专利名称：基于基片制造卡的方法
技术领域：
本发明涉及基于基片的卡制造技术领域。本发明尤其适用于(但不限于)具有接触盘(contact pad)的微电路卡的制造， 对于这种卡，微电路和接触盘是从本申请人的文献FR 2805206中描述的卡主体中部分地切出的可拆分晶片的一部分。本发明更尤其适用于制造具有符合或近似于Micro SDTM e卡标准的物理尺寸的卡，该标准引用如下"SD specifications, Part 1, microSD Card Specifications, Version 3. 00, February 18,2010”。在本文的其余部分，利用表述“Micro SD标准”或者“Micro SD标准V3. 00”来指代由 Technical Committee, SD Card Assosication 建立的上述标准。
背景技术：
近年来，Micro SD类型的卡的使用越来越成功。这些卡尤其有利于移动应用，并且用于例如移动电话中的存储卡。一般地，这些卡是基于模制(molding)技术制造的，并且因此需要专用制作设备。然而，本申请人观察到，这类卡的传统制造技术不能令人满意。具体地，通常使用的制作技术的生产率过低，不总是能够执行所有必需的技术步骤。因此，这种设备通常不能定制卡，例如通过在卡面上印制装饰性设计或者甚至通过一旦制造了卡就对卡进行电学配置等方式，来定制卡。因此，在现有技术中，需要一种使用被设计为对不同卡格式操作的生产设备来制造物理尺寸符合或近似于Micro SD标准的卡的方法。
发明内容
为此，本发明提出了一种基于具有预定厚度的基片来制造卡的方法，所述方法包括以下步骤在基片内定义卡的边界，所述方法还包括以下步骤在卡边界(perimeter)的一部分上形成斜切 (chamfer)(或“斜切”步骤)，在卡边界定义步骤和斜切步骤结束后，卡的物理尺寸符合 Micro SD卡标准指定V3. 00定义的参数A，M，Hi，￡^，a和Em，其中· i = 1,6. . . 8 ；‘ i = 1，4，10，11，^，[υ]对等于[6，9]或等于[14，15];以及· m = 1. . . 6,17. . . 19 ；当χ = 6，χ = 9时，物理尺寸还符合所述标准的参数巡，其中，边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前执行的。优选地，上述基片是平坦的。
提取卡是通过将卡与其基片手动(或借助于机器)拆分来执行的。本发明还可以制造Micro SD格式(或非常近似)的卡，并从物理尺寸适于合适生产设备的基片开始制造。按照这种方式，可以提高Micro SD格式卡或近似格式卡的生产速度和质量。此外，边界定义步骤可以包括以下子步骤中的至少一个-预切割子步骤，制作用于将卡边界的一部分附着至基片的至少一个减弱附着件 (weaken attachment)，-冲孔(punching)子步骤，在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建至少一个槽区域(slot area)。在一个具体实施例中，卡的预定厚度严格小于0. 9mm。本发明方法的优点在于，可以从厚度严格小于Micro SD卡所需的最小厚度(即 0. 9mm)的基片开始，制造物理尺寸非常接近于Micro SD卡物理尺寸的卡。因此，所生产的卡能够与原先设计为与Micro SD卡协作的大多数设备一起使用。基片可以符合根据ISO 7816标准的ID-I或ID-OO卡格式。此外，在斜切形成步骤中，可以通过铣削(milling)来制作斜切。该铣削步骤可以在定义卡边界的步骤之前或之后执行。备选地，定义卡边界的步骤和形成斜切的步骤在同一铣削步骤期间执行，在所述同一铣削步骤期间，将卡并入其基片中来制造卡。在一个具体实现中，所述方法还包括以下步骤在提取卡之前，将卡减薄，以形成夹持区域(grip area)，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处， 所述夹持区域沿边界上具有所述斜切的方向延伸。该预定距离可以根据情况而变化，因为该预定距离需要选择为，允许用户从例如读取设备中取出卡。该预定距离对应于例如根据所述Micro SD标准的距离B2，从而在1.64 至2. 04mm之间。备选地，该预定距离可以在Imm至3mm之间。根据第一实施例，夹持区域是与斜切表面相对的卡表面上的凹槽。制作凹槽的步骤可以在形成上述边界的步骤之前执行。该凹槽允许更容易的拿取，尤其是从读取设备中提取卡。因此，该凹槽具有与 Micro SD标准定义的参数R7，R10, Rl 1，B2, B3和C所限定的卡边缘等效的功能优点。凹槽可以具有实质上等于300 μ m的深度和实质上等于2mm的宽度。此外，凹槽可以具有实质上等于200 μ m的曲率半径。根据第二实施例，减薄步骤对应于铣削步骤，对与斜切表面相对的卡表面进行部分地铣削，使得卡的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3. 00定义的参数Δ，Ai，S，M，位， 辺和Es，其中· i = 1,6. . . 9 ；·1=1... 4,6,9. . . 11 ；以及· m = 1. . . 19.备选地，当χ = 14，y= 15时，减薄步骤对应于铣削步骤，使得卡的物理尺寸符合 Micro SD卡标准指定V3. 00定义的参数4，M，Hi，堅，^和■，其中· i = 1,6. . . 8 ；
·_!= 1···4，10，11，14，15 ；以及· m = 1. . . 19.该第二实施例有利地允许制造物理尺寸非常接近于Micro SD卡的卡，使得卡能够与原先设计为与Micro SD卡协作的设备一起操作。此外，所述方法可以包括以下步骤在提取卡之前，将模块置于卡中，所述模块包括符合Micro SD卡标准的微电路和齐平接触盘。按照这种方式，卡尤其符合定义Micro SD 类型接触件的物理尺寸的参数A2，A3，A4，A5，B5, B7和B8。在一个具体实施例中，所述模块还包括符合ISO 7816标准的齐平接触盘(flush contact pad)0此外，槽区域可以界定卡与基片之间的间隔，所述间隔在300至400 μ m之间。同时，本发明涉及一种卡，其物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3. 00定义的参数 A，Ai, B, Si，堅，α 和 Es，其中· i = 1,6. . . 9 ；· i = 1,4,10,11, χ, I, [x, ll 对等于[6,9]或等于[14，15]；以及· m = 1. .. 6,17.. . 19 ；当χ = 6，X = 9时，物理尺寸还符合所述Micro SD标准的参数M，所述卡还包括夹持区域，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处，所述夹持区域沿边界上具有所述斜切的方向延伸，所述卡的预定厚度严格小于0. 9mm。该预定距离可以根据情况而变化，因为该预定距离需要被选择为允许用户从例如读取器中退出卡。该预定距离对应于例如根据所述MicroSD标准的距离B2，从而在1. 64至 2. 04mm之间。备选地，该预定距离可以在Imm至5mm之间，优选地在Imm至3mm之间。该卡的优点在于，其物理尺寸接近于Micro SD标准定义的物理尺寸，从而能够与原先设计为与Micro SD卡协作的设备一起操作。所述卡的预定厚度可以例如对应于根据7816标准的ID-I或ID-OO卡的厚度。根据第一实施例，夹持区域是在与斜切相对的卡表面上制作的凹槽。凹槽可以具有实质上等于300 μ m的深度和实质上等于2mm的宽度。此外，凹槽可以具有实质上等于200 μ m的曲率半径。根据第二实施例，卡的物理尺寸符合Micro SD卡标准定义的参数A，41，S，M，位， 辺和Es，其中· i = 1,6. . . 9 ；·1=1... 4,6,9. . . 11 ；以及· m = 1.. . 19.卡还可以包括模块，所述模块包括符合所述标准的微电路和齐平接触盘。所述模块还可以包括符合ISO 7816标准的齐平接触盘。
通过以下参照示意本发明示例实施例的附图而给出的描述，本发明的其他特征和优点将显而易见。附图中图1至6示意性示出了符合本发明第一实施例的制造方法；
图7A和7B示意性示出了符合本发明第一实施例的卡；图8以流程图形式示出了符合本发明第一实施例的制造方法的主要步骤。图9、10和11示意性示出了符合本发明第二实施例的制造方法。
具体实施例方式本发明涉及一种基于基片来制造卡的方法，在方法完成时，所述卡的物理尺寸符合或接近于Micro SD标准定义的物理尺寸。现在参照图1至8来描述本发明的第一实施例。图1和2分别示出了包括可拆分卡102的基片101的正面和背面。图3对应于示出图1和2中示意的基片101和卡102的部分。可拆分卡102的外边界的3个部分(表示为104、108A和108B)对应于卡102至基片101的减弱附着件。更具体地，在本示例中，附着件104对应于薄弱线(a line of weakness)，例如由卡102与基片101之间接合处的至少一个凹口构成。可以理解，该薄弱线可以由在基片两面上互相面对形成的两个凹口构成，或者由在基片101的任一面上的单一凹口构成。此外，在本示例中，减弱附着件108A和108B由将基片101连接至卡102的边界的相邻部分的窄片(narrow tab)构成。减弱附着件104、108A和108B优选地被设计为由用户手动折断。然而，应当注意，减弱附着件108A、108B和104的形状和配置仅构成本发明的实现的一个示例。实际上，减弱附着件的数目和配置可以改变，尤其是根据制造者在灵活性力度方面的需要而改变。此外，槽区域106界定了卡102边界的所谓自由部分与基片101之间的间隔，使得卡102边界中附着至基片101的所有部分均通过减弱附着件108A、108B和104附着至基片 101。换言之，卡102的所谓自由边界部分对应于卡102的整个边界，除了位于附着件104 处的部分和位于与附着件108A和108B的接合处的部分。例如，由槽区域106界定的、卡102与基片101之间的间隔可以在Imm至5mm之间。 例如，该间隔可以为大约1. 5mm。卡102还包括在其背面上的斜切110，位于边界上与附着件104相对位置的部分处。在图2所示的卡102的正面上，卡102具有位于附着件104附近的凹槽116。例如，凹槽116可以具有等于300 μ m士 5 %的深度和/或等于2mm士 5 %的宽度。此外，在这里描述的示例中，凹槽116具有等于200 μ m士5%的曲率半径。然而，可以理解，在本发明的范围内，可以想到凹槽116的其他物理尺寸。备选地，凹槽116可以是直线的(rectilinear)。根据本发明的第一实施例，通过执行图8所示的步骤E10、E15和E40来获得图1 和2所示的卡102。首先，执行步骤ElO以形成基片。例如，该形成步骤包括对至少两层塑料(例如 PVC或PET)执行层压。在这里描述的示例中，基片101被形成为符合ISO 7816标准定义的ID-I格式。换言之，在完成形成步骤ElO时，基片101具有以下尺寸85. 60mmx53. 98mmx0. 76mm(具有ISO7816标准定义的容差)。然而，可以理解，基片101可以具有其他格式，例如ISO 7816标准定义的ID-OO卡格式。在一个备选中，基片101可以具有任何高度和宽度，以及在680 μ m至840 μ m之间或者600 μ m至Imm之间的厚度，优选地具有760 μ m的厚度。形成基片的步骤ElO还可以包括以下子步骤在基片的至少任一表面上印制装饰性设计(标志、图像等等)。可以在层压子步骤之后(或者优选地在层压子步骤之前)执行在构成基片的层上进行印制的子步骤。备选地，可以通过模制(可能接着进行上述印制子步骤)来执行步骤ElO期间的基片形成。一旦执行形成步骤E10，则执行边界定义的步骤E15，步骤E15包括在基片101中定义卡102的边界。在本发明的第一实施例中，步骤102包括子步骤E20和E30。预切割子步骤E20允许创建用于将卡102的边缘连接至基片101的减弱附着件 104(例如创建凹口)。因此，预切割子步骤使得可以定义卡102的边界中与减弱附着件104 相对应的部分。在子步骤E20之后，执行冲孔子步骤E30，在子步骤E30期间，在卡102的自由边界部分与基片101之间制作槽区域106。子步骤E30允许定义卡102的边界的自由部分，并且形成其减弱附着件108A和108B。例如，根据文献FR 2805206中描述的切割和冲孔方法来执行子步骤E20和E30。应注意，可以根据随后详细描述的其他备选来进行步骤E15的边界定义。然后，执行步骤E40，在步骤E40期间形成斜切110。通过在位于与附着件104相对位置的外侧边缘处对卡102的背面进行铣削来制作该斜切。在步骤E40期间制作的斜切110具有符合Micro SD标准定义的斜切的物理尺寸。 更具体地，斜切110的物理尺寸符合Micro SD标准的尺寸参数B4和C2。具体地，该斜切 110允许具体地在其将来与读取设备的使用期间插入卡102。步骤E40还包括在卡102的正面制作凹槽116。可以理解，斜切110和凹槽116 自然可以同时制作，或者备选地在不同的连续步骤期间制作。因此，该凹槽的制作涉及对卡的一部分进行局部减薄。应当注意，可以在步骤E20之前或在步骤E20与E30之间执行步骤 E40。在根据第一实施例的制造方法的这一阶段，正在制造的卡102具有符合Micro SD 标准的以下参数的物理尺寸A, Ai (i = 1，6…8)，B，Bj (j = 1,4, χ, y, 10,11), C2, C3 和 Rm(m = 1…6，
17. . . 19)，其中[X，y]对等于[6，9]或备选地等于[14，15]，当χ = 6，y = 9时，卡的物理尺寸还符合Micro SD标准的参数A9。换言之，在制造方法的这一阶段，卡的物理尺寸符合Micro SD标准定义的参数A， Al, A6. . . A8, B, Bi, B4, B10, Bll, B14, B15, C2, C3, Rl. . . R6 禾口 R17. · · R19(情况 A)，或者备选地，符合 Micro SD 标准定义的参数 A，Al, A6. . . A9, B, Bi, B4, B6, B9, B10, Bll, C2, C3, Rl. . . R6 禾口 R17. · · R19(情况 B)。换言之，在方法的这一阶段，卡102的尺寸符合Micro SD标准的所有物理规范(类型 “A” 或 “B”)，除了 -由MicroSD标准定义的用于规定接触盘的参数(根据类型“Α”或“B”)，以及
8
-根据MicroSD标准的用于规定卡边缘的参数(B2，B3, RlO和C)。在本文中，术语“卡边缘”指Micro SD标准中由参数B2，B3，R10，Rll和C定义的浮凸(relief)，该边缘主要被设计为便于从匹配设备中手动提取卡。应当注意，与标准化参数C3相对应的卡102的尺寸优选地被选择为等于0 ( S卩，C3 =0，符合Micro SD标准)。此外，应当注意，根据这里描述的第一实施例，凹槽116可以集中在Micro SD标准针对卡边缘定义的相同位置上。备选地，该凹槽可以位于卡102的正面的任何位置处，优选地由于在与斜切110相对的位置处的边缘附近。然后，在根据本发明第一实施例的制造方法的范围内，顺序地执行步骤E50和 E60。更准确地，如图4中的部分所示，在步骤E50期间，在卡102中，从卡102的背面形成空腔118。一旦形成空腔118，在空腔118内插入并固定(例如通过粘接(gluing))模块120。 图5和6示出了在执行步骤E50之后的基片101和卡102。在这里描述的示例中，模块120包括微电路(具有例如芯片的形式)，该微电路通过连接装置连接至布置在卡102背面的一组接触盘。该组接触盘包括第一系列齐平接触盘 112，接触盘112的物理尺寸符合Micro SD标准定义的接触盘。在本文的其余部分中，这种接触件称为“Micro SD接触件”。模块120的暴露表面还包括这里与符合ISO 7816标准的齐平接触件相对应的第二系列接触盘114。在本文的其余部分中，这种接触件被称为“ISO接触件”。一旦在卡102中安装了模块102，可以在步骤E60期间对该模块进行电学定制。该步骤包括以下操作中的至少一项-对模块120中包括的微电路的特定参数进行电学配置，-将至少一个应用加载入模块120的微电路，-将模块120的微电路中的个人数据(密钥，与持卡人相关的信息等等)存储至存储器。在以后使用卡102时，可以使用这些数据。有时认为电学配置操作和应用的加载是在模块的“预定制”期间执行的，而将个人数据记录在存储器中对应于模块的“定制”(准确地说)。例如，可以使用位于ISO接触件114上的匹配头(matching head)来执行该定制步骤。备选地，可以通过直接应用于Micro SD接触件112的匹配头来定制模块120。在这种情况下，模块不需要包括ISO接触件114。还可以在步骤E60之后，通过在模块120的暴露表面上印制装饰性设计，来对模块 120进行图形定制。一旦执行了步骤E60，可以通过折断减弱附着件104、108A和108B，从卡102的基片101中提取卡102。换言之，在从卡的基片中提取(或拆分)卡之前，执行制造步骤E10、 E15、E40、E50和E60。图7A和7B示出了根据本发明第一实施例的卡102( —旦从其基片中提取出)的透视图。本发明的优点在于，允许制造物理尺寸接近于或甚至完全符合Micro SD格式的卡，这基于具有合适格式的基片。
因此，可以根据期望使用的生产设备来合理选择基片的物理尺寸(宽、高、厚度)。 在要制作的卡周围存在基片，这尤其便于在根据本发明的制造方法期间执行操控和各种技术操作。例如，应当注意，某一设备适于在符合ISO 7816标准的ID-I格式卡上印制装饰性设计。因此，可以选择ID-I类型基片格式，以能够使用现有生产设备。按照这种方式，不需要适配现有设备以使得现有设备能够对小尺寸卡(如Micro SD类型卡)进行操作。此外，例如被配置为处理ID-I卡的特定现有制造设备能够获得尤其高的生产率水平。因此，该设备的使用以及不要特殊适配，在生产率和成本方面带来了显著收益。例如，其他制造设备可以被设计为对高度和宽度符合ID-I格式但是厚度任意的卡(或基片)进行操作。在这种情况下，用于制造卡102的基片101可以被选择为使其具有所讨论的设备所需的物理尺寸。具体地，被设计为与ID-I卡交互的特定设备有时可以容许ID-I格式所施加的厚度范围之外的厚度。例如，这种设备可以容许在600μπι至Imm之间的厚度。备选地，基片101可以具有760士80 μ m的厚度以及任意的高度和宽度，从而容易被合适的制造设备处理。本发明的第一实施例的优点在于，允许制造物理尺寸非常接近于Micro SD标准的卡，这基于厚度严格小于Micro SD标准定义的参数C的下限Cmin (即Cmin = 900 μ m)的基片。确实，如上所述，在形成步骤E40结束时，卡102具有符合Micro SD标准的参数A， Ai (i = 1,6. · · 8)，B，Bj (j = 1,4, χ, y, 10，11)，C2, C3, Dk (k = 1. · · 3)禾口 Rm(m = 1. · · 6， 17... 19)的物理尺寸([x，y]对等于[6,9]或等于[14，15])；可能地，在[x，y]对等于[6， 9]时符合标准化参数A9。此外，在步骤E50完成时，卡102包括符合Micro SD标准的SD接触盘。因此，卡 102 还符合参数 A2, A3, A4, A5, B5, B7 和 B8。然而，在先前参照图1至8考虑的示例中，基片101具有ID-I类型格式。因此，基片101的厚度在760μπι数量级，并且在任何情况下包括在680μπι至840μπι之间。由于 Micro SD标准要求参数C包括在900 μ m至1100 μ m之间，因此可以理解，在该特定情况下， 基片的厚度过低，使得不能在卡102的正面上实现符合Micro SD标准的参数C的卡边缘。由于不能在卡102上制作Micro SD类型的卡边缘，在步骤E40期间制作凹槽116。 该凹槽的功能优点类似于Micro SD标准定义的卡边缘的功能优点。实际上，该凹槽116允许在从匹配读卡器中提取卡102时，工具或用户更容易夹持卡102。该凹槽116优选地被设计为使得可以在从设备(移动电话等)提取卡时将指甲插入凹槽116。因此凹槽116对应于夹持区域。应当注意，在本发明的第一实施例中，所制造的卡102不完全符合Micro SD标准的物理规范。然而，卡102具有与Micro SD标准所需尺寸实质上类似的尺寸，从而能够与被设计为与Micro SD卡协作的设备正常操作。现在参照图9、10和11来描述本发明的第二实施例。图9示出了包括可拆分卡202的基片201的正面。基片201通过减弱附着件204、 208A和208B连接至卡202，这些减弱附着件分别与先前参照图1和2描述的附着104、108A 和108B相同。
图10示出了图9中示出的基片201的截面视图。在该第二实施例中，如图8所示(也见图11)，卡202被认为是通过执行步骤E10， 然后执行步骤E15 (对应于子步骤E20和E30)，从基片201中获得的。然后，不执行上述步骤E40，而是执行步骤E45。步骤E45包括第一铣削子步骤，用于在卡202的背面上形成与斜切110相同的斜切210。换言之，斜切210的物理尺寸符合Micro SD标准定义的斜切。此外，在该步骤E45期间，对卡202的正面的一部分执行第二铣削子步骤。该第二铣削子步骤允许通过减薄卡的一部分来形成卡边缘222。然后，位于卡边缘222附近的卡的减薄部分对应于夹持区域，例如允许用户容易地从任何设备中退出卡。应当注意，可以在步骤E20之前，或者在步骤E20和步骤E30之间执行步骤45。现在考虑以下情况，其中在步骤ElO中形成的基片201具有至少等于900 μ m的厚度。在该第一情况下，可以在步骤E45期间，通过铣削来形成符合Micro SD标准的卡边缘 222，卡边缘222符合标准化参数R7，R10，R11，B2，B3和C。应当注意，铣削工具的形状和配置(铣削角度)被选择为使得卡边缘222的物理尺寸可以符合Micro SD标准。应当注意，斜切210和卡边缘222可以在步骤E45期间同时制作。一旦执行步骤E45，如上所述执行步骤E50和E60。在该第一情况下，第二实施例允许制造完全符合Micro SD标准定义的物理规范的卡202。这是可能的，尤其因为这里基片201的厚度被选择为使得可以制作具有符合Micro SD标准的厚度C的卡边缘222。在第二示例中，考虑以下情况，其中，在完成形成步骤ElO时，基片201的厚度严格小于900 μ m，即Micro SD标准针对参数C定义的下限。在这种情况下，在完成步骤E45时， 所生产的卡202不能符合Micro SD标准要求的物理规范，尤其是对于参数C。换言之，所生产的卡202的物理尺寸符合Micro SD卡标准定义的参数A，Ai (i = 1,6. ..8), B, Bj (j = 1...4，x，y，10，ll)，C2，C3 ^PRm(m = 1··· 19) ([x,y]对等于[6,9]或备选地等于[14，15])，可能地，当χ = 6，y = 9时，卡的物理尺寸符合Micro SD标准的参数A9。卡202的厚度还可以符合Micro SD标准的参数Cl。在该第二假定情况下，本发明的第二实施例有利地允许制造物理尺寸非常接近于 Micro SD标准定义的物理尺寸的卡202。与上述卡102不同，卡202具有与Micro SD标准定义的相同或相似的边缘222。在特定情形下，这种卡边缘的存在可能是必需的。此外，尽管卡202不完全遵从Micro SD标准定义的尺寸规范，但是仍可能与被设计为与Micro SD类型卡协作的大多数设备正常操作。此外，一旦执行步骤E10、E20、E30和E45，该第二实施例可以包括以与上述步骤 E50和E60相同的方式放置微电路模块(图10中未示出)以及对该模块进行电学定制。一旦执行了步骤E60，可以通过折断减弱附着件204、208A和208B，从卡202的基片中提取卡202。换言之，在从卡的基片中提取(或拆分)卡之前，执行制造步骤E10、E15、 E40、E50 和 E60。上述本发明的第一和第二实施例的优点在于，允许制造能够从任意格式的基片中拆分的卡。实际上，在子步骤E20期间形成的减弱附着件允许用户将卡与其基片手动拆分。应当注意，本发明的第一实施例与上述第二实施例相比具有以下优点不需要对
11卡的正面的较大部分执行铣削操作(在第二实施例中需要)。正面在其整个表面上保持实质上平坦，除了凹槽122之外。减小要铣削的表面区域有利地允许-不消除在形成步骤ElO期间印制在卡上的设计；以及-限制所使用的铣削工具的磨损。此外，如上所述，存在多种方式来执行本发明的制造方法中的边界定义步骤E15。 实际上，在上述第一(或分别地，第二)实施例中，步骤E15包括预切割子步骤，用于形成减弱附着件104(分别地，204)；以及冲孔子步骤，用于在卡102(分别地，202)的边界的自由部分与基片101 (分别地，201)之间形成槽区域106 (分别地，206)。此外，根据第一和第二实施例的一个变型，卡的斜切(分别为110和210)不是通过斜切形成步骤(E40和E40期间的铣削，而是通过模制来制作的。在该变型中，在初始模制步骤期间同时形成卡(102和20 和卡所附着的基片(101和201)，此时这对应于以下所有步骤基片形成步骤E10、卡边界定义步骤E15和卡斜切形成步骤(110和210)。根据该变型，不执行铣削来形成卡的边界或斜切。备选地，可以执行附加的铣削步骤来最终确定通过模制获得的卡(边界、斜切......)的形状。此外，仍根据该变型，还可以通过在初始模制步骤期间的模制，而不通过如上所述的铣削来执行步骤E45期间卡边缘222的形成(第二实施例)。根据上述第一和第二实施例的第二备选方案，步骤E15仅包括一个冲孔子步骤， 在该子步骤期间在基片与卡(102或20 的整个边界之间形成槽区域。换言之，在完成步骤E15时，卡与其基片完全分离。该备选方案允许基于基片来制造卡，所述卡在本发明的制造过程期间与其基片分离。应当注意，在该第二备选方案中，步骤E40(E4O、E50和E60中的至少一个在步骤 E15之前执行，即在卡与其基片完全分离之前执行。实际上，这使得可以使用适于所讨论的基片格式的生产设备来执行步骤E40 (或E40、E50和/或E60中的至少一个。例如，如果在步骤E15之前执行斜切110(或210)的形成，必须在最接近基片 101(或201)的边缘处应用铣削工具；则必须对基片的背面进行铣削，直到到达与卡斜切 110(或210)相对应的位置。因此，在这种情况下，在形成卡102(或20 的边界之前制作斜切110(或210)。
权利要求
1.一种基于具有预定厚度的基片(101)来制造卡(10 的方法，所述方法包括以下步骤在基片内定义卡的边界(E15)，所述方法的特征在于还包括以下步骤在卡边界的一部分上形成斜切(110) (E40, E45)，在边界定义步骤和斜切形成步骤之后，卡的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定 V3. 00定义的参数Δ，Ai, B,肚，位，^和E ，其中 = 1,6…8 ； i = 1,4,10,11, χ,ι, [χ,ι]对等于[6,9]或等于[14，15]；以及 m = 1 …6,17…19 ；当五=6，Σ = 9时，物理尺寸还符合所述标准的参数Μ，所述方法的特征还在于，边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前执行的。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，边界定义步骤包括以下子步骤中的至少一个-预切割子步骤(Ε20)，制作用于将卡边界的一部分附着至基片的至少一个减弱附着件(104)，-冲孔子步骤(Ε30)，在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建至少一个槽区域 (106)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述预定厚度严格小于0.9mm。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，基片符合根据ISO7816标准的ID-I或ID-OO卡格式。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，在所述斜切形成步骤期间，通过铣削来制作斜切。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括以下步骤在提取卡之前，将卡减薄，以形成夹持区域(116 ；222)，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处，所述夹持区域沿具有所述斜切的边界的方向延伸，所述预定距离对应于根据所述Micro SD标准的距离B2。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，夹持区域是与所述斜切(110)的表面相对的卡表面上的凹槽(116)。
8.根据权利要求7所述的方法，凹槽具有实质上等于300μ m的深度和实质上等于2mm 的宽度。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，减薄步骤对应于铣削步骤(E45)，对与所述斜切 (210)的表面相对的卡表面进行部分地铣削，使得卡002)的物理尺寸符合Micro SD卡标准定义的参数Δ，Ai, B, M，堅，辺和麵，其中 = 1,6…9 ； i= 1...4,6,9... 11 ；以及 m = 1. . . 19。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，在提取卡之前还包括步骤将模块 (120)置于卡中(E50，E60)，所述模块包括符合Micro SD卡标准的微电路和齐平接触盘 (112)。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述模块还包括符合IS07816标准的齐平接触盘(114)。
12.—种卡(102)，包括边界的一部分上的斜切(110)，所述卡的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3. 00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中= 1,6. . . 8 ； 1= 1,4,10,11, X, I, [2L，I]对等于[6,9]或等于[14，15]；以及 m = 1 …6,17…19 ；当互=6，Σ = 9时，物理尺寸还符合所述标准的参数胆，所述卡的特征在于还包括夹持区域，所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处，所述夹持区域沿具有所述斜切的边界的方向延伸，所述预定距离对应于根据所述Micro SD标准的距离B2，所述卡的预定厚度严格小于0. 9mm。
13.根据权利要求11所述的卡，其中，预定厚度对应于根据ISO7816标准的ID-I或 ID-OO卡的厚度。
14.根据权利要求12或13所述的卡，其中，夹持区域是在与所述斜切相对的卡表面上形成的凹槽。
15.根据权利要求12或13所述的卡，所述卡的物理尺寸符合所述MicroSD卡标准定义的参数b Ai, B, M，￡2，辺和Sm，其中 = 1,6. . . 9 ；‘j = 1...4,6,9... 11 ；以及 m = 1. . . 19。
全文摘要
本发明涉及一种基于基片(101)来制造卡(102)的方法，所述方法包括以下步骤在基片(101)内定义卡(102)的边界，所述方法还包括以下步骤在卡(102)边界的一部分上形成斜切，使得在边界定义步骤和斜切步骤完成时，卡(102)的物理尺寸符合Micro SD卡标准指定V3.00定义的参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中i＝1，6...8；j＝1，4，10，11，x，y，[x，y]对等于[6，9]或等于[14，15]；以及m＝1...6，17...19；当x＝6，y＝9时，卡(102)的物理尺寸还符合所述标准的参数A9。
文档编号G06K19/077GK102385715SQ20111024545
公开日2012年3月21日 申请日期2011年8月25日 优先权日2010年8月26日
发明者格拉尔德·加兰, 马克·伯廷 申请人:欧贝特科技公司