技术特征：
1.一种芯片卡，所述芯片卡具有以下：芯片；天线；耦合结构，其设计用于将能量从所述天线传输到所述芯片上；控制元件，其设计用于根据所述芯片卡所经受的磁场的场强来控制所述天线的谐振频率、所述天线的品质因数和所述耦合结构的能量传输有效性中的至少一个。2.根据权利要求1所述的芯片卡，其中，所述天线通过所述耦合结构与所述芯片电流耦合。3.根据权利要求1或2所述的芯片卡，其中，所述控制元件设计用于随着所述磁场的场强增大在所述磁场的场强的一个阈值以上使所述天线的谐振频率偏离预给定的系统频率。4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片卡，其中，所述控制元件设计用于随着所述磁场的场强增大在所述磁场的场强的一个阈值以上减小所述天线的品质因数。5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片卡，其中，所述天线是放大器天线，所述芯片卡具有芯片模块天线电路，所述芯片模块天线电路具有所述芯片和芯片模块天线，所述芯片卡具有放大器天线电路，所述放大器天线电路具有所述放大器天线和耦合天线，所述耦合天线与所述芯片模块天线感应式耦合，其中，所述放大器天线电路构成谐振回路，其中，所述控制元件设计用于根据所述芯片卡所经受的磁场的场强来控制所述放大器天线电路的谐振频率、所述放大器天线电路的品质因数和\t在所述放大器天线电路与所述芯片模块天线电路之间的感应式耦合中的至少一个。6.根据权利要求5所述的芯片卡，其中，所述控制元件设计用于根据所述磁场的场强来控制所述耦合天线与所述芯片模块天线的互感。7.根据权利要求6所述的芯片卡，其中，所述控制元件设计用于随着所述磁场的场强增大在所述磁场的场强的一个阈值以上减小所述耦合天线与所述芯片模块天线的互感。8.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片卡，其中，所述控制元件是可变电阻。9.根据权利要求8所述的芯片卡，其中，所述可变电阻是以下电阻：所述电阻的电阻值取决于所述电阻所经受的磁场的场强。10.根据权利要求9所述的芯片卡，其中，所述可变电阻具有以下结构：所述结构显示巨磁电阻效应。11.根据权利要求8所述的芯片卡，其中，所述可变电阻设置成与所述芯片物理接触，以便通过所述芯片加热。12.根据权利要求1至11中任一项所述的芯片卡，其中，所述控制元件是进行电压限制的元件。13.根据权利要求5所述的芯片卡，其中，控制元件是设置用于短接所述耦合天线的或所述芯片模块天线的至少一部分的进行电压限制的元件。14.根据权利要求12或13所述的芯片卡，其中，所述进行电压限制的元件是具有非线性的、取决于电压的电阻的元件。15.根据权利要求12至14中任一项所述的芯片卡，其中，所述进行电压限制的元件具有二极管或变阻器。16.根据权利要求5至7中任一项所述的芯片卡，其中，所述控制元件是所述耦合天线的铁氧体芯。17.根据权利要求5至7中任一项所述的芯片卡，其中，所述放大器天线电路还具有测量天线并且所述控制元件是所述测量天线的铁氧体芯。