自动扩展缺陷图形库的方法
【专利摘要】本发明提供了一种自动扩展缺陷图形库的方法，包括：第一步骤，用于准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据；第二步骤，用于通过使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动，和/或通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化，对所述原始缺陷图形的关键尺寸进行分批演变，由此自动生成虚拟缺陷图形数据库；第三步骤，用于对虚拟缺陷图形进行工艺偏差模拟，并根据工艺偏差模拟的结果筛选出新的缺陷图形；第四步骤，用于将新的缺陷图形添加到缺陷图形库以形成新的缺陷图形数据，由此使缺陷图形库得到扩展。
【专利说明】自动扩展缺陷图形库的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域,具体涉及DFM (DesignForManufacture)可制造性图形设计领域；更具体地说，本发明涉及版图设计工艺热点检测方法中的自动扩展缺陷图形库的方法。
【背景技术】
[0002]在先进光刻工艺中，在曝光机台没有更新的前提下，随着曝光图形尺寸的不断缩小，会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形(见图1与图2，其中图1中的虚线圈部分示出了实际会产生光刻缺陷的图形区域)，类似的光刻图形结构称为光刻缺陷图形。
[0003]现有的光刻缺陷图形库中缺陷的图形收集一般过程为:大量的设计图形经过光刻工艺窗口模拟，得到极少数量的光刻缺陷图形。建立缺陷图形库，将光刻缺陷图形加入。这种只收集缺陷图形却不及时扩展缺陷图形的过程，时间跨度较长，收集效率低下。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够充分利用光刻缺陷图形原始数据，自动扩展缺陷图形库，使缺陷图形库得到完善的用于自动扩展缺陷图形库的方法。
[0005]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种自动扩展缺陷图形库的方法，包括:第一步骤，用于准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据；第二步骤，用于通过使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动，和/或通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化，对所述原始缺陷图形的关键尺寸进行分批演变，由此自动生成虚拟缺陷图形数据库；第三步骤，用于对虚拟缺陷图形进行工艺偏差模拟，并根据工艺偏差模拟的结果筛选出新的缺陷图形；第四步骤，用于将新的缺陷图形添加到缺陷图形库以形成新的缺陷图形数据，由此使缺陷图形库得到扩展。
[0006]优选地，在第二步骤中，在通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化的情况下，根据参考缺陷图形自身的缺陷位置来确定关键尺寸变化。
[0007]优选地，在第二步骤中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，单边图像的移动距离小于1/3关键尺寸，多边形图像的移动距离小于I倍关键尺寸。
[0008]优选地，在第二步骤S2中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，多次对所述剩余部分移动，并且在每次移动所述剩余部分之后产生一次虚拟缺陷图形。
[0009]优选地，每次移动所述剩余部分的移动距离为0.005um。
[0010]本发明根据已经发现的光刻缺陷图形，通过改变图形关键位置的尺寸，然后衍生出一系列不同尺寸的虚拟缺陷图形，虚拟缺陷图形再经过工艺窗口模型仿真(PWModelSimulation),得到新的缺陷图形。最终将这些新的光刻缺陷图形加入缺陷图形库(DefectPatternLibrary)中，使缺陷图形库更加完善。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0012]图1示意性地示出了光刻缺陷图形版图设计。
[0013]图2示意性地示出了图1所示的光刻缺陷图形版图设计的相应的光刻缺陷图形电子显微镜图形。
[0014]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的流程图。
[0015]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法采用的原始缺陷图形的示例。
[0016]图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的缺陷图形关键尺寸分批演变示例图。
[0017]图6a至图6e示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的衍生虚拟缺陷图形示例图。
[0018]图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的【具体实施方式】示例图。
[0019]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0020]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0021]图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法的流程图。
[0022]具体地说，如图3所示，根据本发明优选实施例的自动扩展缺陷图形库的方法包括:
[0023]第一步骤S1:准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据。
[0024]第二步骤S2:通过使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动，和/或通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化，对所述原始缺陷图形的关键尺寸进行分批演变，由此自动生成虚拟缺陷图形数据库。在此，可通过软件自动生成虚拟缺陷图形数据库。
[0025]具体地，图4示出了缺陷图形的一种结构，在参考标号1处的图形的二维效应大，此位置易产生线条(Line)夹断(Pinch)。对于图4所示的原始缺陷图形进行分批演变的具体步骤可如下所述。
[0026]如图5中所示，向上移动四边形2，移动的尺寸为1/2至1倍的关键尺寸；向下移动四边形3，移动的尺寸为在1/2至1倍的关键尺寸，可以得到图6a和图6b所示的两种分批的虚拟缺陷图形。当然，还可以根据四边形移动尺寸的不同可以得到更多的分批演变种类。
[0027]如图5中所不,左右移动边4,移动的尺寸为±1/3的关键尺寸；左右移动边5,移动的尺寸为±1/3的关键尺寸，可以得到图6c、图6d两种分批的虚拟缺陷图形。同样的，也可以根据边移动尺寸的不同得到更多批次的分批演变种类。
[0028]另外，将图6b、图6d的演变情形组加起来，又可以得到新的演变图6e所示。
[0029]这里只是一种简单的分批演变的画图示意，一般通过软件实现上述分批演变。根据实际缺陷图形的表现，将关键位置的尺寸、图形的布局给定适当的约束条件赋予软件，经过计算机模拟运算将得到更加复杂规则的分批演变。
[0030]优选地，在第二步骤S2中，在通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化的情况下，根据参考缺陷图形自身的缺陷位置来确定关键尺寸变化。
[0031]优选地，在第二步骤S2中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，多次对所述剩余部分移动，并且在每次移动所述剩余部分之后产生一次虚拟缺陷图形；而且，优选地，每次移动所述剩余部分的移动距离为
0.005um,即虚拟缺陷图形的步距一般设为0.005um ;否则，会产生大量重复的虚拟缺陷图形。
[0032]优选地，在第二步骤S2中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，单边图像的移动距离一般小于1/3关键尺寸，多边形图像的移动距离一般小于I倍关键尺寸；否则，产生的虚拟缺陷图形没有实际意义。
[0033]第三步骤S3:对虚拟缺陷图形进行工艺偏差模拟(例如，可进行工艺窗口模型仿真(PWModelSimulation)),并根据工艺偏差模拟的结果筛选出新的缺陷图形。在当前示例中，可以将图6a至图6e所示的虚拟缺陷图形通过工艺窗口模型仿真，发现图6c也为真实缺陷图形。
[0034]第四步骤S4:将新的缺陷图形添加到缺陷图形库以形成新的缺陷图形数据，由此使缺陷图形库得到扩展。由于图6c也为真实缺陷图形，所以可以将图6c的虚拟缺陷图形加入缺陷图形库，使缺陷图形库得到扩展。
[0035]通过该方法，缺陷图形库的数据量比原先增长了 50%。
[0036]下面参照图7a至图7e来具体描述本发明的一个实际的自动缺陷图形的示例。
[0037]图7a是在版图设计(Layout)中发现的夹断(Pinch)类缺陷图形。缺陷位置在标号71。这样，图7b以一种缺陷结构存在于缺陷图形库中。
[0038]将图7b的边73、边74、边75设定移动的尺寸为关键尺寸的1/3，将多边形71、多边形72上下错开位移尺寸为I倍的关键尺寸。结合上述约束条件，设步距变量为0.005um,通过软件可以自动得到如图7c所示的阵列虚拟缺陷图形。
[0039]将图7c的阵列虚拟缺陷图形经过工艺窗口模拟仿真，可以找到图7e结构的虚拟图形也存在同样的缺陷。工艺窗口仿真图可以参照图7d。即图7e也为是一种缺陷图形。
[0040]将7e的缺陷图形加入到缺陷图形库，缺陷图形库得到完善。
[0041]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。[0042]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种自动扩展缺陷图形库的方法，其特征在于包括:第一步骤，用于准备表示原始缺陷图形的缺陷图形原始数据；第二步骤，用于通过使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动，和/或通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化，对所述原始缺陷图形的关键尺寸进行分批演变，由此自动生成虚拟缺陷图形数据库；第三步骤，用于对虚拟缺陷图形进行工艺偏差模拟，并根据工艺偏差模拟的结果筛选出新的缺陷图形；第四步骤，用于将新的缺陷图形添加到缺陷图形库以形成新的缺陷图形数据，由此使缺陷图形库得到扩展。
2.根据权利要求1所述的自动扩展缺陷图形库的方法，其特征在于，在第二步骤中，在通过使得所述原始缺陷图形的至少一部分的关键尺寸变化的情况下，根据参考缺陷图形自身的缺陷位置来确定关键尺寸变化。
3.根据权利要求1或2所述的自动扩展缺陷图形库的方法，其特征在于，在第二步骤中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，单边图像的移动距离小于1/3关键尺寸，多边形图像的移动距离小于1倍关键尺寸。
4.根据权利要求1或2所述的自动扩展缺陷图形库的方法，其特征在于，在第二步骤S2中，在使得所述原始缺陷图形的一部分相对于所述原始缺陷图形的剩余部分移动的情况下，多次对所述剩余部分移动，并且在每次移动所述剩余部分之后产生一次虚拟缺陷图形。
5.根据权利要求4所述的自动扩展缺陷图形库的方法，其特征在于，每次移动所述剩余部分的移动距离为0.005um。
【文档编号】G06F17/50GK103745072SQ201410042444
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2014年1月29日 优先权日:2014年1月29日
【发明者】朱忠华, 王伟斌, 魏芳, 朱骏, 张旭升 申请人:上海华力微电子有限公司