一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法与流程

文档序号:11830643阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:包括:

建立静态模型;

建立动态模型;

建立热模型;

通过所述模型搭建可实时化的IGBT仿真模型。

2.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述静态模型的建立过程包括:

采用分段函数模拟MOSFET沟道电流;

修正所述MOSFET沟道电流;

模拟不同工作条件下IGBT的集电极电流。

3.如权利要求2所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述分段函数如下式:

<mrow> <msub> <mi>I</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfenced open='{' close=''> <mtable> <mtr> <mtd> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>ce</mi> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mi>ce</mi> </msub> </mfrac> </mtd> <mtd> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ge</mi> </msub> <mo>&lt;</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>,</mo> <mfrac> <msub> <mi>dI</mi> <mi>C</mi> </msub> <mi>dt</mi> </mfrac> <mo>=</mo> <mn>0</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>kf</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>[</mo> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>GE</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>f</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>V</mi> <mi>CE</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>D</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <mfrac> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>f</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>V</mi> <mi>CE</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>D</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mn>2</mn> </mfrac> <mo>]</mo> </mtd> <mtd> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ce</mi> </msub> <mo>&lt;</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ge</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>D</mi> </msub> <mo>,</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ge</mi> </msub> <mo>&GreaterEqual;</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>I</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>=</mo> <msub> <mi>kf</mi> <mn>2</mn> </msub> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>GE</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mn>2</mn> </msup> <mo>,</mo> </mtd> <mtd> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ce</mi> </msub> <mo>&GreaterEqual;</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ge</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>D</mi> </msub> <mo>,</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ge</mi> </msub> <mo>&GreaterEqual;</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>I</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>=</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>tail</mi> </msub> <msup> <mi>e</mi> <mrow> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>t</mi> <mo>-</mo> <msub> <mi>t</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>/</mo> <mi>&tau;</mi> </mrow> </msup> <mo>,</mo> </mtd> <mtd> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>ge</mi> </msub> <mo>&lt;</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>th</mi> </msub> <mo>,</mo> <mfrac> <msub> <mi>dI</mi> <mi>C</mi> </msub> <mi>dt</mi> </mfrac> <mo>&lt;</mo> <mn>0</mn> <mo>,</mo> <msub> <mi>I</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>></mo> <mfrac> <msub> <mi>V</mi> <mi>ce</mi> </msub> <msub> <mi>R</mi> <mi>ce</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> </mtable> </mfenced> </mrow>

其中,K为MOSFET沟道的跨导;VT为MOSFET沟道导通阈值电压;VCE为IGBT集射极电压;Ic为流过IGBT电流即集电极电流;f1和f2为修正函数;Rce为通态电阻;Vge为栅射极电压;τ为少数载流子寿命即拖尾时间常数;t为仿真时间;t0为拖尾电流起始时间;Itail为拖尾电流;Vth为阈值电压;VD为通态压降。

4.如权利要求3所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述修正函数f1和f2为二阶多项式,是对所述MOSFET的沟道电流进 行修正,使得到的电流结果能精确反映IGBT的集电极电流。

5.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述动态模型的建立过程包括:

用指数函数进行模拟影响IGBT器件的开通延迟时间和关断的拖尾电流;

获取寄生电容参数。

6.如权利要求5所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:通过输入电容Cies、输出电容Coes、反馈电容Cres与IGBT集射极电压VCE的变化曲线获取寄生电容参数。

7.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述热模型受温度影响变化的IGBT器件内部电气参数包括过剩载流子寿命τ,栅极门槛电压VT和跨导KP;并通过下式确定:

<mfenced open='{' close=''> <mtable> <mtr> <mtd> <mi>&tau;</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>j</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <mi>&tau;</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <msub> <mi>T</mi> <mi>j</mi> </msub> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>1.5</mn> </msup> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>V</mi> <mi>T</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>j</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <msub> <mi>V</mi> <mi>T</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>-</mo> <msub> <mi>K</mi> <mi>th</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>j</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mtd> </mtr> <mtr> <mtd> <msub> <mi>K</mi> <mi>p</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>j</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <mo>=</mo> <msub> <mi>K</mi> <mi>p</mi> </msub> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> <msup> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <msub> <mi>T</mi> <mn>0</mn> </msub> <msub> <mi>T</mi> <mi>j</mi> </msub> </mfrac> <mo>)</mo> </mrow> <mn>0.8</mn> </msup> </mtd> </mtr> </mtable> </mfenced>

其中,τ(T0),VT(T0),KP(T0)分别为过剩载流子浓度,门槛电压,跨导参数在常温T0时的值;τ(Tj),VT(Tj),KP(Tj)为温度为Tj时的值;Kth为门槛电压的系数。

8.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:搭建所述单个IGBT模块,然后将其串联,并在器件级仿真平台上建立由多个IGBT器件串、并联组成的装置。

9.如权利要求8所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:通过可编辑逻器实现IGBT纳秒级实时化仿真。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1