1.一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:包括:
建立静态模型;
建立动态模型;
建立热模型;
通过所述模型搭建可实时化的IGBT仿真模型。
2.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述静态模型的建立过程包括:
采用分段函数模拟MOSFET沟道电流;
修正所述MOSFET沟道电流;
模拟不同工作条件下IGBT的集电极电流。
3.如权利要求2所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述分段函数如下式:
其中,K为MOSFET沟道的跨导;VT为MOSFET沟道导通阈值电压;VCE为IGBT集射极电压;Ic为流过IGBT电流即集电极电流;f1和f2为修正函数;Rce为通态电阻;Vge为栅射极电压;τ为少数载流子寿命即拖尾时间常数;t为仿真时间;t0为拖尾电流起始时间;Itail为拖尾电流;Vth为阈值电压;VD为通态压降。
4.如权利要求3所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述修正函数f1和f2为二阶多项式,是对所述MOSFET的沟道电流进 行修正,使得到的电流结果能精确反映IGBT的集电极电流。
5.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述动态模型的建立过程包括:
用指数函数进行模拟影响IGBT器件的开通延迟时间和关断的拖尾电流;
获取寄生电容参数。
6.如权利要求5所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:通过输入电容Cies、输出电容Coes、反馈电容Cres与IGBT集射极电压VCE的变化曲线获取寄生电容参数。
7.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:所述热模型受温度影响变化的IGBT器件内部电气参数包括过剩载流子寿命τ,栅极门槛电压VT和跨导KP;并通过下式确定:
其中,τ(T0),VT(T0),KP(T0)分别为过剩载流子浓度,门槛电压,跨导参数在常温T0时的值;τ(Tj),VT(Tj),KP(Tj)为温度为Tj时的值;Kth为门槛电压的系数。
8.如权利要求1所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:搭建所述单个IGBT模块,然后将其串联,并在器件级仿真平台上建立由多个IGBT器件串、并联组成的装置。
9.如权利要求8所述的一种可实时化的IGBT仿真模型建立方法,其特征在于:通过可编辑逻器实现IGBT纳秒级实时化仿真。