基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置制造方法
【专利摘要】基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置，涉及一种仿真方法及装置。为了解决采用目前的真空灭弧室内部温度场的仿真方法，在建立模型后，若连续更改仿真模型参数则延长了灭弧室的设计周期的问题。它通过VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件进行功能拓展，建立了用于真空灭弧室内部温度场的仿真分析的虚拟样机，将仿真模型直接导入虚拟样机中，进行灭弧室内部温度场的仿真计算，并且根据仿真结果分析真空灭弧室的导电桥的半径和高度对灭弧室内部温度场的影响，从而确定真空灭弧室的最优结构设置参数。它用于仿真真空灭弧室。
【专利说明】基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种仿真方法及装置，特别涉及一种基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置。
【背景技术】
[0002]虚拟样机技术的优越性:随着经济贸易发展的全球化，缩短产品的开发周期、提高产品的质量、降低产品的成本、提高对市场反应的灵活性等方面已经是在激烈的市场竞争中取得胜利的必要条件。但是，传统中压断路器设计的步骤是:首先，对市场进行调研，从而确定初步的设计方案；然后，根据简单的经验公式完成产品的设计，并进行相关计算；最后，制作样机，并且进行试验验证，进而确定最终的设计方案。但是这种设计往往不能一次性达到产品最终的要求，当在验证实验中发现设计的缺陷时，设计者就必须要重新修改设计，并且制作新的样机。通过反复制作样机和实验验证，设计才能最终达到产品的要求，但是这个设计可能不是最佳的。所以，传统的设计方法存在着设计周期长、设计成本高，对市场反应不灵活等缺点。
[0003]虚拟样机技术是一种以分析解决产品的性能和实现优化设计为目标的高新技术，它完美的克服了传统设计方法的种种弊端。依靠这一高新技术，设计人员可以首先利用三维图形技术在计算机中制作设计对象的三维虚拟样机，然后利用可视化仿真软件完成虚拟样机的各种物理性能的仿真分析，甚至可以在虚拟环境中进行在现实环境中难以或者根本无法进行的试验，快速分析各设计方案的优劣，最终获得最佳的设计方案。而且，这种技术可以将设计人员的想象与经验融合在设计中，给设计人员提供了极大的发挥空间。虚拟样机技术由于具有开发周期短、设计质量和设计效率高、对市场反应灵活等优势，所以被广泛地应用到了新产品的研发设计之中。
[0004]真空断路器工作时，断路器的导体中通过电流从而产生热量。产生的焦耳热能一部分会散失在周围介质中，而另一部分将会对真空断路器进行加热，导致其温度升高，严重时会致使触头熔焊。一般来说，看似光滑的触头表面其实是凹凸不平的，动、静触头只在个别突出的点发生真正的接触，这些接触点被称之为导电斑点。当电流流过触头的接触处时，电流线发生收缩，引起导电斑点附近电流路径的增长，有效导电界面减小，从而产生了接触电阻。对于一般工程应用而言，通常假定动、静触头之间只有一个导电斑点，或者全部的导电斑点在动、静触头之间的中心位置形成一个大的导电斑点。
[0005]目前的真空灭弧室内部温度场的仿真方法都是在仿真软件中建立模型，一旦由于设计需要而研究灭弧室的某些参数(如导电桥的半径和高度)对灭弧室内部温度场分布的影响，从而需要连续更改仿真模型参数，就只能不断重新建立模型，以至于延长了灭弧室的设计周期的问题。
【发明内容】
[0006]本发明的目的是为了解决目前的真空灭弧室内部温度场的仿真方法采用在仿真软件中建立模型，一旦由于设计需要而研究灭弧室的某些参数对灭弧室内部温度场分布的影响，从而需要连续更改仿真模型参数，就只能不断重新建立模型，以至于延长了灭弧室的设计周期的问题，本发明提供一种基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法及装置。
[0007]本发明的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法，
[0008]它包括如下步骤:
[0009]用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的步骤；
[0010]所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型、真空灭弧室屏蔽罩模型、母排模型、散热器模型、套接模型和导电桥模型；所述导电桥模型为用于模拟触头之间的电流收缩与焦耳发热的模型；
[0011]用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的步骤，
[0012]用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中，进行真空灭弧室内部温度场的仿真计算，得到真空灭弧室内部温度场的仿真分布结果的步骤；
[0013]用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室的导电桥的半径和高度，结合获得的相应的真空灭弧室内部的温度场分布，确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的步骤。
[0014]基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真装置，用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的装置；
[0015]所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型和真空灭弧室屏蔽罩模型、母排模型、散热器模型、套接模型和导电桥模型；
[0016]用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的装置，
[0017]用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中，进行真空灭弧室内部温度场的仿真计算，得到真空灭弧室内部温度场的仿真分布结果的装置；
[0018]用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室的导电桥的半径和高度，结合获得的相应的真空灭弧室内部温度场，确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的装置。
[0019]本发明的优点在于,本发明通过VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件进行了二次开发，建立了用于真空灭弧室内部温度场的仿真分析的虚拟样机，将仿真模型直接导入虚拟样机中，进行灭弧室内部温度的仿真计算，并且根据仿真结果分析导电桥的半径和高度对灭弧室内部温度场的影响，从而确定真空灭弧室的最优结构设置参数。与现有的仿真方法对比，利用本发明的装置及方法结合能使中压真空灭弧室内部温度场分布的仿真过程更加简单、快捷，从而大大缩短灭弧室的设计周期，提高了仿真分析的效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1为【具体实施方式】一所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法的流程示意图。
[0021]图2为采用本发明的方法真空灭弧室的各部件温升值随导电桥半径变化曲线；其中，曲线I表示导电桥的温升值随导电桥半径变化的曲线，曲线2表示动导电杆的温升值随导电桥半径变化的曲线，曲线3表示进线端的温升值随导电桥半径变化的曲线，曲线4表示静导电杆的温升值随导电桥半径变化的曲线，曲线5表示出线端的温升值随导电桥半径变化的曲线。
[0022]图3为采用本发明的方法真空灭弧室的各部件温升值随导电桥高度变化曲线；其中，曲线6表示进线端的温升值随导电桥高度变化曲线，曲线7表示导电桥的温升值随导电桥高度变化曲线，曲线8表示动导电杆的温升值随导电桥高度变化曲线，曲线9表示出线端的温升值随导电桥高度变化曲线，曲线10表示静导电杆的温升值随导电桥高度变化曲线。
【具体实施方式】
[0023]【具体实施方式】一:结合图1说明本实施方式，本实施方式所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法，它包括如下步骤:
[0024]用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的步骤；
[0025]所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型、真空灭弧室屏蔽罩模型、母排模型、散热器模型、套接模型和导电桥模型；所述导电桥模型为用于模拟触头之间的电流收缩与焦耳发热的模型；
[0026]用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的步骤，
[0027]用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中，进行真空灭弧室内部温度场的仿真计算，得到真空灭弧室内部温度场的仿真分布结果的步骤；
[0028]用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室的导电桥的半径和高度，结合获得的相应的真空灭弧室内部温度场，确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的步骤。
[0029]将上述的仿真模型的建立、模型参数的设置、模型的导入、仿真计算、模型参数的重新设置等步骤统一起来的过程即为中压真空灭弧室的虚拟样机技术的实现过程。
[0030]【具体实施方式】二:本实施方式是对【具体实施方式】一所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法的进一步限定，所述用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的步骤为:
[0031]采用VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件功能拓展的步骤；
[0032]采用拓展功能后的Pro/Engineer软件实现如下步骤:
[0033]获取建立真空灭弧室模型中的对象指针的步骤；根据对象指针获取相应对象的数据的步骤；
[0034]显示获取相应对象的数据的步骤；
[0035]输入重新设置对象指针的数据的步骤；
[0036]根据输入的对象指针的数据更新真空灭弧室模型中相关变量和相应对象的数据的步骤；
[0037]保存更新后的真空灭弧室模型的步骤。[0038]【具体实施方式】三:本实施方式是对【具体实施方式】二所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法的进一步限定，所述中压真空灭弧室为12kV/3150A/40kA 真空灭弧室。
[0039]本实施方式针对某种12kV/3150A/40kA真空灭弧室样品进行了外观测绘，在完成了灭弧室的解剖之后，对其内部进行了测绘，并且采用Pro/Engineer软件对该真空灭弧室进行了建模:
[0040]( I)真空灭弧室整体模型的建立
[0041]真空灭弧室的整体结构是真空断路器的最重要的部件。它主要由静触头、动触头、屏蔽罩、波纹管和外壳等零件组成。
[0042](2)真空灭弧室静端组件模型和动端组件模型的建立
[0043]真空灭弧室静端组件模型分别由静导电杆、静端触头、静端套接、端部屏蔽罩以及静端法兰组成。
[0044]真空灭弧室动端组件模型分别由动导电杆、动端触头、动端套接、波纹管以及端部屏蔽罩组成。其中，触头部分是真空灭弧室内最为重要的元件，它决定了真空灭弧室的开断能力和电气寿命，就接触方式而言，目前真空断路器的触头系统都是对接式的。
[0045]本实施方式所述的真空灭弧室样品的触头主要由触头片、触头座、触头支撑三部分组成。
[0046](3)真空灭弧室屏蔽罩模型的建立
[0047]在触头周围设置屏蔽罩，其主要作用为以下四点:防止由于绝缘外壳被电弧生成物污染而引起的绝缘强度的降低；有利于电弧熄灭后介质强度的迅速恢复；可以使灭弧室内部的电压均匀分布。
[0048](4)真空灭弧室导电桥模型的建立
[0049]一般来说，看似光滑的触头表面其实是凹凸不平的，动、静触头只在个别突出的点发生真正的接触，这些接触点被称之为导电斑点。当电流流过触头的接触处时，电流线发生收缩，引起导电斑点附近电流路径的增长，有效导电界面减小，从而产生了接触电阻。对于一般工程应用而言，通常假定动、静触头之间只有一个导电斑点，或者全部的导电斑点在动、静触头之间的中心位置形成一个大的导电斑点。本专利假设动、静触头中心处有一个圆柱体(即导电桥模型)来联接动、静触头。
[0050](5)母排模型、散热器模型和套接模型的建立
[0051]中压真空断路器的热传递方式主要有三种:热传导，热对流和热辐射。外部电流通过母排、散热器和套接流入到中压真空灭弧室内部，从而造成灭弧室内部的温度升高。灭弧室内部处于真空状态，不与外界空气进行对流，而且辐射也很微弱，真空灭弧室内部仅通过热传导方式向灭弧室外部连接件及其外部介质中传递热量。但是，母排、散热器和套接则考虑热传导、热对流与热辐射三种传热方式，所以母排、散热器和套接对中压真空灭弧室内部的温度场影响较大。
[0052]Pro/Engineer软件虽然具有强大的三维造型功能,但是由于它是通用的设计软件，所以没有对某种特定的产品提供专门的开发模块，使得之前的设计资源不能被充分的利用。因此，为了提高设计效率，对Pro/Engineer软件的功能进行拓展，从而达到能够提供特定产品的专用模块的目的，就必须进行Pro/Engineer软件的二次开发。[0053]Pro/Engineer软件自带的Pro/Toolkit个性化开发工具包(应用程序接口)提供了强大的二次开发功能，由于它提供了大量的C语言库函数，所以外部应用程序能够安全有效地访问Pro/Engineer软件的应用程序与数据库，从而完成了 C语言程序与Pro/Engineer软件的无缝连接。而且,Pro/Toolkit还封装了许多Pro/Engineer软件底层的库函数与头文件，用户可以借助第三方编译环境对其进行调试。因此，本专利采用VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件进行二次开发。
[0054]( I)三维参数化设计的基本原理
[0055]参数化设计的基本原理是:将程序控制与三维模型结合起来，从而得到所需的三维实体模型。具体的过程为:首先，建立某种产品的三维模型；然后，根据零件具体的设计要求设置可以控制模型大小和形状的设计参数；最后，对零件的设计参数进行编程，从而实现设计参数的检索、修改以及新三维模型的再生的功能，并且提供人机交互界面。
[0056](2)参数化建模的步骤
[0057]参数化建模主要分为三个步骤:创建模型、创建参数和关系式和产品模型的参数化驱动。首先，根据模型的特征，在Pro/Engineer软件中创建模型的主体,根据模型尺寸草绘图形。其次，在Pro/Engineer软件的辅助设计工具中创立参数和关系式。最后，在Pro/Engineer软件的辅助设计工具中进行模型的参数化驱动。在启动Pro/Engineer软件平台后，用户需要注册应用程序，同时装载产品的三维模型，调用辅助工具。由于人机界面中参数名的含义十分明确，所以很容易在界面中修改相关的参数值，然后单击“确定”按钮，生成新的三维模型。
[0058](3)程序的实现
[0059]本实施方式采用同步模式对Pro/Engineer软件进行开发,将参数化应用程序通过动态链接库集成到Pro/Engineer软件的应用系统中。首先,在VC++6.0开发软件中设计人机交互界面；然后，软件向导自动生成MFC/DLL框架程序，并对应用程序进行初始化；最后，在已经生成的框架中设置编译环境以及完成CPP程序的编写，编译程序，并且完成可以被Pro/Engineer软件调用的DAT文件的编写。
[0060]I)界面的设计
[0061]具有人机交互功能的可视化界面的设计是在VC++6.0开发软件提供的对话框编辑器中完成的。具体操作过程分为三步，分别为:插入对话框资源、在对话框中添加控件、设置对话框与所添加控件的相关属性。对话框可以通过菜单进行调用，也可以根据需要动态调节对话框的尺寸和结构，从而将不同的内容显示出来。菜单由Pro/Toolkit提供的相关函数进行设计，集成在Pro/Engineer软件的菜单条中。
[0062]为了简化计算，应用于温度场仿真分析的虚拟样机中只包括“触头座”、“触头片”、“触头支撑”、“静导电杆”、“动导电杆”、“母排模型”、“散热器模型”、“套接模型”和“导电桥”，所以在参数化建模时只建立“触头座”、“触头片”、“触头支撑”、“静导电杆”、“动导电杆”、“母排模型”、“散热器模型”、“套接模型”和“导电桥”的参数化模型。“仿真模型”菜单栏中共分为“温度场仿真模型”一级子菜单，在一级子菜单中又分为“静导电杆”、“动导电杆”、“触头座”和“导电桥”等选项。单击菜单栏中“仿真模型”，然后在所示的下拉菜单中选择“导电桥”选项，弹出“导电桥”参数化设计界面对话框。用户可以根据需要在对话框中输入各个尺寸参数，点击“确定”按钮后在Pro/Engineer软件环境中得到所要的“导电桥”三维模型。
[0063]2)应用程序的创建及其初始化
[0064]应用程序的创建及其初始化主要包括以下三个方面的内容:首先，按照Pro/Toolkit应用程序在Pro/Engineer软件环境中运行的要求，设计初始化接口程序user_initialize O函数和终止程序user_terminate O函数；其次,根据设计功能的需求,设计Pro/Toolkit应用程序的主体部分，这里包括一个或多个CPP程序，从而完成应用程序所需要达到的预定功能；最后，完成对话框资源文件(.res)和菜单信息文件(message.txt)的编与。
[0065]3) CPP程序的开发流程
[0066]采用面向对象C++语言编写CPP程序,并且充分利用了 MFC (Microsoft FundationClasses)所提供的所有类库，从而降低了程序的复杂程度。程序的开发流程为:首先，获取三维模型中的对象指针；然后，显示并设置对象的相关参数信息，更新模型；最后，检验模型是否满足设计要求，如果满足，则完成设计并保存模型。
[0067]完成CPP程序的编写之后，编译程序，生成DLL文件。并将DLL文件的信息与菜单文件的信息写入DAT文件，在Pro/Engineer软件的辅助工具中调用DAT文件，进入参数化界面，在人机交互的界面中就可以完成对模型的修改。以“导电桥”模型为例，将“导电桥”模型的半径由Imm修改为10mm。
[0068]真空灭弧室内部纵 向温度场分布影响因素的分析:
[0069]触头之间的接触情况主要体现在导电桥模型的尺寸，即半径与高度。导电桥尺寸的改变意味着接触情况的改变，导电桥的半径主要由触头接触压力、表面接触情况和触头材料的布氏硬度决定，表面接触情况和触头材料的布氏硬度是定值，通过改变导电桥的半径可以得知触头压力对中压真空灭弧室内部温度场的影响；由于导电桥的高度不确定，需通过改变导电桥的高度，确定其对灭弧室内部温度场的影响。
[0070]( I)导电桥半径对温度场分布的影响:
[0071]为了研究导电桥半径对温度场分布的影响，现把导电桥高度设计为1.2mm，半径从Imm变化到10mm，得到如图2所示的真空灭弧室的各部件温升值随导电桥半径的变化曲线。
[0072]由图2可知:在其他条件不变的情况下，当导电桥模型的半径从IOmm下降到Imm时，灭弧室内部的最高温度由62.32°C上升到102.78°C，真空灭弧室的各部件的温升值随着导电桥半径的增大而减小，最开始温升值随导电桥半径变化较快，随后变化趋于缓慢。这
是因为:导电桥产生的能量
【权利要求】
1.基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法，其特征在于，它包括如下步骤: 用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的步骤； 所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型、真空灭弧室屏蔽罩模型、母排模型、散热器模型、套接模型和导电桥模型；所述导电桥模型为用于模拟触头之间的电流收缩与焦耳发热的模型； 用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的步骤， 用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中，进行真空灭弧室内部温度场的仿真计算，得到真空灭弧室内部温度场的仿真分布结果的步骤； 用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室的导电桥的半径和高度，结合获得的相应的真空灭弧室内部温度场，确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的步骤。
2.根据权利要求1所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法，其特征在于，所述用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的步骤为: 采用VC++6.0开发软件对Pro/Engineer软件功能拓展的步骤； 采用拓展功能后的Pro/Engineer软件实现如下步骤: 获取建立真空灭弧室模型中的对象指针的步骤；根据对象指针获取相应对象的数据的步骤； 显示获取相应对象的数据的步骤； 输入重新设置对象指针的数据的步骤； 根据输入的对象指针的数据更新真空灭弧室模型中相关变量和相应对象的数据的步骤； 保存更新后的真空灭弧室模型的步骤。
3.根据权利要求2所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法，其特征在于，所述中压真空灭弧室为12kV/3150A/40kA真空灭弧室。
4.根据权利要求1或2所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真方法，其特征在于，所述待仿真的真空灭弧室的结构设置参数为: 导电杆、触头座、母排和套接的参数均为纯铜材料相应的参数；触头支撑的参数为不锈钢材料相应的参数；触头片的参数材料为CuCr50材料的参数； 散热器的参数为铝材料的参数；母排、动端和静端套接部分的综合散热系数设置为0.3ff/m2.K ;静端套接的剩余部分和静端散热器的综合散热系数设置为0.2ff/m2.Κ ;动端套接的剩余部分、动端散热器和动导电杆的综合散热系数设置为0.001ff/m2.Κ ;输入电流为额定工频电流，有效值为3150Α，环境初始温度设为18°C。
5.基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真装置，其特征在于，它包括如下装置: 用于运用Pro/Engineer软件建立待仿真的真空灭弧室的模型的装置； 所述真空灭弧室的模型包括真空灭弧室整体结构的模型、真空灭弧室静端组件模型、真空灭弧室动端组件模型和真空灭弧室屏蔽罩模型、母排模型、散热器模型、套接模型和导电桥模型； 用于采用Pro/Engineer软件和VC++6.0开发软件建立真空灭弧室模型的内部温度场的仿真分析的虚拟样机的装置， 用于将待仿真的真空灭弧室的结构设置参数同时导入到所述虚拟样机中，进行真空灭弧室内部温度场的仿真计算，得到真空灭弧室内部温度场的仿真分布结果的装置； 用于改变虚拟样机中待仿真的真空灭弧室的导电桥的半径和高度，结合获得的相应的真空灭弧室内部温度场，确定待仿真的真空灭弧室的最优结构设置参数的装置。
6.根据权利要求5所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真装置，其特征在于， 所述中压真空灭弧室为12kV/3150A/40kA真空灭弧室。
7.根据权利要求5所述的基于虚拟样机技术的中压真空灭弧室内部温度场的真空灭弧室仿真装置，其特征在于， 所述待仿真的真空灭弧 室的结构设置参数为: 导电杆、触头座、母排和套接的参数均为纯铜材料相应的参数；触头支撑的参数为不锈钢材料相应的参数；触头片的参数材料为CuCr50材料的参数； 散热器的参数为铝材料的参数；母排、动端和静端套接部分的综合散热系数设置为.0.3ff/m2.K ;静端套接的剩余部分和静端散热器的综合散热系数设置为0.2ff/m2.Κ ;动端套接的剩余部分、动端散热器和动导电杆的综合散热系数设置为0.001ff/m2.Κ ;输入电流为额定工频电流，有效值为3150Α，环境初始温度设为18°C。
【文档编号】G06F17/50GK103605855SQ201310611486
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年11月26日 优先权日:2013年11月26日
【发明者】孙巍, 张大为, 孙晨, 张洪达 申请人:国家电网公司, 黑龙江省电力科学研究院