触控装置制造方法

文档序号:6642355阅读:153来源:国知局
触控装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种触控装置,触控装置包括一第一基底、一结构层以及一触控组件。第一基底具有一第一面以及一第二面,且第一面与第二面相对。结构层设置在第一基底的第一面上。结构层具有一粗化面,粗化面背对第一基底,且粗化面包括多个纳米微细结构。触控组件与纳米微细结构在一垂直第一基底的垂直投影方向上至少部分重叠。结构层上形成的纳米微细结构可用以降低触控组件的可视程度。
【专利说明】触控装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种触控装置,特别涉及一种利用在结构层上形成纳米微细结构来降低触控组件可视程度的触控装置。
【背景技术】
[0002]触控板的技术发展非常多样化,目前比较常见的技术包括电阻式、电容式以及光学式等。其中电容式触控板由于具有高准确率、多点触控、高耐用性以及高触控解析度等特点,已成为目前中高阶消费性电子产品使用的主流触控技术。电容式触控板的操作原理是使用感应电极来检测触控点位的电容变化,并利用不同方向轴上连接各个电极的连接线将信号传回而完成定位。其中,连接线一般是以电阻率比较低的金属材料所形成。然而,金属材料所形成的连接线因为比较容易反射光线,故使得连接线容易被识别出而造成触控板在视觉效果上的不良影响。此外,目前相关领域也有开发出以金属线路交织而成的金属网格(metal mesh)来取代透明导电材料形成感应电极的设计来提高反应速度。然而金属网格所使用的金属材料也比较容易反射光线,故也会造成触控板在视觉效果上的不良影响。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种触控装置,利用在与触控组件重叠的结构层上形成纳米微细结构,通过纳米微细结构对触控组件可能产生的反射光形成散射或形成抑制反射光射出的效果,进而达到改善触控装置的外观质量的目的。
[0004]本实用新型提供一种触控装置,包括一第一基底、一结构层以及一触控组件。第一基底具有一第一面以及一第二面,且第一面与第二面相对。结构层设置在第一基底的第一面上。结构层具有一粗化面,粗化面背对第一基底,且粗化面包括多个纳米微细结构。触控组件与纳米微细结构在一垂直第一基底的垂直投影方向上至少部分重叠。
[0005]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,两相邻的纳米微细结构的顶点间的距离介于90纳米到900纳米之间。
[0006]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,两相邻的纳米微细结构相连的地方具有一连接点,两相邻的纳米微细结构其中的一个的最高点与连接点之间具有一高度,且高度是介于90纳米到900纳米之间。
[0007]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,纳米微细结构的最高点与最低点在垂直投影方向上的距离是介于90纳米到900纳米之间。
[0008]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,纳米微细结构彼此相连设置。
[0009]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,结构层包括有机材料、无机材料或有机-无机复合材料。
[0010]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,结构层的折射率介于1.35到2之间。
[0011 ] 在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,触控组件是设置在结构层的粗化面上。
[0012]本实用新型其中一个实施例的触控装置还包括一装饰层,设置在第一基底上,且第一基底为一透光覆盖板。
[0013]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,装饰层的厚度小于结构层的厚度。
[0014]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,装饰层的厚度大于结构层的厚度。
[0015]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,装饰层设置在第一基底的第一面上。
[0016]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,装饰层至少部分设置在结构层与第一基底之间。
[0017]本实用新型其中一个实施例的触控装置还包括一第二基底,与第一基底相对设置,其中第二基底具有一第三面以及一第四面,第三面与第四面相对,第三面面对第一基底的第一面,且触控组件至少部分设置在第二基底的第三面上。
[0018]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,触控组件设置在第一基底的第一面上,且触控组件设置在结构层与第一基底之间。
[0019]本实用新型其中一个实施例的触控装置还包括一透光覆盖板,与第一基底相对设置,其中结构层设置在第一基底与透光覆盖板之间。
[0020]本实用新型其中一个实施例的触控装置还包括一装饰层,设置在透光覆盖板上。
[0021]本实用新型其中一个实施例的触控装置还包括一遮光层,至少部分设置在触控组件与结构层之间。
[0022]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,触控组件包括至少一金属层或至少一金属网格,其中金属网格具有一线宽,且线宽介于0.1微米到10微米之间。
[0023]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,触控组件包括多个触控电极彼此互相电绝缘设置。
[0024]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,触控电极包括至少一触控信号驱动电极以及至少一触控信号接收电极。
[0025]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,触控组件包括至少一条第一轴向电极以及至少一条第二轴向电极。第一轴向电极沿一第一方向延伸设置,第二轴向电极沿一第二方向延伸设置。第二轴向电极与第一轴向电极电绝缘。
[0026]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,第一轴向电极包括多个第一子电极以及至少一条第一连接线设置在两相邻的第一子电极之间,第一连接线电连接两相邻的第一子电极,第二轴向电极包括多个第二子电极以及至少一条第二连接线设置在两相邻的第二子电极之间,第二连接线电连接两相邻的第二子电极。
[0027]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,第一基底包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一透光覆盖板或一显不器的基底。
[0028]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,结构层的厚度介于200纳米到10微米之间。
[0029]在本实用新型其中一个实施例的触控装置中,部分的触控组件未与纳米微细结构在垂直投影方向上重叠。【专利附图】

【附图说明】
[0030]图1所示为本实用新型实施例1的触控装置的示意图;
[0031]图2所示为本实用新型实施例1的纳米微细结构的示意图;
[0032]图3所示为本实用新型实施例1的不规则排列的纳米微细结构的示意图;
[0033]图4所示为本实用新型实施例1的互相分开排列的纳米微细结构的示意图;
[0034]图5所示为本实用新型实施例1的自电容式触控组件的示意图;
[0035]图6所示为本实用新型实施例1的触控组件的六边形网格图案的示意图;
[0036]图7所示为本实用新型实施例1的触控组件的四边形网格图案的示意图;
[0037]图8为沿图7中A-A’剖线所绘示的剖视图;
[0038]图9所示为本实用新型实施例1的互电容式触控组件的示意图;
[0039]图10所示为本实用新型实施例1的另外一互电容式触控组件的示意图;
[0040]图11所示为本实用新型实施例1的另外一互电容式触控组件的示意图;
[0041]图12为沿图11中B-B’剖线所绘示的剖视图;
[0042]图13所示为本实用新型实施例2的触控装置的示意图;
[0043]图14所示为本实用新型实施例3的触控装置的示意图;
[0044]图15所示为本实用新型实施例4的触控装置的示意图;
[0045]图16所示为本实用新型实施例5的触控装置的示意图;
[0046]图17所示为本实用新型实施例6的触控装置的示意图;
[0047]图18所示为本实用新型实施例7的触控装置的示意图;
[0048]图19所示为本实用新型实施例8的触控装置的示意图;
[0049]图20所示为本实用新型实施例9的触控装置的示意图;
[0050]图21所示为本实用新型实施例10的触控装置的示意图;
[0051]图22所示为本实用新型实施例11的触控装置的示意图;
[0052]图23所示为本实用新型实施例12的触控装置的示意图;
[0053]图24所示为本实用新型实施例13的触控装置的示意图。
[0054]其中,附图标记说明如下:
[0055]101-105、200-201、300、400-404 触控装置
[0056]111 第一基底
[0057]IllA 第一面
[0058]IllB 第二面
[0059]112 第二基底
[0060]Il2A 第三面
[0061]112B 第四面
[0062]113透光覆盖板
[0063]113A 第五面
[0064]113B 第六面
[0065]120装饰层
[0066]130结构层
[0067]130S 粗化面[0068]140触控组件
[0069]140C 走线
[0070]140M网格图案
[0071]140R触控信号接收电极
[0072]140S触控电极
[0073]140T触控信号驱动电极
[0074]140X第一轴向电极
[0075]140Y第二轴向电极
[0076]150绝缘构件
[0077]159保护层
[0078]160遮光层
[0079]161第一遮光层
[0080]162第二遮光层
[0081]170粘合层
[0082]490显示器
[0083]491显示下基底
[0084]492显示介质
[0085]B 底部
[0086]C连接点
[0087]D1、D2、D3 距离
[0088]D4 深度
[0089]H 高度
[0090]M纳米微细结构
[0091]Pl六边形网格单元
[0092]P2四边形网格单元
[0093]T 顶点
[0094]X第一方向
[0095]Xl第一子电极
[0096]X2第一连接线
[0097]Y第二方向
[0098]Yl第二子电极
[0099]Y2第二连接线
[0100]Z垂直投影方向
【具体实施方式】
[0101]为使本实用新型所属【技术领域】的技术人员能进一步了解本实用新型,下文特列举本实用新型的数个具体实施例,并配合附图,详细说明本实用新型的技术方案。
[0102]实施例1
[0103]请参考图1到图4。图1所示为本实用新型实施例1的触控装置的示意图。图2到图4所示为本实施例的纳米微细结构的示意图。为了方便说明,本实用新型的各附图仅为示意用以容易了解本实用新型,其详细的比例可依照设计的需求进行调整。如图1所示,本实施例提供一种触控装置101,包括一第一基底111、一结构层130以及一触控组件140。第一基底111具有一第一面IllA以及一第二面111B,且第一面IllA与第二面IllB相对。第一基底111可包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一透光覆盖板或一显示器的基底。其中,在上述透光覆盖板至少在一侧可设置有一装饰层120,且透光覆盖板可包括玻璃覆盖板、塑胶覆盖板或其他具有高机械强度材质所形成具有保护(例如防刮)、覆盖或是美化其对应装置的透光覆盖板,透光覆盖板的厚度可介于0.02毫米到2毫米之间。透光覆盖板可为平面形状或曲面形状,或前述的组合,例如为2.玻璃,但并不以此为限,透光覆盖板具有85%以上的透光度。另外,也可以选择在透光覆盖板面向使用者进行操作的一侧设置一防污镀膜(Ant1-Smudge Coating)。另外,若第一基底111为上述显示器的基底,则第一基底111可为一彩色滤光基底、一有源阵列基底或一有机发光显不器的封装盖板,但并不以此为限。
[0104]结构层130设置在第一基底111的一侧,例如设置在第一基底111的第一面IllA上。结构层130具有一粗化面130S,粗化面130S背对第一基底111,且粗化面130S包括多个纳米微细结构M。本实施例的结构层130可包括有机材料、无机材料或有机与无机复合材料。上述的有机材料可包括丙烯酸类树脂(acrylic resin)、聚胺酯甲酸基(Polyurethane, PU)、环氧树脂、酚醛树脂或其他适合的有机材料,而上述的无机材料可包括氮化娃(silicon nitride)、氧化娃(silicon oxide)、氮氧化娃(silicon oxynitride)或其它适合的无机材料,而上述的有机与无机复合材料可包括有机与无机混合的溶凝胶(sol-gel)材料,又或者,结构层130的材质可为有机高分子材料,且优选为含有聚亚酰胺(Polyimide,PI)的材质;结构层130形成在第一基底111的一侧的步骤可采用印刷、涂布或光刻工艺的方式将上述材质转印或涂布在第一基底111上,并经烘烤等过程而固化成型。此外,结构层130的材料也优选可具有紫外光固化或热固化特性,但并不以此为限。结构层130上构成粗化面130S的纳米微细结构M优选可用等离子体表面处理或纳米压印等方式形成,但本实用新型并不以此为限。在本实用新型的其他实施例中也可视结构层130的材质与制造工艺考量以其他适合的方式形成纳米微细结构M。
[0105]触控组件140是与纳米微细结构M在一垂直第一基底111的垂直投影方向Z上至少部分重叠;或者,若触控组件140中有包括易产生光反射的金属材料,则由金属构成的触控组件140部分与纳米微细结构M在垂直投影方向Z上重叠。因此,如图1所示,当光线依序穿过第一基底111、结构层130而到达易产生光反射的金属构成的触控组件140时,结构层130上的纳米微细结构M可用以对此反射光产生散射效果。换句话说,本实施例的触控组件140设置在结构层130的粗化面130S上,故纳米微细结构M也可用以增加触控组件140中金属表面等离子体的强度,增加光线的吸收因而降低金属表面的反射。因此,本实施例的纳米微细结构M可用以降低触控组件140在第一基底111的第二面IllB上观看时的可识别程度,进而达到改善触控装置101的外观视效的目的。
[0106]如图1与图2所示,结构层130优选可全面覆盖第一基底111,结构层130的厚度优选是介于200纳米到10微米之间,且结构层130的折射率优选是介于1.35到2之间,用以形成所需的光学效果,但并不以此为限。本实施例的装饰层120设置在第一基底111的第一面IllA上,装饰层120可由单层或多层堆栈的装饰材料例如油墨或有色光致抗蚀刻剂等材料所构成,且装饰层120可还包括一遮光层设置在上述的装饰材料上,但并不以此为限。本实施例的结构层130的厚度可以比装饰层120的厚度厚,且结构层130可覆盖装饰层120,也就是说装饰层120可设置在结构层130与第一基底111之间,但并不以此为限。例如,本实用新型的其他实施例中的结构层130的厚度也可以小于装饰层120的厚度,如此,触控组件140可在垂直投影方向Z上与装饰层120部分重叠,而结构层130的设置可用以减缓因为设置装饰层120所形成的高度差异,减少可能因此而发生的产品缺陷。此外,本实施例的触控装置101也可选择性地在装饰层120与第一基底111之间以及在结构层130与第一基底111之间设置一底层(例如氮化硅层,未图示),但并不以此为限。
[0107]如图2所示,本实施例的纳米微细结构M可通过上述的纳米压印的方式形成而呈现规则的形状与排列,且纳米微细结构M可彼此相连设置,但并不以此为限。值得说明的是,结构层130上由纳米微细结构M所构成的粗化面130S的表面粗度(surfaceroughness, Ra)优选是介于90纳米到900纳米之间,可用以增加光线的吸收以及散射,但不局限于此。当表面粗度增加到900纳米到5微米时,光线的散射会增加,某一特定角度的金属表面反射也会明显降低,可用以形成所需的光散射效果,但也不以此为限。明确地说,纳米微细结构M可为一凸起结构或一凹陷结构,两相邻的纳米微细结构M的顶点T之间的距离Dl优选是介于90纳米到900纳米之间,而各纳米微细结构的高度H优选是介于90纳米到900纳米之间,但并不以此为限。进一步说明,两相邻的纳米微细结构M相连的地方可具有一连接点C,两相邻的纳米微细结构M其中的一个的最高点与连接点C之间具有此高度H,且高度H是介于90纳米到900纳米之间。
[0108]此外,如图3所示,本实施例的纳米微细结构M也可通过上述的等离子体表面处理的方式形成而呈现比较不规则的形状与排列,而两相邻的纳米微细结构M的顶点T之间的距离Dl优选是介于90纳米到900纳米之间,且纳米微细结构M的最高点与最低点在垂直投影方向Z上的距离D2优选是介于90纳米到900纳米之间,但并不以此为限,例如,也可以比较两相邻的纳米微细结构M的最高点与最低点在垂直投影方向Z上的距离,此一距离优选也是介于90纳米到900纳米之间。此外,上述的纳米微细结构M的最高点与最低点之间的距离D2的取样方式可在一预定面积范围内进行量测,例如可在一边长为0.1毫米的正方形面积范围下对纳米微细结构M进行量测,但并不以此为限。
[0109]此外,如图4所示,各纳米微细结构M也可分开排列,且当纳米微细结构M为一凹陷结构时,两相邻的纳米微细结构M的底部B之间的距离D3优选是介于90纳米到900纳米之间,而纳米微细结构M的深度D4优选是介于90纳米到900纳米之间,但并不以此为限。换句话说,本实用新型的构成粗化面130S的纳米微细结构M的形状与排列方式并不以上述的图2到图4的状况为限,而可视其他设计需要进行调整用以产生所需的光学效果。
[0110]关于本实施例的触控组件140的进一步说明,请参考图5到图12。图5所示为本实施例的自电容式触控组件的示意图,图6与图7所示为本实施例的触控组件的网格图案的示意图。图8为沿图7中A-A’剖线所绘示的剖视图。图9到图11所示为本实施例的不同型态的互电容式触控组件的示意图。图12为沿图11中B-B’剖线所绘示的剖视图。
[0111]如图5所示,本实施例的触控组件140可包括多个触控电极140S以及多条走线140C。各走线140C与对应的触控电极140S电连接。各触控电极140S彼此互相电绝缘设置,用以进行一自电容式(self-capacitance)触控检测,即计算触碰物体(例如手指或触控笔)与电极140S之间的电容变化来进行触控检测,但并不以此为限。各触控电极140S的形状可为矩形、菱形、三角形或其他适合的几何形状。
[0112]在本实施例中,触控电极140S或/与走线140C可由一金属层或一金属网格所形成。换句话说,触控组件140可包括至少一金属层或至少一金属网格,但并不以此为限。此夕卜,触控电极140S或/与走线140C可包括一网格状图案或一块状图案,也就是说触控电极140S或/与走线140C可由网格状图案或块状图案所构成,但并不以此为限。举例来说,如图6与图7所示,触控组件140可包括一网格图案140M,而网格状图案140M可包括由规则排列的多边形网格单元(如图6所示的六边形网格单元P1、图7所示的四边形网格单元P2)或圆形网格单元、不规则排列的不规则多边形网格单元或圆形网格单元、或其他适合的规则或不规则形状的网格单元所构成。上述的网格图案140M的材料可包括金属材料例如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、钥(Mo)、钕(Nd)的其中至少一种、上述材料的复合层(例如Mo/Al/Mo叠层、Mo/AlNd/Mo叠层)、上述材料的合金(例如AlNd或Mo/AINd/Mo叠层),但并不以此为限。金属网格可具有一线宽介于0.1微米到20微米之间,且优选的线宽可介于I微米到10微米之间,但并不以此为限。因此,本实施例的触控组件140可至少部分由金属层或金属网格所形成用以提高相关的电特性表现,而结构层上的纳米微细结构可用以改善触控组件140中金属材料所形成的光反射现象,故可在提高触控装置效能的同时改善其外观质量。
[0113]另外,如图8所示,触控装置101可还包括一遮光层160至少部分设置在触控组件140与结构层130之间,用以进一步降低触控组件140自第一基底111的第二面IllB上观看时的图案明显度,特别是当触控组件140由金属材料所形成的网格图案140M所构成时。此外,触控装置101可还包括一保护层159设置在触控组件140上,用以对触控组件140形成保护效果,保护层159可包括无机材料例如氮化硅、氧化硅与氮氧化硅、有机材料例如丙烯酸类树脂或其它适合的保护材料。
[0114]如图9所示,触控电极140S可包括至少一触控信号驱动电极140T以及至少一触控信号接收电极140R彼此互相分离设置,用以进行一互电容式(mutual capacitance)触控检测,即计算触控信号驱动电极140T以及触控信号接收电极140R之间的电容变化来进行触控检测,但并不以此为限。
[0115]如图10所示,触控组件140也可包括多条第一轴向电极140X以及多条第二轴向电极140Y。第一轴向电极140X是沿一第一方向X延伸设置,第二轴向电极140Y沿一第二方向Y延伸设置,第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y在垂直投影方向Z上至少部分互相重叠,且第二轴向电极140Y与第一轴向电极140X彼此电绝缘。第一方向X优选是与第二方向Y互相垂直,但并不以此为限。第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y可分别为一触控信号驱动电极或一触控信号接收电极,用以互相搭配进行互电容式触控检测,但并不以此为限。一绝缘构件150可设置在第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y之间,用以电隔离第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y,但本实用新型并不以此为限。绝缘构件150可以是玻璃基底、塑胶基底或绝缘材料(如有机或无机绝缘材料),其中的玻璃基底与塑胶基底可以是一薄基底,其厚度可大体上小于或等于0.25毫米,但并不以此为限。
[0116]如图11所示,第一轴向电极140X也可包括多个第一子电极Xl以及至少一条第一连接线X2设置在两相邻的第一子电极Xl之间,且第一连接线X2电连接两相邻的第一子电极XI。第二轴向电极140Y可包括多个第二子电极Yl以及至少一条第二连接线Y2设置在两相邻的第二子电极Yl之间,且第二连接线Y2电连接两相邻的第二子电极Y1。此外,绝缘构件150可部分设置在第一连接线X2与第二连接线Y2之间,用以电隔离第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y,但并不以此为限。绝缘构件150可包括无机材料例如氮化硅、氧化硅与氮氧化硅、有机材料例如丙烯酸类树脂或其它适合的材料。上述的触控电极140S、走线140C、第一轴向电极140X、第二轴向电极140Y、第一子电极X1、第一连接线X2、第二子电极Yl以及第二连接线Y2可分别由透明导电材料例如氧化铟锡、氧化铟锌与氧化铝锌、金属或其他适合的导电材料所形成。上述的金属材料可例如为金、铝、铜、银、铬、钛、钥、钕的其中至少一种、上述材料的合金、上述材料的复合层或上述材料与上述材料的合金的复合层,但并不以此为限,而可使用其他导电材料。再者,以上所述的复合层可以例如是由钥、铝-钕合金以及钥组成的三层堆栈结构,但也不以此为限,只要能达到导电效果的堆栈结构也在本实用新型的保护范围内。在本实施例中,上述的触控电极140S、走线140C、第一轴向电极140X、第二轴向电极140Y、第一子电极X1、第一连接线X2、第二子电极Yl以及第二连接线Y2可为金属网格,其中金属网格可具有一线宽介于0.1微米到20微米之间,而优选的宽度介于I微米到10微米之间。上述的导电材料可包括导电粒子、碳纳米管或纳米银丝,但并不以此为限,且其型态可以为网格状,例如导电网格。举例来说,本实施例的第一子电极X1、第二子电极Yl以及第二连接线Y2可由氧化铟锡所形成,而第一连接线X2可由金属导电材料所形成,但并不以此为限。
[0117]如图12所示,当第一连接线X2由块状金属或金属网格所构成时,结构层130上的纳米微细结构M可用以降低第一连接线X2所可能形成的光反射现象,使得以金属材料形成的第一连接线X2自第一基底111的第二面IllB上观看时的图案明显度降低,进而达到提高触控装置的外观质量的目的。此外,值得说明的是,本实施例的触控组件140可直接接触纳米微细结构M,而位于触控组件140下方的以金属材料形成的第一连接线X2是直接形成在纳米微细结构M上,故可因此增加第一连接线X2与纳米微细结构M间的接触表面的等离子体强度,使得至少部分的反射光可被局限而不出光,借此达到减少特定角度的反射光的效果。还请注意,本实施例的第一子电极X1、第一连接线X2、第二子电极Yl以及第二连接线Y2也可视需要均由金属网格所构成,但并不以此为限。此外,本实用新型的触控组件140并不以上述图5到图12所示的型态为限,而上述图5到图12所示的各种触控组件140的型态也可视需要应用在后述本实用新型的其他实施例中。
[0118]下文将针对本实用新型的触控装置的不同实施例进行说明,且为简化说明,以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述,而不再对相同的部分作重复赘述。此外,本实用新型的各实施例中相同的组件是以相同的标号进行标示,用以方便在各实施例间互相对照。
[0119]实施例2
[0120]请参考图13,图13所示为本实用新型实施例2的触控装置102的示意图。如图13所示,本实施例的触控装置102与上述实施例1不同的地方在于,触控装置102还包括一遮光层160至少部分设置在触控组件140与结构层130之间,用以进一步降低触控组件140自第一基底111的第二面IllB上观看时的图案明显度。举例来说,当第一连接线X2由金属材料所形成时,遮光层160可设置在第一连接线X2与结构层130之间,但本实用新型并不以此为限。当第一子电极Xl也为金属材料例如金属网格所形成时,遮光层160也可延伸到第一子电极Xl与结构层130之间来形成遮蔽效果。本实施例的遮光层160可包括金属氧化物、黑色树脂、低反射的金属例如铬、低反射的合金例如镍铬(N1-Cr)合金或其他适合的遮光材料。值得说明的是,遮光层160可与第一连接线X2以同一成膜工艺或/与图案化工艺(例如光刻工艺)一起形成,用以确保遮光层160覆盖第一连接线X2的状况,且可同时达到简化制造工艺的目的。举例来说,第一连接线X2如果是用铜作为材料,则可以在同一成膜工艺或是采分开的成膜工艺形成氧化铜或是铜合金氧化物作为遮光层160 ;或是可以采分开的成膜工艺如氧化铬堆栈在第一连接线X2之前或之后作为遮光层160,此外也可以有其他的实施方式,并不以此为限。
[0121]实施例3
[0122]请参考图14,图14所示为本实用新型实施例3的触控装置103的示意图。如图14所示,本实施例的触控装置103与上述实施例2不同的地方在于,本实施例的遮光层160可包括一第一遮光层161与一第二遮光层162。第一遮光层161设置在第一连接线X2与结构层130之间,且第一遮光层161的图形与第一连接线X2相似。第二遮光层162至少部分设置在第一子电极Xl与结构层130之间以及至少部分设置在第二轴向电极140Y与结构层130之间,用以对第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y产生遮蔽效果。第二遮光层161也可视需要与第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y以同一成膜工艺或/与图案化工艺一起形成,用以确保第二遮光层161覆盖第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y的状况,且可同时达到简化制造工艺的目的。
[0123]实施例4
[0124]请参考图15,图15所示为本实用新型实施例4的触控装置104的示意图。如图15所示,本实施例的触控装置104与上述实施例1不同的地方在于,本实施例的第一连接线X2也可视需要设置在绝缘构件150上,且第一连接线X2可跨过绝缘构件140用以电连接两相邻的第一子电极XI。在本实施例中,由于第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y是直接形成在纳米微细结构M上,故当第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y以金属网格构成时,可通过纳米微细结构M来达到降低图案明显度的效果。此外,触控装置104也可还包括一遮光层160设置在第一连接线X2与绝缘构件150之间,用以加强遮蔽第一连接线X2的效果。此外,当第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y也是以金属材料构成时,也可选择性地在第一子电极Xl以及第二轴向电极140Y与结构层130之间设置遮光层(未图示),用以加强遮蔽效果。
[0125]实施例5
[0126]请参考图16,图16所示为本实用新型实施例5的触控装置105的示意图。如图16所示,本实施例的触控装置105与上述实施例1不同的地方在于,本实施例的绝缘构件150为一整面绝缘膜层设置在第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y之间,用以电隔离第一轴向电极140X与第二轴向电极140Y。此外,触控装置105可还包括一遮光层160以及一保护层159。遮光层160设置在第一轴向电极140X与结构层130之间,而保护层159设置在第二轴向电极140Y之上。
[0127]实施例6[0128]请参考图17,图17所示为本实用新型实施例6的触控装置200的示意图。如图17所示,本实施例的触控装置200与上述实施例1不同的地方在于,本实施例的结构层130可在垂直投影方向Z上未覆盖装饰层120,借此减少结构层130的厚度以及触控装置200的整体厚度,但触控组件140仍可通过与纳米微细结构M重叠而获得降低图案明显度的效果。
[0129]实施例7
[0130]请参考图18,图18所示为本实用新型实施例7的触控装置201的示意图。如图18所示,本实施例的触控装置201与上述实施例6不同的地方在于,本实施例的装饰层120的厚度优选是大于结构层130的厚度。也就是说,本实施例的结构层130的厚度可相对比较薄,借此达到减少触控装置201整体厚度的效果。此外,本实施例的结构层130的设置也可用以减缓因为设置装饰层120所形成的地形高度差异,减少可能因此而发生的产品缺陷。
[0131]实施例8
[0132]请参考图19,图19所示为本实用新型实施例8的触控装置300的示意图。如图19所示,本实施例的触控装置300与上述实施例1不同的地方在于,触控装置300还包括一第二基底112以及一粘合层170。第二基底112与第一基底111相对设置。第二基底112具有一第三面112A以及一第四面112B,第三面112A与第四面112B相对,第三面112A面对第一基底111的第一面111A,且触控组件140至少部分设置在第二基底112的第三面112A上。粘合层170设置在第一基底111与第二基底112之间,用以粘合设置有结构层130的第一基底111以及设置有触控组件140的第二基底112。粘合层170可包括固态光学胶(optical clear adhesive, OCA)、压敏胶(pressure sensitive adhesive, PSA)、液态光学胶(liquid optical clear adhesive, LOCA)或其他适合的黏合材料。本实施例的第一基底111与前述实施例相同优选为一透光覆盖板,而第二基底112可包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一显不器的基底或其他适合的基底,例如,也可以是一薄基底(GFG)且具有厚度小于或等于0.25毫米。值得说明的是,在本实用新型的其他实施例中,触控组件140也可选择性地设置在第二基底112的第四面112B上,或是将触控组件140部分设置在第二基底112的第三面112A上而部分设置在第二基底112的第四面112B上,或者触控组件140也可部分设置在第一基底111上且部分设置在第二基底112上。
[0133]实施例9
[0134]请参考图20,图20所示为本实用新型实施例9的触控装置400的示意图。如图20所示,本实施例的触控装置400与上述实施例1不同的地方在于,本实施例的触控组件140设置在第一基底111的第一面IllA上,且触控组件140设置在结构层130与第一基底111之间。此外,触控装置400可还包括一透光覆盖板113以及一粘合层170。透光覆盖板113与第一基底111相对设置。透光覆盖板113具有一第五面113A以及一第六面113B,第五面113A与第六面113B相对,第五面113A面对第一基底111的第一面111A。此外,本实施例的装饰层120可设置在透光覆盖板113上,粘合层170设置在第一基底111与透光覆盖板113之间,用以粘合设置有触控组件140与结构层130的第一基底111以及设置有装饰层120的透光覆盖板113。本实施例的结构层130设置在第一基底111与透光覆盖板113之间,且具有纳米微细结构M的结构层130在垂直投影方向Z上位于触控组件140与透光覆盖板113之间。因此,当光线穿过透光覆盖板113与结构层130而射入触控组件140时,若触控组件140中有包括易产生光反射的金属材料,则结构层130上的纳米微细结构M可用以对此反射光产生散射效果,降低触控组件140在透光覆盖板113的第六面113B上观看的图案明显度,进而达到改善触控装置400的外观视效的目的。
[0135]实施例10
[0136]请参考图21,图21所示为本实用新型实施例10的触控装置401的示意图。如图21所示,本实施例的触控装置401与上述实施例4不同的地方在于,本实施例的触控组件140设置在第一基底111的第一面IllA上,且触控组件140设置在结构层130与第一基底111之间。此外,触控装置401可还包括一透光覆盖板113以及一粘合层170。透光覆盖板113与第一基底111相对设置。粘合层170设置在第一基底111与透光覆盖板113之间,用以粘合设置有触控组件140与底层结构层130的第一基底111以及透光覆盖板113。当本实施例的第一连接线X2为金属材料所构成时,由于纳米微细结构M与第一连接线X2重叠,故可用以降低第一连接线X2在透光覆盖板113的第六面113B上观看的图案明显度。此外,值得说明的是,本实施例的结构层130也可利用一般设置在触控组件140上的保护层来形成,借此达到简化结构与制造工艺的效果。
[0137]实施例11
[0138]请参考图22,图22所示为本实用新型实施例11的触控装置402的示意图。如图22所示,本实施例的触控装置402与上述实施例9不同的地方在于,本实施例的第一基底111可为一显不器490的基底。显不器490可包括液晶显不器、有机发光二极管(OLED)显示器、电湿润(electro-wetting)显示器、电子墨水(e_ink)显示器、等离子体(plasma)显不器、场发射(FED)显不器或其他适合的显不器。第一基底111可包括一彩色滤光基底、一有源阵列基底、一封装盖板或其他显示器中适合的基底。因此,本实施例的触控装置402可被视为一 on-cell触控显示装置,但并不以此为限。
[0139]实施例12
[0140]请参考图23,图23所示为本实用新型实施例12的触控装置403的示意图。如图23所示,本实施例的触控装置403与上述实施例11不同的地方在于,触控装置403还包括一显示下基底491以及一显示介质492。显示下机板491与第一基底111相对设置,而显示介质492设置在显示下基底491与第一基底111之间。本实施例的触控装置403可被视为一内嵌式(in-cell)触控显示装置,而第一基底111可为显示器的基底例如彩色滤光基底、有源阵列基底或封装盖板,但并不以此为限。
[0141]实施例13
[0142]请参考图24,图24所示为本实用新型实施例13的触控装置404的示意图。如图24所示,本实施例的触控装置404与上述实施例1不同的地方在于,本实施例的纳米微细结构M可仅对应触控组件140中的部分组件设置。举例来说,当第一连接线X2以金属材料所形成而第一子电极Xl与第二轴向电极140Y以透明导电材料所形成时,纳米微细结构M可仅对应第一连接线X2。也就是说,纳米微细结构M可仅在结构层130的部分表面上形成,而部分的触控组件140可未与纳米微细结构M在垂直投影方向Z上重叠。通过本实施例的设计可仅在需要的区域形成纳米微细结构M,降低纳米微细结构M在其他透光区域所造成的影响。换句话说,至少部分的触控组件140也可视需要未与纳米微细结构M在垂直投影方向Z上重叠,而上述的未与纳米微细结构M重叠的触控组件140的部分优选是并非以金属等反光性高的材料所形成的部分,但并不以此为限。因此,本实用新型的纳米微细结构M可仅在结构层130的部分表面上形成,且各形成有纳米微细结构M的区域彼此互相分离。
[0143]综上所述,本实用新型的触控装置是利用在与触控组件重叠的结构层上形成纳米微细结构,通过纳米微细结构对触控组件可能产生的反射光形成散射或形成抑制出光的效果,进而达到改善触控装置的外观质量的目的。此外,本实用新型还利用遮光层与纳米微细结构搭配,达到进一步降低触控组件的图案明显度的效果。
[0144]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种触控装置,其特征在于,包括: 一第一基底,具有一第一面以及一第二面,其中所述第一面与所述第二面相对; 一结构层,设置在所述第一基底的所述第一面上,其中所述结构层具有一粗化面,所述粗化面背对所述第一基底,且所述粗化面包括多个纳米微细结构;以及 一触控组件,其中所述触控组件与所述纳米微细结构在一垂直所述第一基底的垂直投影方向上至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,两相邻的所述纳米微细结构的顶点间的距离是介于90纳米到900纳米之间。
3.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,两相邻的所述纳米微细结构相连的地方具有一连接点,两相邻的所述纳米微细结构其中的一个的最高点与所述连接点之间具有一高度,且所述高度是介于90纳米到900纳米之间。
4.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述纳米微细结构的最高点与最低点在所述垂直投影方向上的距离介于90纳米到900纳米之间。
5.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述纳米微细结构彼此相连设置。
6.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述结构层包括有机材料、无机材料或有机-无机复合材料。
7.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述结构层的折射率介于1.35到2之间。
8.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述触控组件设置在所述结构层的所述粗化面上。
9.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,还包括一装饰层,设置在所述第一基底上,所述第一基底为一透光覆盖板。
10.根据权利要求9所述的触控装置,其特征在于,所述装饰层的厚度小于所述结构层的厚度。
11.根据权利要求9所述的触控装置,其特征在于,所述装饰层的厚度是大于所述结构层的厚度。
12.根据权利要求9所述的触控装置,其特征在于,所述装饰层设置在所述第一基底的所述第一面上。
13.根据权利要求12所述的触控装置,其特征在于,所述装饰层至少部分设置在所述结构层与所述第一基底之间。
14.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,还包括一第二基底,与所述第一基底相对设置,其中所述第二基底具有一第三面以及一第四面,所述第三面与所述第四面相对,所述第三面面对所述第一基底的所述第一面,且所述触控组件至少部分设置在所述第二基底的所述第三面上。
15.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述触控组件设置在所述第一基底的所述第一面上,且所述触控组件设置在所述结构层与所述第一基底之间。
16.根据权利要求15所述的触控装置,其特征在于,还包括一透光覆盖板,与所述第一基底相对设置,其中所述结构层设置在所述第一基底与所述透光覆盖板之间。
17.根据权利要求16所述的触控装置,其特征在于,还包括一装饰层,设置在所述透光覆盖板上。
18.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,还包括一遮光层,至少部分设置在所述触控组件与所述结构层之间。
19.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述触控组件包括至少一金属层或至少一金属网格,其中所述金属网格具有一线宽,且所述线宽介于0.1微米到10微米之间。
20.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述触控组件包括多个触控电极彼此互相电绝缘设置。
21.根据权利要求20所述的触控装置,其特征在于,所述触控电极包括至少一触控信号驱动电极以及至少一触控信号接收电极。
22.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述触控组件包括:至少一条第一轴向电极,沿一第一方向延伸设置;以及 至少一条第二轴向电极,沿一第二方向延伸设置,其中所述第二轴向电极与所述第一轴向电极电绝缘。
23.根据权利要求22所述的触控装置,其特征在于,所述第一轴向电极包括多个第一子电极以及至少一条第一连接线设置在两相邻的所述第一子电极之间,所述第一连接线电连接两相邻的所述第一子电极,所述第二轴向电极包括多个第二子电极以及至少一条第二连接线设置在两相邻的所述第二子电极之间,所述第二连接线电连接两相邻的所述第二子电极。
24.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述第一基底包括一玻璃基底、一塑胶基底、一玻璃膜片、一塑胶膜片、一透光覆盖板或一显不器的基底。
25.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,所述结构层的厚度介于200纳米到10微米之间。
26.根据权利要求1所述的触控装置,其特征在于,部分的所述触控组件未与所述纳米微细结构在所述垂直投影方向上重叠。
【文档编号】G06F3/041GK203759668SQ201420108258
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年3月11日 优先权日:2014年1月21日
【发明者】陈健忠, 康恒达, 王文俊 申请人:胜华科技股份有限公司
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