)Im和指示体检测输出(相关值)Ilrt之和等价的指示体检测输出(相关值)。即，作为指示体18的笔的指示输入点如图43㈧所示在2个接收导体12Xm、12Xrt中与接收导体12Xm侧接近时，能够得到如图43(E)所示的指示体检测输出(相关值)Imix。并且，作为指示体18的笔的指示输入点如图43⑶在2个接收导体12Xm、12Xm+1中与接收导体
侧接近时，能够得到如图43(F)所示的指示体检测输出(相关值)Imix。因此，使作为指示体18的笔按压指示输入面100S并描绘直线而移动时，根据该指示体检测输出检测出的线不会形成粗细不均或发生摇摆。此外，在该第五实施方式的接收部300中，接收导体选择电路31’的各开关电路 3101’ 3116’如图46所示，构成分别选择2个接收导体的开关电路。并且，各开关电路 3101， 3116，将每2个接收导体逐个错开进行选择。即，各开关电路3101， 3116，分别将2个接收导体12Xm、12Xm+1的之后是2个接收导体12Xm+1、12Xm+2，之后是2个接收导体 12Xm+2、12Xm+3，这样逐个错开并进行切换。在该第五实施方式中，各开关电路3101， 3116，构成为，如图46中虚线包围所示，构成检测块中下标最大的接收导体与相邻的检测块中下标最小的起始接收导体进行加
法运算。并且，虽然省略了图示，但发送部200的发送导体选择电路22’也对2个分别供给扩频码Ck的发送导体进行逐个切换。即，2个发送导体11Υη、11Υη+1之后是2个发送导体 11Υη+1、11Υη+2，之后是2个发送导体11Υη+2、11Υη+3，这样逐个错开而进行切换。并且，与上述检测块相同，在发送块中，相邻的发送导体在2个块中共用。(第二例)图47是用于说明第五实施方式的第二例的主要部分的基本概念的图。在第五实施方式的第二例中，扩频码Ck同时供给到3个发送导体1 IYlri、1 IYn, 11Υη+1。并且，分别通过 I/V转换电路64、65、66向差动放大器67供给从3个接收导体UXn^UXmUZXlrt得到的接收信号，在该差动放大器67进行合成。在第二例中，中央的接收导体12Xm是关注接收导体， 来自所述关注接收导体的接收信号被供给到差动放大器67的非反转输入端子。并且，从中央的接收导体12Xm的两个相邻的接收导体UXmY^Xlrt得到的接收信号被供给到差动放大器67的反转输入端子。在该第二例中，作为差动放大器67的输出信号，能够得到针对从接收导体得到的接收信号提高了耐噪声性的输出信号。并且，能够将供给到差动放大器67的非反转输入端子的来自中央的关注接收导体12Xm的接收信号成为从两个相邻的接收导体UXnriUZXlrt得到的接收信号的2倍，能够显著提高耐噪声性。此外，在该第二例中，接收部的接收导体选择电路将每3个接收导体一个一个地错开而进行选择。并且，在发送部的发送导体选择电路中，也将3个发送导体一个一个地错开并进行选择。另外，在与检测块或发送块相邻的导体之间，重叠接收导体和发送导体而使用的情况与第一例相同。此外，该第五实施方式能够适用于上述的所有实施方式。(第六实施方式放大电路的自动增益控制)但是，第一实施方式的指示体检测装置1为了稳定地进行相关运算，转换成电信号的接收信号在放大器将其信号电平放大为预定的信号电平之后，在A/D转换电路33转换成数字采样数据并输入到相关值运算电路34。噪声比接收信号大时，如果一味放大混有噪声的接收信号，会出现噪声也放大、A/ D转换器被限制、不能适当地检测接收信号的问题。但是，如果不放大接收信号的信号电平，例如，检测处于悬停状态的指示体时，会出现接收信号的信号电位的变化极小、不能检测指示体18的问题。第六实施方式用于解决这些问题，特征在于放大电路32的部分。以下，参照图48和图49对该第六实施方式进行说明。图48是该第六实施方式的接收部330的简要框图，图49是构成后面所述的增益值设定电路的绝对值检波电路的电路结构图。该第六实施方式所示的接收部330和第一实施方式的接收部300相比，其不同点是使用具有自动增益控制功能的放大电路510代替放大电路32的点。其他结构与第一实施方式的情况相同，对相同的结构附上相同的标号并省略说明。此外，在图48的放大电路 510上，为求简单，表示了关于输出信号S1 S16之间的一个输出信号的内部电路。实际上， 对各输出信号S1 S16设有图48的放大电路510的内部电路。如图48所示，本例的放大电路510具备I/V转换电路511、增益调整电路512和增益值设定电路513。I/V转换电路511具有与上述I/V转换电路3201 3216相同的结构， 在本例中，该ΙΛ转换电路511的输出端连接在增益调整电路512的输入端上。增益调整电路512是用于使输入的信号的信号电平放大或减小为适当的预定的信号电平的电路。该增益调整电路512根据来自增益值设定电路513的控制信号进行所述输出信号电平的控制。此时，由于在增益调整电路513和所处理的信号能量成分的信号强度中，不仅包含应当检测的信号(扩频码)成分还包含噪声等，因而增益控制电路512根据信号整体的能量成分的信号强度设定增益值。该增益调整电路512的输出信号被供给到A/D转换电路33，并转换成数字采样数据。来自该A/D转换电路33的数字采样数据被供给到位置检测电路34的同时，在本例中被供给到增益值设定电路513。增益值设定电路513生成控制信号，并将该控制信号供给给向增益调整电路512 的控制信号输入端，所述控制信号根据来自A/D转换电路33的数字采样数据对增益调整电路512进行控制。所述增益值设定电路512具备绝对值检波电路514和增益值设定电路 515。绝对值检波电路514检测来自A/D转换电路33的数字采样数据的能量成分的信号强度。此外，由于在从A/D转换电路33输出的数字采样数据中，不仅包含应检测的信号 (扩频码)成分，还包含噪声等不需要的信号成分，因而在绝对值检波电路514中，检测出包含噪声等不需要的信号成分在内的检测信号整体的能量成分的信号强度。自动增益控制电路515根据在绝对值检波电路514检测的信号强度生成控制增益调整电路512的增益的控制信号，并供给给增益调整电路512。绝对值检波电路514具有例如如图49所示的结构例。即，在图48的例中，绝对值检波电路514具备平方乘法器(Squaring multiplier) 5141和连接在该平方乘法器5141 的输出端子的积分器5142。平方乘法器5141对A/D转换电路33的输出信号进行平方运算，并向积分器5142 输出运算后的平方运算输出信号。积分器5142对来自平方乘法器5141的平方运算输出信号分时地进行积分，并将其积分输出信号作为绝对值检波输出得到。并且，积分器5142向自动增益控制电路515供给所述积分输出信号。在该第六实施方式中，如上所述，检测不仅包含应检测的信号(扩频码)成分还包含噪声等信号的能量成分的信号强度，根据其信号强度控制增益调整电路512的增益值， 进行自动增益控制，以使其输出电平成为预定电平。因此，即使输入到增益调整电路512的信号中有噪声等重叠，也能够针对该输入信号进行适当的自动增益控制。此外，作为用绝对值检波电路514得到绝对值检波输出的方法，只要能够检测出包含应检测的信号成分以及噪声的信号的电平，可以采用任意的方法。例如，除了上述方法以外，能采用对绝对值检波电路514的输入信号的电平的绝对值进行积分的方法等。并且，
52作为绝对值检波处理的方法，可以采用A/D转换后的数字信号处理以及A/D转换前的模拟信号处理中的任意一种。此外，该第六实施方式能适用于所有上述实施方式。(第七实施方式传感器部的其他结构例，图50-图作为第七实施方式，对传感器部的其他结构例进行说明。(传感器部的第形例1)上述实施方式的传感器部100的压敏材料如图2所示，在与指示输入面100S正交的方向，保留预定的空隙15而配置发送电阻体13Y与接收电阻体14X，并在经由空隙15相对的发送电阻体13Y以及接收电阻体14X的面上形成有如图2所示的极小的凹凸。但是，作为传感器部100的压敏材料的结构，发送电阻体13Y以及接收电阻体14X 没有形成极小的凹凸的面不限于互相相对的面。该传感器部的变形例1是表示这种情况的一例。用图50表示该变形例1的传感器部500的主要部分。图50(A)是该传感器部500的X轴方向剖视图，图50(B)则是Y轴方向剖视图。此外，在与上述实施方式相同部分，附上相同的参照符号并省略说明。这同样适用于后面所述的传感器部的其他变形例。在图50的例中，发送电阻体13Y以及接收电阻体14X的经由空隙15互相相对的面呈镜面状，但是与发送导体IlY接触的发送电阻体13Y的面以及与接收导体12X接触的接收电阻体14X的面如图50(A)、(B)所示，形成有极小的凹凸。在该图50(A)、(B)中表示的例中，指示输入面100S被手指等指示体18按压时，发送电阻体13Y与接收电阻体14X的相对面相互接触，并且发送导体IlY与发送电阻体13Y 间的接触面积，以及接收导体12X与接收电阻体14X间的接触面积根据指示体18的按压力发生变化。因此，在发送电阻体13Y与接收电阻体14X接触的状态下，发送导体IlY与接收导体12X间的电阻值与指示体18对指示输入面100S施加的按压力对应，而得到与上述实施方式相同的作用效果。并且，作为传感器部500的结构，如图50(C)、(D)所示，可以将发送电阻体13Y以及接收电阻体14X的形成极小的凹凸的面作为互相相对的面，并作为与发送导体IlY接触的发送电阻体13Y的面以及与接收导体12X接触的接收电阻体14X的面。在该图50(C)、(D)中表示的例中，也如图50(A)、(B)所示，在发送电阻体13Y与接收电阻体14X接触的状态下，发送导体IlY与接收导体12X间的电阻值与指示体18对指示输入面100S施加的按压力对应。因此，在图50 (C)、(D)中表示的本例中也能得到与上述实施方式相同的作用效果。此外，在图50中，发送电阻体13Y沿着发送导体IlY形成，接收电阻体14X沿着接收导体12X形成，但发送电阻体13Y以及接收电阻体14X可以分别在与发送导体IlY或接收导体12X相同的方向形成。并且，发送电阻体13Y以及接收电阻体14X可以在与发送导体IlY和接收导体12X的交叉点对应的每个区域呈岛状形成。另外发送电阻体13Y以及接收电阻体14X也可以如上所述，遍及整个基板16以及上侧基板17的一面而形成。并且，可以形成如下结构发送电阻体IlY或接收电阻体12X的一方沿着发送导体IlY或接收导体12X形成，另一方遍及整个下侧基板16或上侧基板17的一面形成。并且还可以形成如下结构发送电阻体IlY或接收电阻体12X的一方在与发送导体IlY与接收导体12X的交叉点对应的每个区域呈岛状设置，另一方遍及整个下侧基板16或上侧基板 17的一面，或沿着发送导体IlY或接收导体12X形成。(传感器部的变形例2)在以上的实施方式的传感器部中，压敏材料由发送电阻体13Y与接收电阻体14X 构成，但也能够作为由一个电阻体构成的结构而构成。图51(A)、(B)表示将压敏材料由一个电阻体构成的第一例。图51 (A)是在该变形例2的传感器部600上的X轴方向剖视图， 图51⑶是Y轴方向剖视图。S卩，如图51 (A)、⑶所示，在下侧基板16上的发送导体IlY与上侧基板17的下侧的接收导体12X之间的空间，使矩形状的电阻体19分别对应于各交叉点而进行设置。作为该电阻体19使用与上述例的发送电阻体13Y或接收电阻体14X相同的电阻体。在图51(A)、⑶的例中，在下侧基板16上的发送导体IlY上设置电阻体19。在本例中，电阻体19如图所示，形成有极小的凹凸的面侧形成发送导体IlY侧，未形成有极小的凹凸的面侧形成接收导体12X侧。并且，此时电阻体19与接收导体12X之间成为存在微小空隙的状态。此外，虽然省略了图示，但在传感器部600的周边部的下侧基板16与上侧基板17 之间设有垫片部件，所述垫片部件在产生如图所示的空隙的状态下，维持设置电阻体19的结构。即，下侧基板16与上侧基板17经由该垫片部件接合。在该图51 (A)、⑶所示的例中，通过指示体18按压指示输入面100S时，电阻体19 与接收导体12X接触，并且发送导体IlY与电阻体19的接触面根据指示体18的按压力发生变化。因此，电阻体19与接收导体12X接触的状态下，发送导体IlY与接收导体12X间的电阻值与指示体18对指示输入面100S施加的按压力对应，并得到与上述实施方式相同的作用效果。此夕卜，电阻体19如图51(C)所示，可以将与接收导体12X相对的面侧作为形成极小的凹凸的面。并且，电阻体19如图51⑶所示，将与接收导体12X相对的面侧作为形成极小的凹凸的面，并且可以将与发送导体IlY接触的面侧作为没有形成极小的凹凸的面。此时，电阻体19能够构成针对下侧基板16以及该下侧基板16上的发送导体IlY层叠的结构。此外，在图51中，电阻体19虽然呈与各交叉点位置对应并相互分离的矩形状，但在本例中，可以与多个发送导体以及接收导体共同地设置在基板16以及基板17的一整面。 并且，电阻体19可以沿着发送导体IlY或接收导体12X中的任意一个形成。(传感器部的变形例3)上述的传感器部的压敏材料的例中得到与电阻体和电阻体间的接触面积或电阻体和导电体的接触面积对应的电阻值。作为具有有用于传感器部的预定的电阻特性的压敏材料不限于此。该传感器部的变形例3作为所述压敏材料的一例，采用了可变电阻弹性体， 例如可变电阻橡胶。在本例中使用的可变电阻弹性体，例如如专利文献5 (特开平6-19M85号公报) 中所记载，内部是可变电阻橡胶，所述可变电阻橡胶例如由碳黑、金属粉等导电粒子以微小的间隔均勻分散的多孔质橡胶构成。用图52表示该可变电阻橡胶的电阻与负荷间的关系。 没有对该可变电阻橡胶施加负荷时，由于导电粒子之间以微小的间隔分散，因而如图52所示，其电阻值将变得非常大。并且，对可变电阻橡胶施加负荷时，可变电阻橡胶进行弹性偏移，导电粒子呈链状或块状，并部分相互接触，可变电阻橡胶将具有导电性。并且，由于可变电阻橡胶如图52所示，负荷越大，导电粒子变为链状或块状的程度越强，因而具有所述电阻值变小的特性。图53 (A)、(B)表示变形例3的传感器部700的一例，表示由一个电阻体构成压敏材料的第二例。图53 (A)是该传感器部700的X轴方向剖视图，图53(B)则是其Y轴方向剖视图。在传感器部700中，将由可变电阻橡胶构成的压敏电阻部件用作压敏材料。并且， 在发送导体IlY与接收导体12X的交叉点的一部分上设置由矩形状的可变电阻橡胶构成的压敏电阻部件130，来代替发送电阻体13Y以及接收电阻体14X。此时，在没有通过指示体18对指示输入面100S施加按压负荷的状态中，压敏电阻部件130位于发送导体IlY与接收导体12X的交叉点。在构成如上所述的结构的传感器部700中，通过手指等指示体18对指示输入面 100S施加按压负荷时，其被施加按压负荷的交叉点位置的压敏电阻部件130进行弹性偏移，该压敏电阻部件130的电阻值变小。因此，在该传感器部700中，在没有通过指示体18对指示输入面100S施加按压负荷的状态下，由于压敏电阻部件130的电阻非常大，经由压敏电阻部件130的电流几乎不流。即，在没有通过指示体18对传感器部700的指示输入面100S施加按压负荷的状态下， 压敏电阻部件130作为绝缘部件发挥功能，使发送导体IlY与接收导体12X之间绝缘。并且，通过指示体18对指示输入面100S施加按压负荷时，由于压敏电阻部件130 的电阻值根据按压负荷而变小，因而与按压负荷对应的电流经由压敏电阻部件130在发送导体IlY与接收导体12X之间流动。根据监测该电流，与上述实施方式一样，该变形例3也能通过电阻膜方式进行指示体检测。此外，在图53中，压敏电阻部件130虽然呈与各交叉点位置对应并相互分离的矩形状，但在本例中，可以与多个发送导体IlY以及接收导体12X共同地设置在基板16以及基板17的一整面。并且，压敏电阻部件130可以沿着发送导体IlY或接收导体12X中的任意一个形成。(传感器部的变形例4)上述例的传感器部的结构全部都是在下侧基板16与上侧基板17的2个基板间具备发送导体、接收导体、压敏材料。但是，也能够构成在一个基板上形成发送导体、接收导体、压敏材料的结构。该传感器部的变形例4是仅使用一个基板的结构的传感器部的例。根据图M对该变形例4的传感器部800的一例进行说明。在这里，图讨㈧表示该传感器部800的一个交叉点部分的X轴方向剖视图，图54(B)表示该变形例4的传感器部的斜视图。另外，在该图M中，省略了形成在基板160的一面上的覆盖发送导体、接收导体以及压敏材料而对其进行保护的保护层以及保护片。该传感器部800如图讨㈧所示，由基板160、多个发送导体IlY以及多个接收导体12X、压敏电阻部件131与金属层110构成。该传感器部800在基板160的一面上，具备发送导体IlY与接收导体12X实际交叉的结构。在本例中，接收导体12X与上述实施方式一样由沿Y轴方向延伸的线状导体构成。但是，发送导体IlY并没有形成沿X轴方向连续的线状的导体，而形成被接收导体12X 的一部分切断的发送导体片IHbt通过金属层110连接的结构。即，沿X轴方向呈直线状排列的发送导体片IHbt通过金属层110连接，而使发送导体IlY分别形成1个发送导体。此外，金属层110以及发送导体片IHbt通过印刷图形形成在基板160上。并且， 接收导体12X除了与金属层110重叠的部分以外，设置在基板160上。另外，在接收导体 12X与金属层110的交叉部分中，设有由与变形例3的传感器部700相同的压敏电阻部件 131构成的压敏材料。在该变形例4的传感器部800中，基板160、发送导体11Y、接收导体12X能够由与上述第一实施方式相同的材料形成。即，与第一实施方式相同，基板160可以采用具有透光性的公知的玻璃基板以外，也可以使用由合成树脂形成的片状(薄膜状)基材。发送导体 IlY以及接收导体12X例如，用由ITO膜构成的透明电极膜形成。并且，金属层110是具有高导电率的金属材料，例如，可以由Mo(钼)等形成。由于金属层110与发送导体片的接触面积微小，因而为了使所述电阻变小，金属层110优选具有高导电率的金属材料。在该变形例4的传感器部800中，在没有指示体对传感器部的指示输入面施加按压负荷的状态下，由于压敏电阻部件131的电阻非常大，因而经由压敏电阻部件130的电流几乎不流。即，在没有通过指示体对传感器部800的指示体输入面100S施加按压负荷的状态下，压敏电阻部件131作为绝缘部件发挥其功能，使发送导体IlY与接收导体12X间绝缘。并且，通过指示体18对指示输入面100S施加按压负荷时，在所述被施加按压负荷的交叉点上，压敏电阻部件130的电阻值根据该按压负荷而变小。因此，与按压负荷对应的电流如下流动发送导IlY的发送导体片IHbt —金属层110 —压敏电阻部件131 —接收导体UX。所以，变形例4的传感器部800也能够发挥与上述变形例3的传感器部700相同的作用效果。在变形例4的传感器部800上，例如由玻璃基板构成的基板为一个，能使传感器部的厚度变得更薄。并且，在传感器部800上，将发送导体IlY以及接收导体12X实际上能以一层构成，因此能提供更廉价的传感器部。此外，在图M的例中，发送导体IlY由导体片和金属层构成，但发送导体IlY作为线状的导体，接收导体12X可以由导体片和金属层构成。此外，在图M中，压敏电阻部件131为与各交叉点位置对应的相互分离的矩形状， 但压敏电阻部件131可以沿着发送导体IlY或接收导体12X的任意一个形成。(传感器部的变形例5)在采用交叉点静电耦合方式的指示体检测装置中，通常操作指示体的面侧即从上方观察传感器部时，多个接收导体以及发送导体进行交叉，具有存在导体图形的区域与不存在的区域。各导体虽然以ITO膜等透明电极膜形成，但存在导体图形的区域的光透过率相比不存在导体图形的区域低下。其结果，在传感器部上产生光透过率的不均勻。对于使用者来说，该光透过率的不均勻不可忽视。在该变形例5中，对消除这种传感器部上的光透过率的不均勻进行说明。用图55表示变形例5的传感器部900的概略结构。在该传感器部900中，在不存在发送导体911以及接收导体912的区域中，例如设置由与导体相同的材料构成的第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914。由于除此之外的结构与上述传感器部的结构相同， 因此省略对其进行说明。并且，用图56 (A)表示传感器部900的发送导体911以及第一透明电极膜913的结构。在该变形例5中，在与发送导体911相同的面，相互接近配置的两个发送导体911之间配置矩形状的第一透明电极膜913。该第一透明电极膜913具有比发送导体911之间的尺寸还要略小的尺寸，与发送导体911之间保留一些空隙分离，从而不与发送导体911接触。 另一方面，第一透明电极膜913的发送导体911的延伸方向的尺寸设定为略小于相互接近地配置的接收导体912间的尺寸和1个接收导体912的导体宽度加起来的的尺寸。并且， 第一透明电极膜913的配置如下在位置相互接近的2个接收导体912之间，形成延伸至各接收导体912的导体宽度的约1/2位置的位置关系。并且，用图56 (B)表示传感器部900的接收导体912以及第二透明电极膜914的结构。第二透明电极膜914配置在配置接收导体912的同一面，其尺寸能够适用与规定第一透明电极膜913的尺寸的情况相同的方法。即，第二透明电极膜914具有比接收导体912之间的尺寸还要略小的尺寸，与接收导体912之间保留一些空隙分离，从而不与接收导体912 接触。另一方面，第二透明电极膜914的接收导体912的长度方向的尺寸设定为部分地覆盖相互接近配置的发送导体911。第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914的尺寸以及配置，例如从操作指示体的面侧(上方侧)看传感器部900时，发送导体911、接收导体912、第一透明电极膜913 以及第二透明电极膜914的重叠关系维持电绝缘且均勻，因此针对传感器部900整体能够保持透过率不均被抑制的均勻的光学特性。如果对在传感器部900的基板的各面形成的导体以及透明电极膜分别如图56(A) 以及(B)进行配置，从上方观察传感器部900时，如图55所示，存在导体图形的区域中也形成由与导体相同的材料构成的第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914。其结果，在传感器部900上的透过率的不均勻得以抵制。此外，用于控制透过率不均的第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914的形状不限定于矩形。只要从上方观察传感器部900时，由发送导体911以及接收导体912构成的导体图形与第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914的重叠关系光学均勻即可， 第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914的形状与由发送导体911以及接收导体912 构成的导体图形的形状相关而适当确定。例如，在该变形例5的传感器部900中，虽然对沿着发送导体911或接收导体912延伸的方向以预定间隔配置矩形状的多个透明电极膜的结构进行了说明，但也可以将所述多个透明电极膜作为一个电极膜形成。并且，将第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914配置在发送导体911之间以及接收导体912之间时，发送导体911与第一透明电极膜之间以及接收导体912与第二透明电极膜之间生成电容耦合，相邻的发送导体911之间以及相邻接收导体912之间产生通过该电容耦合被桥接的问题。为了减轻该问题，可以在第一透明电极膜913上形成与X 轴方向平行的多个狭缝，在相邻的发送导体911之间等效地串联连接多个电容器。并且，在
57第二透明电极膜914上形成与Y轴方向平行的多个狭缝，在相邻的发送导体912之间等效地串联连接多个电容器。并且，还可以在第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914上形成与X轴方向平行的多个狭缝和与Y轴方向平行的多个狭缝，将第一透明电极膜913以及第二透明电极膜914以矩阵状进行分割。并且，该变形例5的结构也能够适用于上述实施方式的传感器部以及传感器部的变形例1 6。此外，例如，可以另外准备用于防止光透过率不均勻的透明电极膜形成在预定区域的基板，在传感器部上加设该基板。并且，如上所述，也可以采用薄膜状的基板。(传感器部的变形例6)上述第一实施方式的传感器部100的压敏材料的结构如图2所示，沿与指示输入面100S正交的方向将发送电阻体13Y与接收电阻体14X保留预定的空隙15而设置。该传感器部的变形例6中，设置在空隙15的压敏材料的结构与上述的例不同。参照图57和图 58对该变形例6的传感器部1000的结构例进行说明。图57(A)是该变形例6的传感器部 1000的X轴方向剖视图，图57(B)是传感器部1000的Y轴方向剖视图。在变形例6中，在空隙15的设有发送导体IlY的下侧基板16上设置凝胶状的电阻体1001。并且，在该凝胶状的电阻体1001上设置格子状狭缝部件1002。此时，格子状狭缝部件1002与接收导体12X沿Z方向以预定的距离相隔。格子状狭缝部件1002如图58的斜视图所示，沿Z方向具有高度h的矩形状狭缝 1003。该矩形状狭缝1003与发送导体IlY以及接收导体12X的排列间隔对应形成。并且设置格子状狭缝部件1002，以使该矩形状狭缝1003的中心位置为发送导体IlY与接收导体 12X的交叉点的正下方。在该变形例6的传感器部1000中，处理指示体18与指示输入面100S接触的位置的处理动作与上述例相同。 在该变形例6的传感器部1000中，用指示体18对指示输入面100S施加按压力时， 被施加该按压力的指示体输入面100S的部位发生变形，从而在该部位上侧基板17使格子状狭缝部件1002向凝胶状的电阻体1001侧按压偏移。如此一来，在与施加按压力的部位对应的交叉点上，凝胶状的电阻体1001从矩形状狭缝1003突起，并与该交叉点的接收导体12X接触。并且，凝胶状的电阻体1001和接收导体12X间的接触面积与指示体18对指示输入面100S施加的按压力对应。所以，在该变形例6的传感器部1000中，与第一实施方式的传感器部100 —样也能进行指示体的检测(包含按压力检测)。
权利要求
1.一种指示体检测装置，其特征在于，包括检测传感器，具有被配置在第一方向的多个第一导体、被配置在与上述第一方向交叉的第二方向的多个第二导体、以及被配置在上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的具有预定的电阻特性的压敏材料；信号供给电路，用于向上述多个第一导体供给预定的信号；以及信号检测电路，用于从上述多个第二导体检测信号，在指示体位于上述检测传感器的附近的情况以及指示体与上述检测传感器接触时所施加的压力小于预定压力的情况下，向上述信号检测电路供给与上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的静电电容的变化对应的信号，在上述指示体对上述检测传感器施加超过上述预定压力的压力的情况下，向上述信号检测电路供给与来自上述指示体的上述压力施加到上述压敏材料而引起的上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的电阻特性的变化对应的信号，从而上述检测传感器能够检测上述指示体的指示位置及压力。
2.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，上述电阻特性根据上述压敏材料与上述多个第一导体或上述多个第二导体之间的接合状态而发生变化。
3.如权利要求2所述的指示体检测装置，其特征在于，上述压敏材料至少具有第一部件及第二部件，与来自上述指示体的上述压力对应地， 上述第一部件或第二部件中的至少一个部件与上述多个第一导体或上述多个第二导体接I=I ο
4.如权利要求2所述的指示体检测装置，其特征在于，上述压敏材料至少具有第一部件及第二部件，与来自上述指示体的上述压力对应地，上述第一部件与第二部件接合。
5.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，上述压敏材料包含多个导电粒子，根据来自上述指示体的上述压力的施加，上述多个导电粒子结合，从而上述多个第一导体与上述多个第二导体之间的电阻特性发生变化。
6.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，上述多个第一导体和上述多个第二导体分别配置在大致平板状的基材的一个面上，并且上述压敏材料至少被设置在上述多个第一导体与上述多个第二导体的交点区域作为绝缘材料，在没有施加来自上述指示体的上述压力的情况下，使上述多个第一导体与上述多个第二导体之间绝缘。
7.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，上述压敏材料至少沿着上述多个第一导体或上述多个第二导体中的任一方形成。
8.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，上述检测传感器包括具有透射性的大致平板状的基材和具有透射性的上述压敏材料，被配置在上述第一方向的多个导体、被配置在上述第二方向的多个导体以及上述压敏材料被设置在上述基材上，在由被配置在上述第一方向的多个导体和被配置在上述第二方向的多个导体形成的开口区域，配置有用于使光学特性均勻化的具有透射性的部件。
9.如权利要求8所述的指示体检测装置，其特征在于，用于使上述光学特性均勻化的具有透射性的上述部件由与上述压敏材料相同的材料构成。
10.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，从上述信号供给电路向上述多个第一导体供给的上述预定的信号作为电压信号被供给，从上述多个第二导体检测出信号作为电流变化，上述信号检测电路包括将上述电流变化转换成电压的电流/电压转换电路。
11.如权利要求10所述的指示体检测装置，其特征在于，上述电流/电压转换电路具有如下两种检测模式第一检测模式，获得与上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的静电电容的变化对应的信号；和第二检测模式，获得与由于向上述检测传感器施加超过上述预定压力的压力而引起的上述多个第一导体与上述多个第二导体之间的电阻特性的变化对应的信号。
12.如权利要求11所述的指示体检测装置，其特征在于，上述电流/电压转换电路由电阻、电容器以及选择性地切换上述电阻和上述电容器的切换电路构成，在上述第一检测模式时，上述切换电路连接上述检测传感器和上述电容器，在上述第二检测模式时，上述切换电路连接上述检测传感器和上述电阻。
13.如权利要求1所述的指示体检测装置，其特征在于，从上述信号供给电路向上述多个第一导体分别供给的上述信号是能够区别的信号。
14.如权利要求13所述的指示体检测装置，其特征在于，从上述信号供给电路向上述多个第一导体供给的信号是相互具有正交关系的代码。
15.如权利要求14所述的指示体检测装置，其特征在于，将从上述信号供给电路向上述多个第一导体分别供给的上述代码中的任意一个代码用作修正上述信号检测电路的信号的校准信号。
16.如权利要求15所述的指示体检测装置，其特征在于，从上述信号供给电路向上述多个第一导体供给的上述代码是哈达玛码，将上述输入的多个上述代码设为哈达玛矩阵时，将上述哈达玛矩阵中全部为“1”的第 η行的码片用作修正上述信号检测电路的信号的校准信号。
17.—种检测传感器，根据从外部供给的预定的信号获得与指示体的指示位置及压力对应的信号，其特征在于，包括多个第一导体，被配置在第一方向上，被供给来自上述外部的上述预定的信号；多个第二导体，被配置在与上述第一方向交叉的第二方向上；以及压敏材料，被配置在上述多个第一导体与上述多个第二导体之间，具有预定的电阻特性，在上述指示体位于上述检测传感器的附近的情况以及指示体与上述检测传感器接触时所施加的压力小于预定压力的情况下，从上述多个第二导体输出与静电电容的变化对应的信号，在上述指示体对上述检测传感器施加超过上述预定压力的压力的情况下，从上述多个第二导体输出与电阻特性的变化对应的信号。
18.一种指示体检测装置的指示体检测方法，该指示体检测装置包括检测传感器，具有被配置在第一方向的多个第一导体、被配置在与上述第一方向交叉的第二方向的多个第二导体、以及被配置在上述多个第一导体和上述多个第二导体之间的具有预定的电阻特性的压敏材料；信号供给电路，用于向上述多个第一导体供给预定的信号；以及信号检测电路，用于从上述多个第二导体检测信号，上述指示体检测方法的特征在于，包括以下步骤上述信号供给电路向上述检测传感器的上述多个第一导体供给上述预定的信号； 从上述多个第二导体向上述信号检测电路供给与指示体对上述检测传感器施加的压力对应的信号；对从上述多个第二导体获得的上述信号的信号电平和基准电平进行比较；以及从上述多个第二导体获得的上述信号比上述基准电平高的情况下，检测由上述指示体对上述检测传感器施加的压力。
全文摘要
一种指示体检测装置及检测传感器，能够获得与指示体和指示输入面接触的位置及指示体按压指示输入面的状态下的按压力对应的检测输出。检测传感器具有配置在第一方向的多个第一导体、配置在第二方向的多个第二导体、配置在多个第一导体和多个第二导体之间的具有预定的电阻特性的压敏材料。在指示体位于检测传感器的附近时以及指示体与检测传感器接触时施加的压力小于预定压力的情况下，向信号检测电路供给与多个第一导体和多个第二导体之间的静电电容的变化对应的信号，指示体对检测传感器施加的压力超过预定压力时，向信号检测电路供给与压敏材料的多个第一导体和多个第二导体之间的电阻特性的变化对应的信号，从而检测指示体的指示位置及压力。
文档编号G06F3/041GK102207787SQ20111003020
公开日2011年10月5日 申请日期2011年1月19日 优先权日2010年3月29日
发明者小田康雄, 山本定雄, 杉山义久 申请人:株式会社和冠