一种单层ito图形的电容触控屏的制作方法

文档序号:6390001阅读:138来源:国知局
专利名称:一种单层ito图形的电容触控屏的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电容触控屏领域,尤其涉及一种用于电容触控屏的单层ITO图形。
背景技术
触控屏是用于手机、电子书、数码相机等电子产品上的复合触摸屏,其中电容式触控屏是触控屏中最常用的一种。电容式触控屏是利用人体的电流感应进行工作。电容式触控屏通常是一块四层复合玻璃屏,当用户的手指触摸在电容式触控屏上时,由于人体电场,用户和电容式触控屏表面形成以一个耦合电容(对于高频电流来说,电容可以视为导体),于是手指从电容式触控屏表面的触控点吸走一个很小的电流,这个电流分从电容式触控屏的四角上的电极中流 出。流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比,控制器通过对这四个电流比例的精确计算,得出触摸点的位置。现有的电容式触控屏如图I所示,通常包括以下主要组成元件在玻璃基材上镀上了铟锡金属氧化物(ΙΤ0,Indium Tin Oxides)图案的纳米铟锡金属氧化物ITO传感器
10;对ITO传感器起保护作用的盖板(Cover Lens) 11 ;用于粘合ITO传感器10与CoverLens 11的光学双面胶15 ;用于计算触控点并回报给处理器的柔性电路板12,以及用于显示图像的显示屏13。现有的电容式触控屏ITO图形如图2和图3所示,通常为双层或单层金属搭桥结构,图形制作工艺复杂,且后段工艺易对复杂的ITO图形造成破坏。

实用新型内容本实用新型实施例所要解决的技术问题在于,提供一种单层ITO图形的电容触控屏,可降低原材料、加工成本,提高产能,同时减轻产品的厚度及重量。为了解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种单层ITO图形的电容触控屏,包括用于显示图像的显示屏;设置在所述显示屏上用于感测触控点的纳米铟锡金属氧化物ITO传感器,所述ITO传感器带有单层结构ITO图形;所述ITO传感器上设有用于保护所述ITO传感器的盖板Cover Lens。其中,所述单层ITO图形的电容触控屏还包括与所述ITO传感器相连,用于计算触控点并回报给处理器的柔性电路板。其中,所述ITO图形可设置在但不限于显示屏或Cover Lens,所述ITO图像也可设置在额外添加的其他合适的载体上,如玻璃、胶片等合适的载体上,无论设置在哪种载体上,运用此图形均只需要单层即可实现多点触控的效果。本实用新型提供的单层ITO图形的电容触控屏,可降低原材料、加工成本,提高产能,同时减轻产品的厚度及重量。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是现有的电容触控屏结构示意图;图2是现有的电容式触控屏双层金属搭桥ITO结构图形;图3是现有的电容式触控屏单层金属搭桥ITO结构图形;图4是本实用新型实施例提供的单层ITO图形电容触控屏L形ITO图形;图5是本实用新型实施例提供的单层ITO图形电容触控屏斜线形ITO图形。
具体实施方式
本实用新型实施例所提供的单层ITO图形的电容触控屏,可降低原材料、加工成本,提高产能,同时减轻产品的厚度及重量。下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。参见图2,图3,为现有的电容式触控屏ITO图形,采用的是双层或单层金属搭桥结构,其图形制作工艺复杂,且后段工艺易对复杂的ITO图形造成破坏。本实用新型实施例提供的单层ITO图形的电容触控屏,包括用于显示图像的显示屏;在所述显示屏上设有用于感测触控点的纳米铟锡金属氧化物ITO传感器,所述ITO传感器带有单层结构ITO图形;所述ITO传感器上设有用于保护所述ITO传感器的盖板CoverLens,所述ITO图形可设置在但不限于显示屏或Cover Lens,所述ITO传感器连接有用于计算触控点并回报给处理器的柔性电路板。参见图4,为本实用新型实施例提供的单层ITO图形电容触控屏L形ITO图形,所述ITO图形结构为L形,所述ITO图形为单层结构,无需金属搭桥,且所述的ITO图形可设置在但不限于显示屏或Cover Lens,所述ITO图像也可设置在额外添加的其他合适的载体上,如玻璃、胶片等合适的载体上,无论设置在哪种载体上,运用此图形均只需要单层即可实现多点触控的效果。参见图5,为本实用新型实施例提供的单层ITO图形电容触控屏斜线形ITO图形,所述ITO图形结构为斜线形,所述ITO图形为单层结构,无需金属搭桥,且所述的ITO图形可设置在但不限于显示屏或Cover Lens,所述ITO图像也可设置在额外添加的其他合适的载体上,如玻璃、胶片等合适的载体上,无论设置在哪种载体上,运用此图形均只需要单层即可实现多点触控的效果。通过上述描述可知,本实用新型提供的单层ITO图形的电容触控屏至少具有以下优点(I)原材料成本降低。现有的电容触控屏技术完全利用镜片(Glass)作为ITO图形的基材,切割良率低,成本居高不下。本实用新型提供的单层ITO图形的电容触控屏可利用显示屏、Cover Lens或额外添加的其他任意合适的载体如玻璃、胶片等作为ITO图形的基材,根据具体工艺可降低原材料及加工成本。(2)产品总体厚度及重量降低。现有的电容触控屏的产品结构是=CoverLens+光学胶+ITO Glass+IXD。本实用新型提供的单层ITO图形电容触控屏产品的最精简结构为Cover Lens+LCD,无疑在厚度及重量上都有优势。(3)触控效果得以保证。本实用新型提供的单层ITO图形的电容触控屏配合软件调试,同样支持多点触控且能保持触控灵敏度。值得注意的是,本实用新型描述的是电容触控屏的单层ITO图形的一种形式,其它满足本实用新型所述ITO图形的产品,即使材质、器件名称、外观、器件摆放顺序等不影响产品特性的因素不相同,仍然属于本实用新型保护的范围。以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能 认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种单层ITO图形的电容触控屏,其特征在于,包括 用于显示图像的显示屏;设置于所述显示屏上用于感测触控点的纳米铟锡金属氧化物ITO传感器,所述ITO传感器带有单层结构ITO图形;所述ITO传感器上设有用于保护所述ITO传感器的盖板Cover Lens。
2.如权利要求I所述的单层ITO图形的电容触控屏,其特征在于,所述的ITO图形可设置在显示屏或Cover Lens上。
3.如权利要求I或2所述的单层ITO图形的电容触控屏,其特征在于,所述单层ITO图形的电容触控屏还包括 与所述ITO传感器相连,用于计算触控点并回报给处理器的柔性电路板。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种单层ITO图形,采用此单层ITO图形的电容触控屏包括用于显示图像的显示屏;用于感测触控点的纳米铟锡金属氧化物ITO传感器;保护所述ITO传感器的盖板Cover Lens。本实用新型实施例所公开的单层ITO图形的电容触控屏,可在保证触控效果的情况下降低原材料、加工成本,提高产能,同时减轻产品的厚度及重量。
文档编号G06F3/044GK202771403SQ201220220039
公开日2013年3月6日 申请日期2012年5月15日 优先权日2012年5月15日
发明者吴宝玉, 方维祥 申请人:格林精密部件(惠州)有限公司
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