一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法

文档序号:6373589阅读:459来源:国知局
专利名称:一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法
技术领域
本发明涉及计算机领域,具体涉及一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法。
背景技术
随着全球服务器市场的快速增长,具有自主知识产权的龙芯服务器也得到了迅猛的发展。如何保证服务器的性能,稳定性和高可靠性成为研发和测试过程中的难点。最新龙芯服务器主板支持符合DDR3规范的不同规格的内存,。当前针对内存的测试主要集中在信号质量以及简单的电压大小和纹波的测试,因此,不能模拟内存最大电量需求的情况,得不到真实有效的测试数据和结果。目前服务器主板内存供电电路大多数都采用DC/DC电源,根据所选用内存类型的不同,所需电流的大小也不同。各服务器主板所采用的VR方案也千差万别,对内存电压的测试仅仅局限在电压的大小及纹波大小上显得测试方法不够成熟和准确。服务器主板在进行大量数据的读写和内存刷新过程中所需的功率是相当大的,如何根据主板配置把上述情况涵盖在测试内容当中,是需要解决的问题。

发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法,能够客观、准确的反映服务器主板设计是否满足DDR3电压规范要求。本发明提供的一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法,其改进之处在于,所述方法包括如下步骤测试前(I)将至少一个的内存电源转接卡插入龙芯服务器主板;(2)将相邻的两个所述内存电源转接卡通过转接卡互联线连接;(3)将示波器的探头与所述内存电源转接卡连接;(4)将电子负载仪通过负载线与所述内存电源转接卡连接;测试中(5)对所述示波器校准;(6)所述龙芯服务器主板上电,调节所述电子负载仪电流,对内存电压进行静态电流测试;(7)调节所述电子负载仪负载大小、频率和电流变化率SR,对内存电压进行动态电流测试;测试后(8)所述示波器、所述龙芯服务器主板和所述电子负载仪断电。其中,所述内存电压包括内存电压VDDQ和内存电压VTT。其中,步骤(6)中对所述内存电压VDDQ进行静态电流测试包括如下步骤
(6-1)设定所述电子负载仪的最小电流值,并加载;(6-2)将所述电子负载仪的电流值从小到大连续调节,直至得到计算的TDC电流值;(6-3)所述示波器记录电压和纹波大小;(6-4)继续增大所述电子负载仪电流值,直至所计算得到的PEAK值;(6-5)减小所述电子负 载仪电流值。其中,步骤(6)中所述内存电压VTT进行静态电流测试包括如下步骤(6-a)设定所述电子负载仪的负电流输入端最小电流值,并加载;(6-b)将所述电子负载仪的电流值从小到大调节;(6-c)所述示波器记录内存电压(VTT)电压大小和纹波。其中,步骤(7)所述动态电流测试包括如下步骤(7-1)设定所述电子负载仪的最小频率值和电流变化率SR,并加载;(7-2)保持所述电流变化率SR不变,将所述电子负载仪的频率值从小到大调节;(7-3)所述示波器记录电压和纹波大小。其中,根据所述服务器主板所配置的内存规格和类型,结合内存厂商提供的内存规格说明书,记录单条内存电压VDDQ所需TDC电流值Al,PEAK电流值A2 ;记录单条内存电压VTT所需TDC电流值A3,PEAK电流值A4 ;记录服务器主板CPU内存控制器所需内存电压VDDQ的TDC电流大小A5,PEAK电流值为A6 ;设服务器主板配置N条内存条,则测试指标计算公式如下TDC=(A1+A3)*N+A5 ;PEAK=(A2+A4)*N+A6。其中,当所述内存电源转接卡为两个以上时,步骤(3)所述示波器的探头设置两组,分别与最外侧的所述内存电源转接卡连接。其中,步骤(3 )所述探头为差分探头。其中,所述差分探头采用Tektronix P6247。也可采用同等规格的其他高性能差分探头来实现测试结果的准确性和可靠性,如P6248,P6330等。其中,步骤(6-1)所述最小电流值为4A ;步骤(6-a)所述最小电流值为_2. 9A。其中,步骤(7-2)中测试所述内存电压VDDQ时,电子负载仪的频率值从1K-10K-50K-100K依次调节;测试所述内存电压VTT时,电子负载仪的频率值从1K-10K-50K-100K-400K 依次调节。与现有技术比,本发明的有益效果为本发明专利可以应用于龙芯服务器内存电压的测试,确保内存的可靠运行,提高服务器的性能和质量。本发明从内存工作的实际环境出发,利用内存连接板模拟内存实际工作状态,采用电子负载仪从静态和动态多个方向全面的测试内存工作电压,能够真实有效的反映内存电压电路设计的质量和指标,得出准确的测试数据。本发明的示波器使用P6247差分探头,保证了测试结果的准确性和可靠性。


图I为本发明提供的龙芯服务器主板内存电压测试示意图。图2为本发明提供的龙芯主板示意图。
图3为本发明提供的内存电源转接卡示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
作进一步的详细说明。DDR3内存包括I. 5V电压内存和I. 35V低电压内存两种类型。不管是哪种类型的内存都要测试两种电压的大小=VDDQ和VTT(VDDQ/2)。根据JEDEC组织对内存工作电压的规范要求制定(AC+DC)电压工作范围如下
权利要求
1.一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤 测试前 (1)将至少一个的内存电源转接卡插入龙芯服务器主板; (2)将相邻的两个所述内存电源转接卡通过转接卡互联线连接; (3)将示波器的探头与所述内存电源转接卡连接; (4)将电子负载仪通过负载线与所述内存电源转接卡连接; 测试中 (5)对所述示波器校准; (6 )所述龙芯服务器主板上电,调节所述电子负载仪电流,对内存电压进行静态电流测试; (7)调节所述电子负载仪负载大小、频率和电流变化率SR,对内存电压进行动态电流测试; 测试后 (8 )所述示波器、所述龙芯服务器主板和所述电子负载仪断电。
2.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,所述内存电压包括内存电压VDDQ和内存电压VTT。
3.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,步骤(6)中对所述内存电压VDDQ进行静态电流测试包括如下步骤 (6-1)设定所述电子负载仪的最小电流值,并加载; (6-2)将所述电子负载仪的电流值从小到大连续调节,直至得到计算的TDC电流值; (6-3)所述示波器记录电压和纹波大小; (6-4)继续增大所述电子负载仪电流值,直至所计算得到的PEAK值; (6-5)减小所述电子负载仪电流值。
4.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,步骤(6)中所述内存电压VTT进行静态电流测试包括如下步骤 (6-a)设定所述电子负载仪的负电流输入端最小电流值,并加载; (6-b)将所述电子负载仪的电流值从小到大调节; (6-c)所述示波器记录内存电压(VTT)电压大小和纹波。
5.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,步骤(7)所述动态电流测试包括如下步骤 (7-1)设定所述电子负载仪的最小频率值和电流变化率SR,并加载; (7-2)保持所述电流变化率SR不变,将所述电子负载仪的频率值从小到大调节; (7-3)所述示波器记录电压和纹波大小。
6.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,根据所述服务器主板所配置的内存规格和类型,结合内存厂商提供的内存规格说明书,记录单条内存电压VDDQ所需TDC电流值Al,PEAK电流值A2 ;记录单条内存电压VTT所需TDC电流值A3,PEAK电流值A4 ;记录服务器主板CPU内存控制器所需内存电压VDDQ的TDC电流大小A5,PEAK电流值为A6 ; 设服务器主板配置N条内存条,则测试指标计算公式如下TDC=(A1+A3)*N+A5 ;PEAK=(A2+A4)*N+A6。
7.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,当所述内存电源转接卡为两个以上时,步骤(3 )所述示波器的探头设置两组,分别与最外侧的所述内存电源转接卡连接。
8.如权利要求I所述的测试方法,其特征在于,步骤(3)所述探头为差分探头。
9.如权利要求8所述的测试方法,其特征在于,所述差分探头采用TektronixP6247。
10.如权利要求3所述的测试方法,其特征在于,步骤(6-1)所述最小电流值为4A;步骤(6-a)所述最小电流值为-2. 9A。
11.如权利要求5所述的测试方法,其特征在于,步骤(7-2)中测试所述内存电压VDDQ时,电子负载仪的频率值从1K-10K-50K-100K依次调节;测试所述内存电压VTT时,电子负载仪的频率值从1K-10K-50K-100K-400K依次调节。
全文摘要
本发明提供一种用于龙芯服务器主板的内存电压的测试方法,将内存电源转接卡插入龙芯服务器主板,若内存电源转接卡为两个以上,将相邻的两个所述内存电源转接卡通过转接卡互联线连接,将示波器的探头与所述内存电源转接卡连接,将电子负载仪通过负载线与所述内存电源转接卡连接。本发明通过电子负载仪和示波器进行静态和动态多方向的内存电压测试。本发明可以确保内存的可靠运行,提高服务器的性能和质量。本发明从内存工作的实际环境出发,利用内存连接板模拟内存实际工作状态,采用电子负载仪从静态和动态多个方向全面的测试内存工作电压,能够真实有效的反映内存电压电路设计的质量和指标,得出准确的测试数据。
文档编号G06F11/22GK102880534SQ20121025208
公开日2013年1月16日 申请日期2012年7月20日 优先权日2012年7月20日
发明者邓建廷, 刘小亮, 李华 申请人:曙光信息产业(北京)有限公司
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