窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构。一第一及一第二基板以平行成对的配置将一有机发光二极管层夹置其间。一第一感应电极层具有位于一第一方向设置的M条第一导体块及N条连接线，一第二感应电极层具有位于一第二方向设置的N条第二导体块，以用于感应触控，每一第二导体块以一对应的连接线延伸至该触控结构的一侧边。一薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，M条第一导体块、N条连接线及N条第二导体块的位置是依据与该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置相对应而设置。
【专利说明】窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构
【技术领域】
[0001]本实用新型是关于一种具有触摸板的结构，尤指一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构。
【背景技术】
[0002]现代消费性电子装置多配备触摸板做为其输入设备之一。触摸板根据感测原理的不同可分为电阻式、电容式、音波式及光学式等多种形式。
[0003]触控面板的技术原理是当手指或其他介质接触到屏幕时，依据不同感应方式，侦测电压、电流、声波或红外线等，以此测出触摸点的坐标位置。例如电阻式即为利用上、下电极之间的电位差，计算施压点位置，以检测出触摸点所在。电容式触控面板是利用排列的透明电极与人体之间的静电结合所产生的电容变化，从所产生的电流或电压来检测其坐标。
[0004]随着智能型手机的普及化，多点触控的技术需求与日俱增。目前，多点触控主要是通过投射电容式(Projected Capacitive)触控技术来实现。
[0005]投射电容式技术主要是通过双层氧化铟锡材质(Indium Tin Oxide, ITO)形成行列交错感测单元矩阵，以侦测得到精确的触控位置。投射电容式触控技术的基本原理是以电容感应为主，利用设计多个蚀刻后的氧化铟锡材质电极，增加数组存在不同平面、同时又相互垂直的透明导线，形成类似Χ、Υ轴驱动线。这些导线皆由控制器所控制，其是依序扫瞄侦测电容值变化馈送至控制器。
[0006]图1是已知的有机发光二极管显示触控面板结构100的示意图。已知的有机发光二极管显示触控面板结构100上的感应导体线110，120是依第一方向(Y)及第二方向(X)设置。当感应导体线120执行触控感应时要将感测到的信号传输至一软性电路板130上的控制电路131时，需经由面板140的侧边走线150方能连接至该软性电路板130。此种设计将增加触控面板边框的宽度，并不适合窄边框设计的趋势。因此，已知的有机发光二极管显示触控结构仍有改善的空间。
实用新型内容
[0007]本实用新型的主要目的是在提供一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，仅需于单边设置连接线路，另外三边不需配置。由此，另外三边可采无框设计，以简化触控面板的配置，同时可提升接触点侦测的准确度。
[0008]本实用新型提出一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，包括:
[0009]一第一基板；
[0010]一第二基板，该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一有机发光二极管层夹置于二基板之间；
[0011]一第一感应电极层，位于该第二基板的面对该有机发光二极管层的一侧，并具有位于一第一方向设置的M条第一导体块及N条连接线，以用于感应触控，其中，Μ、N为正整数；
[0012]一第二感应电极层，位于该第一感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面上，并具有位于一第二方向设置的N条第二导体块，以用于感应触控，每一第二导体块以一对应的第i条连接线延伸至该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的一侧边，i为正整数且I彡i彡N ;以及
[0013]—薄膜晶体管层，位于该第二感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，依据一显示驱动信号及一显示像素信号，以驱动对应的像素驱动电路的像素驱动晶体管及像素电容，进而执行显示操作，当中，K、L为正整数；
[0014]其中，该M条第一导体块、该N条连接线、及该N条第二导体块的位置是依据与该薄膜晶体管层的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置相对应而设置。
[0015]其中，每一第一导体块是分别以对应的金属走线延伸至该第二基板的同一侧边，以进一步连接至一软性电路板。
[0016]其中，该N条连接线由金属导电材料所制成。
[0017]其中，该M条第一导体块及该N条第二导体块的每一导体块由多条金属感应线所构成。
[0018]其中，该M条第一导体块及该N条第二导体块的每一导体块的该多条金属感应线形成一个四边型区域，在每一个四边型区域中的金属感应线电气连接在一起，而任两个四边型区域之间并未连接。
[0019]其中，该第一方向是垂直第二方向。
[0020]其中，该N条连接线的每一条连接线设置于两条第一导体块之间。
[0021]其中，该四边型区域为下列形状其中之一:矩形、正方形。
[0022]其中，该M条第一导体块及该N条第二导体块的每一导体块由多条金属感应线所形成，且该多条金属感应线由导电的金属材料或合金材料所制成。
[0023]本实用新型还提出一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，包括:
[0024]一第一基板；
[0025]一第二基板，该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一有机发光二极管层夹置于二基板之间；
[0026]—第二感应电极层，位于该第二基板的面对该有机发光二极管层的一侧，并具有位于一第二方向设置的N条第二导体块，以用于感应触控，每一第二导体块以一对应的一第i条连接线延伸至该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的一侧边，i为正整数且KiSN;
[0027]—第一感应电极层,位于该第二感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面上，并具有位于一第一方向设置的M条第一导体块及N条连接线，以用于感应触控，其中，M、N为正整数；以及
[0028]一薄膜晶体管层，位于该第一感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，依据一显示驱动信号及一显示像素信号，以驱动对应的像素驱动电路的像素驱动晶体管及像素电容，进而执行显示操作，当中，K、L为正整数；
[0029]其中，该M条第一导体块、该N条连接线、及该N条第二导体块的位置是依据与该薄膜晶体管层的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置相对应而设置。
[0030]本实用新型的有益效果是，仅需于单边设置连接线路，另外三边不需配置。由此，另外三边可采无框设计，以简化触控面板的配置，同时可提升接触点侦测的准确度，可使有机发光二极管显示面板的亮度较已知技术更亮。
【专利附图】
【附图说明】
[0031]为进一步说明本实用新型的技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中:
[0032]图1是一已知有机发光二极管显示触控面板结构的示意图。
[0033]图2是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的叠层示意图。
[0034]图3是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的导体块及联机的一示意图。
[0035]图4是是本实用新型图3中A-A’处的剖面图。
[0036]图5是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的导体块的另一示意图。
[0037]图6是本实用新型第一导体块的示意图。
[0038]图7是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的另一叠层示意图。
[0039]图8是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的又一叠层示意图。
【具体实施方式】
[0040]本实用新型是关于一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构。图2是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构200的叠层示意图，如图所示，该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构200包括有一第一基板210、一第二基板220、一有机发光二极管层230 —第一感应电极层240、一第二感应电极层250、一第一绝缘层260、一第二绝缘层270、一阴极层280、一阳极层290、及一薄膜晶体管层300。
[0041]该第一基板210及该第二基板220较佳为玻璃基板，该第一基板210及该第二基板220以平行成对的配置将该有机发光二极管层230夹置于二基板210，220之间。该第二基板 220 —般称为薄膜晶体管基板(thin film transistor substrate, TFT substrate),当开关用的薄膜晶体管一般设置于薄膜晶体管基板上。本实用新型是下部发光型，因此一使用者手指是触碰于该第二基板220，而非已知的该第一基板210。
[0042]由于使用者手指是触碰于该第二基板220，因此感应电极层是靠近该第二基板220，以获得较强的触碰感应信号。
[0043]该第一感应电极层240位于该第二基板220的面对该有机发光二极管层230的一侦牝并具有位于一第一方向(Y)设置的M条第一导体块40-1，40-2，…，40-M及N条连接线40-1,40-2,…，40-N，以用于感应触控，其中，M、N为正整数。于本实施例，该M条第一导体块40-1，40-2，...，40-M及该N条连接线40-1，40-2，…，40-N是由金属导电材料所制成。
[0044]该第二感应电极层250位于该第一感应电极层240的面对该有机发光二极管层230的一侧的表面上，并具有位于一第二方向(X)设置的N条第二导体块50-1，50-2，…，50-N,以用于感应触控，每一第二导体块50-1，50-2，…，50-N以一对应的第i条连接线40-1,40-2,…，40-N延伸至该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构200的一侧边201，i为正整数且I < i < N。其中，该第一方向是垂直第二方向。
[0045]该薄膜晶体管层300位于该第二感应电极层250的面对该有机发光二极管层230的一侧的表面，该薄膜晶体管层300具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，依据一显示驱动信号及一显示像素信号，以驱动对应的像素驱动电路的像素驱动晶体管及像素电容，进而执行显示操作，当中，K、L为正整数其中，该M条第一导体块40-1，40-2，…，40-M、该N条连接线40-1，40-2，...，40-N、及该N条第二导体块50-1，50-2，…，50-N的位置是依据与该薄膜晶体管层300的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置相对应而设置。
[0046]可设置一第二绝缘层270于该薄膜晶体管层300与该第二感应电极层250之间。
[0047]图3是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的导体块及联机的一不意图。如图3所不,该M条第一导体块40-1,40-2,…,仙-]^及该N条第二导体块50-1，50-2，…，50-N的每一导体线是由多条金属感应线所构成。该M条第一导体块40-1，40-2，...，40-M及该N条第二导体块50-1，50-2，…，50-N之间并未电气连接。其可在该第一感应电极层240及该第二感应电极层250之间设置一第一绝缘层260。亦可仅在该M条第一导体块40-1，40-2，...，40-M及该N条第二导体块50-1,50-2,…，50-N交叉处设置绝缘垫。
[0048]该M条第一导体块40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体块50-1，50-2，...，50-N的每一导体块的该多条金属感应线形成一个四边型区域，在每一个四边型区域中的金属感应线是电气连接在一起，而任两个四边型区域之间并未连接。其中，该四边型区域是为下列形状其中之一:矩形、正方形。
[0049]该N条连接线40-1，40-2，…，40_N的每一条连接线是设置于两条第一导体块40-1，40-2，…，40-M 之间。
[0050]该M 条第一导体块 40-1，40-2，...，40_M 及该 N 条第二导体块 50-1，50-2，…，50-N的每一导体块的该多条金属感应线所形成的每一个四边型区域中的金属感应线是由导电的金属材料或合金材料所制成。其中，该导电的金属材料或合金材料是为下列其中之一:钥、钡、招、银、铜、钛、镍、钽、钴、鹤、续(Mg)、.丐(Ca)、钾(K)、锂(Li)、铟(In)、及其合金。
[0051]图3是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的导体块的一不意图。如图3所不,该每一第二导体块50-1, 50-2,在虚线椭圆处与对应的连接线40-1，40-2，".，40-N电气连接，而该N条连接线40-1，40-2，".，40-Ν的每一条连接线亦分别以对应的金属走线延伸至该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构200的同一侧边201，以进一步连接至一软性电路板600。每一第一导体块40-1，40-2，…，40-Μ是分别以对应的金属走线延伸至该面板的同一侧边201，以进一步连接至一软性电路板600。
[0052]该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构200的表面是用以接收至少一个触控点。其更包含有一控制电路610，其是经由该软性电路板600电性连接至该M 条第一导体块 40-1，40-2，...，40-M 及该 N 条第二导体块 50-1，50-2，...，50_N。
[0053]该M 条第一导体块 40-1，40-2，...，40_M 及该 N 条第二导体块 50-1，50-2，...，50_N是根据一手指或一外部对象触碰该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构200的至少一触控点的位置而对应地产生一感应信号。一控制电路610是经由该软性电路板600电性连接至该M条第一导体块40-1，40-2，…，40-M及该N条第二导体块50_1，50-2，…，50-N，并依据感应信号计算该至少一个触控点的坐标。
[0054]图4是本实用新型图3中A-A’处的剖面图。如图4所示，该第二导体块50_N与该连接线41-1在图3中的B椭圆处电气连接。如图2及图4所示，在该第一感应电极层240及该第二感应电极层250之间设有该第一绝缘层260，该第二导体块50-N经由贯孔(via) 52穿过该第一绝缘层260而与该连接线41-1电气连接，亦即，经由该连接线41-1，该第二导体块50-N可将其感测到的信号传输至该控制电路610。
[0055]图5是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的导体块的另一示意图。其与图3主要差别在于该N条连接线40-1，40-2，…，40-N的长度并非一致，而是逐渐减小。
[0056]图6是本实用新型任一第一导体块40-1，40-2，…，40-M的示意图，如图6所示，该四边型区域是由在第一方向上(Y)的3条金属感应线L2及在第二方向上(X)的2条金属感应线LI所构成的长方形。于其他实施例，该金属感应线的数目可依需要而改变。
[0057]线段LI及线段L2的宽度较佳与该薄膜晶体管层300的栅极驱动线或源极驱动线的宽度相同或稍小于栅极驱动线或源极驱动线的宽度。该M条第一导体块40-1，40-2，…，40-M、该N条连接线40-1，40-2，…，40-N、及该N条第二导体块50-1,50-2,...，50_N的位置是相对应于该薄膜晶体管层300的栅极驱动线或源极驱动线的位置而设置。亦即，由该第二基板220往该第一基板210方向看过去，该M条第一导体块40-1，40-2，...，40_M、该N条连接线40-1，40-2，...，40-N、及该N条第二导体块50-1，50-2，…，50-N是设置在该薄膜晶体管层300的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置正上方，因此不会遮到发光区域而降低开口率。
[0058]该第一绝缘层260位于该第一感应电极层240与该第二感应电极层250之间。
[0059]薄膜晶体管层(TFT) 300位于该第二感应电极层250的面对有机发光二极管层230的一侧的表面。该薄膜晶体管层300具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，依据一显示驱动信号及一显示像素信号，以驱动对应的像素晶体管及像素电容，进而执行显示操作，其中，K、L为正整数。
[0060]该薄膜晶体管层300除具有多条栅极驱动线及多条源极驱动线外，更包含多数个像素驱动电路301。该薄膜晶体管层300依据一显示像素信号及一显示驱动信号，用以驱动对应的像素驱动电路301，进而执行显示操作。
[0061]依像素驱动电路301设计的不同，例如2T1C是由2薄膜晶体管与I储存电容设计而成像素驱动电路301，6T2C是由6薄膜晶体管与2储存电容设计而成像素驱动电路301。像素驱动电路301中最少有一薄膜晶体管的栅极3011连接至一条栅极驱动线(图未示)，依驱动电路设计的不同，控制电路中最少有一薄膜晶体管的源/漏极3013连接至一条源极驱动线(图未示)，像素驱动电路301中最少有一薄膜晶体管的源/漏极3015连接至该阳极层290中的一个对应的阳极像素电极291。
[0062]该阴极层280位于该第一基板210的面向该有机发光二极管层230的一侧。同时，该阴极层280位于该第一基板210与该有机发光二极管层230之间。该阴极层280是由金属导电材料所形成。较佳地，该阴极层280是由金属材料所形成，该金属材料是选自下列群组其中之一:招(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钙(Ca)、钾(K)、锂(Li)、铟(In)，及其合金或使用氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氧化锂(L1)与Al组合而成。由于该阴极层280由于为金属材料，因此会将光线反射，因此大部分光源均朝向该第二基板220，而形成下部发光的显示器型式。
[0063]该有机发光二极管层230所产生的光经反射，而可于该第二基板220上显示影像。该阴极层280是整片电气连接着，因此可作为屏蔽(shielding)的用。同时，该阴极层280亦接收由阳极像素电极291来的电流。
[0064]该阳极层290位于该薄膜晶体管层300的面对该有机发光二极管层230的一侧。该阳极层290具有多个阳极像素电极291。每一个阳极像素电极291是与该薄膜晶体管层300的该像素驱动电路301的一个像素晶体管对应，亦即该多个阳极像素电极的每一个阳极像素电极是与对应的该像素驱动电路301的该像素晶体管的源/漏极3015连接，以形成一特定颜色的像素电极，例如红色像素电极、绿色像素电极、或蓝色像素电极。
[0065]该有机发光二极管层230包含一电洞传输子层(hole transporting layer,HTL) 231> 一发光层(emitting layer) 233、及一电子传输子层(electron transportinglayer，HTL) 235。该有机发光二极管层230较佳产生红、蓝、绿三原色光，因此无需使用已知的彩色滤光层(color filter)过滤，即可产生红、蓝、绿三原色。
[0066]图7是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构700的另一叠层示意图。其与图2的主要区别在于该阴极层710与该阳极层720的位置对调。该阴极层710具有多个阴极像素电极711。每一个阴极像素电极711是与该薄膜晶体管层300的该像素驱动电路301的一个像素驱动晶体管对应，亦即该多个阴极像素电极的每一个阴极像素电极是与对应的该像素驱动电路301的该像素驱动晶体管的源/漏极3015连接，以形成一特定颜色的像素电极,例如红色像素电极、绿色像素电极、或蓝色像素电极。
[0067]图7的该阴极层710与该阳极层720的位置对调，同时为了配合该阴极层710与该阳极层720,该有机发光二极管层730的电洞传输子层(hole transporting layer,HTL) 731与电子传输子层(electron transporting layer, HTL) 735的位置亦对调。该阴极层710具有多个阴极像素电极711，该多个阴极像素电极711的每一个阴极像素电极是与对应的该像素驱动电路的像素驱动晶体管的源极或漏极连接。
[0068]图8是本实用新型的一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构800的另一叠层示意图。其与图2的主要区别在于该第一感应电极层240与该第二感应电极层250的位置对调。亦即，该第二感应电极层250是位于该第二基板220的面对该有机发光二极管层230的一侧。较佳地,该第二感应电极层250是设置于该第二基板220的面对该有机发光二极管层230的表面。该第一感应电极层240位于该第二感应电极层250的面对该有机发光二极管层230的一侧的表面上。
[0069]已知氧化铟锡材质(ITO)所做的电极点其平均透光率仅约为90%，而本实用新型的该M条第一导体块40-1，40-2，...，40-M、该N条连接线40-1,40-2,...，40_N、及该N条第二导体块50-1，50-2，…，50-N是设置在该薄膜晶体管层300的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置的上方，因此并不影响透光率，故本实用新型的平均透光率远较已知技术为佳。当本实用新型的技术与有机发光二极管显示面板结合时，可使有机发光二极管显示面板的亮度较已知技术更亮。
[0070]由前述说明可知，图1已知技术的设计将增加触控面板边框的宽度，并不适合窄边框设计的趋势。当本实用新型的窄边框的触控面板结构与有机发光二极管显示面板结合时，可使有机发光二极管显示面板的亮度较已知技术更亮。
[0071]而本实用新型不论是M条第一导体块40-1，40-2，...，40_Μ、Ν条第二导体块50_1，50-2，…，50-Ν、或是走线均为金属材质，较已知技术的透明导电材料有较佳的较高的传导性，容易将导体线的感应信号传输至该控制电路，使该控制电路计算出的坐标更准确。本实用新型不但较已知技术有较佳的透光率，又可避免使用昂贵的氧化铟锡材质，据此降低成本，且较已知技术更适合设计在窄边框的触控面板。
[0072]上述实施例仅是为了方便说明而举例而已，本实用新型所主张的权利范围自应以权利要求范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
【权利要求】
1.一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，包括: 一第一基板; 一第二基板，该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一有机发光二极管层夹置于二基板之间；一第一感应电极层，位于该第二基板的面对该有机发光二极管层的一侧，并具有位于一第一方向设置的M条第一导体块及N条连接线，以用于感应触控，其中，M、N为正整数； 一第二感应电极层，位于该第一感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面上，并具有位于一第二方向设置的N条第二导体块，以用于感应触控，每一第二导体块以一对应的第i条连接线延伸至该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的一侧边，i为正整数且I彡i彡N ;以及 一薄膜晶体管层，位于该第二感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，依据一显示驱动信号及一显示像素信号，以驱动对应的像素驱动电路的像素驱动晶体管及像素电容，进而执行显示操作，当中，K、L为正整数； 其中，该M条第一导体块、该N条连接线、及该N条第二导体块的位置是依据与该薄膜晶体管层的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置相对应而设置。
2.如权利要求1所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，每一第一导体块是分别以对应的金属走线延伸至该第二基板的同一侧边，以进一步连接至一软性电路板。
3.如权利要求2所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该N条连接线由金属导电材料所制成。
4.如权利要求3所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该M条第一导体块及该N条第二导体块的每一导体块由多条金属感应线所构成。
5.如权利要求4所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该M条第一导体块及该N条第二导体块的每一导体块的该多条金属感应线形成一个四边型区域，在每一个四边型区域中的金属感应线电气连接在一起，而任两个四边型区域之间并未连接。
6.如权利要求5所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该第一方向是垂直第二方向。
7.如权利要求6所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该N条连接线的每一条连接线设置于两条第一导体块之间。
8.如权利要求7所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该四边型区域为下列形状其中之一:矩形、正方形。
9.如权利要求8所述的窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，其中，该M条第一导体块及该N条第二导体块的每一导体块由多条金属感应线所形成，且该多条金属感应线由导电的金属材料或合金材料所制成。
10.一种窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构，其特征在于，包括: 一第一基板； 一第二基板，该第一基板及该第二基板以平行成对的配置将一有机发光二极管层夹置于二基板之间； 一第二感应电极层，位于该第二基板的面对该有机发光二极管层的一侧，并具有位于一第二方向设置的N条第二导体块，以用于感应触控，每一第二导体块以一对应的一第i条连接线延伸至该窄边框的内嵌式主动矩阵有机发光二极管显示触控结构的一侧边，i为正整数且KiSN; 一第一感应电极层，位于该第二感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面上，并具有位于一第一方向设置的M条第一导体块及N条连接线，以用于感应触控，其中，M、N为正整数；以及 一薄膜晶体管层，位于该第一感应电极层的面对该有机发光二极管层的一侧的表面，该薄膜晶体管层具有K条栅极驱动线及L条源极驱动线，依据一显示驱动信号及一显示像素信号，以驱动对应的像素驱动电路的像素驱动晶体管及像素电容，进而执行显示操作，当中，K、L为正整数； 其中，该M条第一导体块、该N条连接线、及该N条第二导体块的位置是依据与该薄膜晶体管层的该K条栅极驱动线及L条源极驱动线的位置相对应而设置。
【文档编号】G06F3/044GK204129712SQ201420477625
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年8月22日 优先权日:2013年12月18日
【发明者】李祥宇 申请人:速博思股份有限公司