专利名称：一种电容触控屏的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电容触控屏结构。
背景技术：
目前市场上生产的触控屏主要是电容触控屏，它主要分为表面式和投射式两种，其中投射式又称感应电容触控屏，电容触控屏机械结构简单，且无需人工校正，采用矩阵结构，精确度很高，非常适合在便携式电子产品上使用。因此电容触摸屏占据了市场的主要份额，电容触摸屏其昂贵的生产成本成为竞争的主要原因，为了减少生产成本，在原料价格不变的情况下，減少制程，提供有效产出成为减低成本的最大 关键。在电容触控屏制程中，主要分为两种制成结构双面(DITO)结构的产品功能更好，结构更牢固。可靠性优秀。但缺点在制成难度高。专利容易冲突；參见图2，单面(SITO)结构成熟，制成简单，但缺点在jumper大小，整体參数不易控制.外观在某种意义上达不到客户要求(外观会存在跳跃导体图层眩光产生“麻点”现象)。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是实现一种无“麻点”现象的单面(SITO)电容触控屏结构，以及这种电容触控屏的生产エ艺。为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为一种电容触控屏，包括基板，布置于基板上的ITO图层，覆盖于ITO图层外的绝缘架桥层，以及覆盖于绝缘架桥层上方的跳跃导体图层，所述的跳跃导体图层上方覆盖有用于遮挡金属跳跃导体图层眩光的黑膜图层。所述的ITO图层、绝缘架桥层、跳跃导体图层和黑膜图层的图案结构相同并相互重叠。所述的黑膜图层上覆盖树脂保护层，所述的基板背面依次设有防静电ITO层和ニ氧化硅保护层。本实用新型的优点在于利用该生产エ艺制作触摸屏的做黑膜(BM)制成曝光后只蚀刻不剥膜，既能达到低眩光，又能減少一道金属光刻制程和剥离制程，提高产出良率。同时该电容触控屏结构利用黑膜(BM)来遮挡跳跃导体图层产生的高眩光，提高了外观水平。
下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明图I为本实用新型电容触控屏剖视图；图2为传统エ艺电容触控屏剖视图；上述图中的标记均为1、黑膜图层；2、树脂保护层；3、跳跃导体图层；4、绝缘架桥层；5、IT0图层；6、基板；7、防静电ITO层；8、ニ氧化硅保护层；9、金属线路。
具体实施方式
參见图I可知，电容触控屏设有玻璃基板6，基板一面设有ITO图层5，基板6该面四周围有金属线路9，在ITO图层每条线路外包裹有POC绝缘架桥层4，绝缘架桥层4外覆盖有跳跃导体图层3，跳跃导体图层3可采用ITO或者金属导电材料作为涂层，在跳跃导体图层3外还覆盖有黑膜(BM)图层1，该黑膜图层I用来遮挡金属(mo/al/mo)跳跃导体带来的眩光。上述I TO图层5、绝缘架桥层4、跳跃导体图层3和黑膜图层I的图案结构相同并相互重叠构成电容触控屏的触控部。且跳跃导体图层3和黑膜图层I的图案完全重叠，零偏移，有利高效的完全遮挡金属(mo/al/mo)跳跃导 体带来的眩光。在触控部覆盖树脂保护层2，基板6背面依次设有防静电ITO层7和ニ氧化硅保护层8。上述电容触控屏的触控部制造エ艺如下a、采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜；b、之后制作ITO图层5，这里制作ITO图层5为常规手段，即采用触控屏的触控部黄光光刻技术，对ITO膜进行涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻，剥离エ艺处理，制作成ITO图层5 ；C、之后在ITO图层5上制作一层绝缘架桥层4，这里制作缘架桥层4也是常规手段，即采用触控屏的触控部黄光光刻技术，依次进行涂布，烘烤，曝光、显影，硬烤エ艺处理，制作绝缘架桥层4 ；d、之后利用真空磁控溅射镀膜机在制作好的绝缘架桥层4外镀ー层金属导电材料或ITO材料，并在上述金属导电材料或ITO材料外涂ー层黑膜，然后使用传统エ艺中制作跳跃导体图层3的掩膜板，并利用触控屏的触控部黄光光刻技术，将这层导电材料和黑膜制一起做成所需图形，即制成跳跃导体图层3和黑膜图层I。该黄光光刻技术包括涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻，仅去除跳跃导体图层3传统制作エ艺中的剥离エ艺，其他黄光光刻技木工艺步骤与制作跳跃导体图层3传统制作エ艺相同，将原先两个图层制作エ序合ニ为一，从而节约了制作步骤，也提高了产品质量。步骤d中，在进行黄光光刻技术的曝光エ艺时，传统曝光机能量控制在100-150mj/ cm2左右，这样曝光后的导电材料间会残留黑膜导致短路；为了避免导电材料图形线之间有黑色光阻及金属导体残留，导致机能短路不良，采用过曝光的掩膜板，即曝光エ艺中使用的掩膜板上设计图形的尺寸成比例的大于产品实际标准值6-7um，通过调节曝光机能由原来100-150 mj/ cm2至现在250-300mj/ cm2，优选300mj/ cm2，调节曝光能量时间由DNK曝光机自身软件限定的，正常光通量为35 mj/ cm2，按机台软件设定一直到达エ艺设定參数后自动停止。通过上述エ艺调节，改变掩膜板上设计值达到实际标准值，同时改善图形线间光阻残留。步骤d中，在进行黄光光刻技术的蚀刻エ艺时，还会存在耐化学性问题，BM黑光阻受到强酸攻击导致脱落，BM光阻脱落区域金属袒露在外面，导致蚀刻过蚀刻，产生机能NG(short短路)。因此在导电材料和黑膜进行蚀刻前后都需要进行硬烤エ序，以增强BM附着力，蚀刻前硬烤温度220-240°C持续时间8-10min ;蚀刻后硬烤温度220_240°C持续时间30-35min,来增强蚀刻前黑光阻耐酸性和蚀刻后黑光阻附着力。[0023]说明书中所述的黄光光刻技术，除说明书说明的部分參数エ艺更改外，其他均为TP行业内常规的触摸屏光刻技术。上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方 案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种电容触控屏，包括基板，布置于基板上的ITO图层，覆盖于ITO图层外的绝缘架桥层，以及覆盖于绝缘架桥层上方的跳跃导体图层，其特征在于，所述的跳跃导体图层上方覆盖有用于遮挡金属跳跃导体图层眩光的黑膜图层。
2.根据权利要求I所述的电容触控屏，其特征在于所述的ITO图层、绝缘架桥层、跳跃导体图层和黑膜图层的图案结构相同并相互重叠。
3.根据权利要求I或2所述的电容触控屏，其特征在于所述的黑膜图层上覆盖树脂保护层，所述的基板背面依次设有防静电ITO层和二氧化硅保护层。
专利摘要本实用新型揭示了一种电容触控屏，包括基板，布置于基板上的ITO图层，覆盖于ITO图层外的绝缘架桥层，以及覆盖于绝缘架桥层上方的跳跃导体图层，所述的跳跃导体图层上方覆盖有黑膜图层。利用该生产工艺制作触摸屏的黑膜(BM)制成曝光后只蚀刻不剥膜，既能达到低眩光，又能减少一道剥离制程，提高产出良率。同时该电容触控屏结构利用黑膜(BM)来遮挡跳跃导体图层产生的高眩光，提高了外观水平。
文档编号G06F3/044GK202615367SQ201220238849
公开日2012年12月19日 申请日期2012年5月25日 优先权日2012年5月25日
发明者周琦, 胡里程, 黄理, 沈励, 迟晓辉, 陈奇 申请人:芜湖长信科技股份有限公司